模拟电子技术基础(第五版)新 康华光 课件

• 自由电子、空穴
• 多数载流子、少数载流子
3.2 PN结的形成及特性
3.2.1 载流子的漂移与扩散
3.2.2 PN结的形成 3.2.3 PN结的单向导电性 3.2.4 PN结的反向击穿 3.2.5 PN结的电容效应
3.2.1 载流子的漂移与扩散
漂移运动：
在电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动。
3、电子与空穴
当导体处于热 力学温度 0K 时， 导体中没有自由电 子。当温度升高或 受到光的照射时， 价电子能量增高， 有的价电子可以挣 脱原子核的束缚， 由于随机热振动致使共价键被打破而产生 空穴－电子对 而参与导电，成为 自由电子。 这一现象称为本征激发，也称热激发。
自由电子产生的同时，在其原来的共价键 中就出现了一个空位，原子的电中性被破坏， 呈现出正电性，其正电量与电子的负电量相等 ，人们常称呈现正电性的这个空位为空穴。
N型半导体的结构示意图如图所示：
自由电子 磷原子核
所以，N型半导体中的导电粒子有两种： 自由电子—多数载流子（由两部分组成） 空穴——少数载流子
3.1.4 杂质半导体
2. P型半导体
因三价杂质原子在 与硅原子形成共价键 时，缺少一个价电子 而在共价键中留下一 个空穴。
在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成；自 由电子是少数载流子， 由热激发形成。
1 T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度:
n = p =1.4×1010/cm3
2 掺杂后 N 型半导体中的自由电子浓度:
n=5×1016/cm3
3 本征硅的原子浓度: 4.96×1022/cm3
以上三个浓度基本上依次相差106/cm3 。
本节中的有关概念
• 本征半导体、杂质半导体
• 施主杂质、受主杂质 • N型半导体、P型半导体
空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂质 因 而也称为受主杂质。
P型半导体的结构示意图如图所示：
空穴 硼原子核
P型半导体中： 空穴是多数载流子，主要由掺杂形成； 电子是少数载流子，由热激发形成。
3.1.4 杂质半导体
3. 杂质对半导体导电性的影响 掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响， 一些典型的数据如下:
+4 空穴 +4
+4
+4
自由电子
+4
+4
+4
+4
+4
3.1.4 杂质半导体
在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质， 可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质 主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体 称为杂质半导体。
N型半导体——掺入五价杂质元素（如磷）的 半导体。 P型半导体——掺入三价杂质元素（如硼）的半 导体。
可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成 对出现的，称为电子空穴对。游离的部分自由电子也 可能回到空穴中去，称为复合。本征激发和复合在一 定温度下会达到动态平衡。
空穴的移动
由于共价键中出现了空穴，在外加能源的激发 下，邻近的价电子有可能挣脱束缚补到这个空位上， 而这个电子原来的位置又出现了空穴，其它电子又有 可能转移到该位置上。这样一来在共价键中就出现了 电荷迁移—电流。 电流的方向与电子移动的方向相反，与空穴移 动的方向相同。本征半导体中，产生电流的根本原 因是由于共价键中出现了空穴。
半导体是导电性能介于导体和绝缘体之间的物体。在一 定条件下可导电。 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。
半导体特点： 1) 在外界能源的作用下，导电性能显著变 化。光敏元件、热敏元件属于此类。 2) 在纯净半导体内掺入杂质，导电性能显 著增加。二极管、三极管属于此类。
3.1.3 本征半导体
3.1.4 杂质半导体
1. N型半导体
因五价杂质原子中只 有四个价电子能与周围 四个半导体原子中的价 电子形成共价键，而多 余的一个价电子因无共 价键束缚而很容易形成 自由电子。
在N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子 提供；空穴是少数载流子, 由热激发形成。 提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子，因 此五价杂质原子也称为施主杂质。
1、本征半导体的共价键结构
本征晶体中各 原子之间靠得很近， 使原分属于各原子的 四个价电子同时受到 相邻原子的吸引，分 别与周围的四个原子 的价电子形成共价键。 共价键中的价电子为 这些原子所共有，并 为它们所束缚，在空 间形成排列有序的晶 体。如下图所示：
2、共价键性质
共价键上的两个电子是由相邻原子各用一个电子 组成的，这两个电子被成为束缚电子。 束缚电子同时受两个原子的约束，如果没有足够 的能量，不易脱离轨道。 因此，在绝对温度T=0K（-273 C）时，由于共 价键中的电子被束缚着，本征半导体中没有自由电子， 不导电。只有在激发下，本征半导体才能导电。
扩散运动： 由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散运
动。
3.2.2 PN结的形成
促使少子漂移 因浓度差 多子扩散 形成空间电荷区 阻止多子扩散
扩散到对方的载流子在P区和N区的交界处附近被相互 中和掉，使P区一侧因失去空穴而留下不能移动的负离 子，N区一侧因失去电子而留下不能移动的正离子。这 样在两种半导体交界处逐渐形成由正、负离子组成的空 间电荷区（耗尽层）。由于P区一侧带负电，N区一侧 带正电，所以出现了方向由N区指向P区的内电场
3.1 半导体的基本知识
3.2 PN结的形成及特性
3.3 半导体二极管
3.4 二极管基本电路及其分析方法
3.5 特殊二极管Fra Baidu bibliotek
3.1 半导体的基本知识
3.1.1 半导体材料
3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体
3.1.4 杂质半导体
3.1.1 半导体材料
根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分 导体、绝缘体和半导体。 1. 导体：容易导电的物体。如：铁、铜等 2. 绝缘体：几乎不导电的物体。 如：橡胶等
1. 本征半导体——化学成分纯净的半导体。制造半导体器件 的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9” 。它在物理结构上呈单晶体形态。电子技术中用的最多的是硅 和锗。 硅和锗都是4价元素，它们的外层电子都是4个。其简化原子 结构模型如下图： 硅和锗都是四价元素，外层原 子轨道上具有四个电子，称为 价电子。价电子受原子核的束 缚力最小。物质的性质是由价 电子决定的 。