新版北京工业大学电子信息考研经验考研参考书考研真题

回想起去年这个时候，自己还在犹豫是不是要遵从自己的梦想，为了考研奋斗一次。当初考虑犹豫了很久，想象过所有的可能性，但是最后还是决定放手一搏。

为什么呢？

有一个重要的考量，那就是对知识的渴望，这话听来可能过于空洞吧，但事实却是如此。大家也都可以看到，当今社会的局势，浮躁，变动，不稳定，所以我经常会陷入一种对未来的恐慌中，那如何消除这种恐慌，个人认为便是充实自己的内在，才不至于被一股股混乱的潮流倾翻。而考研是一条相对比较便捷且回报明显的路，所以最终选择考研。所幸的是结局很好，也算是没有白费自己将近一年的努力，没有让自己浑浑噩噩的度过大学。

在准备备考的时候，我根据自己的学习习惯，做了一份复习时间规划。并且要求自己严格按照计划进行复习。给大家一个小的建议，大家复习的时候一定要踏踏实实的打好我们的基础，复习比较晚的同学也不要觉得时间不够，因为最后的成绩不在于你复习了多少遍，而是在于你复习的效率有多高，所以在复习的时候一定要坚持，调整好心态，保证自己每天都能够有一个好的学习状态，不要让任何事情影响到你，做好自己！

在此提醒大家，本文篇幅较长，因为想讲的话实在蛮多的，全部是我这一年奋战过程中的想法、经验以及走过的弯路，希望大家看完可以有所帮助。

最后结尾处会有我在备考中收集到的详细资料，可供各位下载，请大家耐心阅读。

北京工业大学电子信息的初试科目为：（101）思想政治理论(204)英语二(302)数学二(803)电子技术Ⅰ或(809)工程力学或(813)电工学

参考书目为：

1、《模拟电子技术基础》（第4版），童诗白华成英，清华大学电子学

教研组编，高等教育出版社，2011年出版。

2、《数字电子技术基础》（第5版），阎石，清华大学电子学教研组编，

高等教育出版社，2011年出版。

先介绍一下英语

现在就可以开始背单词了，识记为主（看着单词能想到其中文章即可，不需要能拼写）从前期复习到考试前每天坚持两到四篇阅读（至少也得一篇）11月到考试前一天背20篇英语范文（能默写的程度）。

那些我不熟悉的单词就整理到单词卡上，这个方法也是我跟网上经验贴学的，共整理了两本，每本50页左右，正面写英语单词，背面写汉语意思。然后这两本单词卡就陪我度过了接下来的厕所时光，说实话整理完后除了上厕所拿着看看外还真的没专门抽出空来继续专门学单词。按理说，单词应该一直背到最后，如果到了阅读里的单词都认识，写作基本的词都会写的地步后期可以不用看单词了，当然基础太差的还是自动归档到按理说的类别里吧。

阅读就一个技巧，做真题、做真题、做真题，重要的事情说三遍！常规阅读就40分，加之新题型、完型填空、翻译都算是阅读的一种，总之除了作文基本都是阅读，所以得阅读者得天下啊。阅读靠做真题完全可以提升很大水平，当然每个人做真题以及研究真题的方法不一样，自然达到的效果不一样，这里方法就显得尤为重要了。

对于阅读，首先要做题并校对，思考答案为何与你的选择不同，并把阅读中不懂的单词进行记录并按照上面提及的方法对单词进行识记。第二遍：做题，并

翻译全文（可口头翻译），有利于对文章更深入的理解。

在开始做题的时候，并思考出题者出每道题的意图、思考出题人的陷阱设置。第三遍时应能做到明白出题人对每个选项是如何设置陷阱的，每个选项的错误是属于什么类型的错误以及出题人为什么要这样出题。一篇阅读做三遍并不是一次就把这三遍做完。打个比方，我先按照上面提及的第一遍的方法把阅读从99年到07年先做一遍，再按照上面提及的第二遍方法把阅读从99年到07年再做一遍，再用第三遍的方法再做一遍。如此三遍，你的阅读经过几个月的定有巨大提高。

至于完型填空和翻译，我认为无需刻意练习，因为上述提及的练习阅读的方法也起到练习完型和翻译的效果。对于作文的学习（11月开始）我当初还是关注了木糖英语才发现更好的资料，并按照老师的要求背诵并默写了20篇范文（10篇小作文，10篇大作文），到了考试的时候直接套用了模板和观点。

我认为作文没有太多技巧，唯一的技巧就是多背，多背范文多背一些好的观点，以至于在考场上能写出有思想的文章。至于模板问题，我认为还是有模板比较好，虽然套用模板可能会降低老师的印象分，但如果文章因为没有模板而写得毫无章法可言，很乱，那么给评卷老师的印象会更差，因此不需害怕套用模板带来的后果。当然，如果你能把模板用得不像是模板，那么效果更佳。

(803)电子技术Ⅰ专业课复习

接下来重点说一下专业课的备考。

专业课的参考书目。参考书目是复习专业课的一项重要依据，相当于考试范围。虽然考试可能会考一些参考书上没有涉及的部分，但是绝大多数的知识点还有在范围之内的，所以参考书目一定要完全熟悉，而且要细细掌握，比如说这些

知识点都是必须要掌握的：模拟电子技术部分：基本电子元器件如二极管、稳压管、发光二极管、光敏二极管、BJT、FET和光敏三极管的特性和应用、基本放大器、多级放大器的分析与计算：包括电路的构成、放大条件、特点;静态工作点、输入输出电阻、放大倍数(增益)的计算、放大器的频率响应、差分放大器的特点、参数计算：包括工作点、输入电阻、输出电阻、放大倍数(共模增益、差模增益和共模抑制比)、功率放大器的分析与计算：包括功放的特点、交越失真、效率等。要求能进行功放电路相关参数的计算或根据对功放电路的要求，确定功放电路的器件参数要求、集成运算放大器的主要参数及应用：包括：对基于集成运放的反馈放大器电路的分析时，确定参数是否符合要求;或根据要求设计基于集成运放的反馈放大器时，运放选型时对参数的考虑、反馈放大器：反馈类型的判断，在深度负反馈条件下增益的计算，反馈放大器对性能的改善、波形的发生：包括正弦波发生和非正弦波的发生，石英晶体振荡器的应用。线性稳压电源的基本构成及各部分的作用，计算与分析。数字电子技术部分：数制的转换、逻辑运算、构成数字系统的基本单元的外部特性及应用。包括逻辑门(与、或、非、与非、或非、与或非、异或等)与触发器(RS、JK、D、T)、组合逻辑单元电路(如编码器、译码器、分配器、选择器、比较器、运算器等)的定义、功能、应用及功能扩展、常用时序逻辑电路的定义、功能特点及应用，功能扩展。如计数器、移位寄存器、组合逻辑电路的分析与设计，时序(重点是同步)逻辑电路的分析与设计、存储器的分类、特点、外部特性及应用，存储器的扩展、单稳态触发器、多谐振荡器、施密特触发器的工作原理、分析计算及应用、A/D、D/A转换器分类基本原理、参数及性能指标、应用选择。

一、真题。真题是一定要收集整理的，并且应该尽可能地收集更多年份的真