111 原子发射光谱分析法PPT课件

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第十一章 原子光谱分析法
Atomic spectrometry
第一节 原子发射光谱
分析法
Atomic emission spectrometry,AES
11.1.1 原子发射光 谱分析的基本原理
11.1.2 原子发射光 谱仪器类型与结构
11.1.3 原子发射光 谱分析的应用
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概述: AES、AAS、AFS
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影响谱线强度的因素:
(1)激发能越小,谱线 强度越强。 (2)温度升高,谱线强 度增大,但易电离。
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3.谱线的自吸与自蚀 self-absorption and self -reversal
等离子体:以气态形式存在的包含分子、离子、电子等 粒子的整体电中性集合体。等离子体内温度和原子浓度的 分布不均匀,中间温度、激发态原子浓度高,边缘反之。
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11.1.1 原子发射光谱分析的基本原理
1.元素的特征谱线
基态元素在受到热(火焰)或电(电火花)激发 时,由基态跃迁到激发态,返回到基态时,发射出特 征光谱(线状光谱)。
热能、电能
基态元素M
E
激发态M*
特征辐射
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原子的共振线与离子的电离线
原子由第一激发态到基态的跃迁。 第一共振线,最易发生,能量最小。 离子由第一激发态到基态的跃迁(离子发射的谱线)。 电离线,与电离能大小无关,离子的特征共振线。 原子谱线表:I 表示原子发射的谱线。
自吸:中心发射的辐射被边缘的同种基态原子吸收,使 辐射强度降低的现象。
浓度低,不出现自吸。浓度增加 自吸严重,当达到一定值时,谱线中 心完全吸收,如同出现两条线,这种 现象称为自蚀。
谱线表,r:与流程
仪器类型:火焰发射光谱、微波等离子体光谱仪、感耦 等离子体光谱仪、光电光谱仪、摄谱仪等。
II 表示一次电离离子发射的谱线。 III表示二次电离离子发射的谱线。 Mg:I 285.21 nm ;II 280.27 nm。
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Na 能级图
由各种高能级跃 迁到同一低能级 时发射的一系列 光谱线。
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K 元素的能级图
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Mg 元素的能级图
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原子发射光谱分析法(AES):元素在受到热或电 激发时,由基态跃迁到激发态,返回到基态时,发射出 特征光谱,依据特征光谱进行定性、定量的分析方法。
1859年,基尔霍夫、本生研制第一台用于光谱分析 的分光镜,实现了光谱检验;
1930年以后,建立了光谱定量分析方法; 60年代,AAS出现,作用下降。 70年代,新光源(ICP)、作用又加强。
nmgmex pE(m/kT)
N
Z
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nmgmex pE(m/kT)
N
Z
Z 为温度 T 的函数,分析中的温度通常在2000~7000 K ,Z 变化很小,谱线强度为
I hc4g πm Z AN exE pm(/kT )
式中:Φ 是考虑在 4 球面角度上发射各向同性的常数。 Z 可视为常数,对于某待测元素,选定分析线后,T一定
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数学关系:
发射谱线的强度I 可表达为: I ∝ (Em–Ek) ·A ·nm
在热力学平衡时,各种能级上原子数的分布遵守玻 耳兹曼分布定律,即能级Em和Ek上的原子数分别为nm和 nk时,则:
nmgmexpE(m/kT) nk gkexpE(k/kT)
g:统计权重; E:能级能量;k:玻耳兹曼常数;T: 激发温度。
2.谱线强度
选择元素特征光谱中的较强谱线(第一共振线)作为 分析线,谱线的强度与激发态原子数成正比。 谱线的强度与样品中对应元素量的关系? 光谱线的强度与下列因素有关: (1) 高能级(Em)与低能级(Ek)间的跃迁能量差。 (2) 高能级(Em)上的原子总数nm。 (3) 单位时间内,在 Em 和 Ek 间可能发生的跃迁原子的 数目,用跃迁几率 A 表示。
通常由三部分构成:光源、分光、检测。
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光路图
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1. 光源
光源的作用:试样蒸发生成基态的原子蒸气,再吸收 能量跃迁至激发态。 原子发射光谱分析仪器中使用的光源有两类: (1)适宜液体试样分析的光源:早期的火焰(目前基 本不用)和目前应用最广泛的等离子体光源。 (2)适宜固体样品直接分析的光源:电弧和普遍使用的 电火花光源。
常见光源的种类和特点是什么?
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(1)直流电弧
电弧是指在两个电极间施加高电流密度和低燃点电压 的稳定放电。
石墨电极,试样放置凹槽内。试样量10~20mg。
两电极接触通电后,尖端被烧热,点 燃电弧,再使电极相距4 ~ 6mm。
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原子发射光谱分析法的特点:
(1) 可多元素同时检测:发射各自的特征光谱; (2) 分析速度快:试样不需处理,同时对几十种元素进行定 量分析。 (3) 选择性高 各元素具有不同的特征光谱; (4) 检出限较低:10~0.1gg-1(一般); ngg-1(ICP)。 (5) 准确度较高:5%~10% (一般光源);<1% (ICP) 。 (6) ICP-AES性能优越 线性范围4~6数量级,可测高、中 、低不同含量试样。 缺点:非金属元素不能检测或灵敏度低。
,gm、A、 和 Em 也均可视为常数,则
I=ac
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在理想情况下,谱线强度正比于试样浓度,定量的基 础,传统光源中,出现谱线谱线的自吸与自蚀现象,这 时,定量公式为:
I = a cb
a 与试样在光源中的蒸发、原子化及激发过程有关的常 数; b 则是与自吸与自蚀现象有关的常数项。
什么是自吸与自蚀?为什么出现自吸与自蚀?影响 定量的因素?
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设基态能量 Ek = 0,则:
nm gmexpE (m/kT)
n0
g0
n0:基态上的原子数。各能级上的原子总数为:
N = n0 + n1 + n2 + … + nm + … 对于全部能级求和,定义总分配函数为Z,则 :
Z = g0 + g1 exp(-E1/kT) + g2 exp(-E2/kT) … + gm exp(-Em/kT) + …
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