低噪声放大器仿真实验

东南大学电子电路与综合实验报告

实验一低噪声放大器仿真实验

一、实验目的

（1）了解低噪声放大器的工作原理

（2）掌握双极性晶体管放大器的工程设计

（3）掌握低噪声放大器的基本参数的测量方法

（4）熟悉Multisim软件的高级分析功能

二、实验原理

三、实验仪器

四、实验内容/实验步骤

1、2MHz

（1）搭建电路图，如下图所示：

（2）直流分析

点击仿真——分析——直流工作点，得到下列结果：

（3）交流分析（4）噪声分析

2、250MHz （1）搭建电路

(2)直流分析

(3)交流分析

(4)噪声分析

五、思考题

（1）比较250MHzLNA LNA的输入信号频率为250MHz时，所获得的噪声系数与2MHzLNA的输入信号频率为2MHz相同幅度信号时的噪声系数的区别，并对差异的原因进行探讨。

250MHz时，噪声系数比2MHz时大很多。

在高频电路中，由于rbb’的作用，Ub’e会减小，使输出电流减小。由Cb’c构成的反馈回路对电路的稳定性的影响也会随输入信号的频率的增加而增加。

（2）将2MHzLNA中NPN管换为NMOS管后，响应的仿真结果会产生那些不同，并对原因进行探讨。

换成NMOS后，直流分析和交流分析得到的幅值都要比晶体管的高，同时它的噪声系数也远远高于晶体管的噪声系数。

场效应管是电压控制的组件，晶体管是电流控制的组件，NMOS的跨导gm比晶体管的小很多，场效应管的功耗要小。因此，在输入电流较小的情况下用NMOS时的输出幅值要更大一些。