电路原理第4周作业答案

解：列出图示逻辑电路的真值表如下。 X1 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 X2 0 1 0 1 0 1 0 1 X3 1 1 1 0 1 0 1 0 Y
X1 =“1” ，X2 =“0” ，X3 =“1”的等效电路如下图所示。
RL
Y
Ron
Ron
清华大学电路原理教学组
由真值表写出逻辑表达式为
3-45 对题图 3-45 所示的运算放大器电路：(1) 求电压增益 Uo/US；(2) 求由电压源 US 看进 去的入端电阻 Rin。
3S 6S I + US _ 4S 题图 3-45 解： （1）A 点电位为 0 10S A U’ + + + + 2S
U1
U0
U1
14 1 U0 U0 ， 1 2 1 4 3
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第 4 次作业
1. 用 2 个 n 沟道 MOSFET、 2 个 p 沟道 MOSFET 和电源来构成不消耗静态功率的 NAND 门。 解：
B A
Y
A
B
当 A=“0” ，B=“0”时，等效电路如图(a)所示。两个 P 沟道 MOSFET 导通，输入为 B 的 N 沟道 MOSFET 截止，输入为 A 的 N 沟道 MOSFET 状态不能确定。输出 Y =“1” ，没 有静态功耗。
RonP
RonP
RonP
RonP
Y
Y
Y
RonN
Y
RonN
RonN
(a)
(b)
(c)
(d)
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当 A=“0” ，B=“1”时，等效电路如图(b)所示。输出 Y =“1” ，没有静态功耗。 当 A=“1” ，B=“0”时，等效电路如图(c)所示。输入为 A 的 N 沟道 MOSFET 状态不 能确定。输出 Y =“1” ，没有静态功耗。 当 A=“1” ，B=“1”时，等效电路如图(b)所示。输出 Y =“0” ，没有静态功耗。 由上述逻辑关系可得 Y AB 2. X1、X2、X3 为逻辑输入信号，输出为 Y，US = “1”。(a) 写出该门电路的输入输出真值表， 要求利用 MOSFET 的 SR 模型，画出其中 X1=“1”、X2=“0”、X3=“1”时的等效电路； （2）根 据真值表，写出逻辑表达式，无需化简。
Uo
R2 题图 3-37
解：
Ua U U U0 R1 R2 U U
U 0 R1 R2U a ( R1 R2 )U
R2 Ub R1 R2 R2 (U b U a ) R1
因此， U 0
3-40 已知题图 3-40 所示电路中，电压源 uS(t)=cos4t V，电阻 R2= 2R1=1k。求电流 i(t)。 + uS(t) _ U’ + u a +
Y X1 X 2 X 3 X1 X 2 X 3 X1 X 2 X 3 X1 X 2 X 3 X1 X 2 X 3 X1 X 2 X 3
习题集 3-37、40、45 3-37 求题图 3-37 所示运算放大器电路的输出电压 Uo。
R2 R1 + Ua _ R1 + Ub _ U U’ + +
U 0 10 2 US 5
10U S 6U 1 3U 0 5U 0
因此，
（2） I 10U S ， 因此， Ri
US 0.1 I
6. 设计一个放大倍数小于 1 的同相比例器。 解： 方案 1：两个反相比例器级联，设计两个反相比例器的放大倍数，使其乘积小于 1 即可。 方案 2：一个同相比例器即可，将输入信号分压出一部分后再接到同相输入端。
1k 3k
i(t) 6k
1k 0.5k
题图 3-40 解： u S
0.5 1 u a u a u a Βιβλιοθήκη Baiduu S 1 0.5 3
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i
ua 3 1 1 u a u S i cos 4t mA 1 3 // 6 3 6 9 3