三氧化钼纳米带的简易合成与表征

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第３３卷第３期
青岛科技大学学报（自然科学版）
Ｖ。．３Ｎ。３１３
．
２０６月１２年ＪｕｎｌｆｎｄｏＵｎｖｒｉｆｃｎｅａｄＴｃｎｌｙＮｔｒｌｃｎｅＥｉｏ）ｏｒａｏｇａｉｅｓｙｏＳｉｃｎｅｈｏｏ（ａｕａＳｉｃｄｔｎＱｉｔｅｇｅｉ
ＷＡＮＧｎｋｕＸｉ — ｎ，ＰＥＮＧｏ－ｕｉＨｎｇｒ
（ｌｅｅｏａｅｉｌｉｎｅａｄＥｎｉｅｒｎｇＣｏｌｇｆＭｔｒｓＳｃｅｃｎｇｎｅｉ，ＱｉｇａｉｅｓｔｆＳｉｎｅａｄＴｅｈｏｏｙ，Ｑｉｇａ６０２，Ｃｈｎ）ａｎｄｏＵｎｖｒｉｙｏｃｅｃｎｃｎｌｇｎｄｏ２６４ｉａ
ｍｏｐｏｏｉｓｏｏａｏｂｌｓｃｎｂｈｎｅｙａｊｓｉｇｔｅｓｎｈｔａａｔｒ，ｒｈｌｇｅｆＯ３ｎｎ — ｅｔａｅｃａｇｄｂｄｔｎｈｙｔｅｉｐｒｍｅｅｓＭｕｃ
ｓｃｓｒａｔｏｉｓａｄｍｅｉｕｈａｅｃｉｎｔｍｅｎｄｕｍ．
ｐｏｕｔｒｈｒｃｅｉｅｙＸ－ａｉｆａｔｏ（ｒｄｃｓａｅｃａａｔｒｚｄｂｒｙｄｆｒｃｉｎＸＲＤ）ｓａｎｎｌｃｒｎｍｉｒｓｏｙ，ｃｎｉｇｅｅｔｏｃｏｃｐ（ＥＭ）ａｄｔａｓｉｓｏｌｃｒｎｍｉｒｓｏｙ（ＳｎｒｎｍｓｉｎｅｅｔｏｃｏｃｐＴＥＭ）．Ｔｈｅｕｔｈｗｈｔｔｅａ —ຫໍສະໝຸດ Baiduｒｅｒｓｌｓｓｏｔａｈｓｐｅ
Ｋｅｒ：ｍｏｌｂｄｎｙｗｏｄｓｙｅｕｍｒｏｘｄｔｉｉｅ；ｎｎ－ｌｓ；ｗａｅｔａｏｂｅｔｔｒｂａｈ；ｌｏｗ— ｅｐｒｔｒｔｍｅａｕｅ
自１９年，９１碳纳米管的发现以来，维纳米结一构材料因其独特的结构、电学、学和磁学特性以光及它们的潜在应用而成为世界范围内科学家们青睐的纳米材料。在过去的几十年来，人们已合成出了大量的具有一维纳米结构的氧化物，Ｔ（、如ｉ２）
中图分类号：Ｂ３３Ｔ８文献标志码：Ａ
ＦａｉｅＳｎｔｓｓａｄＣｈｒｃｅｉａｉｎｏｏｙｄｎｍｉｘｄｎｏｂｌｓｃｌｙｈｅｉｎａａｔｒｚｔｏｆＭｌｂｅｕＴｒｏｉｅＮａ－ｅｔ
带隙的型半导体材料，具有特殊的物理、学性化质以及其在显示设备、感窗口和储能设备中的应敏
Ｊｎ２０２ｕ１
．
文章编号：６２６８（０２０ —２８０１７～９７２１）３０３—５
三氧化钼纳米带的简易合成与表征
王新坤，彭红瑞
（岛科技大学材料科学与工程学院，东青岛２６４）青山６０２
Ａｂｔａｔｓｒｃ：Ｍｏａｏｂｅｔｖｅｂｅｎｓｎｔｅｉｅｔ９ ℃ Ｏ３ｎｎ — ｌｓｈａｅｙｈｓｚｄａ０
ｂａｉｅｗａｅｔｉｇｙａｆｃｌｔｒｂａｈｕｓｎ
ＭｏｐｗｅｎｄＨ２ｓｐｒｃｒｏｓｉｈｂｓｎｃｆａｕｆｃａｔｎｅｏｒａａｅｕｓｒｎｔｅａｅｅｏｎｙｓｒａｔｎｓａｄｔｍｐｌｔｓＯ２ａｅ．Ｔｈｅ
摘要：在不添加表面活性剂，无模板的情况下，以钼粉和双氧水为原料，用９采０℃ 水浴的方法制备三氧化钼纳米带。用Ｘ射线衍射（Ｄ）扫描电子显微镜（Ｅ一ＸＲ，ＳＭ）透射电子，显微镜（Ｅ对产物进行表征。结果表明，应产物均为三氧化钼纳米带，纳米带尺ＴＭ）反且寸均匀，宽度为８～１０ｎ厚度为２ｍ，００ｍ，Ｏｎ长度为５３ｍ。研究还发现，成条件如～０合反应时间，应介质对产物的形貌有一定影响。反关键词：三氧化钼；纳米带；水浴法；温低
ｐｒｄｐｏｄｔｒｏｏｓｄｏｏＯ３ｎｎｏｂｌｓｗｉｈｕｎｆｒｓｚｓａｅｒｕｃｓａｅｃｍｐｅｆＭａ — ｅｔｔｉｏｍｉｅ．Ｔｈｎｏｂｌｓａｅｅｎａ — ｅｔｒ８一ｉ０ｎｍｎｗｉｔ００ｉｄｈ，２０ｎｍｎｔｉｋｎｅｓａｄ５３ｉｈｃｓｎ — ０ｇｍｎｌｎｇｈ．ＩＳｆｎｄｔｔｔｅｉｅｔｔｉｏｕｈａｈ