C_SiC陶瓷基复合材料界面力学性能的离散元模拟

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C/SiC陶瓷基复合材料界面力学性能的离散元模拟*
李林涛,谭援强,姜胜强
(湘潭大学机械工程学院,湘潭411105
)摘要 采用离散元法(DEM),用BPM(Bonded-p
article model)模型分别建立并校准SiC陶瓷基体和碳纤维离散元模型,采用位移软化接触模型表征层间和纤维/基体之间的界面元损伤双线性本构关系。

通过DCB试验(Doub-le cantilever beam virtual test)和微滴脱黏试验分别对其界面强度进行收敛试验,动态地观察了塑性变形、裂纹扩展及界面脱黏过程。

结果表明,位移软化接触模型可以很好地表征界面损伤过程,采用离散元法可以很好地动态模拟较复杂复合材料的损坏过程。

关键词 C/SiC复合材料 界面性能 离散元法(DEM) 位移软化接触模型 模拟
中图分类号:TB332 文献标识码:A
Study 
on Interfaces Properties of C/SiC Ceramic Matrix CompositesUsing 
Discrete Element MethodLI Lintao,TAN Yuanqiang
,JIANG Shengqiang(School of Mechanical Engineering,Xiangtan University,Xiang
tan 411105)Abstract With the aid of BPM(Bonded-particle model),the discrete element models of SiC ceramics matrixand carbon fiber were set up and calibrated separately by the discrete element method(DEM).The bilinear cohesivelaw of interface element damage in interlayer and on matrix/fiber interface was characterized using displacement-sof-tening contact models,and then calibrated by DCB test(Double cantilever beam virtual test)and microbond test,re-spectively.Plastic deformation,crac-king growth situation and dynamic processes of interface debonding were ob-served in these simulation tests.The results show that the displacement-softening contact model could characterize in-terfacial damage process nicely,and discrete element method could simulate dynamic damage process for more complexcomposite materials admirably
.Key words C/SiC composites,interfacial properties,discrete element method(DEM),displacement-softeningcontact 
model,simulation *国家自然科学基金(
50875224;51005194);湖南省研究生科研创新基金(CX2010B262) 李林涛:
男,1985年生,硕士,主要从事机械工程材料和离散元研究 E-mail:lilintao212@163.com 谭援强:男,博士生导师,主要从事摩擦学、离散元和机械传动方面研究 E-mail:tanyq
@xtu.edu.cn0 引言
C/SiC陶瓷基复合材料具有耐高温、
抗腐蚀、高强度、高韧性等优良的高温力学性能,在航空航天、航海、汽车等领域有着广泛应用
[1]。

与SiC陶瓷材料相比,
由于碳纤维的加入,C/SiC陶瓷基复合材料的韧性得到了有效提高,
使陶瓷脆性材料表现出伪塑性行为,减少了发生灾难性损坏的几率[
2,3]。

目前,国内外学者主要采用有限元法(FEM)
对复合材料进行计算模拟研究。

张博明等[4]
通过有限元模拟方法分析
了微观参数(如界面强度等)对材料宏观性能的影响,从而对
复合材料进行优化设计。

李典森等[5]采用有限元法建立了
编织型复合材料的三维模型,模拟得到合理的应力分布,可以对不同的复合材料起到预知作用。

FEM在工程应用上比较成熟,
在复合材料上却很难解释基体微裂纹对界面的影响,也难以动态观察微裂纹的扩展过程。

关于离散元法
(DEM)
,块体材料是由接触键和平行键相连接的颗粒集合来模拟其属性,只要外界载荷超过颗粒间键的强度或断裂能,键就发生断裂。

改变断裂键的颜色就可以形象地观察到裂纹的运动以及界面脱黏等情况。

同时位移软化接触模型是一种双线性结构,与界面元本构模型很接近,可以用来表征界面力学性能。

基于DEM的这些优势和特点,采用PFC(Particle flow code)软件建立并校准复合材料SiC基体和碳纤维的离散元(BPM)模型,以位移软化接触模型模拟脆/脆复合材料的界面属性,并通过DCB和微滴脱黏收敛试验,再现裂纹的生成与扩展及界面脱黏等过程,使离散元法在复合材料领域里发挥独特的优势。

1 离散元法
离散元法(Discrete element method,DEM)起源于分子动力学。

1971年,离散元法首先由Cundall提出(
适用于岩·841·材料导报B:研究篇 2
012年11月(下)第26卷第11期
石力学),随后Cundall和Strack又在1979年提出了适于土力学的离散元法[6]。

发展至今,DEM在陶瓷[7,8]、岩石[9,10]和混凝土[11,12]等脆性材料的变形和断裂失效过程中有非常好的应用。

在块体离散元法中,一系列的刚性颗粒通过键的相互连接来模拟块体材料的属性。

颗粒形态分为圆盘(2D)和球(3D),在PFC 2D中,圆盘是有厚度的(默认情况下为1m)。

BPM模型主要有两种键连接形式:一种是接触键,只能传递力的信息;另一种是平行键,能同时传递力和力矩信息。

可以形象地把连接键比喻成弹簧,键的断裂就形成了裂纹。

在离散元中,颗粒在任意时步内的运动都满足牛顿第二定律,运动有平动(式(1))和转动(式(2))两种形式:
Fi=m
Δvi
Δt
-g
()i(1)
M3=IΔω3
Δt
(2)
式中:i(=1,2)分别表示x和y方向;F

为颗粒所受到的合
力;v
i为平移速度;m为颗粒质量;g

为加速度;M

为不平衡
力矩;ω

为角速度;I为颗粒的转动惯量;t为时间;Δ为增量。

任意相连接的两颗粒间的接触都符合力与位移法则,接触合力表示为:
Fi=Fni+Fsi(3)
式中:接触合力用F
i表示,可以分解为法向接触力Fn

和切
向接触力Fs
i。

其中法相接触力为:
Fn=KnUn(4)而切向接触力Fs要考虑Δt时步内滑移量ΔUs对它的影响,计算式为:
Fs=Fs+ΔFs=Fs-KsΔUs(5)式中:Kn和Ks分别为接触的法向和切向刚度,Un为两颗粒间重叠量。

2 SiC陶瓷和碳纤维力学性能DEM模拟采用BPM平行键模型(Parallel bond model:颗粒间用平行键相互连接,适用于脆性块体材料)建立相互连接的颗粒集合,得到微观结构和力学性能都与材料(SiC陶瓷基体和碳纤维)属性相似的离散元模型。

采用数字模拟标准试验(单轴压缩试验、三点弯曲试验、单边切口梁试验)对离散元模型的微观参数(颗粒刚度、颗粒的模量、颗粒之间的摩擦、键连接强度、键的模量等)进行反复的设置和调试[13],以校准SiC陶瓷基的力学性能。

为了使计算快捷又减少由离散元尺寸效应造成的误差,选取建模的颗粒数在6000~10000之间[14](颗粒半径R<5×10-5 m),得到与SiC陶瓷基材料力学性能相似的离散元模型,其力学性能参数如表1所示。

碳纤维C_t300非常细小,直径只有7~8μm,对碳纤维的弹性力学性能进行校准(即柏松比、弹性模量和压缩强度),同样进行反复设置和调试,得到其宏观力学属性,如表2所示。

从表1和表2可知,DEM模拟得到的SiC陶瓷基体和碳纤维C_t300的力学性能与文献值非常接近(误差小于5%),表明通过DEM建立的BPM模型能够非常好地模拟复合材料中SiC陶瓷基体和碳纤维C_t300的力学性能。

表1 SiC陶瓷基体材料离散元模拟和文献的
主要力学性能比较
Table 1 Main mechanical properties comparison of SiC inreferences and in DEM simulations
Material properties
Reference
result[15]
Result of
DEM simulationsElastic modulus/GPa 420 421Poisson ration 0.14 0.15Uniaxial compression
strength/MPa
2000 2068
Bending strength/MPa 500~800 777
Fracture toughness
MPa·m1/2
3.50 3.43
表2 碳纤维C_t300离散元模拟和文献的主要力学性能比较Table 2 Main mechanical properties comparison of C_t300in references and in DEM simulations
Material
properties
Reference
result[16]
Result of
DEM simulationsDiameter/μm 7 7Elastic modulus/GPa 235 232Poisson ration 0.34 0.34Uniaxial compression
strength/MPa
530 529
3 复合材料界面强度力学性能模拟
3.1 位移软化接触模型
界面对C/SiC复合材料的性能起到关键性作用,它能够调节脆性基体和脆性纤维之间的匹配关系,此外还具有一些特殊的物理化学性能[2]。

界面主要有层间界面和基体/纤维间界面两种,表现出一定的弹塑性行为。

在DEM中,位移软化接触模型是一种弹性接触连接模型,这种模型在加载和卸载部分都成线性变化[13],能够较好地体现界面处的弹塑性行为,如图1所示。

图1 位移软化接触模型的本构关系
Fig.1 Constitutive behavior of displacement-softening
contact model
在拉伸情况下,接触强度F
max
是由法向强度Fn

和切向
·



·
C/SiC陶瓷基复合材料界面力学性能的离散元模拟/李林涛等
强度Fsc求和得到的,假设接触强度是以一定角度α呈线性变化,可得到接触强度Fmax为:
Fmax=(1-2απ)·Fnc+2απ
Fsc
(6)当接触合力大于接触强度(F>Fmax)时,接触就开始变形。

在每个计算时步里,得到塑性位移增量ΔUp为:
ΔUp=(ΔUnp)2+(ΔUsp)
槡2
(7)式中:ΔUnp和ΔUsp分别表示法向和切向的塑性位移增量。


于累积塑性位移,则有: Up=∑
Δ
Up(8
)当累积塑性位移大于最大位移(Up>Up max)
时,接触断裂。

复合材料界面相并不是单一的几何平面,而是一个有厚
度的过渡区,
有学者提出了界面元损伤模型[17]
,视界面相为3D无厚度界面单元,
其双线性本构如图2所示。

界面元在相对位移δ超过δ0(拉力达到A点)时出现损伤,并且界面刚
度呈线性减少;当相对位移δ超过δf
(到达B点)时,界面元
完全破坏。

由于界面元双线性
本构与位移软化接触模型结构很相似,因此采用此接触模型来模拟复合材料界面的损伤过程。

图2 界面元双线性本构
Fig
.2 Bilinear cohesive law of interface element3.2 DCB试验
近几十年来,DCB试验(Double cantilever beam virtualtest)和3ENF试验(Three-p
oint bend end-notched flexuretest)都广泛应用于界面强度的研究[18,19]。

现采用较熟悉的DCB试验,取试样长度L=40mm,厚度2h=2mm(
分为上下两层,等厚),两层SiC陶瓷材料都采用平行键模型,层间采用位移软化接触模型。

固定试样右端,且左端预设一初始裂纹(白色),长度a=0.5L=20mm,如图3(a)所示;在左端上下两层分别施加一个恒定的速度v使其分离,如图3(b)所示。

考虑到分离速度v对DCB试验的稳定性和结果会有影响,采用收敛试验的方法来减少误差。

选用不同的速度v=0.05m/s、0.10m/s、0.20m/s、0.50m/s
,得到试样左端力-位移的关系曲线,如图4所示。

从图4中可以看出,v=0.05m/s和v=0.10m/s的曲线非常吻合;而v=0.20m/s的曲线在峰值处却有一点小波动,
特别是在外力超过峰值之后;对于v=0.5m/s
,得到的曲线则出现较大波动。

分析可知,选用拉速v=0.1m/s可以快速得到较稳定的模拟结果。

粒径对DCB试验的稳定性和结果可能也会有影响,
同样做收敛试验(改变粒径,而不改变层厚度)来减少误差。

分别选用R=0.0500mm、0.0625mm、0.0833mm、0.1250mm
四种粒径,在收敛拉速v=0.10m/s下研究颗粒半径对界面裂纹的影响,
如图5所示。

从图5可知,试验表现出一定的收敛性,当R=0.0625mm和R=0.0500mm时曲线趋势大致相同,最大加载力相差很小;当R=0.0833mm时,曲线出现较大的差异,最大加载力相差较大;当R=0.1250mm时,甚至出现瞬间断裂现象。

分析可知,采用拉速v=0.10m/s和颗粒半径R=0.0625mm,既保证了计算速度的快捷又减少了误差,使DCB试验拥
有较好的稳定性,得到较好的结果。

3.3 微滴脱黏试验
基体/纤维之间界面力学性能的测试有微滴脱黏试验、纤维拔出试验、微缺口压入试验等,本实验选用较熟悉的微
滴脱黏试验[20-22]。

在PFC 
2D里,把椭圆形微滴简化为圆形,并选取一边进行DEM建模,如图6所示。

碳纤维直径为16μm,长度为160μ
m,颗粒间的连接采用平行键连接模型;SiC陶瓷基体是半径为350μm的半圆形颗粒集合,同样采用平行键连接模型;基体/纤维间界面采用位移软化接触模型。

固定碳纤维的左端和下端,以高刚度墙模拟刀片,刀尖至圆心的连线与水平方向成θ角,
刀片在水平方向上以恒定的速度v运动。

考虑到刀片速度v对微滴脱黏试验的结果和稳定性会
·051·材料导报B:研究篇 2
012年11月(下)第26卷第11期
有影响,分别选取v=0.1m/s、0.5m/s、1.0m/s、2.0m/s四种切速,通过速度收敛试验来减少试验误差,结果如图7(θ=14°,灰点代表裂纹)所示。

当v=0.1m/s、v=0.5m/s和v=1.0m/s时,裂纹扩展形貌基本相同;当v=2.0m/s时,SiC基体裂纹大幅增多,并多处断裂。

再由微裂纹数-刀片位移关系曲线(如图8(θ=14°)所示)可知:当v=0.1m/s和v=0.5m/s时曲线很吻合;当v=1.0m/s时,由于速度增大,有一定的冲击,使得曲线有点差异;当v=2.0m/s时,由于速度过大,裂纹扩展非常不稳定,导致裂纹数大幅增加。

对比可知,在v=0.5m/s时,速度的冲击对试验影响较小,并且能节约计算时间,还能很好地观察到基体和界面处裂纹的生成和扩展以及界面脱黏过程:首先是基体产生裂纹,然后基体裂纹向界面处扩展,当裂纹传到界面时,界面便开始脱黏,在界面处可以观察到塑性变形现象。

在v=0.5m/s时分别对不同的刀片θ角(θ=7°、14°、21°和28°)进行微滴脱黏试验对比模拟,如图9(v=0.5m/s,灰色点代表裂纹)所示。

从微滴脱黏试验中可以得到刀片切削力随位移变化的曲线和总裂纹数随时步变化的曲线,分别如图10和图11所示。

图10 刀片上的切削力
Fig.10 Cutting force acting on the vise
由图9和图10对比可知,θ角越小,界面脱黏长度越长,表现出的弹塑性就越明显,不会出现瞬间损坏现象。

并且由图11可知:在θ=7°、θ=14°和θ=21°的条件下,产生的总裂纹数相差很小;在θ=7°的条件下,当裂纹扩展到界面时,裂纹增速趋于平缓,表现出很好的弹塑性;在θ=14°的条件下,当裂纹在基体材料扩展时,裂纹增速加快,表现出的弹塑性减弱;但是在θ=21°的条件下,裂纹数有一个陡增过程,出现瞬间断裂;在θ=28°的条件下,产生的总裂纹数大幅增大,并且有陡增过程,表现出脆性。

综上可知:刀片角度θ越大,界面脱黏长度越短,表现出的弹塑性就越弱,且角度θ过大,产生的总裂纹数会大幅增加,并出现瞬间断裂现象。

·



·
C/SiC陶瓷基复合材料界面力学性能的离散元模拟/李林涛等
图11 试样总裂纹数在不同角度下的变化Fig.11 The total crack number changes at different
vise angle
4 结论
(1)通过离散元法得到的SiC陶瓷基体和碳纤维C_t300模型的力学性能参数与实验值很接近,误差在5%以内,验证了该BPM模型的有效性和正确性。

(2)在C/SiC复合材料界面损伤模拟中,采用位移软化接触模型来表征界面元损伤双线性本构关系,建立DCB试验和微滴脱黏试验离散元模型,通过一系列的收敛试验模拟了不同界面的力学性能。

由模拟现象和结果可知:位移软化接触模型可以很好地用来研究复合材料界面的弹塑性;DCB试验和微滴脱黏试验中,速度v过大和颗粒半径过大,都会使模拟数据不稳定;在微滴脱黏试验中,刀片角度θ越大,脱黏界面长度越短,表现出的弹塑性越弱,且角度θ过大,产生的总裂纹数会大幅增加,并出现瞬间断裂现象。

(3)通过数值试验模拟及与文献参数对比可知:用DEM来研究C/SiC复合材料是可行的,基体裂纹的生产与扩展及界面的脱黏现象都可以直观形象地展现出来。

随着DEM的发展,它可以用来研究结构更复杂的复合材料及其工艺过程中的结构损伤等情况。

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·材料导报B:研究篇 2012年11月(下)第26卷第11期
率无明显的依赖关系,并且输出位移的响应曲线是与输入信号频率相同的信号。

实际应用中,由于压电驱动器相当于容性元件,存在等效电容,加之其内阻很高,使得充电电流小,响应时间长,从而降低驱动器的动态响应特性,因此,为增大驱动电流以提高驱动器的响应速度,应选用具有较强驱动能力的驱动电源。

图7 位移-时程曲线
Fig.7 The curve of output displacement-time
3 结语
本研究阐述了叠堆型压电驱动器的工作原理,并对压电陶瓷进行了力学和电学分析,推导出压电堆的输出位移和输出力的理论计算公式。

应用压电陶瓷机电耦合性建立有限元模型,对其进行仿真分析,验证了推导公式的正确性。

同时从分析结果可以看出:(1)叠堆型压电陶瓷驱动器的位移输出与输入电压成正比,150V时输出位移达19.017μm,实现了在较低电压下获得较大输出位移;(2)叠堆型压电陶瓷驱动器所产生的驱动力与压电片的截面积成正比;(3)叠堆型压电陶瓷驱动器的开路刚度值大于其短路刚度值,在使用过程中可充分利用这种特性;(4)叠堆型压电陶瓷驱动器具有良好的动态响应特性,但在实际使用中存在迟滞的现象,为提高其响应速度应选用驱动能力较强的驱动电源。

该叠堆压电驱动器与传统驱动器相比,其结构简单、尺寸小、成本低,通过输入电压即可实现位移控制,可作为较好的自适应控制驱动器应用于智能摩擦阻尼器的驱动装置。

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(责任编辑 沈 恒
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(责任编辑 杨 霞)
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