最新12 半导体二极管 (2)
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12 半导体二极管 (2)
半导体二极管图片
二、实际二极管的伏安特性
理想D伏安特性：
V
I IS(eVT 1)
实际二极管的伏安特性
两点区别： 1)正向特性(V>0)
存在死区电压
硅：Vth=0.5 V 锗：Vth=0.1 V
2)反向特性(V<0) 存在击穿电压
1.3.3 主要参数
(1) IF——最大整流电流
二、光电二极管 将光信号转换为电信号的器件，
符号见图A 常用于光的测量，或做光电池。
三、发电二极管 将电信号转换为光信号的器件，
（LED）
常用于显示，或做光纤传输中
符号见图B 的光发射端。
四、激光二极管 发射相干单色光的特殊发光二
符号见图B
极管。主要用于小功率光电设 备，如光驱、激光打印头等。
图A
图B
第
四
触敏屏
节
结束语
谢谢大家聆听！！！
18
应 用 电 路
（二）主要参数
(1) VZ —— 稳定电压 (2) IZ ——稳定工作电流
IZmin ~IZmax (3)PZM ——最大耗散功率
取决于PN结的面积和散热等条件，超过则热击穿 PZM = VZ IZmax
注意：
稳压二极管在工作时应反接，并 串入一只电阻。
电阻的作用： 限流保护 误差调节
（1）整流。 （2）限幅。 （3）逻辑（二极管逻辑）。
分析方法？
二极管是一种非线性器件，需应用线性化 模型分析法对其应用电路进行分析。
1.3.6 特殊二极管
一、稳压二极管
应用wenku.baidu.com反向击穿区 （雪崩击穿和齐纳击穿）
（一）符号、伏安特性 和典型应用电路
符 号 (a)
(c) (a)
(b) (b) 伏安特性
长期连续工作时，允许通 过的最大正向平均电流
(2) VBR——反向击穿电压
(3) IR（IS）—— 反向饱和电流
硅 (nA)级；锗 (A)级
(4) rd ——动态电阻 rd =VF /IF 二极管正向特性曲线斜率的倒数
1.3.4 型号命名规则
详见附录一
1.3.5 典型应用与分析方法
二极管经常应用于以下场合：
半导体二极管图片
二、实际二极管的伏安特性
理想D伏安特性：
V
I IS(eVT 1)
实际二极管的伏安特性
两点区别： 1)正向特性(V>0)
存在死区电压
硅：Vth=0.5 V 锗：Vth=0.1 V
2)反向特性(V<0) 存在击穿电压
1.3.3 主要参数
(1) IF——最大整流电流
二、光电二极管 将光信号转换为电信号的器件，
符号见图A 常用于光的测量，或做光电池。
三、发电二极管 将电信号转换为光信号的器件，
（LED）
常用于显示，或做光纤传输中
符号见图B 的光发射端。
四、激光二极管 发射相干单色光的特殊发光二
符号见图B
极管。主要用于小功率光电设 备，如光驱、激光打印头等。
图A
图B
第
四
触敏屏
节
结束语
谢谢大家聆听！！！
18
应 用 电 路
（二）主要参数
(1) VZ —— 稳定电压 (2) IZ ——稳定工作电流
IZmin ~IZmax (3)PZM ——最大耗散功率
取决于PN结的面积和散热等条件，超过则热击穿 PZM = VZ IZmax
注意：
稳压二极管在工作时应反接，并 串入一只电阻。
电阻的作用： 限流保护 误差调节
（1）整流。 （2）限幅。 （3）逻辑（二极管逻辑）。
分析方法？
二极管是一种非线性器件，需应用线性化 模型分析法对其应用电路进行分析。
1.3.6 特殊二极管
一、稳压二极管
应用wenku.baidu.com反向击穿区 （雪崩击穿和齐纳击穿）
（一）符号、伏安特性 和典型应用电路
符 号 (a)
(c) (a)
(b) (b) 伏安特性
长期连续工作时，允许通 过的最大正向平均电流
(2) VBR——反向击穿电压
(3) IR（IS）—— 反向饱和电流
硅 (nA)级；锗 (A)级
(4) rd ——动态电阻 rd =VF /IF 二极管正向特性曲线斜率的倒数
1.3.4 型号命名规则
详见附录一
1.3.5 典型应用与分析方法
二极管经常应用于以下场合：