硅集成电路工艺——光刻与刻蚀
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方法：干法刻蚀
湿法刻蚀
质量指标：分辨率 ； 选择性
天津工业大学
去胶
目的：将经过刻蚀的硅片表面留下的光刻胶去除 方法：干法去胶
（等离子体去胶、紫外光分解去胶）
湿法去胶 （无机溶液去胶、有机溶液去胶）
天津工业大学
§8.2 分辨率(Resolution)
定义：分辨率R表示每mm内能刻蚀出可分辨的最多线条 数，即每mm内包含有多少可分辨的线对数
湿法刻蚀优缺点
各向同性
选择性好
天津工业大学
典型薄膜的湿法刻蚀
Si的湿法刻蚀 常规腐蚀：硝酸＋氢氟酸＋水
定向腐蚀：KOH水溶液＋异丙醇
天津工业大学
SiO2的湿法腐蚀 氢氟酸＋氟化氨缓冲溶液
Si3N4的湿法腐蚀 热磷酸
天津工业大学
§8.8 干法刻蚀
等离子刻蚀：化学反应，高速率，高选 择比，低缺陷，但各向同性 干 法 刻 蚀 溅射刻蚀（粒子铣）：物理溅射，各向 异性，低选择比，高缺陷
天津工业大学
二氧化硅和硅的干法刻蚀
高压等离子刻蚀
CF4+e
SiO2+4F Si+4F
CF3+F（自由基）+e
SiF4（气）+O2 SiF4 （气）
加入氧气对刻蚀的影响：刻蚀Si和SiO2的速度都加快， 且Si刻蚀速度增加更快，降低SiO2/Si刻蚀的选择性 加入氢气对刻蚀的影响：对SiO2的刻蚀影响不大，但可 减小对Si的刻蚀速度，增加SiO2/Si刻蚀的选择性
涂胶
前烘
曝光
显影
后烘
刻蚀
去胶
天津工业大学
硅片清洗
天津工业大学
预烘及涂增强剂
天津工业大学
涂胶
天津工业大学
前烘
天津工业大学
掩模版对准
天津工业大学
曝光
天津工业大学
曝光后烘培
天津工业大学
显影
天津工业大学
后烘及图形检测
天津工业大学
刻蚀
天津工业大学
刻蚀完成
天津工业大学
去胶
天津工业大学
离子注入
天津工业大学
曝光后烘培
天津工业大学
后烘（坚膜）
目的： 除去光刻胶中剩余的溶剂，增强光刻胶对硅片的附着力 提高光刻胶在刻蚀和离子注入过程中的抗蚀性和保护能力 减少光刻胶层中的缺陷（如针孔），修正图形边缘轮廓 方法：高温处理（150℃左右） 光学稳定（UV照射)
天津工业大学
刻蚀
目的：选择性地将未被光刻胶掩蔽的区域去除
石英板 热扩散系数小，刻写过程中 受T影响小 对248，193nm波长通透性好 铬层
刻蚀和淀积相对容易
对光线完全不透明 掩膜版保护膜
Cr2O3 Cr CrN,CrO
天津工业大学
移相掩模（PSM）
天津工业大学
天津工业大学
未来趋势（future Trends）
天津工业大学
天津工业大学
天津工业大学
紫外（UV）光源
水银弧光灯光源 i线（365nm） h线（405nm） g线（436nm） 缺点：能量利用率低（2％） 准直性差
天津工业大学
深紫外（ DUV ）光源
KrF、ArF、F2准分子激光器 优点：更高有效能量，各向异性，准直，波长更小， 空间相干低，分辨率高 缺点：带宽宽，脉冲式发射，能量峰值大，损伤
光刻技术在IC流程中的重要性
天津工业大学
ULSI中对光刻的基本要求
高分辨率
高灵敏度的光刻胶
低缺陷
精密的套刻对准 对大尺寸硅片的加工
天津工业大学
半导体工业中的洁净度概念
尘埃粒子的影响： 粒子1：在下面器件层产生针孔 粒子2：妨碍金属导线上电流的流动 粒子3：导致两金属区域短路，使电路失效
分辨率
曝光系统 衬底 掩膜 XX X X
对准
XX X X
片间控制
X XX －
批间控制
XX X X
产量
XX X X
光刻胶
显影剂 润湿剂 工艺 操作员
Biblioteka Baidu
XX
X － X X
X
－ － X XX
XX
XX XX XX XX
XX
XX X XX X
XX
X － XX XX
天津工业大学
§8.3 光刻胶的基本属性
正胶与负胶：
天津工业大学
旋涂
天津工业大学
旋涂
天津工业大学
旋涂
天津工业大学
旋涂
天津工业大学
边沿清除
天津工业大学
边沿清除
天津工业大学
光刻胶膜的质量
质量指标： 膜厚（光刻胶本身的黏性、甩胶时间、速度） 膜厚均匀性（甩胶速度、转速提升速度） 气泡，灰尘等粘污情况（超净工作台，红、黄光照明）
天津工业大学
0.61λ/NA（亚微米级工艺）
优点：样品与掩膜版不接 触，避免缺陷产生
掩膜板不易损坏，可仔细 修整
缺点：结构复杂，工艺要 求高，产率低
天津工业大学
天津工业大学
M:1缩小的步进重复曝光
天津工业大学
数值孔径（NA）
NA表示透镜收集发散光的能力，NA越大，则能得到更锐 利的图形，从而得到更小的特征尺寸及更大的分辨率。
天津工业大学
快速热处理及合金
天津工业大学
预烘及涂增强剂
去除硅片表面的水分 增强与光刻胶的黏附力（亲水性，疏水性） 温度一般为150～750℃之间 可用涂覆增强剂（HMDS，六甲基乙硅氧烷）来增加 黏附性
天津工业大学
涂胶（旋涂法）
目的：形成厚度均匀、附着力强、没有缺陷的光刻胶薄膜 方法：旋涂法
天津工业大学
曝光方式（Exposure）
接触式
曝 光 方 式 遮蔽式 Shade system Contact printer 接近式
proximity printer
投影式 projection system
天津工业大学
接触式曝光(contact printer)
接触式曝光 S=0，分辨率得到提高（1－3um) 尘埃粒子的产生，导致掩膜版的损坏，降低成品率
的正映像
负胶：反之
方法：喷洒显影液
静止显影
漂洗、旋干
天津工业大学
天津工业大学
正胶和负胶
天津工业大学
显影中可能存在的问题
天津工业大学
显影设备
天津工业大学
喷洒显影液
天津工业大学
静止显影
天津工业大学
去除显影液
天津工业大学
去离子水清洗
天津工业大学
显影全过程
天津工业大学
曝光后烘培
目的：降低驻波效应，形成均匀曝光
前烘
目的： 使胶膜内溶剂充分挥发，干燥，降低灰尘污染 增加胶膜与下层膜的黏附性及耐磨性 区分曝光区和未曝光区的溶解速度 方法： 干燥循环热风 红外线辐射 热平板传导（100℃左右）
天津工业大学
前烘方法
天津工业大学
显影
目的：显现出曝光后在光刻胶层中形成的潜在图形 正胶：感光区域显影溶解，所形成的是掩膜板图形
2 1 掩膜版上 的图形 3
天津工业大学
洁净度等级：
英制：每立方英尺中直径大于或等于0.5μm的尘埃粒
子总数不超过设计等级（如英制等级100） 公制：每立方米中直径大于或等于0.5μm的尘埃粒子 总数不超过设计等级（以指数计算，如等级M3.5， 则粒子总数不超过103.5个）
天津工业大学
§8.1 光刻工艺流程
天津工业大学
天津工业大学
增加氢
增加氧
天津工业大学
聚合物的形成和侧壁保护
+ + +
+ 光刻胶
SiO 2
Si
天津工业大学
§8.9 刻蚀速率
离子能量和入射角 气体成分 气体流速 温度
离子加速反应机理： •离子轰击产生损伤或缺陷 •离子轰击直接离解反应剂 分子 •离子轰击可清除表面不挥 发性的残余物质
天津工业大学
提高分辨率的方法
化学增强的深紫外光刻胶 离轴照明 提高分辨率 常规基体：PAG，保护剂， 改良剂（易污染，更深 UV难应用） 深紫外基体：PMMA（聚 甲基丙烯酸甲酯，抗蚀力 不强，短储存时间）
优化焦深
扩大调焦范围曝光 曝光接触孔和通孔，需 要更深聚焦深度
天津工业大学
§8.5 掩膜版的制造
天津工业大学
其他特性
光敏度
理想的曝光图形
膨胀性 抗刻蚀能力和热稳定性 黏着力 溶解度和黏滞度
正胶 实际的曝光图形
微粒含量和金属含量
储存寿命
负胶
理想曝光图形与实际图形的差别
天津工业大学
§8.4 曝光系统
紫外（UV）
曝 光 系 统
光学曝光系统 深紫外（DUV） 电子束曝光系统 非光学曝光系统 X射线曝光系统 离子束曝光系统
天津工业大学
接近式曝光（proximity printer）
接近式曝光（>3um） 最小线宽LCD=1.4(Sλ)1/2 减少了掩膜版的损坏，但分辨率受到限制
天津工业大学
投影式曝光(projection system)
最小尺寸：Lmin＝ 扫描方式： 1：1步进重复 M：1缩小的步进重复
X射线曝光
类似接近式曝光
更大的粒子质量，更高的分辨率 纯的X射线源难以得到 掩模版的制备存在挑战 在实际生产中难以应用
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电子束直写式曝光
主要用于掩模版的制备 能达到最小的几何尺寸:
0.014 um
能够直写，无需掩模版 邻近效应导致分辨率下降
产率低
干法刻蚀：
等离子体，化学反应＋物理 溅射 优点：较高的各向异性，能 形成更小的特征尺寸；等离 子体可以容易的开始和结束， 温度不敏感，工艺重复性好； 更少的颗粒玷污，很少的化 学废液 缺点：选择性比较差，设备 复杂
天津工业大学
缺点：各向同性，精 细线条难以刻蚀；大 量的颗粒污染，化学 废液
天津工业大学
对比度
光刻胶膜厚——曝光剂量响应曲线 对比度： r (Y Y ) /( X X ) 2 1 2 1
正胶：rp
1 log 10 ( Dc / D0 )
负胶：rn
1
0 i log 10 ( D g / D g )
对比度越高，侧面越陡，线宽更准确 对比度高，减少刻蚀过程中的钻蚀效应，提高分辨率
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§8.6 ULSI对图形转移的要求
dm
图形转移的保真度
各向异性度：A=1-(Vl/Vv)
df
a dm
选择比
不同材料在腐蚀过程中被腐蚀的速率比
df
均匀性
不同位置在腐蚀过程中被腐蚀的速率比
b dm
刻蚀的清洁
df c
h
天津工业大学
§8.7 湿法刻蚀 （Etching）
湿法刻蚀：
液态溶液，化学反应 优点:工艺简单；选择 性好；操作方便
R
1 2L
( mm )
1
天津工业大学
物理学意义：限制因素是衍射
光子：
L p h
L p / h / 2; Rmax 1 /
粒子：
L
h 2 2 mE
所以：能量一定，则粒子质量越大，分辨率越高
质量一定，则动能越高，分辨率越高
天津工业大学
光刻参数对工艺效果的影响
压力、功率密度
负载效应
天津工业大学
小结
掌握光刻工艺的重要性及洁净度概念
掌握光刻工艺流程（七步，目的、方法、影响因素） 理解分辨率的概念及影响因素 理解光刻胶的基本属性及对分辨率的影响 理解曝光光源，曝光方式及其对分辨率的影响 了解掩膜版的制备及移相掩膜原理 了解电子束曝光、X射线曝光及光刻的未来发展趋势 掌握湿法刻蚀和干法刻蚀的原理及优缺点
天津工业大学
光刻胶的组成
聚合物材料（树脂）：保证光刻胶的附着性和抗腐蚀 性及其他特性，光化学反应改变溶解性
感光材料（PAC）：控制或调整光化学反应，决定着曝 光时间和剂量 溶剂：将树脂溶解为液体，使之易于涂覆 添加剂：染色剂等
天津工业大学
正胶与负胶
天津工业大学
正胶与负胶
负胶的缺点： • 树脂的溶涨降低分辨率 • 溶剂（二甲苯）造成环境污染
反应粒子刻蚀：化学和物理双重作用， 各性能介于二者之间
利用等离子激活的化学反应或者利用高能离子束轰击 完成去除物质的方法
天津工业大学
等离子刻蚀的工艺过程
天津工业大学
共同点：都是利用低压状态下气体放电来形成等离子体作 为刻蚀基础
不同点：刻蚀系统压力：等>反>溅；温度：等>反>溅； 功率：反之；气流等相关可控参数。 刻蚀机制： 等离子刻蚀:（化学反应）产生－扩散－吸附－反应－解吸 溅射刻蚀:（物理溅射）产生－加速－轰击－溅射－排除
IC设计流程图，光刻图案用来定义IC中各种不同的区域，如：离子注 入区、接触窗、有源区、栅极、压焊点、引线孔等
主流微电子制造过程中，光刻是最复杂，昂贵和关键的工艺，占总成 本的1/3，一个典型的硅工艺需要15-20块掩膜，光刻工艺决定着整个 IC工艺的特征尺寸，代表着工艺技术发展水平。
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Chap.8 光刻与刻蚀工艺
光刻的重要性及要求 光刻工艺流程 光刻工艺的分辨率及光刻胶 曝光光源、曝光方式以及掩膜版 湿法刻蚀与干法刻蚀技术
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1
2 3 4 5
光刻与刻蚀的定义
图形曝光（光刻，Photolithography） 图形加工 图形转移（刻蚀，Etching） 光刻工艺的重要性：
湿法刻蚀
质量指标：分辨率 ； 选择性
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去胶
目的：将经过刻蚀的硅片表面留下的光刻胶去除 方法：干法去胶
（等离子体去胶、紫外光分解去胶）
湿法去胶 （无机溶液去胶、有机溶液去胶）
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§8.2 分辨率(Resolution)
定义：分辨率R表示每mm内能刻蚀出可分辨的最多线条 数，即每mm内包含有多少可分辨的线对数
湿法刻蚀优缺点
各向同性
选择性好
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典型薄膜的湿法刻蚀
Si的湿法刻蚀 常规腐蚀：硝酸＋氢氟酸＋水
定向腐蚀：KOH水溶液＋异丙醇
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SiO2的湿法腐蚀 氢氟酸＋氟化氨缓冲溶液
Si3N4的湿法腐蚀 热磷酸
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§8.8 干法刻蚀
等离子刻蚀：化学反应，高速率，高选 择比，低缺陷，但各向同性 干 法 刻 蚀 溅射刻蚀（粒子铣）：物理溅射，各向 异性，低选择比，高缺陷
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二氧化硅和硅的干法刻蚀
高压等离子刻蚀
CF4+e
SiO2+4F Si+4F
CF3+F（自由基）+e
SiF4（气）+O2 SiF4 （气）
加入氧气对刻蚀的影响：刻蚀Si和SiO2的速度都加快， 且Si刻蚀速度增加更快，降低SiO2/Si刻蚀的选择性 加入氢气对刻蚀的影响：对SiO2的刻蚀影响不大，但可 减小对Si的刻蚀速度，增加SiO2/Si刻蚀的选择性
涂胶
前烘
曝光
显影
后烘
刻蚀
去胶
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硅片清洗
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预烘及涂增强剂
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涂胶
天津工业大学
前烘
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掩模版对准
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曝光
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曝光后烘培
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显影
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后烘及图形检测
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刻蚀
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刻蚀完成
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去胶
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离子注入
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曝光后烘培
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后烘（坚膜）
目的： 除去光刻胶中剩余的溶剂，增强光刻胶对硅片的附着力 提高光刻胶在刻蚀和离子注入过程中的抗蚀性和保护能力 减少光刻胶层中的缺陷（如针孔），修正图形边缘轮廓 方法：高温处理（150℃左右） 光学稳定（UV照射)
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刻蚀
目的：选择性地将未被光刻胶掩蔽的区域去除
石英板 热扩散系数小，刻写过程中 受T影响小 对248，193nm波长通透性好 铬层
刻蚀和淀积相对容易
对光线完全不透明 掩膜版保护膜
Cr2O3 Cr CrN,CrO
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移相掩模（PSM）
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未来趋势（future Trends）
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紫外（UV）光源
水银弧光灯光源 i线（365nm） h线（405nm） g线（436nm） 缺点：能量利用率低（2％） 准直性差
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深紫外（ DUV ）光源
KrF、ArF、F2准分子激光器 优点：更高有效能量，各向异性，准直，波长更小， 空间相干低，分辨率高 缺点：带宽宽，脉冲式发射，能量峰值大，损伤
光刻技术在IC流程中的重要性
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ULSI中对光刻的基本要求
高分辨率
高灵敏度的光刻胶
低缺陷
精密的套刻对准 对大尺寸硅片的加工
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半导体工业中的洁净度概念
尘埃粒子的影响： 粒子1：在下面器件层产生针孔 粒子2：妨碍金属导线上电流的流动 粒子3：导致两金属区域短路，使电路失效
分辨率
曝光系统 衬底 掩膜 XX X X
对准
XX X X
片间控制
X XX －
批间控制
XX X X
产量
XX X X
光刻胶
显影剂 润湿剂 工艺 操作员
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XX
X － X X
X
－ － X XX
XX
XX XX XX XX
XX
XX X XX X
XX
X － XX XX
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§8.3 光刻胶的基本属性
正胶与负胶：
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旋涂
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旋涂
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旋涂
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旋涂
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边沿清除
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边沿清除
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光刻胶膜的质量
质量指标： 膜厚（光刻胶本身的黏性、甩胶时间、速度） 膜厚均匀性（甩胶速度、转速提升速度） 气泡，灰尘等粘污情况（超净工作台，红、黄光照明）
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0.61λ/NA（亚微米级工艺）
优点：样品与掩膜版不接 触，避免缺陷产生
掩膜板不易损坏，可仔细 修整
缺点：结构复杂，工艺要 求高，产率低
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M:1缩小的步进重复曝光
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数值孔径（NA）
NA表示透镜收集发散光的能力，NA越大，则能得到更锐 利的图形，从而得到更小的特征尺寸及更大的分辨率。
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快速热处理及合金
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预烘及涂增强剂
去除硅片表面的水分 增强与光刻胶的黏附力（亲水性，疏水性） 温度一般为150～750℃之间 可用涂覆增强剂（HMDS，六甲基乙硅氧烷）来增加 黏附性
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涂胶（旋涂法）
目的：形成厚度均匀、附着力强、没有缺陷的光刻胶薄膜 方法：旋涂法
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曝光方式（Exposure）
接触式
曝 光 方 式 遮蔽式 Shade system Contact printer 接近式
proximity printer
投影式 projection system
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接触式曝光(contact printer)
接触式曝光 S=0，分辨率得到提高（1－3um) 尘埃粒子的产生，导致掩膜版的损坏，降低成品率
的正映像
负胶：反之
方法：喷洒显影液
静止显影
漂洗、旋干
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正胶和负胶
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显影中可能存在的问题
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显影设备
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喷洒显影液
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静止显影
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去除显影液
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去离子水清洗
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显影全过程
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曝光后烘培
目的：降低驻波效应，形成均匀曝光
前烘
目的： 使胶膜内溶剂充分挥发，干燥，降低灰尘污染 增加胶膜与下层膜的黏附性及耐磨性 区分曝光区和未曝光区的溶解速度 方法： 干燥循环热风 红外线辐射 热平板传导（100℃左右）
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前烘方法
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显影
目的：显现出曝光后在光刻胶层中形成的潜在图形 正胶：感光区域显影溶解，所形成的是掩膜板图形
2 1 掩膜版上 的图形 3
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洁净度等级：
英制：每立方英尺中直径大于或等于0.5μm的尘埃粒
子总数不超过设计等级（如英制等级100） 公制：每立方米中直径大于或等于0.5μm的尘埃粒子 总数不超过设计等级（以指数计算，如等级M3.5， 则粒子总数不超过103.5个）
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§8.1 光刻工艺流程
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增加氢
增加氧
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聚合物的形成和侧壁保护
+ + +
+ 光刻胶
SiO 2
Si
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§8.9 刻蚀速率
离子能量和入射角 气体成分 气体流速 温度
离子加速反应机理： •离子轰击产生损伤或缺陷 •离子轰击直接离解反应剂 分子 •离子轰击可清除表面不挥 发性的残余物质
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提高分辨率的方法
化学增强的深紫外光刻胶 离轴照明 提高分辨率 常规基体：PAG，保护剂， 改良剂（易污染，更深 UV难应用） 深紫外基体：PMMA（聚 甲基丙烯酸甲酯，抗蚀力 不强，短储存时间）
优化焦深
扩大调焦范围曝光 曝光接触孔和通孔，需 要更深聚焦深度
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§8.5 掩膜版的制造
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其他特性
光敏度
理想的曝光图形
膨胀性 抗刻蚀能力和热稳定性 黏着力 溶解度和黏滞度
正胶 实际的曝光图形
微粒含量和金属含量
储存寿命
负胶
理想曝光图形与实际图形的差别
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§8.4 曝光系统
紫外（UV）
曝 光 系 统
光学曝光系统 深紫外（DUV） 电子束曝光系统 非光学曝光系统 X射线曝光系统 离子束曝光系统
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接近式曝光（proximity printer）
接近式曝光（>3um） 最小线宽LCD=1.4(Sλ)1/2 减少了掩膜版的损坏，但分辨率受到限制
天津工业大学
投影式曝光(projection system)
最小尺寸：Lmin＝ 扫描方式： 1：1步进重复 M：1缩小的步进重复
X射线曝光
类似接近式曝光
更大的粒子质量，更高的分辨率 纯的X射线源难以得到 掩模版的制备存在挑战 在实际生产中难以应用
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电子束直写式曝光
主要用于掩模版的制备 能达到最小的几何尺寸:
0.014 um
能够直写，无需掩模版 邻近效应导致分辨率下降
产率低
干法刻蚀：
等离子体，化学反应＋物理 溅射 优点：较高的各向异性，能 形成更小的特征尺寸；等离 子体可以容易的开始和结束， 温度不敏感，工艺重复性好； 更少的颗粒玷污，很少的化 学废液 缺点：选择性比较差，设备 复杂
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缺点：各向同性，精 细线条难以刻蚀；大 量的颗粒污染，化学 废液
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对比度
光刻胶膜厚——曝光剂量响应曲线 对比度： r (Y Y ) /( X X ) 2 1 2 1
正胶：rp
1 log 10 ( Dc / D0 )
负胶：rn
1
0 i log 10 ( D g / D g )
对比度越高，侧面越陡，线宽更准确 对比度高，减少刻蚀过程中的钻蚀效应，提高分辨率
天津工业大学
§8.6 ULSI对图形转移的要求
dm
图形转移的保真度
各向异性度：A=1-(Vl/Vv)
df
a dm
选择比
不同材料在腐蚀过程中被腐蚀的速率比
df
均匀性
不同位置在腐蚀过程中被腐蚀的速率比
b dm
刻蚀的清洁
df c
h
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§8.7 湿法刻蚀 （Etching）
湿法刻蚀：
液态溶液，化学反应 优点:工艺简单；选择 性好；操作方便
R
1 2L
( mm )
1
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物理学意义：限制因素是衍射
光子：
L p h
L p / h / 2; Rmax 1 /
粒子：
L
h 2 2 mE
所以：能量一定，则粒子质量越大，分辨率越高
质量一定，则动能越高，分辨率越高
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光刻参数对工艺效果的影响
压力、功率密度
负载效应
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小结
掌握光刻工艺的重要性及洁净度概念
掌握光刻工艺流程（七步，目的、方法、影响因素） 理解分辨率的概念及影响因素 理解光刻胶的基本属性及对分辨率的影响 理解曝光光源，曝光方式及其对分辨率的影响 了解掩膜版的制备及移相掩膜原理 了解电子束曝光、X射线曝光及光刻的未来发展趋势 掌握湿法刻蚀和干法刻蚀的原理及优缺点
天津工业大学
光刻胶的组成
聚合物材料（树脂）：保证光刻胶的附着性和抗腐蚀 性及其他特性，光化学反应改变溶解性
感光材料（PAC）：控制或调整光化学反应，决定着曝 光时间和剂量 溶剂：将树脂溶解为液体，使之易于涂覆 添加剂：染色剂等
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正胶与负胶
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正胶与负胶
负胶的缺点： • 树脂的溶涨降低分辨率 • 溶剂（二甲苯）造成环境污染
反应粒子刻蚀：化学和物理双重作用， 各性能介于二者之间
利用等离子激活的化学反应或者利用高能离子束轰击 完成去除物质的方法
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等离子刻蚀的工艺过程
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共同点：都是利用低压状态下气体放电来形成等离子体作 为刻蚀基础
不同点：刻蚀系统压力：等>反>溅；温度：等>反>溅； 功率：反之；气流等相关可控参数。 刻蚀机制： 等离子刻蚀:（化学反应）产生－扩散－吸附－反应－解吸 溅射刻蚀:（物理溅射）产生－加速－轰击－溅射－排除
IC设计流程图，光刻图案用来定义IC中各种不同的区域，如：离子注 入区、接触窗、有源区、栅极、压焊点、引线孔等
主流微电子制造过程中，光刻是最复杂，昂贵和关键的工艺，占总成 本的1/3，一个典型的硅工艺需要15-20块掩膜，光刻工艺决定着整个 IC工艺的特征尺寸，代表着工艺技术发展水平。
天津工业大学
Chap.8 光刻与刻蚀工艺
光刻的重要性及要求 光刻工艺流程 光刻工艺的分辨率及光刻胶 曝光光源、曝光方式以及掩膜版 湿法刻蚀与干法刻蚀技术
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光刻与刻蚀的定义
图形曝光（光刻，Photolithography） 图形加工 图形转移（刻蚀，Etching） 光刻工艺的重要性：