晶闸管的参数说明

晶闸管的参数说明

晶闸管（thyristor）其派生器件有，快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管，是一种大功率开关型半导体器件，V，Vt ，旧标准中用的是SCR，

重要参数说明

1．断炉重复峰值电压，udrm ,，是指晶闸管在正向阻断时，允许加在A,K间的电压。此电压为不重复峰值电压udsm 的90%。

2．反向重复峰值电压urrm，在控制极断路时，允许重复加在晶闸管上的反向峰值电压，称为反向阻断峰值电压。

此电压约为不重复峰值电压udsm的90%。udrm ,和urrm在数值上一般相近，统称为晶闸管的阻断峰值电压，通常把其中较小的那个数值作为该型号器件上的额定电压值，由于瞬时过电压也会使晶闸管损坏，因此晶闸管的乖宝宝电压应选为正常工作峰值电压的，2-3倍以确保安全。

3．额定正向平均电流if在规定的标准散热条件和环境温度40度下，晶闸管的阳极和阴极间允许连接贯通过的工频正统半波电流的平均值。称为额定正向平均电流。由于晶闸管的过载能力小，选用晶闸管的额定正向平均电流时，至少应大于正常工作平均电流的1.5-2倍以留有一定的余地。

4．维持电流ih：在室温下，控制极开路时，维持晶闸管继续导通所必须的最小电流，称为维持电流，当正向电流于ih值时，晶闸管就自行判断，ih值一般为几十至一百多毫安。

5．控制极触发电压VG，触发电流IG在室温下，阳极加正向电压为直流6V时，使晶闸管由阻断变为导通所需要的最小控制极电压和电流，称为控制极触发电压和触发电流。VG一般为3.5-5V，IG约为几十至几百毫安。实际应用时，加到控制极的触发电压和触发电流应比额定值稍微大点，以保证可靠触发。

6．电压上升率DV/DT，晶闸管阻断时其阴阳极之间相当于一个结电容当突加阳极电压时会产生充电电容电流，此电流可能导致晶闸管误导通，因此对管子的最大正向电压上升率，必须加愉限制，一般采用阻容吸收元件并联在晶闸管两端的办法加以限制。

7．电流上升率DI/DT，晶闸管开通时电流是从靠近门极区的阴极开始然后逐渐