量子点制备方法的研究进展

第２９卷，第１１期红外ｌ文章编号：１６７２－８７８５（２００８）１１·０００１—０７
量子点制备方法的研究进展
王忆锋
（昆明物理研究所，云南昆明６５０２２３）
摘要：量子点以其类似于原子的性质近年来受到很大关注．通过Ｓｔｒａｎｓｋｉ—Ｋｒａｓｔａｎｏｗ
（ＳＫ）生长模式外延自组织生长的量子点具有诸多有利于红外应用的性质，例如工作温
度较高、信噪比较大、暗电流较低、波段较宽以及垂直入射光响应等。

对于新型红外探
测器的研发而言，它们是一类很有潜力的候选者．本文主要对近期国外文献报道的量
子点制备方法的部分研究进展做了总结和评述．
关键词：量子点；量子点红外光子探测器；红外探测器；制备方法
中图分类号：０４７１．１文献标识码：Ａ
ＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔＳｔａｔｕｓｏｆＱｕａｎｔｕｍＤｏｔＦａｂｒｉｃａｔｉｏｎＴｅｃｈｎｉｑｕｅｓ
ＷＡＮＧＹｉ．ｆｅｎｇ
（ＫｕｎｍｉｎｇＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＰｈｙｓｉｃｓ，Ｋｕｎｍｉｎｇ６５０２２３，Ｃｈｉｎａ）
Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｑｕａｎｔｕｍｄｏｔｓｈａｖｅａｔｔｒａｃｔｅｄｃｏｎｓｉｄｅｒａｂｌｅｉｎｔｅｒｅｓｔｆｏｒｔｈｅｉｒａｔｏｍｉｃ－ｌｉｋｅｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｉｎｒｅｃｅｎｔ
ｙｅａｒｓ．Ｔｈｅｑｕａｎｔｕｍｄｏｔｓｇｒｏｗｎｂｙｅｐｉｔａｘｉａｌｓｅｌｆ－ａｓｓｅｍｂｌｙｖｉａ
Ｓｔｒａｎｓｋｉ—Ｋｒａｓｔａｎｏｗｇｒｏｗｔｈｍｏｄｅｈａｖｅｍａｎｙｆａｖｏｒａｂｌｅｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｆｏｒｉｎｆｒａｒｅｄａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ，ｓｕｃｈｈｉｇｈｅｒｏｐｅｒａｔｉｏｎａｌｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ，ｉｎｃｒｅａｓｅｄ
ｓｉｇｎａｌ－ｔｏ－ｎｏｉｓｅｒａｔｉｏ，ｒｅｄｕｃｅｄｄａｒｋｃｕｒｒｅｎｔ，ｗｉｄｅｒｓｐｅｃｔｒａｌｒａｎｇｅａｎｄｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙｔｏｎｏｒｍａｌｉｎｃｉｄｅｎｔｒ扣
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ｒｅｖｉｅｗｅｄｉｎｔｈｉｓｐａｐｅｒ．
Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｑｕａｎｔｕｍｄｏｔ；ｑｕａｎｔｕｍ－ｄｏｔｉｎｆｒａｒｅｄｐｈｏｔｏｄｅｔｅｃｔｏｒ；ｉｎｆｒａｒｅｄｄｅｔｅｃｔｏｒ；ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎｔｅｃｈｎｉｑｕｅ
１引言
量子点又称为半导体纳米晶体，其体积小于相应半导体玻尔半径所定义的体积．量子点红外光子探测器（ＱＤＩＰ）具有垂直入射光响应、暗电流低，光电导增益大、响应率和探测率高等优点，已成功应用于单元探测器、焦平面器件等各种结构中．量子点的制备是ＱＤＩＰ发展的基础．本文主要介绍近年来国外在与红外有关的量子点制备研究方面的进展。

２胶体量子点
胶体量子点由化学反应合成，典型地是通过某种有机金属反应路径，不需要超高压设备或者有毒气体．对于Ⅱ一Ⅵ族半导体，其量子点的制备过程是，将反应物分子迅速注入热溶剂中，使其发生成核和生长过程。

如图１所示，溶剂中所含的有机分子（配体，ｌｉｇａｎｄ）阻止成核中心变大，并在成核粒子表面生成一层包裹，从而形成胶体量子点。

胶体量子点悬浮在有机溶剂中，可以通过旋涂（ｓｐｉｎｃｏａｔｉｎｇ）等方式定型在各种衬底上，不需要考虑晶格匹配的问题．反应化学物的浓度、
收稿日期·２００８－－０５－－０８
作者简介·王忆锋（１９６３——），男，湖南零陵人，高级７－程师，目前主要从事器件仿真研究．
２红外２００８年１１月
反应温度和反应时间决定了胶体的最终尺寸，其尺寸分布一般小于１０％。

胶体量子点具有工艺简单、成本低、构造灵活以及可以大面积覆盖等优点。

应用得最多的胶体量子点为Ⅱ一Ⅵ族半导体。

文献［１］介绍了以溶液法制备ＰｂＳＱＤＩＰ的技术路径及其光伏性质。

相比之下，ｍ—Ｖ族胶体量子点的合成则要困难一些。

难点在于反应温度较高、反应时间较长，金属有机化学反应过程复杂，并且要在无空气、无水的条件下进行。

此外，合成的量子点还需要有稳定的保护层，以控制量子点的尺寸和分布。

ｌｒｉｍ～ｌＯｈｍ
图１在胶体量子点中，核心是一个直径约为
几纳米的半导体球，其表面受到配体分子束缚
３量子点的外延生长
量子点的主要材料有ＩｎＡｓ、Ｓｉ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＮ等。

其厚度以原子层来计算，只能以外延方式在单晶衬底上生长。

ＱＤＩＰ的衬底材料主要有ＧａＡｓ、ＩｎＰ等。

温度、反应气体的浓度、气流控制以及晶向等是外延生长的关键工艺参数。

文献【２］作者将外延温度改变４０℃后，在ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ量子点中观察到了较大的波长移动（５＃ｍ一１４．５＃ｍ），并用在中等温度下生长的量子点制作了三色ＱＤＩＰ。

外延有汽相外延（ＶＰＥ）、液相外延（ＬＰＥ）、分子束外延（ＭＢＥ）等多种方式。

对于ＱＤＩＰ之类的纳米器件而言，用汽相外延或液相外延制作的精度很差，在有关ＱＤＩＰ的文献报道中较少提及。

文献中报道的大多数ＱＤＩＰ基于ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ系统，并且是用ＭＢＥ生长的。

ＭＢＥ有利于同其他微细加工技术，如电子束光刻、反应离子束刻蚀及图形化生长等技术结合起来制备量子点。

图形化生长的过程如图２所示。

和电子束一样，聚焦离子束（ＦＩＢ）也可以实现纳米级（１ｎｍ一１００ｎｍ）线宽加工，其最小直径可接近８ｎｍ。

文献［３】作者用ＦＩＢ和ＭＢＥ在选定位置上生长了ＩｎＡｓ量子点，用离子束聚焦在ＭＢＥ生长的ＧａＡｓ衬底上形成了一个ＦＩＢ光斑（凹坑）列阵，让ＩｎＡｓ量子点生长在这些凹坑中．
经优化参数，每一个凹坑被一个量子点占据的比例超过５０％。

原子层外延（ＡＬＥ）作为一种比ＭＢＥ更为精细的外延方式，已经用于量子点生长。

对分别用ＡＬＥ和ＭＢＥ生长的ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ量子点的分析表明，与ＭＢＥ相比，用ＡＬＥ制备的量子点尺寸更大，形状也更规则。

金属有机化学汽相沉积（ＭＯＣＶＤ）可以实现沿生长方向单原子层（大约３Ａ）的精度控制。

ＭＯＣＶＤ是在中等压力下生长晶体的，如果在其中增加一个高容量真空泵，将真空度抽到１０—３００ｔｏｒｒ，则可以构成低压ＭＯＣＶＤ（ＬＰ—ＭＯＣＶＤ）。

ＭＯＣＶＤ和ＬＰ—ＭＯＣＶＤ在量子点制备中均有应用。

此外，还有一种被称为微滴外延的生长方法，其生长温度较低，对于晶格匹配或失配的材料均适用，所制备的量子点没有应变。

微滴外延法的原理可以ＧａＡｓ量子点为例进行说明。

如图３所示，首先在衬底表面上形成Ｇａ微滴。

一方面，来自柬流的Ａｓ原子扩散进入Ｇａ微滴，在微滴内部实现ＧａＡｓ的生长，这一部分的生长速率较低；另一方面，Ａｓ原子在Ｇａ微滴表面与分离出来的Ｇａ原子发生反应构成ＧａＡｓ，这一部分的生长速率较高；上述过程持续到微滴消失，从而形成ＧａＡｓ量子点。

量子点的最终形状取决于它们之间的平衡、衬底温度和Ａｓ４束流强度。

文献【４】介绍了一种改进的微滴外延法，该方法可用以制备高质量的ＧａＡｓ／Ａ１ＧａＡｓ量子点。

文献［５］用电子衍射显微镜和原子力显微镜研究了微滴外延生长的ＧａＡｓ量子点，观察到两类量子点形状，较大的一类量子点为塔状结构的四面体，其表面倾角约为５５０，体积超过约３×１０５个Ｇａ原子；较小的一类量子点也类似于一个四面体，其表面倾角约为２５。

第２９ｔ，第１１期红外３
图２量子点的选择性生长
图３结晶过程中，获得Ａｓ分子束流供给的Ｇａ
微滴模型
用微滴外延法在晶格失配体系中制备ＩｎＡｓ量子点仍然有一些问题，例如密度较低、尺寸较大、光学性能相对较差，这主要是由于新提供的被吸附原子的迁移距离较长、分凝效应较大的缘故。

４量子点的ＳＫ生长模式
根据沉积材料与衬底之间的晶格匹配情况，外延生长可以分为三种生长模式，如图４所示。

（ａ）品格匹配体系中的二维平面生长模式，即Ｆｒａｎｋ—ｖａｎｄｅｒＭｅｒｗｅ（ＦｖｄＭ）模式，这时沉积的原子或分子相互之间的束缚小于它们与衬底之间的束缚，或者衬底的表面能量大于外延层表面能量与界面能量之和；
（ｂ）晶格失配体系中的三维岛状结构生长模式，即Ｖｏｌｍｅｒ—Ｗｅｂｅｒ模式，这时沉积的原子或分子相互之间的束缚大于它们与衬底之间的束缚，或者衬底的表面能量小于外延层表面能量与界面能量之和；
（Ｃ）如果晶格失配在５％一１０％之间，则首先是二维平面生长．当形成一个或几个单层后，后
４红外２００８年１１月
续层的生长变得不稳定而形成三维岛状结构。

这一概念由Ｓｔｒａｎｓｋｉ和Ｋｒａｓｔａｎｏｗ于１９３７年提出，故称为Ｓｔｒａｎｓｋｉ－Ｋｒａｓｔａｎｏｗ（ＳＫ）模式。

现在ｓＫ生长模式已成为量子点研究领域的一个常见术语。

ＳＫ生长模式可以ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ为例作进一步说明．ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ的晶格失配约有７％。

如图５所示，在材料沉积过程中，最初形成的一个或两个单层称为浸润层（、ⅣＬ）。

对于随后在浸润层上生长的其他层，当其中的应变能累积到超过某一临界点时，它们会被拉断而收缩成为形成三维岛状结构，这一过程称为自组织（ｓｅｌｆ－ｏｒｇａｎｉｚｅｄ，ｓｅｒｆ－ａｓｓｅｍｂｌｅｄ）生长．从二维平面到三维立体的过渡一般出现在沉积材料厚度约为１．４—１．７ＭＬ（单层厚度）的时候，在此过程中形成的量子点是协调应变的，没有位错。

ＳＫ生长模式形成的量子点一般为基于四边形的塔状结构，底部尺寸在二十纳米的范围，高为若干纳米。

此外还有透镜状、锥形状或八边形底面的金字塔形，甚至还有对称性更弱的复杂形状。

它们可以用形状比来描述，形状比定义为高度除以底部面积或直径．透镜形状的量子点通常相当平，其形状比在１：１０的量值范围，典型的尺寸为高２．５ｎｍ，直径长２５ｎｍ。

塔形量子
（１）Ｆｒａｎｋ－ｖａｎｄｅｒＭｅｒｗｅ生长模式（２）Ｖｏｌｍｅｒ－Ｗｅｂｅｒ生长模式（３）Ｓｔｒａｎｓｋｉ．Ｋｒａｓｔａｎｏｖ生长模式图４外延生长的三种模式．（１）在二维Ｆｒａｎｋ－ｖａｎｄｅｒＭｅｒｗｅ生长模式中，材料层逐层生长；（２）在Ｖｏｌｍｅｒ－Ｗｅｂｅｒ模式中，在衬底上形成三维岛状结构；（３）在Ｓｔｒａｎｓｋｉ－Ｋｒａｓｔａｎｏｖｅ模式中，首先形成一个或两个单层（浸润层），随后形成单独的岛状结构
磬楸幽蠼ｔ
（１）应变存在，但是晶格匹配
（ＩＩ）固有应变形成无位锖三雏岛状缩构
长时闯
图５ＳＫ生长模式形成的ＩｎＡｓ量子点
第２９巷，第１１期红外５
覆盖层
覆盖层
匹配层
标记层（ｍａｒｋｅｒｌａｙｅｒ）
匹配层
梯度变化层
缓冲层
衬底
ＧａＡｓ，５０ｎｍ
ＩｎＡｓ量子点。

１．８ＭＬ
●●Ｐ—
ＧａＡＳ，５，１０或２０ｎｍ
Ｉｎｏ．ｔｓＧａｏ．８２Ａｓ，５０ｎｍ
Ｉｎｏ．３Ｇａｏ．７Ａｓ，７．５ｎｍ
Ｉｎｏ．１８Ｇａｏ．８２Ａｓ，９５０ｎｍ
Ｉｎｏ．０１３Ｇａｏ．９８７Ａｓ—Ｉｎｏ．１８Ｇａｏ．ｓ２Ａｓ，１０００ｎｍＧａＡｓ，５００ｎｍ
ＧａＡＳ
图６用于实现ＩｎＡｓ量子点横向有序排列的结构示意图
点则具有较高的形状比（１：２）。

ＳＫ生长模式可以用ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ等生长技术实现，因其简单性而成为最常用的一种量子点制备方法。

由于主导生长过程的关键参数是半导体材料之间的晶格失配，因此自组织量子点也容易用其他材料如Ｇｅ、ｓｉ等获得。

此外，它们还具有与标准的ＩＩＩ－Ｖ族或ＩＶ一Ⅳ族电子器件或技术集成的潜力．
与用光刻方式形成的量子点相比，尺寸分散性是ＳＫ生长模式的固有特点，一般在平均尺寸的几个百分点的范围。

利用ＳＫ生长模式制备量子点的最大问题之一是如何提高量子点的均匀性，这种均匀性包括形状、尺寸和分布的均匀性．从分布上看，量子点在衬底上的排列呈有序和无序两种状态．有序包括横向有序和纵向有序．纵向有序排列要比横向有序排列容易实现．文献［６】６指出，空间有序量子点的子能带间吸收要比空间无序量子点的强得多。

文献【７】用三维动力学蒙特卡罗方法仿真了空间有序自组织量子点的生长过程．利用晶格失配构成的量子点属应变异质结。

应变场可用价带力场模型计算。

应变场的不均匀分布可以导致量子点在生长方向有序排列，在一定条件下也可以导致横向有序排列．光刻也可以实现横向有序排列。

文献【８］介绍了在刻蚀形成的ＧａＡｓ槽面上实现ＩｎＡｓ有序排列的方法．
文献【９】介绍在衬底上引入组份呈梯度变化的ＩｎＧａＡｓ层来实现有序排列，如图６所示。

晶格常数的差异导致应变，这种应变又通过热退火形成的不匹配位错释放．作为组分梯度层中应变释放的一个结果，衬底不再是平的，而是在表面沿垂直方向呈波浪起伏状。

随后，ＩｎＡｓ量子点的生长也倾向于顺着这些波浪起伏成核，形成有序排列。

从材料制备来说，一方面要获得高质量、可重复生产的单个量子点，另一方面又要求能将量子点有序排列。

但是迄今为止，还没有一种理想的方法可以在所有三维方向实现自组织量子点的有序排列。

厂Ｉｎ／ｉｓ
⑥
—＿ＧａＡｓ
⑤覆盖量子点
④量子点生长
————■——■■—●——＿２ＭＬＩｎＡｓ——————————————＿（劭约
‘ｉｉｉｉｉｉ③浸润层。

ＩｌＩＬＩｎＡｓ■—●———●■■■■—一①衬底，ＧａＡｓ（００１）
图７一个量子点系统的制备生长流程
为了完成整个生长过程，量子点必须覆盖或掩埋在某种势垒材料中，如图７所示．对于ＩｎＡｓ量子点，这些材料通常为ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ或者ＩｎＡｌＧａＡｓ．近年来，人们已注意到这一覆盖阶段的重要性，在覆盖过程中，由于材料的重新分布和混合，量子点的结构性质可以被修改．例
６红外２００８年１１月
如，当量子点被覆盖，并且在覆盖层生长其他量子点时，可以观察到垂直相关。

当覆盖层为几十ＭＬ时，在覆盖层中生长的量子点几乎准确地位于其下一层中的量子点的上方。

当厚度超过几百ＭＬ时，相关性消失。

利用垂直相关的效应可以实现量子点的横向有序排列。

文献［１０］研究了在ＩｎＰ（３１１）Ｂ衬底上用ＭＢＥ生长的自组织ＩｎＡｓ／ＩｎＰ量子点的双层覆盖过程，发现第一个覆盖层的厚度对于最终结果有着主要影响。

文献［１１］研究了双层覆盖方法在ＩｎＰ（００１）衬底上生长的自组织ＩｎＡｓ量子点的界面性质．如果是用与衬底同样的材料来掩埋或嵌入，这种方式则被称为过生长。

文献［１２】研究了用三种不同覆盖方法在Ｉｎ０．３３Ｇａｏ．６７Ａｓ层上过生长的ＩｎＡｓ量子点的应变驰豫外观。

利用ＳＫ生长模式制备量子点的最大问题之一是如何提高量子点的面密度和体密度。

作为光电器件，量子点密度应在１０１０ａｍ’２的数量级。

ＭＢＥ自组织生长的量子点密度为１０８—１０１１ｃｍ～。

文献【１３］报道了一种用ＬＰ—ＭＯＣＶＤ生长的自组织Ｉｎ０．６８Ｇａｏ＿３２ＡｓＱＤＩＰ焦平面阵列，密度约为３×１０１０ａｍ～。

文献［１４］指出，ＩｎＡｓ量子点面积密度强烈依赖于生长温度和单层覆盖。

经过适当调节，获得了１．５×１０１１ａｍ－２的高面积密度，比以往报道的结果高出４倍多。

文献［１５】指出在生长量子点之前，沉积１ＭＬ厚的ＧａＳｂ，ＩｎＡｓ量子点密度可以从约３×１０１０ａｍ－２增加到约６×１０１０ｃｍ～。

文献【１６】指出，增加ＩｎＡｓ沉积量将导致量子点表面密度按比例增加，但是对于量子点的尺寸没有显著影响。

文献［１７］研究了应变场对于岛状结构成核过程的影响，发现第二个量子点层中的岛状结构形状与量子点密度密切相关。

自组织量子点形成的低密度使得它有利于以逐层叠加的方式生长多层量子点。

实验发现，随着层数的增加，相邻层中的岛状结构的尺寸和形状变得更有规则。

更重要的是，通过使用叠层结构，提高了量子点的体密度。

采用不同取向晶面选择生长技术和图形化衬底以及对生长工艺进行优化，可在一定程度上改善量子点的均匀性和密度。

文献【１８】研究了在ＧａＡｓ（１００）和（ｎ１１）Ｂ（Ｂ表示阴离子面，ｎ＝９，８，７，５，４，３）衬底上用ＭＢＥ生长的横向自组织多层Ｉｎ０．４Ｇａ０．６Ａｓ／ＧａＡｓ量子点。

用同一种材料、通过不同类型的掺杂来调制其能带结构可以形成量子点。

文献［１９］研究了器件性能与调制掺杂ＱＤＩＰ结构参数之间的关系。

在某些频率范围内，电磁波无法在由介电常数不同的材料周期性排列所构成的结构中传播，这种材料称为光子晶体。

文献［２０］报道了一种光子晶体ＱＤＩＰ的设计与制备。

通过引入共振微腔，增加了光子与电子之间的相互作用距离，使光电流、转换效率和探测率提高了一个数量
级。

５结论
有预测认为，２０１０年以后ＱＤＩＰ可以进入批量生产．目前ＱＤＩＰ总体上还处于基础研究阶段。

短期内用ＱＤＩＰ直接替代碲镉汞探测器技术似乎还不太可能。

提高量子点尺寸的均匀性、精确控制量子点成分、形状、位置，是制备高质量ＱＤＩＰ所面临的挑战。

ＱＤＩＰ融合多种学科于一体，其发展离不开高强度的投资。

ＱＤＩＰ无论是材料、器件或整机应用，都需要将理论分析、实验研究和系统设计有机地紧密结合起来。

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一种基于对数ｃＭｏｓ成像器技术
的新的高速热成像概念
在材料焊接和激光切割过程中，在高功率光源中以及在高温材料加工过程中，空间和动态温度分布的快速监测给常规热成像技术提出了新的挑战，特别是在辐射表面发射率的补偿方面．
在２００８年４月在法国斯特拉斯堡召开的名为“Ｏｐ－ｔｉｃａｌＳｅｎｓｏｒｓ２００８”的ＳＰＩＥ专题会议上，德国斯图加特微电子研究所的研究人员ＦｒａｎｚＸ．Ｈｕｔｔｅｒ等人介绍了【１３】ＨＬｉｒａ，ＳＴｓａｏ，ＭＴａｇｕｃｈｉ，ｅｔａ１．ＱｕａｎｔｕｍＤｏｔｓｉｎＧａｌｎＰ／ＧＭｎＡｓ／ＧａＡｓｆｏｒＩｎｆｒａｒｅｄＳｅｎｓｉｎｇ［Ｊ１．Ａｄ－ｉｎＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２００６，５１：２０１—２０８．【１４］ＣＹＮｇｏ，ＳＦＹｏｏｎ，ＷＪＦａｎ．ＴｕｎｉｎｇＩｎＡｓｑｕａｎｔｕｍ
ｄｏｔｓｆｏｒｈｉｇｈａｒｅａｌｄｅｎｓｉｔｙａｎｄｗｉｄｅｂａｎｄｅｍｉｓｓｉｏｎ【Ｊ】．ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｅｓＬｅｔｔｅｒｓ，２００７，９０（１１）：３１０３．
［１５】ＰＡｉｖａｌｉｏｔｉｓ，ＬＲＷｉｌｓｏｎ，ＥＡＺｉｂｉｋ，ｅｔａ１．Ｅｎｈａｎｃｉｎｇｔｈｅｄｏｔｄｅｎｓｉｔｙｉｎｑｕａｎｔｕｍｄｏｔｉｎｆｒａｒｅｄｐｈｏｔｏｄｅｔｅｃ—ｔｏｒｓｖｉａｔｈｅｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎｏｆａｎｔｉｍｏｎｙ［Ｊ］．Ａｐｐｌｉｅｄ
ＰｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ，２００７，９１（１）：３５０３．
［１６】ＡＺｏｌｏｔａｒｙｏｖ，ＡＳｃｈｒａｍｍ，ＣｈＨｅｙｎ，ｅｔａ１．ＩｎＡｓ－ｃｏｖｅｒａｇｅｄｅｐｅｎｄｅｎｃｅｏｆ
ｓｅｌｆ－ａｓｓｅｍｂｌｅｄｑｕａｎｔｕｍｄｏｔｓｉｚｅ，ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ，ａｎｄｄｅｎｓｉｔｙ【Ｊ】．ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ，２００７，９１（８）：３１０７．
【１７］ＢＤＧｅｒａｒｄｏｔ，ＩＳｈｔｒｉｃｈｍａｎ，ＤＨｅｂｅｒｔ，ｅｔａ１．ＴｕｎｉｎｇｏｆｔｈｅｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｌｅｖｅｌｓｉｎｖｅｒｔｉｃａｌｌｙｓｔａｃｋｅｄＩｎＡｓ／ＧａＡｓｑｕａｎｔｕｍｄｏｔｓｕｓｉｎｇｃｒｙｓｔａｌｇｒｏｗｔｈｋｉ—ｎｅｔｉｃｓ［Ｊ］．ＪｏｕｒｎａｌｏｆＣｒｙｓｔａｌＧｒｏｗｔｈ，２００３，（１／３）：４４—５０．
［１８】ＰＭＬｙｔｖｙｎ，ＶＶＳｔｒｅｌｃｈｕｋ，ＯＦＫｏｌｏｍｙｓ，ｅｔａ１．Ｔｗｏ－ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌｏｒｄｅｒｉｎｇｏｆ（Ｉｎ，Ｇａ）ＡｓｑｕａｎｔｕｍｄｏｔｓｉｎｖｅｒｔｉｃａｌｍｕｌｔｉｌａｙｅｒｓｇｒｏｗｎＧａＡｓ（１００）ａｎｄ（ｎ１１）［Ｊ】．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，２００７，９１（１７）：３１１８．［１９ｊＳｅｕｎｇ－ＷｏｏｎｇＬｅｅ，ＫａｚｕｈｉｋｏＨｉｒａｋａｗａ．Ｌｉｆｅｔｉｍｅｏｆｐｈｏｔｏｅｘｃｉｔｅｄｃａｒｒｉｅｒｓｉｎｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ－ｄｏｐｅｄｑｕａｎ－ｔｕｒｎｄｏｔｉｎｆｒａｒｅｄｐｈｏｔｏｄｅｔｅｃｔｏｒｓ［Ｊ】．ＰｈｙｓｉｃａＥ：Ｌｏｗ－ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌＳｙｓｔｅｍｓａｎｄＮａｎｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ，２００２，１３（２／４）：３０５－３０８．
［２０】ＫＴＰｏｓａｎｉ，ＶＴｒｉｐａｔｈｉ，ＳＡｎｎａｍａｌａｉ，ｅｔａ１．Ｎａｎｏｓｅａｌｅｑｕａｎｔｕｍｄｏｔｉｎｆｒａｒｅｄｓｅｎｓｏｒｓｗｉｔｈｐｈｏ－ｔｏｎｉｃｃｒｙｓｔａｌｃａｖｉｔｙ［Ｊ】．ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ，２００６，８８（１５）：１１０４．
一种基于改进型高动态范围ＣＭＯＳ（ＨＤＲＣ）ＶＧＡ彩色相机的新概念。

该相机可以使人们目视观察和测量从大约８００℃到２３００℃的温度，其改进之处在于它使用了一个能将紫外和红外杂散光减至最少的光学滤光片和一个能截取绿光范围以分离蓝色和红色ＲＧＢ区的陷波滤波器．另外，它还提供了一个通过简单地减去ＨＤＲＣ信号能使相邻的红色和蓝色像素信号分隔开的增强型、自适应软件。

因此，可视化场景点的局部温度信息就与发射率无关了。

据说，这是迄今为止第一次演示的高速热成像仪．
口高国龙
量子点制备方法的研究进展
作者：王忆锋， WANG Yi-feng
作者单位：昆明物理研究所,云南昆明,650223
刊名：
红外
英文刊名：INFRARED
年，卷(期)：2008，29(11)
引用次数：0次
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1.期刊论文王忆锋.WANG Yi-feng量子点红外光子探测器的研究进展-光电技术应用2008,23(3)
迄今为止关于量子点红外光子探测器(QDIP)的研究已有众多文献发表,涉及量子点生长、系统设计、建模、表征与测量等各方面.对近年来国外文献报道的QDIP技术的进展进行了总结和综述,简要描述了QDIP研发的方法和思路,给出了近期国外研制的一些QDIP的性能,介绍了今后实现高性能QDIP的若干发展方向.尽管QDIP已成功地用于单元探测器和焦平面器件,但作为一种新兴技术,QDIP仍不成熟,短期内直接替代HgCdTe似乎还不可能.
本文链接：/Periodical_hongw200811001.aspx
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