集成电子薄膜材料研究进展

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ＬＩＹａｎｒｏｎｇ，ＺＨＡＮＧＷａｎｌｉ，ＬＩＵＸｉｎｇｚｈａｏ，ＺＨＵＪｕｎ，ＹＡＮＹｉｃｈａｏ
（ＳｔａｔｅＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＴｈｉｎＦｉｌｍｓａｎｄＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＤｅｖｉｃｅｓ，ＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙｏｆＣｈｉｎａ，Ｃｈｅｎｇｄｕ６１００５４，Ｃｈｉｎａ）
Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅｓｉｇｎｉｉｆｃａｎｃｅｏｆｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｍａｔｅｒｉａｌｓｗａｓｄｉｓｃｕｓｓｅｄｉｎｔｈｉｓｐａｐｅｒ．Ｔｈｅｓｔａｔｕｓｏｆｔｈｅｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｍａｔｅｒｉａｌｓａｎｄ
摘要：首先分析了当前我国电子信息产业的现状，特别是电子材料与元器件行业的状况，结合
国际上电子信息技术的发展趋势，阐述了研究集成电子材料的重要意义。文章结合作者的工作主要介绍了介电／ＧａＮ集成电子薄膜生长控制与性能研究情况，采用ＴｉＯ２（诱导层）／ＭｇＯ（阻挡层）组合缓冲层的方法控制介电／ＧａＮ集成薄膜生长取向、界面扩散，保护ＧａＮ基半导体材料的性能，降低介电／ＧａＮ集成薄膜界面态密度，建立界面可控的相容性生长方法。通过集成结构的设计与加工，研制出介电增强型ＧａＮＨＥＭＴ器件、高耐压ＧａＮ功率器件原型以及一体化集成的微波电容、变容管、压控振荡器、混频器等新型元器件。
第３２卷第２期２０１３年２月
中国材料ＮＡ
Ｖｏ１．３２Ｎｏ．２Ｆｅｂ．２０１３
集成电子薄膜材料研究进展
李言荣，张万里，刘兴钊，朱俊，闰裔超
（电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川成都６１００５４）
关键词：薄膜技术；电子材料；电子器件
李言荣
中图分类号：０４８４．１
文献标识码：Ａ
文章编号：１６７４— ３９６２（２０１３）０２— ０１０２— ０５
ＲｅｃｅｎｔＰｒｏｇｒｅｓｓｏｎＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＴｈｉｎＦｉｌｍｓＭａｔｅｒｉａｌｓ
ｄｅｖｉｃｅｉｎｄｕｓｔ￣ｓｔａｔｕｓｉｎＣｈｉｎａａｎｄｔｈｅｔｒｅｎｄｏｆｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｉｎｔｈｅＷＯｒｌｄｗａｓｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄ．Ｔｈｅｓｔｕｄｉｅｓｏｆｇｒｏｗｔｈａｎｄｐｒｏｐ — ｅｒｔｉｅｓｏｆｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ／ＧａＮｉｎｔｅｇｒａｔｅｄｉｆｌｍｓｂｙｏｕｒｇｒｏｕｐｗｅｒｅｐｒｅｓｅｎｔｅｄ．ＴｈｅｃｏｍｐａｔｉｂｉｌｉｔｙｇｒｏｗｔｈｍｅｔｈｏｄｗａｓｅｓｔａｂｌｉｓｈｅｄｂｙｕｓｉｎｇＴｉＯ。／ＭｇＯｂｉ — ｌａｙｅｒｂｕｆｆｅｒ．ｉｎｗｈｉｃｈＴｉＯ，ｉｎｄｕｃｅｓｔｈｅｅｐｉｔａｘｉａｌｇｒｏｗｔｈａｎｄＭｇＯａｃｔｓａｓｄｉｆｆｕｓｉｏｎｂａｒｒｉｅｒ．Ｉｔｗａｓｆｏｕｎｄｔｈａｔｔｈｅｍｅｔｈｏｄｃａｎｐｒｅｖｅｎｔｔｈｅｐｅｆｏｒｒｍａｎｃｅｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎｏｆｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒａｎｄｄｅｃｒｅａｓｅｔｈｅｉｎｔｅｒｆａｃｅｓｔａｔｅｄｅｎｓｉｔｙ．Ｖａｒｉｏｕｓｎｅｗｄｅｖｉｃｅｓ．ｉｎｃｌｕｄｉｎｇｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ — ｍｏｄｅＧａＮＨＥＭＴ．ｈｉｇｈｏｆ－ｓｔａｔｅｂｒｅａｋｄｏｗｎｖｏｌｔａｇｅＧａＮＨＥＭＴ，ｍｉｃｒｏｗａｖｅｃａｐａｃｉｔｏｒｓ，ｖａｒａｃｔｏｒｓ．ｖｏｌｔａｇｅｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄｏｓｃｉｌｌａｔｏｒｓａｎｄｍｉｘｅｒｓｈａｖｅｂｅｅｎｄｅｖｅｌｏｐｅｄ．