杭电电子信息学院2017模电chap4
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场效应管
4.1 MOSFET & 4.2JFET •NEMOSFET结构•NEMOSFET工作原理•NEMOSFET伏安特性及沟道长度调制效应•PEMOSFET •DMOSFET •CMOS•
衬底效应•JFET
练习1:请说出以下几种电路符号的名称
练习2:判断以下几种转移特性曲线是何种FET
练习3:由实验测得两种场效应管具有如图所示的输出特性曲线,试判断它们的类型,并确定夹断电压或开启电压值。
从开启电压或者夹断电压的正负判断,“+”为N 沟道,“-”为P 沟道;当V GS =0时是否有导电沟道存在可知增强型或耗尽型,存在则是耗尽型,不存在则是增强型。(1)图a 为P 沟道耗尽型;(2)图b 为P 沟道增强型
练习4:考虑一个NEMOSFET,其k n ’=50µA/V 2,V t =1V,以及W/L=10。求下列情况下的漏极电流:
(1)、V GS =5V且V DS =1V;
(2)、V GS =2V且V DS =1.2V;
(3)、V GS =0.5V且V DS =0.2V;
(4)、V GS =V DS =5V;
练习5:一个NMOS晶体管有V T =1V。当管子工作在变阻区时,V GS =2V,求得电阻R DS 为1KΩ。为了使R DS =500Ω,则V GS 为多少?当晶体管的W为原W的二分之一时,求其相应的电阻值。
练习6:用欧姆表的两测试棒分别连接JFET的漏极和源级,测得阻值为R 1,然后将红棒(接负电压)同时与栅极相连,发现欧姆表上阻值仍近似为R 1,再将黑棒(接正电压)同时与栅极相连,得欧姆表上阻值为R 2,且R 2>>R 1,试确定该场效应管为N沟道还是P 沟道。
该场效应管为P沟道:V GS <0时,低阻抗;V GS >0时,高阻抗;显
然V GS <0时,管子导通,可知其为P沟道。
练习7:解释FET特殊效应•沟道长度调制效应•衬底效应
直流偏置设计的目的•
为何要设计直流偏置
保证MOSFET在信号的一个周期内均是导通的,使信息能进行放大并传递。•如何设置合适的静态工作点
使MOSFET工作在一个合适的(V GS ,I D )上,并确保晶体管对所有期望的输入信号值都工作在饱和区,即有较大的交流输入范围。
V=V t
•采用固定的V GS偏置
练习8:有几种直流偏置电路结构?各有什么特点?•分压式偏置
•漏极反馈反馈电阻
•自给偏压式偏置电路
•源极偏置电路
•恒流源偏置方法;
讨论:参数设计
练习9如图所示,(W /L )=0.25mA/V 2,V t =1.5V 。画出其直流通路,并确定静态工作点Q 。n k
练习12:图题4.4所电路中FET的V t
=1V,静态时I DQ=0.64mA,(W/L)=0.5mA/V2,
n
k
求:(1)源极电阻R应选多大?
(2)电压放大倍数Av、输入
电阻Ri、输出电阻Ro;
(3)若Cs虚焊开路,则Av、
Ri、Ro
为多少?
练习13:如图所示电路中的MOSFET有V t =1V, (W/L)=0.8mA/V2,
V A=40V。n k
(1)求RD、RS、RG的值,使得
ID=0.1mA,当漏极最大的信号幅度为±1V时,
求最大的RD值,栅极的输入电阻为10MΩ
(2)求偏置点的g m和r o值;
(3)如果节点Z接地,节点X接到内阻为
500k 的信号源,节点Y接到40k 的负载电
阻,求从信号源到负载的电压增益、R i、R o。
(4)如果节点Y接地,求Z开路时从X到Z
的电压增益。该源极跟随器的输出电阻为多
少?
,
练习14:如图所示的共栅极电路,2
/
m
g mA V
(1)确定A v和A vs;
(2)R L变为2.2k ,计算A v
和A vs,并说明R L的变化对电压
增益有何影响;
(3)R sig变为0.5k (R L为
4.7k ),计算A v和A vs,说明
R sig
的变化对电压增益有何影响。
vs
练习15:求MOSFET工作在I D
=100 A和V OV=0.25V 时的f T值。已知该MOSFET的C gs
=20fF,C gd=5fF
。
练习12:如图所示电路中的MOSFET 有V t =1V ,,(W /L )=0.8mA/V 2,V A =40V ,,。n
k G 10R M 35S R k 35D R k (1)求静态作点I DQ 、V GSQ ;
(2)求偏置点的g m 和r o 值;
(3)如果节点Z 接地,节点X 接到内阻为500k 的信号源,节点Y 接到40k 的负载电阻,求从信号源到负载的电压增益、R i 、R o 。(4)如果节点Y 接地,求Z 开路时从X 到Z 的电压增益。该源极跟随器的输出电阻为多少?
,