结晶器原理

过饱和度是结晶的一个重要参数。

根据大量试验的结果证实，溶液的过饱和与结晶的关系可用上图1表示；图中的AB 线为普通的溶解度曲线，CD 线代表溶液过饱和而能自发地产生晶核的浓度曲线（超溶解度曲线），它与溶解度曲线大致平行。

这两根曲线将浓度——温度图分割为三个区城。

在AB 曲线以下是稳定区，在此区中溶液尚未达到饱和，因此没有结晶的可能。

AB 线以上为过饱和溶液区，此区又分为两部分：在AB 与CD 线之间称为介稳区，在这个区域中，不会自发地产生晶核，但如果溶液中已加了晶种，这些晶种就会长大。

CD 线以上是不稳区，在此区域中，溶液能自发地产生晶核。

若原始浓度为E 的洁净溶液在没有溶剂损失的情况下冷却到F 点，溶液刚好达到饱和，但不能结晶，因为它还缺乏作推动力的过饱和度。

从F 点继续冷却到G 点的一段期间，溶液经过介稳区，虽已处于过饱和状态，但仍不能自发地产生晶核。

只有冷却到G点后，溶液中才能自发地产生晶核，越深入不稳区（例如达到H 点），自发产生的晶核也越多。

由此可见，超溶解度曲线及介稳区、不稳区这些概念对于结晶过程有重要意义。

把溶液中的溶剂蒸发一部分，也能使溶液达到过饱和状态，图中EF ’ G’线代表此恒温蒸发过程。

在工业结晶中往合并使用冷却和蒸发，此过程可由EG’’线代表。

晶体成长的速率与过饱和度的关系如上图2所示。

当然，结晶器出来的最终的晶体的尺寸不仅仅与晶体成长的速率相关，还与成核速率、耗散速率等有关。

成核速率也与过饱和度相关，且受过饱和度影响要较成长速率受其影响来的大，从下图3我们可以看出来。

结晶成核模型有两种，一个是初级均相成核，即溶液在不含外来物体时自发产生晶核；一个是二次成核，即溶液中已有溶质晶体存在的条件下形成晶核的现象。

晶体与晶体，晶体与叶轮接触是二次成核的重要成因。

然而，结晶器能量的输入对二次结晶也有影响。

输入功率越大，晶粒越小。

结合结晶的一些特性，我们可以说低的成核速率可以产生大的单一的晶体。

如上图4所示:
在两个结晶器内，过饱和度相同。

成核速率为5 的产生了5 个2g 的晶块，而成核
速率为40 的则产生了40 个250mg的晶块。

大部分结晶器需要产生大的单一的晶体，这是因为这样可以提高晶体的纯度、操作特性和可售性。

为此我们应：
1、控制结晶器内的过饱和度处于介稳区内。

2、选择合适的过饱和度使晶核生长的速率最大。

3、优化结晶器的混合能量的输入。

混合对过饱和度和晶核的形成有重要的影响，它是结晶器设计的基础。

上图4为一真空强制循环结晶器。

原料液从状态1进入结晶器与结晶器内的状态3 的溶液相混合变成状态2，经过泵的输送到达状态4，进入了介稳定区。

这个过程产生的过饱和度被晶体的生长所消耗而到达状态3，这样就完成了一个循环。

如果在一个周期里过饱和度没有完全消耗则下一周期将会进一步饱和，一段时间后，整个周期将远离甚至高于介稳区，这将对晶体增长和成核产生不利影响，因此，为过饱和的液体提供足够多的混合机会以及足够的结晶表面是非常重要的。

否则，晶粒形状将遭受破坏。

结晶器类型
DTB结晶器
DTB( 是Drabt Tube Babbled的缩写)型结晶器是60年代出现的一种效能较高的结晶器，首先用于氯化钾的生产，后为化工、食品、制药等工业都门所广泛采用。

经过多年运行考察，证明这种型式的结晶器性能良好，能生产较大的晶粒（粒度可达600～1200μm），生产强度较高，器内不易结晶疤。

它已成为连续结晶器的主要形式之一，可用于真空冷却法、蒸发法、直接接触冷冻法及反应法的结晶操作。

DTB型结晶器的结构简图如图所示。

它的中部有一导流筒，在四周有一圆筒形挡板。

在导流筒内接近下端处有内循环轴流泵，以较低的转速旋转。

悬浮液在螺旋桨的推动下，在筒内上升至液体表层，然后转向下方，沿导流筒与档板之间的环形通道流至器底，又被吸入导流筒的下端，如此循环不已，形成接近良好混合的条件。

DTB型结晶器具有清母液溢流和消除结晶功能。

DTB型结晶器适用于晶体在母液中沉降速度大于3mm/s 的结晶过程。

设备的直径可以小至500mm大至7.9m 。

FC结晶器
简称FC( Forced Circulation ）型结晶器，如图所示，由结晶室、循环管、循环泵、换热器等组成。

结晶室有锥形底，晶浆从锥底排出后，经循环管用轴流式循环泵送过换热器，被加热或冷却后，重又进入结晶室，如此循环不已，故这种结晶器属于晶浆循环型。

晶浆排出口位于接近结晶室锥底处，而进料口则在排料口之下的较低位置上。

FC型结晶器可通用于蒸发法、间壁冷却法或真空冷却法结晶。

产品粒度约在
0.1~0.84mm 的范围。

oslo结晶器
这种类型的结晶器是2 0 世纪2 0 年代由挪威人Jeremiassen提出的，也常称之为Krystal 结晶器或粒度分级型结晶器，在工业上曾得到较广泛的应用。

如图所示它的主要特点为过饱和度产生的区域与晶体生长区分别设置在结晶器的两处，晶体在循环母液流中流化悬浮，为晶体生长提供一个良好的条件。