超宽带极窄脉冲发生器的设计分析
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2008 年第 12 期,第 41 卷 总第 204 期
通
信
技
术
Vol.41,No.12,2008 No.204,Totally
Communications Technology
超宽带极窄脉冲发生器的设计分析
王俊峰
(云南省玉溪师范学院 信息技术工程学院,云南 玉溪 653100)
【摘
要】讨论了双极性晶体管雪崩的工作原理,分析了采用级联双极性晶体管结构的超宽带极窄脉冲发生器的电路。
通过实验获得的输出脉冲宽度为皮秒级的极窄脉冲,该脉冲的宽度、上升时间和幅度均较好地符合了极窄脉冲的要求。 【关键词】超宽带;双极性晶体管;脉冲发生器;极窄脉冲 【中图分类号】TN99 【文献标识码】A 【文章编号】1002-0802(2008)12-0128-03
Design of Ultra-wideband Very Narrow Pulse Generator
WANG Jun-feng
(School of Information Technology and Engineering, Yuxi Teachers’College, Yuxi Yunnan 653100, China)
【Abstract】This paper discusses the working principle of bipolar transistor avalanche, and analyzes the circuit of ultra-wideband very narrow pulse generator adopting cascade bipolar transistor structure. The output pulse width obtained from experiment is a very narrow pulse of the skin second class. And the width, rising time and amplitude of the pulse comparatively satisfies the requirements of very narrow pulse. 【Key Words】Ultra Wideband;Bipolar transistor;pulse generator;very narrow pulse
0 引言
超宽带(UWB)技术是一种全新的无线通信技术,它不 需要使用传统通信体制中的载波,而是通过发送和接收具有 纳秒级或纳秒以下级的极窄脉冲来传输数据。一个典型的中 心频率为 2GHz(带宽为 500ps)超宽带脉冲信号的时域波形及
[1] 其频谱图分别如图 1 所示 。
之间的有效组合来对信息进行编码,实现多址通信。
一般通信技术都是把信号从基带调制到载波上,而超宽 带则是通过对具有很陡上升和下降时间的冲激脉冲进行直 接调制,从而具有 GHz 量级的带宽。超宽带具有对信道衰减 不敏感、发射信号功率谱密度低、难于截获、抗多径、低成 本、极好的穿透障碍物能力和定位精度高等优点。该技术尤 其适用于室内等密集多径场所的高速无线接入通信、雷达、 定位和高度测量应用中。 按照美国联邦通信委员会 FCC 规定,超宽带脉冲信号的 f − fL 大于 20%, 其中 f H 、f L 分别为-10dB 部分带宽 B f = 2 H fH + fL 辐射点所对应的上、下频率点或者是指其总频谱带宽至少达 到 500 MH Z [2] 。超宽带是发射和接收超短电磁能量脉冲的技 术,它采用极窄脉冲直接激励天线,这些脉冲可以单独发射 或成组发射,并且可以根据脉冲的幅度、相位和位置或它们 图1 超宽带脉冲信号的时域波形及其频谱
1 超宽带极窄脉冲产生原理
1.1 电路原理图 超宽带发射机系统的简化图如图 2 所示,系统的信息调 制采用脉冲位置调制(PPM) 。从图中可以看到,超宽带发射
收稿日期:2008-06-02。 作者简介:王俊峰(1965-),男,副教授,主要从事电子技术、计算机通信与网络教学研究。
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机部分可以不包含功率放大器,替代它的是一个脉冲发生 器,它根据要求产生时间极短的窄脉冲直接激励超宽带天线 进行辐射。驱动器主要用来提供一定的驱动能力,同时对前 后级电路进行有效的隔离。超宽带脉冲发生器在超宽带无线 通信系统中占据着极其重要的地位,是超宽带系统中独特的 关键部件之一。超宽带通信系统的超宽带特性直接与脉冲发 生器产生的脉冲形状相关,脉冲的持续时间越短,脉冲所占 据的带宽就越宽。能否成功地设计超宽带脉冲发生器,关系 到整个超宽带发射机系统的实现。
2 脉冲发生器的电路分析
2.1 电路分析 利用双极性晶体管工作在雪崩区的雪崩式开关特性,设 计了图 4 所示的超宽带脉冲发生器。首先采用了微波双极性 晶体管,使得电路在较低的电源电压下能够正常可靠工作, 稳定地输出一定幅度和宽度的超宽带脉冲,脉冲的重复工作
[5] 频率可以达到 50MHz 以上,满足实际的使用需要 ;其次采
用了并行同步触发方式,对多个晶体管的基极同时加入同步 触发脉冲信号,消除了电路中存在的雪崩依次延时,使微波 双极性晶体管同时产生雪崩击穿,大大地减小脉冲上升时 间,获得非常理想的超宽带极窄脉冲。
图2 1.2 雪崩效应原理
超宽带发射机系统框
为了分析脉冲发生器的电路,先对晶体管雪崩效应进行 分析。晶体管三极管的输出特性分为四个区域:饱和区、放 大区、截止区与雪崩区,如图 3 所示。当晶体管的集电极电 压很高时,集电结空间电荷区内的电场强度比放大低压运用 时大得多,进入集电结的截流子被强电场加速,从而获得很 大的能量,它们与晶格碰撞时产生了新的电子-空穴对,新 生的电子、空穴又分别被强电场加速而重复上述过程。于是 渡过集电结的电流便“雪崩”式迅速增长,这就是晶体管的 雪崩倍增效应。 图4 超宽带脉冲产生电路 在没有加入触发脉冲信号时,电源电压 Ec 通过电阻 R1与R11、 R 2与R 5、 R3与R 6 、 R4与R 7 分 别 对 电 容
C1、C 2、C3、C 4 进行充电,使得 4 个微波双极性晶体管 Q1、Q2、Q3、Q4 的集电结偏置在临界雪崩状态,于是储能电
容 C1、C 2、C3、C 4 的两端所充的电压约等于集电结雪崩击 穿电压 BVcbo 。当触发脉冲信号 Vi 输入时,微波双极性晶体 管同时击穿,储能电容 C1、C 2、C3、C 4 所储存的电荷迅速地 通过 Q1、Q2、Q3、Q4 和等效负载电阻 R12 放电,因此在负载 电阻上得到一个上升极短的超宽带极窄脉冲。 2.2 元件参数选择 超宽带极窄脉冲发生器应选择的电路参数主要为微波 双 极 性 晶 体 管 , 储 能 电 容 C1、C2、C3、C4 , 集 电 极 电 阻
R1、R2、R3、R4 ,电阻 R11 与负载电阻 R12 ,偏置电压 EC 等。
图3
NPN 晶体管的输出特性
∗
晶体管在雪崩区的运用主要有如下特点: 式中 M 为雪 (1) 晶体管的共基极电流增益 α = M α , 其物理意义是: 崩倍增因子, 是晶体管的共基极电流增益。 α 若有一个截流子进入集电结空间电荷区,则就有 M 个截流
[3] 子流出空间电荷区 。
(1)微波双极性晶体管:特征频率 fT = 24GH Z ,集电 极-基极雪崩击穿电压 VBcbo =15V,集电极-发射极雪崩击 穿电压 BVceo =4.5V,集电极最大电流 I C =100mA。 (2)储能电容 C:电容 C 为单个储能电容的值,C 不应 选择太大,C 太大,输出脉冲的宽度加宽,电路恢复期太长; 但也不能太小,C 太小,输出脉冲振幅减小。一般选用 5pF 左右的云母电容或瓷片电容。 (3)集电极电阻:集电极电阻 R1、R2、R3、R4 不应选择 太小,否则微波双极性晶体管可能长时间处于导通状态,导 致温度过高而烧坏;但也不能太大,集电极电阻太大,就不 能保证电路能够在静止期内恢复完毕。所以,集电极电阻通 常选几千欧姆到几十千欧姆。 (4)电阻 R11 与负载电阻 R12 ,一般选取 50 欧姆左右较 为适当。 129
(2) 由于雪崩应用时集电结加有很高的反向电压,集 电结空间电荷区向基区一则的扩展使有效基区宽度大为缩 小,因而少数截流子通过基区的渡越时间大为缩短,即晶体 管的有效截止频率大为提高。 (3) 图 2 给出了 NPN 型硅双极性晶体管的输出特性, 当基极电流为负值( I b )时,发射结反偏,集电极电流 I c 随 雪崩运用时 集电极电压 Vce 和 − I b 急剧变化的区域是雪崩区。 晶体管集电极-发射极之间呈负阻特性。 (4) 改变雪崩电容与负载电阻,所对应的输出幅度是
[4] 不同的。即输出脉冲与雪崩电容和负载电阻有关 。