8半导体量子阱与超晶格

其他主要发光材料
• 阴极射线荧光粉 蓝光粉(约440nm) ： ZnS:Ag 绿光粉(约520nm) ： ZnS:Cu,Al;ZnS:Au,Cu 红光粉(约610nm) ： Y2O2S:Eu3+,Y2O3:Eu3+ ,YVO4:Eu3+ • 荧光灯荧光粉(Hg:254nm) 蓝光粉(450nm) ： BaMgAl10O17: Eu 2+ 绿光粉(543nm) ： Y2SiO5:Ce3+,Tb3+; (Ce, Tb)MgAl11O19 红光粉(610nm) ：Y2O3:Eu3+
E02 E0 10kV , E x E ax, xm a E0 10kV , x bE0n
2 0
B f i V V0 , n 1
n
• 等离子体显示荧光粉 (Xe:147nm) 蓝光粉(约450nm) ： BaMgAl10O17 : Eu 2+ 绿光粉(约520nm) ： ZnSiO4:Mn2+; BaAl12O19:Mn 红光粉(约610nm) ： (Y,Gd)Bo3:Eu3+, Y2O3:Eu3+
振荡频率为： h ，称为布洛赫振子。
量子阱ห้องสมุดไป่ตู้超晶格
量子阱与超晶格
• 量子阱：窄带半导体层被夹在厚的宽带隙半导体之间。 • 类似于一维无限势阱：电子运动量子化，产生分立能级。 分立能级依赖于势阱的宽度与深度。 • 量子阱的分立能级（子带）结构基本保持不变。
量子阱的光学特性
• 电子只在Z方向的运动是量子化的。 • 电子和空穴的吸收与发射需满足 Δn=0的选择定则（跃迁几率）。 • 吸收强度与态密度成比例，吸收 峰（激子）稍低于台阶处。 • 吸收光谱是研究量子阱与超晶格 的最有效手段之一。
半导体量子阱与超晶格
• 量子阱与超晶格 • 量子阱与超晶格的结构 • 量子阱与超晶格的吸收与发光
量子阱与超晶格
• 1969年江崎与朱兆祥提出超晶 格概念，以设计高频电子器件。 • 1973年张立钢与江崎利用MBE 生长GaAs/AlxGa1-xAs超晶格。 • 超晶格种类繁多，常见的是组 分超晶格。窄带隙半导体（如 GaAs）生长在宽带隙半导体 （如AlxGa1-xAs）之间。 • 只有单层窄带半导体即为量子 阱。 En k z Eno 2tn cos k z d • 早期量子阱、超晶格主要研究 电导特性（负阻现象）；现在 子带，超晶格周期，带宽， 主要研究光学特性。 dk z eF , 散射前在k d 处出现负阻。 • 半导体量子线与量子点的研究 dt 是目前的热点。 eFd
超晶格的光学特性
• 超晶格中宽带隙材料的物理宽 度小（约3nm）时，量子阱之 间的电子波函数可以重叠，形 成一定宽度的能带。 • 由于存在轻、重空穴态，实际 结果将比较复杂。 • 11H表示n=1导带电子与n=1价 带重空穴的复合发光。
有机电致发光
• 有机电致发光即发光层为 有机材料。 • 20世纪50年代有机材料蒽 单晶在400V电压下发光。 • 1987年Kodark公司 C.W.Deng(邓青云)和 Vanslyke将8－羟基喹啉 铝（Alq3）作为发光层。 • 1990年剑桥R.H.Friend 采 用了高分子聚合物－聚亚 基苯乙烯（PPV）作为发 光层。 • OLED结构 • 单层结构（电极＋发光层 ＋ITO电极） • 双层结构（DL-A）（电极 ＋电子输运层（发光层） ＋空穴输运层＋ITO电极） • 双层结构（DL-B）（电极 ＋电子输运层＋空穴输运 层＋ITO电极） • 三层结构（电极＋电子输 运层＋发光层＋空穴输运 层＋ITO电极）