2019年JZ460660多晶铸锭炉相关技术性能参数

公司简介

一、公司概况

北京京运通科技股份有限公司成立于2002年8月8日，并于2008年10月31日改制为股份有限公司，注册资金亿元人民币，公司总资产15亿元人民币。公司主要产品包括：软轴单晶炉、多晶铸锭炉、区熔单晶炉、硅芯炉、多晶硅还原炉、晶体下拉炉等。企业2008年总产值达8亿元，2009年总产值6亿元，2010年全年总产值约10亿元。公司目前员工总数560余人，大专以上学历人员占30%以上。2008年4月公司在董事长冯焕培先生提议下，董事会聘请美国麻省理工学院机械工程博士黎志欣先生任京运通公司总裁兼首席运营官，负责公司的日常运营。公司目标是要成为世界级光伏设备制造商，要把国际光伏先进设备和服务与国内的制造成本结合起来，为客户提供性价比最高的产品。

公司总部位于北京经济技术开发区经海四路158号，建筑面积达万平方米的现代化大型装配厂房已于2009年初投入使用。公司产能得到大幅度提升，已具备单晶炉月产150台，多晶硅铸锭炉50台的产能。原有张家湾开发区厂区在改造扩建的同时，新购入各种大型及精密加工设备，已成为公司的设备加工基地，为京运通的发展奠定了坚实的基础。

我公司为北京市高新技术企业，中国电子专用设备工业协会和中国半导体材料协会会员单位。公司从2003年申请并通过了ISO9001：2000质量管理体系认证审核。主要产品进行了CE认证，公司拥有光伏设备相关专利30余项，具有较强的研发能力，不断推出的新产品，将促进企业的持续发展。

二、公司产品介绍

公司产品硅晶体生长设备主要以软轴硅单晶炉和多晶硅铸锭炉为主力产品，其次还有区熔炉和多晶硅还原炉等其他相关炉型。其中软轴单晶硅炉包括JRDL-800，JRDL-900两种主要炉型,从控制上分为(PLC IRCON 工控机),(PLC CCD 工控机)和(全自动.只限JRDL-900-AT)三种形式；多晶铸锭为JZ-270/450、JZ-460/660几种机型，控制上全部实现自动化，PLC控制系统为西门子新型产品。

JRDL-900型软轴硅单晶炉已经达到国内先进技术水平，设备投料量大，产出率高，该设备使用的22寸热场，投料量100Kg～120Kg，可拉制8英寸硅单晶。20寸热场投料75Kg～100Kg，可拉制6英寸硅单晶，长度可在1500MM以上。

我公司2007年研制试验，2008年投入市场的多晶硅铸锭炉拥有多个型号，是目前世界上型号最全，规格最大的多晶硅铸锭炉，已分别产出：270Kg、450Kg、520Kg、660Kg、800Kg硅锭，该设备主要运动、测量、控制部件采用进口元器件，炉型为全自动控制，PLC控制系统采用先进的西门子新型产品，控制稳定，可靠

性强，我公司多晶硅铸锭炉已具备世界领先水平，是民族产业的骄傲。

三、公司业绩

我公司为北京市高新技术企业，企业多年获得科委授予的科技进步奖。2003年完成工业控制计算机软轴单晶炉的研发和应用项目，实现了计算机与JRDL-700型软轴单晶炉的配套，并荣获北京西城区科委2003年度科技进步二等奖。2004年完成JRDL-800型软轴单晶炉的研制、荣获2004年度科技进步一等奖。2005年12月我公司研制的首台4英寸区熔炉在四川峨眉半导体材料厂一次试产成功，荣获2005年度科技进步三等奖，该项目同时获得2006-2007年度北京市火炬计划项目证书。打破区熔炉长期以来依赖国外进口的局面，填补了国内设备生产的一项空白。2007年完成了JRDL-900型软轴单晶炉研制，并荣获电子信息部授予的“中国半导体新产品和技术奖”，我公司JRDL-800和JRDL-900软轴硅单晶炉产品在全国市场占有率一直保持在50%以上，并出口到美国、韩国、日本、台湾等国家和地区。

2008年我公司研发实验成功的多晶硅铸锭炉投入市场，打破了国外设备厂家对国内多晶硅铸锭炉市场的垄断，荣获电子信息部“中国半导体新产品和技术奖”，其中JZ-460/660炉型被我国著名光伏产业制造商一次订购六百余台，目前已产出660Kg和800Kg硅锭，开创了国际铸锭生长史上的先河，为世界首创。四、公司发展目标

目前我公司是世界上销售数量最大的光伏产业设备制造商，公司的目标是要成为世界级的光伏设备制造商。将在人才引进，科研开发、提高制造水平，市场开拓方面做更多的工作。现在公司在北京经济技术开发区再次购置土地200亩，将进行光伏产业园的建设，在太阳能光伏设备领域里开创新的局面，实现世界一流的光伏设备制造商的目标，创“京运通”的自主民族品牌，为光伏产业广大客户提供更好的服务，真诚希望和大家的合作。

附件1：JZ-460/660多晶铸锭炉技术参数

一、JZ-460/660型多晶铸锭炉介绍

JZ-460/660型多晶铸锭炉能生产520KG/660KG-800KG优质的多晶硅锭，本设备的生产量很大，能在60个小时的时间内生产出合格的硅锭。设备操作简单，直观的界面，给操作人员节省很多时间来处理设备的运行情况，从而极大的提高了生产效率，节约了成本。JZ-460/660型多晶铸锭炉使用高纯度的内涂氮化硅的石英坩埚，运行过程中，通过隔热层的提升，在热场内产生温度梯度，从而由下往上定向长晶，在整个长晶过程中只有隔热层一个部件在运动，大大减少了故障的发生，从而提高了炉子的稳定性能。

整个工艺过程分为装料，抽真空，检漏，加热，熔化，长晶，退火，冷却。装料是在喷有氮化硅涂层的石英坩埚内，在保证不破坏涂层的条件下，进行装料。装完料后开始抽真空，当压力降到时即可检漏，如果设备检漏通过，此时我们即可开始自动运行设备，按照配方工艺步骤运行。在晶体生长过程中，一般自坩埚底部开始降温，当硅熔体温度低于熔点时，在接近坩埚底部处首先凝固，形成许多细小的核心，然后横向生长，当核心相互接触时，再逐渐向

上生长，长大，形成柱状晶，柱状方向与晶体方向平行，直至所有的硅熔体都结晶为止，这样制备出来的多晶硅的晶粒大小，晶界结构，缺陷类型都很相似。对于重量为520kg①的铸造多晶硅而言，硅锭尺寸一般为840*840*316mm。目前JZ-460/660炉型已被著名硅片制造厂家批量采用，稳定生产出高质量的硅锭。

二、JZ-460/660型多晶铸锭炉使用需要的环境条件(户内)

a)环境温度：20±5℃

b)环境湿度：≤ 65%（不结露）

c)地质震动要求：外界震源：当大于10HZ时，振幅小于0～