半导体电阻率
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1半导体电阻率
半导体电阻率
半导体的电阻率是其电导率(Conductivity)的倒数。电导率σ是单位电场作用下所产生的电流密度的大小,单位为[Ω-cm]或S/cm。电阻率ρ=1/σ,单位是1/[Ω-cm] 。
(1)决定电阻率的因素:
电阻率与晶向有关。对于各向异性的晶体,电导率是一个二阶张量,共有27个分量。特别,对于Si之类的具有立方对称性的晶体,电导率可以简化为一个标量的常数(其他二阶张量的物理量都是如此)。
电导率的大小决定于半导体载流子浓度n和载流子迁移率μ:σ= nqμ。对于掺杂
浓度不均匀的扩散区的情况,往往采用平均电导率的概念;在不同的扩散浓度分布(例如高斯分布或余误差分布等)情况下,已经作出了平均电导率与扩散杂质表面浓
度之间的关系曲线,可供查用。
(2)电导率与温度的关系:
决定电导率温度关系的主要因素是载流子浓度和迁移率。
在低温下:由于载流子浓度指数式增大(施主或受主杂质不断电离),而迁移率
也是增大的(电离杂质散射作用减弱之故),所以这时电导率随着温度的升高是上升
的(即电阻率下降)。
在室温下:由于施主或受主杂质已经完全电离,则载流子浓度不变,但迁移率将
随着温度的升高而降低(晶格振动加剧,导致声子散射增强所致),所以电导率将随
着温度的升高而减小(即电阻率增大)。
在高温下:这时本征激发开始起作用,载流子浓度将指数式地很快增大,虽然这
时迁移率仍然随着温度的升高而降低(晶格振动散射散射越来越强),但是这种迁移
率降低的作用不如载流子浓度增大的强,所以总的效果是电导率随着温度的升高而上
升(即电阻率下降)。
半导体开始本征激发起重要作用的温度,也就是电阻率很快降低的温度,该温度
往往就是所有以pn结作为工作基础的半导体器件的最高工作温度(因为在该温度下,pn结即不再存在);该温度的高低与半导体的掺杂浓度有关,掺杂浓度越高,因为多数载流子浓度越大,则本征激发起重要作用的温度——半导体器件的最高工作温度也
就越高。所以,若要求半导体器件的温度稳定性越高,其掺杂浓度就应该越大