金属Ni诱导非晶硅薄膜晶化研究

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ＳＭ、Ｄ和ＸＤ分析了薄膜的晶化效果。实验发现，晶硅薄膜在４０℃ 以下退火不能晶化，４０ ℃退火３ｉ全部ＥＥＳＲ非６在６０ｍｎ已晶化；着退火温度升高或退火时间延长，化效果变好；火２ｈ之后晶体生长近乎饱和。随晶退
方法。在较低温度条件下，用Ｎ，ｌＰ，ｕＰ，采ｉＡ，ｄＡ，ｔｒ，ｇＣ等金属与非晶硅薄膜表面接触并加热ｒＡ和ｒｉ
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第３３卷第１期
２１００பைடு நூலகம் ２月
电子器件
ＣｉｅｅＪｕａｏｅｔｎＤｅｉｓｈｎｓｏｍｌｆｃｒｖｅＥｌｏｃ
Ｖｏ．３Ｎｏ．Ｊ３１
Ｆｂ．２０ｅ０１
Ｓｕｙｏｃｅ－ｎｕｃｄＣｒｓａｌａｉｎｏｏｐｏｓＳｌｏｉｌｓｔｄｎＮｉｋｌＩｄｅｙｔｌｚｔ０ｆＡｍｒｈｕｉｃｎＴｈｎＦｉｉｉｍ
ＥＥＡＣＣ：０２５０
金属Ｎ诱导非晶硅薄膜晶化研究ｉ
张良艳，林祖伦，祁康成，韦新颖
（子科技大学光电信息学院，都６０５）电成１０４
摘要：采用金属镍诱导晶化非晶硅薄膜的方法制备多晶硅薄膜，研究了不同退火温度和退火时间对晶化效果的影响，使用
性好的多晶硅薄膜。
金属诱导晶化法是一种低温制备优质多晶硅的
应用于各种薄膜器件如薄膜晶体管（Ｆ、阳能ＴＴ）太电池图像感应器等。目前已有多种获得高质量多
晶硅薄膜的方法：快速热退火法（Ｔ、光退ＲＡ）激
Ｋｅｏｄ：ｅｌｎｕｅｒｓｌｚｔｎＮＣ）ａｏｐｏｓｉｃｎｔｉｆｍｓｐｌ— ｙｔｌｅｓｉｎｔｎｆｍｙｗｒｓｍｔｄｃｄｃｔｌａｉ（Ｉ；ｍｒｈｕｌｏｎｉ；ｏｙｃｓｌｎｉｃｉｌｓａｉｙａｉｏｓｉｈｌｒａｉｌｏｈｉ
关键词：金属诱导晶化；非晶硅薄膜；多晶硅薄膜
中图分类号：Ｎ０．５Ｔ３４０５
文献标识码：Ａ
文章编号：０９９（００００１３１５— ４０２１）１— ００—００
多晶硅（ｏｙｒｓｌｎｉｃｎ薄膜因其具有ＰｌｙｔｌｅＳｌｏ）ｃａｉｉ较高的载流子迁移率和稳定的光电性能，广泛被
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ＺＡＧＬａｇａ，ＬＮＺｌｎＱａｇｈｎＷＥｉｙｎＨＮｉｎｙｎＩｕｕ，１Ｋｎｃｅｇ，ＩｎｉｇＸ
（ｃｏｌｆＯｔｌｔｎｃｎｒｔｎｎｅｉｌｔｎｃＳｉｃａｄＴｃｎｌｙｏＣｉＣｅｇｕ６０５，ＣｉａＳｈｏｐｏｅｒｉＩｏｍａｉ，ＵｉｒｔｏｅｒｉｃｎｅｎｅｈｏｏｈｎｏｅｃｏｆｏｖｓｙｆＥｃｏｅｇｆａ，ｈｎｄ１０４ｈｎ）