1.(对应考点一)下列说法正确的是( ) (1)

1．(对应考点一)下列说法正确的是( )

A．硅是良好的半导体材料，能与盐酸或氢氧化钠溶液反应

B．二氧化硅不导电，能与盐酸或氢氧化钠溶液反应

C．硅酸具有多孔性结构，可用作吸附剂或催化剂载体

D．二氧化硅是酸性氧化物，能与氢氟酸反应，也能与氢氧化钠溶液反应

解析：硅与盐酸不反应，A不正确；二氧化硅与盐酸也不反应，B不正确；具有多孔结构，用作吸附剂或催化剂载体的是硅胶，而不是硅酸，C不正确；D项正确，SiO2＋4HF===SiF4↑＋2H2O,2NaOH＋SiO2===Na2SiO3＋H2O。

答案：D

2．(对应考点一)由下列实验事实得出的结论正确的是( )

A．由SiO2不能与水反应生成H2SiO3，可知SiO2不是酸性氧化物

高温Si＋2CO↑，可知碳的非金属性大于硅

B．由SiO2＋2C=====

C．CO2通入Na2SiO3溶液产生白色沉淀，可知酸性H2CO3>H2SiO3

D．SiO2可与NaOH溶液反应，也可与氢氟酸反应，可知SiO2为两性氧化物

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高温Si＋2CO↑不能说明解析：SiO2是酸性氧化物，A项错误；反应SiO2＋2C=====

碳的非金属性比硅强，该反应能发生是因为生成CO气体，它的放出促进了反应进行，

B项错误；CO2通入Na2SiO3溶液中生成H2SiO3胶体，符合强酸制弱酸的规律，证明

酸性H2CO3>H2SiO3，C项正确；D项中SiO2除氢氟酸外不能与其他的酸反应，SiO2

为酸性氧化物，不具有两性，D项错误。

答案：C

3．(对应考点二)下列关于硅的说法不．正确的是( )

A．硅是非金属元素，它的单质是灰黑色有金属光泽的固体

B．硅的导电性能介于导体和绝缘体之间，是良好的半导体材料

C．硅的化学性质不活泼，常温下不与任何物质发生反应

D．加热到一定温度时，硅能与氯气、氧气等非金属反应

解析：硅的导电性介于导体和绝缘体之间，是良好的半导体材料；硅的化学性质稳

定、常温下可与F2、HF、强碱溶液反应，加热或高温下可与O2、Cl2等一些非金属发

生反应。

答案：C

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4．(对应考点二)单晶硅是制作电子集成电路的基础材料。科学家预计，到2011年一个电脑芯片上将会集成10亿个晶体管，其功能远比我们想象的要大得多，这对硅的纯度要求很高。用化学方法可制得高纯度硅，其化学方程式为：

①SiO 2＋2C=====高温Si ＋2CO↑ ②Si＋2Cl 2=====△SiCl 4

③SiCl 4＋2H 2=====△Si ＋4HCl 。下列对上述三个反应的叙述中，不．

正确的是( ) A ．①③为置换反应

B ．②为化合反应

C ．①②③均为氧化还原反应

D ．三个反应的反应物中硅元素均被还原

解析：反应①③中硅元素被还原，反应②中硅元素被氧化，D 错误。

答案：D

5．(热点题)氮化硅高温陶瓷材料是现代重要的结构陶瓷，因其有硬度大、熔点高、化学性质稳定等特点而受到广泛关注。工业上普遍用下列流程进行生产：

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(1)SiO 2和C 反应除了得到粗硅外，还有可能得到一种硬度也很大的物质，是生成粗硅还是生成该物质主要是由________决定的。

(2)反应①的条件是____________________________________________________。

(3)写出反应②的化学方程式____________________________________________。

(4)A 中可能的杂质有__________________________________________________。

(5)现在是用四氯化硅、氮气、氢气在稀有气体保护下加强热，得到纯度较高的氮化硅，其反应方程式为__________________________________________________________

____________________________________________________________________。

解析：SiO 2与C 在高温下反应，会因C 的用量不同而使产物不同：SiO 2＋2C=====

高温Si ＋2CO↑或SiO 2＋3C=====高温SiC ＋2CO↑；反应①的条件是：高温和隔绝空气；反应

②的化学方程式：3CuO ＋2NH 3=====△3Cu ＋N 2＋3H 2O ；A 中可能的杂质有：NH 3

和H 2O ；得到纯度较高的氮化硅的反应方程式为：3SiCl 4＋2N 2＋6H 2=====高温Si 3N 4＋

12HCl 。

实用文档 答案：(1)C 的用量 (2)高温和隔绝空气

(3)3CuO ＋2NH 3=====△3Cu ＋N 2＋3H 2O

(4)NH 3和H 2O

(5)3SiCl 4＋2N 2＋6H 2=====高温Si 3N 4＋12HCl