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蔡红娟
模拟电子技术
本章主要内容
定义:N型半导体、P型半导体、自由电子与空穴、
扩散与漂移、PN结、二极管、稳压管、三极管、场 效应管
原理:二极管的单向导电性;三极管的放大作用;
半导体器件的工作特性及主要参数
方法:
如何判断二极管的通断; 如何判断三极管的类型; 如何判断三极管在电路中的工作状态
金属触丝
PN 结
P型硅
N型锗片
N型锗
N型硅
阴极引线 点接触型
2020/12/4
阴极引线 面接触型
蔡红娟
阴极引线 平面型
模拟电子技术
半导体二极管的伏安特性
二极管具有单向导电性
阈值电压 : 硅管0.7V
I
P
N
+
-
导0.1~0.3V
O
反向击穿
Uth
U
电压UB
2020/12/4
蔡红娟
模拟电子技术
N型半导体
P型半导体
为什么采用半导体材料制作电子器件?
2020/12/4
蔡红娟
模拟电子技术
PN结的形扩 度散 差成运 引动 起: 的因载浓流
子的P定、向N移型动 半导体结合
浓度差使多子扩散运动;P→
N
空间电荷区,形成内 漂移运动:载流子 电场N(+)→ P(-)
2020/12/4
蔡红娟
模拟电子技术
1.1 半导体器件
半导体:导电能力介于导体和绝缘体之间。
光敏性、热敏性
运载电荷的粒子,参与导电
掺入杂质,导电性能可控
本征半导体:T=0K,没有载流子,呈绝缘特性
2020/12/4
Ge
Si
蔡红娟
模拟电子技术
本征半导体有两种载流子
自由电子(负):定向移动,形成电子电流 空穴(正):价电子定向填补空穴,形成空穴电流 电子电流和空穴电流方向相反,两者之和即为半导
P
N
反向截止区
-+
反向击穿区
2020/12/4
蔡红娟
模拟电子技术
二极管
PN
二极管的伏安特性和PN结的区别
正偏时,电流相同,二极管端电压>PN结压降 正向电压不变,二极管的正向电流<PN结的电流 二极管存在表面漏电流,其反向电流增大
主要参数
最大整流电流IF:允许通过的最大正向平均电流 最大反向工作电压UR:常取击穿电压的一半 反向电流IR:二极管未击穿时的反向电流值。此值
2020/12/4
蔡红娟
模拟电子技术
叠加定理
例3 图示电路,求使I=0时的电流源电流IS。
IS
I
3
+
-1V 2 1
I
3
=+
-1V 2 1
I=
I+
I=
5 11

5IS 11
I=
1
1+
6 5
=
5 11
IS=1A
2020/12/4
蔡红娟
IS I 3
+
2 1
I= –
IS
1+
6 5
1
=–
5 11
IS
模拟电子技术
2020/12/4
蔡红娟
模拟电子技术
电子系统
温度、压力
隔离、滤波、放大
运算转换
等物理信号
对象

号 电信号 信号预

处理

信号 加工
信号 的驱 动与 执行
物理信号
电信号
数字信号
传感器、 红外接 收器等
A/D 转换
控制器
电信号
D/A 转换
控制
光耦、红外发送器等
2020/12/4
蔡红娟
模拟电子技术
如何学习《模拟电子技术》
在电场力作用下的 定向移动
内电场阻碍多子扩散运动,
加强少子漂移运动N→P
2020/12/4
动态平衡,形成PN结
蔡红娟
模拟电子技术
PN结的单向导电性
P
N
P
N
–– ––
外电场
++ ++
内电场
–– ––
外电场
++ ++
内电场
PN结正偏(P(+), N(-))时,具有较大的正向 扩散电流,呈现低电阻,PN结导通。
蔡红娟
模拟电子技术
课程定位
电子、电气、信息学科的专业基础课。 电子技术的一部分,工程性、实践性 课程的主要内容
常用电子器件 以三基为主 模拟电子电路 以应用为主 电子系统分析 管为路用
与其他课程的联系
基础:高等数学、应用数学、物理学 先修课程:电路理论 后续课程:数字电子技术、微机原理等
越小,二极管的导电性能越好
最高工作频率fM
2020/12/4
蔡红娟
模拟电子技术
二极管的应用
✓ 整流电路
ui
✓ 限幅电路
ui
RL uo uo
t
✓ 开关电路
t
✓ 检波电路
ui
RL
t
ui
uo uo
戴维南定理和诺顿定理
线性
含源
ia
戴维宁 定理
ia
- - R0
us+
+ u
负载
- 线性
含源
+ u
负载
b
us= uoc
独立
电源
b
置零
无耦合联系
ia
+
诺顿定理 iS
- R0 u 负载
b
线性 含源
is= isc
i=0 a
+
-uoc
b
a
b R0
a isc
b
2020/12/4
蔡红娟
模拟电子技术
2020/12/4
2020/12/4
蔡红娟
模拟电子技术
电路理论部分知识
- i1
+ u1
1
1
2 i3 i2 2 i5
3
13
i6
5
6
4 i4
i7 7
5
4
基尔霍夫电流定律(KCL) ik(t) =0
节点(3):
–i1 – i3+ i6=0
基尔霍夫电压定律(KVL) uk(t) =0
u1+ u6 – u7 – u4= 0
要求
重点掌握基本概念、基本电路、基本分析方法 注意电路理论知识在模电中的应用 用习题巩固知识
教材
《模拟电子技术》,朱定华,清华大学
参考资料
《模拟电子技术基础》,童诗白,清华大学 《电子技术基础》(模拟部分),康华光,高教
《模拟电子技术 学习指导与习题精解》,朱定华,清华
2020/12/4
体中的电流
2020/12/4
蔡红娟
模拟电子技术
杂质半导体
多子:多数载流子 少子:少数载流子
掺入杂质越多,多子浓度越高,导电性能越强
N型半导体(Negative负的)
掺入五价元素(磷) 主要靠自由电子(多子)导电
P型半导体( Positive正的)
掺入三价元素(硼) 主要靠空穴(多子)导电
模电拟子电子与技电术气信息类专业学科基础课程
2020/12/4
模拟电子技术
0 预备知识
电信号:
指随时间而变化的电压u或电流I,u=f(t)或i=f(t) 电信号容易传送和控制,应用广泛
模拟信号:在时间和数值上均连续,正弦波 数字信号:在时间和数值上均离散,方波
电路理论
基尔霍夫定律 叠加定理 戴维南定理和诺顿定理
PN结反偏(P(-), N (+))时,仅有很小的反向 漂移电流,呈现高电阻,PN结截止。
2020/12/4
蔡红娟
模拟电子技术
1.2 半导体二极管
P区引出的电极称为阳极,N区引出的电极称为阴极
点接触型:高频,小功率 面接触型:低频,整流管
P
N
平面二极管:大功率整流、开关
阳极引线
阳极引线
阳极引线
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