玻璃钝化保护工艺原理

玻璃钝化保护工艺原理

作者:徐年惠

来源:《科学与财富》2018年第27期

摘要:台面型封装轴向二极管器件的电气性能、稳定性及可靠性与芯片台面的性质有着密切的关系,芯片PN结裸露的表面实际上是硅晶格排列终止的边缘,在这终止的边缘上存在着不饱和键或沾污微离子,容易引起芯片台面状态发生变化,从而引起器件的电性能参数及可靠性退化。因此,对于这类器件,必须在芯片台面上钝化一层致密的保护膜,以防止离子的沾污和外界条件对器件电性能参数及可靠性的影响。目前玻璃钝化是一种常见的钝化工艺,掌握和熟悉工艺原理,对于如何做好玻璃钝化实体封装二极管产品来说非常重要。

关键词:玻璃钝化 PN结台面工艺原理

一、发展概况

玻璃钝化是指在半导体芯片表面附着一层玻璃成份适当的钝化膜。1961年8月在美国底特律城市召开的一个联合会议上,J.A.Perri、H.S.Lehman等4个美国人首次做了有关玻璃钝化的报道。1966年日立公司用低温钝化法得到了铅玻璃的钝化层。当时在国外有代表性的玻璃钝化方法是在SiO2薄膜上淀积一层PbO系玻璃。

在上世纪70年代中期,玻璃钝化在日本、美国的半导体行业的应用比较广泛,玻璃钝化工艺技术非常成熟,在这些国家的市场上购买玻璃钝化产品是非常容易的。当时美国的IBM 公司在计算机的SLT线路上使用了玻璃钝化器件,后续在日本有很多应用电脉法附着玻璃粉的专利,避免了应用玻璃钝化给生产工艺操作带来的不便。1979年日本发明者田中知行发表专利,提出了一种特殊结构的玻璃钝化膜用以保护高压二极管器件。在上世纪80年代,我国一些工厂在二极管的制造过程中,采用锌系(锌含量在45~55%范围)玻璃粉作为钝化兼封装的材料。据了解,目前在国内采用玻璃钝化工艺生产台面型实体轴向二极管的厂家极少,工艺过程仍沿用上世纪80年代的玻璃钝化工艺,玻璃粉材料仍为锌系玻璃粉。

二、玻璃钝化的作用

由于半导体器件芯片表面容易受到外界气氛的影响,为保持它的稳定性,使之长期稳定的工作,硅芯片PN结表面必须用绝缘材料完全密封,芯片表面受到外界影响的保护方法有多种多样,其中用钝化玻璃保护是目前比较直接有效的方法。

芯片PN结表面的玻璃钝化主要解决以下两个方面的问题:1)玻璃本身表征为负电荷特性,沾污离子一般表征为正电荷特性,在这种情况下,其钝化玻璃能够很好的把钠离子等沾污

离子固定住,减少钠离子的移动;2)在芯片PN结表面覆盖一层玻璃钝化膜,形成钠离子等沾污离子的阻挡层,避免外界钠离子等沾污离子进入到芯片PN结表面处。

三、玻璃材料的组成及特点

钝化玻璃材料主要以Zn、Pb、B、Si、Al等氧化物为主要成份,目前一般用于钝化粉末状的玻璃粉主要有铅系玻璃粉和锌系玻璃粉。

铅系玻璃粉一般分为两种:一种为PbO、B2O3、SiO2为主要成份;另一种为PbO、

B2O3、SiO2、Al2O3为主要成份。在铅系玻璃粉中增加PbO的含量,可以使玻璃的软化温度降低,热膨胀系数增大,但耐酸性能变差;若增加B2O3的含量,可以降低玻璃钝化的温度和热膨胀,增强钝化膜的柔性,还能够降低钝化膜的粘度。改变玻璃粉PbO的含量可得到软化温度在500~800℃范围内的各种玻璃粉。铅系玻璃粉与SiO2的结合性能较好,因而可以在SiO2上形成铅玻璃膜。

锌系玻璃粉以ZnO、B2O3、SiO2为主要成份,在实际使用过程中,为改善器件的特性,可在玻璃粉中添加少量氧化物,如MnO2、Ta2O5、CcO2、Sb2O3等氧化物质。ZnO是一种碱性氧化物,在锌系玻璃粉中增加它的含量可以提高钝化玻璃的化学稳定性,降低钝化玻璃的热膨胀系数,但会提高玻璃的软化温度,易导致玻璃的析晶(不是玻璃体)。

综上所述,对于铅系玻璃粉和锌系玻璃粉具有以下各自的特点:

1)铅系玻璃粉的负电荷易于显著变化,它的离子迁移率比锌系玻璃粉高,所以锌系玻璃的电绝缘性能更好。2)在高温下铅离子更易于迁移,锌系玻璃粉的钝化温度高于铅系玻璃,因此,锌系玻璃粉钝化的器件高温工作性能更好,其温度工作范围比铅系玻璃钝化的器件宽。3)由于锌原子较铅原子活波得多,故锌系玻璃粉的耐酸耐碱性能差,而铅系玻璃粉的耐酸、耐碱性能更好。4)锌系玻璃的热膨胀系数与硅(热膨胀系数为2.5×10-6/℃)接近,故锌系玻璃粉比铅系玻璃粉更容易形成厚膜,一般常用于高压器件作钝化封装用,其钝化效果比铅系玻璃粉要好。5)使用锌系玻璃粉钝化,在工艺操作难度上比铅系玻璃粉困难得多。

目前对于常用的铅系玻璃粉和锌系玻璃粉中典型的钝化玻璃的组成主要有SiO2、PbO、ZnO、B2O3、Al2O3等,其膨胀系数在3.7×10-6/℃~5.6×10-6/℃范围,软化点在610~825℃。

使用玻璃钝化材料要根据具体的工艺和设计,适当选择玻璃粉的成份。玻璃含有的各种氧化物的成份不同,其玻璃钝化膜的形成温度、电学性能的稳定和机械性能、热膨胀系数等都有很大的变化。而作为玻璃钝化材料的基本要求为:电学性能好、绝缘性能好、电阻率高、玻璃材料中的可动离子少(一般钠离子的含量不允许超过10ppm);另外要求玻璃粉的热膨胀系数与硅接近、化学稳定性好、耐酸碱、耐水等。

四、玻璃钝化的原理及特点

玻璃粉的温度与玻璃膜的形成存在一定特性关系,不同的玻璃粉材料具有不同的转化温度、软化温度、结晶温度。由于玻璃粉自身的附着性能好,将它附着在芯片表面上后,经过适当的加温处理形成微晶玻璃膜。在此膜中不仅有玻璃微晶体,而且含有大量极细微的结晶体,这样的玻璃经析晶转变而得到类似于陶瓷体的保护膜,该膜具有均匀、致密、比重小、化学稳定性和热稳定性好的特点,该膜能使芯片表面与周围的气氛完全相隔绝,具有以下3个方面特点:1)高温性能好;2)击穿电压高、可获得高反压器件;3)器件的反向漏电流小。

具有上述3个方面特点的原理为:我们知道,在芯片制作过程中,尤其是台面型轴向二极管器件,其芯片台面上不可避免会沾附上沾污离子,当为金属沾污离子时,这类离子具有电荷转移的特性,使得芯片台面处的电导率增大,并产生复合中心,使PN结表面的反向漏电流增大,器件的性能降低,在常温下处于相对稳定的电荷物质,但在高温和强电场作用下,这些沾污杂质被电离,使得反向漏电流进一步增加、器件的击穿电压降低。玻璃钝化薄膜是微晶玻璃,具有玻璃网格结构,且膜的厚度较一般钝化膜厚,表面致密无针孔,具有负电荷性能的钝化层,能够固定住沾污离子,且在高温下能够阻止欲电离的电荷物质,阻止膜内离子的迁移和外界离子的浸入。

玻璃钝化膜具有上述优点的同时,也有一些缺点:1)难于找到低熔点的玻璃粉,造成了在工艺操作上的不便,对于某些特殊器件,会影响到器件的成品率;2)玻璃膜一般较厚,兼外形封装,这就造成结构及成份比较复杂,难于进行物理分析;3)玻璃钝化膜对于温度应力和机械应力较敏感,在器件使用过程中,需要避免引入温度应力和机械应力而导致器件性能退化。

五、结束语

玻璃钝化实体封装轴向二极管器件,是国内非常成熟的器件,广泛应用于航空、航天、兵器、船舶等国家国防工程,器件可靠性水平的高低对我国国防建设的发展产生重要影响。作为一名军工人,我们有责任和义务去提高电子元器件的质量可靠性,这就需要我们对这类器件的工艺原理、关键原材料的质量和工艺水平的现状有更深入的了解和认识,通过工艺水平的提高、原材料质量的提高等措施,来提高器件的质量可靠性,以便更好的为国家国防建设配套服务。

参考文献:

[1]刘万万、许澄嘉、王国栋:玻璃钝化技术高压硅堆的应用《半导体技术》

[2]台面型半导体装置的玻璃覆盖膜的形成方法

玻璃钝化深度讲义

玻璃钝化深度讲义 (2009-09-26 16:27:31) 转载 对于中小电流,击穿电压低于1600伏的器件,用玻璃钝化是相当普遍的。可以在金属化和划片之前使用简单的腐蚀造型法。玻璃料是由来自某些粘合剂(如异丙基醇,二乙二醇丁醚)中的精制玻璃粉末悬浮液涂敷上去的,在高温下粘合剂被烧掉了,玻璃熔化并在整个结的表面上形成密封保护层。涂敷玻璃主要有三种方法:医用手术刀法,电泳法和旋转匀涂法。 淋式显影的方法来实现选择性保护。这种方法能实现均匀的涂层并利于大批量生产。还可以减轻由于热膨胀系数不匹配产生的应力和变形,并有利于划片。特别适用于具有场环或结终端延伸结构的全平面器件。其缺点是投入略大,材料浪费较多。 沉积之后,粘合剂在低于玻璃熔点的温度上被烧掉,若有微量的粘合剂存在,就会使熔化的玻璃结构变形。粘合剂烧除以后,将温度升至玻璃熔点以上,降温后玻璃粉就会熔化并结晶。熔凝典型温度在650-900℃之间。它与玻璃成分有关。理想的情形是:温度低一点,使熔凝过程对已完成扩散的器件特性影响最小,并使由此产生热应力最低。如果可能,让金属化在玻璃钝化之前进行,以减少相互之间的影响。可惜低熔点玻璃的热膨胀系数较大,若涂层较厚就会造成龟裂现象,而厚涂层因击穿电压较高又是常被乐于采用的。 钝化用玻璃所需具备的特性: a. 可控制的表面电荷密度N FB b. 同硅近似的热膨胀系数。 c. 较低的玻璃烧结温度。 d. 对p-n结性能无害。

玻璃粉的制备:分别称取各成份所需的重量,纯度要求大于99.99%,并在旋转的搅拌器中混合后,将这些粉末在1300℃下在空气中熔化,然后倒入冷水中,将产生的玻璃料放入球磨机中磨成细粒,平均直径为4μm。 常用的玻璃粉是铅铝硅酸盐玻璃和锌硼硅酸盐玻璃。铅系玻璃的热膨胀系数较低,适用于厚层;而锌系玻璃的温度稳定性较高,且在高场强下也较稳定,但它的熔凝温度要比铅系玻璃高一些。 钝化玻璃的关键特性是玻璃中所含有的固定电荷的数量及类型。它们能改变反偏pn结空间电荷区的扩展范围。对于p+n结来说,希望玻璃层中含有负电荷,以促使空间电荷区展宽,降低表面峰值电场。然而过多的负电荷会使空间电荷区过分展宽,可能使n基区穿通,漏电流增大。(或产生场感应结,使击穿在表面进行并降低击穿电压。)玻璃中固定电荷的数量和极性与玻璃 的类型和工艺条件有关:锌硼硅酸盐玻璃具有纯的正电荷,该正电荷随融凝温度的增高而减少;也随着在氧气中加入氮气而减少。铅铝硅酸盐玻璃带有负电荷,它随着融凝过程中氧气浓度的增加而变得更负。 通氧可以减少硅表面悬挂键,从而降低漏电流。 划片工艺气压:6.5—7.2kg/cm2转速500-700r/s 速度6-18mm/s 余高5μm 刃宽 25--50μm 裂片工艺用纯水粘在不锈钢板上冷冻(-18℃ 30min),取出后剥下蓝膜,用水冲入不锈钢筛网内,开水烫后在丙酮里浸泡20分钟后,异丙醇超声三到四次,脱水烘干(如有光刻胶残留须在白炽灯下30—50℃烘干) 由于硼铝在800℃以上会向n基区扩散,且镀镍亦易导致芯片耐压降低,因此, 在条件可能时应在玻璃层内外用LPCVD或 APCVD(TEOS+O 3)淀积SiO 2 或SIPOS。

2011工艺基础试题

扩散工艺基础试题姓名 1 同样的基区离子注入量,扩散结深做得较深时,R□值将变。 2 同样的扩散结深,离子注入量减小时,R□值将变。 3 某NPN产品,基区扩散时H2未通进,其余条件正常,所造成的后果是和。 4 基区离子注入量发生了较大变化,其余工序正常加工,流程到哪几步可以根据哪三个参数 的什么现象判别出注入量发生了如何的变化? 5 其余条件不变,发射区再扩散条件如何变化造成h FE增大? 6 发射区再扩散条件不变,其余哪些条件变化对h FE构成影响?什么样的影响? 7 控温电偶处于温度更高的位置时(如紧靠加热炉丝),整体炉温将。 8 控温电偶断开,将出现的现象是,后果是。 9 控温电偶在某处短路,将出现的现象是,后果是。 10 有哪些现象(含仪表显示和其他外观)可以确认加热炉丝断开了? 11 某管扩散炉一端保温石棉未包裹严密,后果是。 12 磷预扩散炉管出气口常出现少量液体,这是为什么?当发生石英帽被粘住取不下来时该怎么办? 。 13 PBF(乳胶硼源)的主要成分是什么?。 14画出一幅POCl3源瓶的气路图。 15 您所知道的几种P型扩散杂质元素:。 N型扩散杂质元素:。 16 您所知道的哪些扩散杂质元素的扩散系数大? 。 17 您所知道的扩散结深跟杂质元素的什么性质、 工艺条件的哪些参数有怎样的关系? (定性也行,能定量更好!) 。 18 扩散工序哪些情况会引入沾污? 沾污会造成哪些后果? 。 19在工作实践中你对所遇到的某问题作出了正确判断并解决,举一事例。 这两题为公共题20 在工作实践中遇到的某问题至今尚未认识清楚,举一事例。

光刻、腐蚀工艺基础试题姓名 1说出某产品从头到尾流程顺序:(着重与光刻相邻的工程) 2根据光刻胶照光后的不同性质分为性胶和性胶。胶的标号越大,表示,在同样的匀胶条件下胶膜越。同一标号的胶,匀胶转速越快,膜越。胶膜较厚的胶,曝光条件应较。一定厚度的性胶,曝光过度将造成;曝光不足则造成。3前烘条件过弱,会造成,前烘条件过强,会造成。 4显影机排风不畅会引起,显影喷头喷完后又有显影液滴落会引起,显影过度会引起。 5“打底膜”的目的是,打底膜条件过强将造成。 6刻SiO2的腐蚀液成分是,主要化学反应是;刻Al的腐蚀液成分是,主要化学反应是。 7刻SiO2后可以用等离子去胶吗?,刻Al后可以用H2SO4去胶吗?。请分别说明理由。 8画出某一型号晶体管芯片的平面图、剖面图。 9发射区光刻有几片图形不好(已腐蚀),请说出返工步骤,,返工的副作用是。 10光刻的缺陷有称为“小岛”“针孔”。它们的定义分别是: ,。 11举出两个典型案例,说明在第几次光刻“小岛”“针孔”在什么位置会对产品的什么参数造成什么影响。 12有那些因素会引起“小岛”“针孔”? 。13若要刻出更细的线条,工程中要调节那些工艺参数? 14从光刻的角度看,163和160相比有什么区别,由此来看光刻、腐蚀应有哪些注意点。 平面图 剖面图

IC思考题(整理版)

思考题 【1】CMP包括哪2个动力学过程?控制参数有哪些? 答:(1)CMP是一个多相反应,有二个动力学过程: 1.首先吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与单晶片表面的硅原子在表面 进行氧化还原的动力学过程(化学作用)如碱性抛光液中的OH-对Si的反应: Si +2OH- + H2O=== SiO32- + 2H2 2. 抛光表面反应物脱离硅单晶表面,即解吸过程,使未反应的硅单晶重新裸露出来的 动力学过程(机械作用) (2)控制参数: 1.抛光时间: 2.磨头压力(向下压力): 3.转盘速率 4.磨头速度磨料化学成分 5.磨料流速 6.硅片/磨料温度 【2】异质外延对衬底和外延层有什么要求? 答:异质外延的相容性 1. 衬底与外延层不发生化学反应,不发生大量的溶解现象; 2.衬底与外延层热力学参数相匹配,即热膨胀系数接近。以避免外延层由生长温度冷 却至室温时,产生残余热应力,界面位错,甚至外延层破裂。 3.衬底与外延层晶格参数相匹配,即晶体结构,晶格常数接近,以避免晶格参数不匹 配引起的外延层与衬底接触的界面晶格缺陷多和应力大的现象。 【3】热氧化方法有哪几种?各有何优缺点? 答: 干氧氧化:在高温下氧直接与硅片反应生长二氧化硅的方法。氧化膜致密性最好,针孔密度小,薄膜表面干燥,均匀性和重复性好,掩蔽能力强,与光刻胶接触良好、粘附好,光刻时不易产生浮胶,但是生长速率最慢;O2+Si--->SiO2 水蒸汽氧化:在高温下,硅与高纯水产生的蒸汽反应生成SiO2。氧化膜致密性最差,针孔密度最大,薄膜表面潮湿,光刻难,浮胶。但是,生长速率快。 H2+O2+Si--→SiO2+H2 湿氧氧化:将干燥纯净的氧气在通入氧化炉前先经过一个水浴瓶,使氧气通过加热的高纯去离子水,携带一定量的水汽(水汽的含量由水浴温度-通常95℃左右和气流决定。H2O(O2)+Si--→SiO2+H2 水比氧在二氧化硅中有更高的扩散系数和大得多的溶解度,所以湿氧氧化有较高的氧化速度。氧化膜较干氧氧化膜疏松,针孔密度大,表面含水汽,光刻性能不如干氧,容易浮胶。湿氧与干氧比,水温越高,水汽就越多,二氧化硅生长速率也就越快。【4】影响氧化速率的因素有哪些? 答:1.温度影响很大,H, h,D,ks都与温度有关。 2.气体分压提高反应器内氧气或水汽的分压能提高线性氧化速率。有高压氧化和低压氧化技术。 3.硅晶向对氧化速率略有不同,(111)晶向速率最快,(100)晶向速率最慢。 4.掺杂掺杂浓度越高氧化速率越快,将此现象称为增强氧化。 【5】影响SiO2热氧化层电性的电荷来源主要有哪些种类?这些电荷对器件有何危害?降低这些电荷浓度的措施有哪些?

Fanout Fanin工艺

扇入/扇出封装工艺 一、Fanout工艺 1.数字系统中定义,该模块直接调用的下级模块的个数。扇出大表示模块的复杂度高,需 要控制和协调过多的下级模块。必须有一个单一的TTL逻辑门来驱动10个以上的其他门或驱动器。被称为缓冲器的驱动器可以用在TTL逻辑门与它必须驱动的多重驱动器之间,此类型缓冲器有25至30个扇出信号。 2.PCB扇出(fanout):对于某些特殊的封装(如BGA),密度大,引脚众多时,将某个元 器件引脚走出一小段线,再打一个过孔结束 从封装技术特点上,晶圆级封装主要分为Fan-in和Fan-out两种形式。 3.Fanout封装工艺:单芯片扇出封装主要用于基频处理器、电源管理、射频收发器等芯片; 高密度扇出封装则主要用于处理器、记忆体等芯片。 2016年是扇出型封装市场的转折点,苹果和台积电的加入改变了该技术应用状况,可能将使市场开始逐渐接受扇出型封装技术,两种市场:(1)“核心”市场,包括基带、电源管理及射频收发器等单芯片应用,扇出型晶圆级封装解决方案的主要应用领域;(2)“高密度”市场,始于苹果公司APE,包括处理器、存储器等输入输出数据量更大的应用,需要新的集成解决方案和高性能扇出型封装解决方案。苹果最新处理器的fanout 技术就是由台积电研发的info。 4.Fanin封装工艺:传统WLP 封装大多采用Fan-in型态,应用于低I/O数量的产品,超 过 90% 的扇入型封装技术应用在手机领域,高端智能手机内所有的封装器件中,超过30%采用了扇入型封装,其在手机领域还处于商业黄金期。 二、RDL重布线技术 WLP 大多采用重新分布(Redistribution)与凸块(Bumping)技术作为 I/O 绕线手段,用于轻薄短小特性的可携式电子产品 IC 封装应用。在高端智能手机中30%的封装是WLCSP,超过30%采用了扇入型封装。RDL沿芯片外围分布的焊接区转换为在芯片表面上按照平面阵列式分布的凸点焊区, 目的是对芯片的铝焊区位置进行重新布局,使新焊区满足对焊料球最小间距的要求,并使新焊区按照阵列排布。工艺流程: (1)在晶圆上进行薄膜介质层淀积,便于增强硅片的钝化作用; (2)涂覆BCB(双苯环丁烯)或PI(聚酰亚胺)作为再分布的聚合物层(5μm),起到凸点形成和装配工艺的应力缓冲的作用; (3)把Ti层(典型材料为Ni/Cu,Ti/Cu/Ni或Ti/W/Au)溅射到晶圆上,作为金属焊盘和凸点之间的扩散阻挡层; (4)利用旋转式涂覆光刻胶,形成电镀掩膜,并在光掩膜内部电镀5μm的铜(电镀Cu 来使重新布线的金属化获得低电阻率); (5)金属淀积之后,除去光刻胶,并采用干/湿蚀刻法除去电镀基体; (6)把重新布线金属化用焊料掩膜(光BCB)覆盖; (7)再采用溅射和电镀淀积凸点底部金属层(UBM),UBM是芯片上金属焊盘与凸点直接的关键界面层,提供电气连接。

南通市2011年度科技进步奖

南通市人民政府文件 通政发〔2011〕94号 市政府关于授予2011年 南通市科技进步奖的决定 各县(市)、区人民政府,市经济技术开发区管委会,市各委、办、局,市各直属单位: 近年来,我市广大科技工作者认真贯彻落实科学发展观,紧紧围绕市委、市政府的统一部署,扎实推进科技进步与创新,科研开发和成果转化工作取得新的成绩,涌现出一批贡献突出的单位和个人。为表彰先进,弘扬成绩,根据《南通市科学技术进步奖励办法》的规定,按照公开、公平、公正的原则,经市科技进步奖励委员会组织评审、社会公示,现决定授予“新一代自航自升式海上风电安装船的关键制造技术”等173个项目2011年南通 — 1 —

市科技进步奖,其中特等奖2项、一等奖11项、二等奖60项、三等奖100项。 希望获奖单位和个人发扬成绩,再接再厉,不断创造新的业绩。同时,希望全市广大科技工作者向获奖单位和获奖人员学习,进一步加强科学研究和技术开发,加快科技成果向现实生产力转化,为增强我市自主创新能力、加快实现“两个率先”作出积极贡献。 附件:2011年南通市科技进步奖获奖名录 二○一一年十二月三十日 2011年南通市科技进步奖获奖名录 — 2 —

特等奖(2项) 1.新一代自航自升式海上风电安装船的关键制造技术 南通中远船务工程有限公司 倪涛庄建军徐秀龙梁国明宗建岗宋杰 顾翔钱保义屠艳 2.高效过滤系列二醋酸纤维素丝束新品开发及配套技术研究 南通醋酸纤维有限公司 杨占平黄建新高春红黄建昌陆书明赵从涛 张丽沈达徐坦 一等奖(11项) 1.潮间带风电场施工技术研究及应用 江苏海上龙源风力发电有限公司 南通市海洋水建工程有限公司 华东勘测设计研究院 张钢高宏飙张乐平孟成君陈强郑永明 吴迪 2.太阳能集中供热成套设备关键技术与应用 桑夏太阳能股份有限公司 上海交通大学 南通大学 赵峰姜平肖红升刘振华周根荣宋燕平 — 3 —

玻璃钝化保护工艺原理

玻璃钝化保护工艺原理 作者:徐年惠 来源:《科学与财富》2018年第27期 摘要:台面型封装轴向二极管器件的电气性能、稳定性及可靠性与芯片台面的性质有着密切的关系,芯片PN结裸露的表面实际上是硅晶格排列终止的边缘,在这终止的边缘上存在着不饱和键或沾污微离子,容易引起芯片台面状态发生变化,从而引起器件的电性能参数及可靠性退化。因此,对于这类器件,必须在芯片台面上钝化一层致密的保护膜,以防止离子的沾污和外界条件对器件电性能参数及可靠性的影响。目前玻璃钝化是一种常见的钝化工艺,掌握和熟悉工艺原理,对于如何做好玻璃钝化实体封装二极管产品来说非常重要。 关键词:玻璃钝化 PN结台面工艺原理 一、发展概况 玻璃钝化是指在半导体芯片表面附着一层玻璃成份适当的钝化膜。1961年8月在美国底特律城市召开的一个联合会议上,J.A.Perri、H.S.Lehman等4个美国人首次做了有关玻璃钝化的报道。1966年日立公司用低温钝化法得到了铅玻璃的钝化层。当时在国外有代表性的玻璃钝化方法是在SiO2薄膜上淀积一层PbO系玻璃。 在上世纪70年代中期,玻璃钝化在日本、美国的半导体行业的应用比较广泛,玻璃钝化工艺技术非常成熟,在这些国家的市场上购买玻璃钝化产品是非常容易的。当时美国的IBM 公司在计算机的SLT线路上使用了玻璃钝化器件,后续在日本有很多应用电脉法附着玻璃粉的专利,避免了应用玻璃钝化给生产工艺操作带来的不便。1979年日本发明者田中知行发表专利,提出了一种特殊结构的玻璃钝化膜用以保护高压二极管器件。在上世纪80年代,我国一些工厂在二极管的制造过程中,采用锌系(锌含量在45~55%范围)玻璃粉作为钝化兼封装的材料。据了解,目前在国内采用玻璃钝化工艺生产台面型实体轴向二极管的厂家极少,工艺过程仍沿用上世纪80年代的玻璃钝化工艺,玻璃粉材料仍为锌系玻璃粉。 二、玻璃钝化的作用 由于半导体器件芯片表面容易受到外界气氛的影响,为保持它的稳定性,使之长期稳定的工作,硅芯片PN结表面必须用绝缘材料完全密封,芯片表面受到外界影响的保护方法有多种多样,其中用钝化玻璃保护是目前比较直接有效的方法。 芯片PN结表面的玻璃钝化主要解决以下两个方面的问题:1)玻璃本身表征为负电荷特性,沾污离子一般表征为正电荷特性,在这种情况下,其钝化玻璃能够很好的把钠离子等沾污

硅二极管GPP芯片电泳法玻璃钝化工艺

硅二极管GPP芯片电泳法玻璃钝化工艺 随着半导体技术的发展,对半导体表面钝化的要求越来越高,作为二极管一种钝化材料,无疑应具备:一是良好的电气性能和可靠性。包括电阻率、介电强度、离子迁移率等。材料的引入不应给器件带来副作用;二是良好的化学稳定性。半导体工艺是用化学试剂开展的工艺,作为器件的钝化材料,应有一定的抗化学腐蚀能力;三是可操作性。工艺要简单,重复性好,能与器件制造工艺相容,材料的膨胀系数要与硅材料相一致或接近;四是经济性。可大批量生产,制造成本要低,有市场竞争力,材料和工艺有强大的生命力和开发潜力。根据上述要求,近年来市场上出现的利用半导体钝化专用玻璃制作玻璃钝化硅二极管(GPP)芯片就是一种较为理想的半导体钝化材料。目前,使用玻璃钝化硅二极管(GPP)芯片的呼声越来越高,并得到电子行业内人士的普遍认可。这种GPP芯片工艺为半导体平面工艺、台面工艺和玻璃烧结工艺于一体,是在硅扩散片金属化之前(玻璃钝化工艺温度允许也可之后),使用光刻胶掩膜及刻蚀V型槽(或机械式划V型槽)的台面。然后,在结表面涂敷玻璃粉以便进行台面钝化处理。玻璃粉料是由某些粘合剂及高纯度的微细玻璃粉混合组成的悬浮液。将玻璃粉悬浮液按一定的工艺方法涂敷于V型槽内,在高温下粘合剂被烧掉,玻璃熔化并在整个结的表面上形成密封保护层。涂敷玻璃常用的主要有三种方法:医用手术刀法、电泳法和光致抗蚀剂法。本文重点介绍电泳法制作玻璃钝化二极管芯片工艺。 这种方法机理是将玻璃粉和有机溶剂(甲醇或异丙醇)配制成悬浮液,井在悬浮液内加入适量的活性剂28%的氨水和醋酸纤维素。活性剂的作用是使玻璃粉粒子带负电,以增强颗粒运动,形成致密坚实的玻璃层。醋酸纤维素作粘接剂,在直流电场作用下,带负电的玻璃颗粒向正电极上硅片方向运动,并淀积在硅片上。电泳法淀积需一固定的电子装置,硅片被固定在电极上(正电)。电泳时,将直流电压加到100--200V/cm场强,直流电流在0.5mA之间,这时,可用注射器向电泳液内加入活性剂,直流电流随之升至1mA,并维持到淀积结束。电泳法淀积的特点是可以进行选择性钝化,而且硅片两面可以同时淀积,尤其适宜于可控硅器件的钝化膜制造。但在电泳法中活性剂对淀积成功很关键,活性剂的加入会降低电泳液寿命,随着电泳液寿命的变化,活性剂加入量每次都不一样,工艺宽容度较小,加上其他各种原因,使电泳法的批次重复性较差。电泳法制作玻璃钝化二极管芯片的工艺流程如下: 选择硅片→ 硅片清洗→ 磷预淀积→ 单面喷砂(减薄)→ 硼扩散及磷再分布→ 双面喷砂去氧化层→ 氮气或氧气退火(需要时)→ 铂扩散及扩散后的表面腐蚀处理和清洗(需要时)→V型槽台面腐蚀→ 生长二氧化硅膜或LPCVD 淀积氮化硅膜(钝化保护)→ 玻璃钝化→HF漂洗(腐蚀)硅表面→ 双面镀镍(电极)→ 晶圆划片-→分片、清洗、包装。主要相关生产工艺介绍如下: 1、挑选具有合适电阻率和厚度的N型硅单晶片 采用N型直拉单晶硅。硅片电阻率:15-20、20-25Ω·cm,选择原始硅片厚度约270±10?m;电阻率25-30、30-35、35-40、40-45、45-50Ω·cm,应选择 厚度约290±10μm。

改善玻钝二极管外观工艺研究

改善玻钝二极管外观工艺研究 作者:杨俊古进 来源:《江苏科技信息》 2018年第22期 杨俊,古进 (中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂),贵州贵阳 550000) 摘要:随着国防科学技术的发展,电子行业对半导体器件的电性能、可靠性、稳定性、小型化要求越来越高,玻钝二极管以其优越的性能被广泛运用于国家各类重点工程中,需求 量逐年增多。文章通过介绍一系列新的玻璃成型工艺,较好地改善了玻钝产品外形白点、气 泡问题,提高了产品外观合格率。 关键词:玻璃粉;球磨机;装载条;白点;气泡 中图分类号: TN31 文献标识码: A 0 引言 随着国防科学技术的发展,电子行业对半导体器件的电性能、可靠性、稳定性、小型 化要求越来越高,玻钝二极管以其优越的性能被广泛运用于国家各类重点工程中,需求量逐年增多。永光电子公司从20世纪70年代开始研发并制造玻璃钝化二极管,经过多年的工艺积累,玻钝二极管已成为中国振华集团永光电子有限公司生产工艺最为成熟、产量最大的拳头产品。所谓台面器件的玻钝封装,就是采用熔凝玻璃作为PN结的保护层兼封装作用[1],钝化所用的玻璃粉是特制的。国内外常用的玻璃粉一般可分为铅系和锌系两大类,铅系玻璃粉的主要成分为: PbO, B 2 O 3 ,SiO 2 以及其他微量氧化物配比;锌系玻璃粉的主要成分为ZnO,B 2 O 3 , SiO以及其他微量氧化物配比[2]。在耐酸性方面,铅系玻璃粉耐酸性优于锌 系玻璃粉,但在高温性能方面,当器件工作温度大于125 ℃时,由于铅离子的迁移率高, 器件高温漏电很大。因此,根据多年的研发经验,中国振华集团永光电子有限公司使用了锌 系玻璃粉用于玻钝产品的生产,具备以下几个优点。 (1)大大减小半导体表面的漏电流,高温性能良好,特别是在高温情况下仍能正常工作,性能稳定。这主要是取决于玻璃钝化层中含有负电荷,对器件台面的钠离子具有较好的 束缚作用,使器件的可靠性得到很大的提高。在150 ℃时器件仍能正常工作,漏电流很小。 (2)可靠性高,能经受大的电、热冲击。这一方面是由于它的引线与管芯成端面接触,散热均匀,又无S形内引线,故可抗大电流冲击,另一方面由于封装用的玻璃热膨胀系数可以通过封装时温度的调整加以控制,从而能与硅片及作为散热电极的钼柱的热膨胀系数相匹配,这就使它具有耐冷热冲击的优良性能。 (3)玻璃的成型温度远低于生产管芯时所需的氧化、扩散温度,以及硅片、电极引线与无氧铜丝之间的银铜焊料的合金与熔融温度[1]。同时,封装时间短、故对管芯的电性能以及电极构件的机械强度不会产生影响,这正是器件生产中的理想情况。 (4)钝化玻璃可获得较厚的钝化层,因此可兼做实体封装,玻璃钝化二极管热稳定性 能好,玻璃的热膨胀系数与硅片的热膨胀系数匹配,能有很好的抗热冲击的能力。 玻钝产品的外形是考核产品质量的一项指标之一,近几年用户对产品外观质量的要求逐渐严格,导致玻璃钝化产品的外观合格率越来越低,产品外观白点、气泡问题成为影响产品外

大电流小封装整流组件2CZ234型的研制

大电流小封装整流组件2CZ234型的研制 李致远 【摘要】阐述了2CZ234型大电流小封装整流组件的研制过程.根据技术指标要求,进行了产品结构参数及工艺流程的设计,并且对管芯工艺参数进行反复验证.通过合理的选用烧结、压焊、平行缝焊等工序工艺,改进试制出了合格的产品.通过对器件的测试和实验表明,2CZ234型外型整流;极管达到技术指标. 【期刊名称】《现代电子技术》 【年(卷),期】2006(029)021 【总页数】3页(P123-125) 【关键词】大电流;小封装;整流组件;功率二极管 【作者】李致远 【作者单位】西安卫光半导体有限公司,陕西,西安,710065 【正文语种】中文 【中图分类】TM4 1 概述 功率二极管是功率半导体器件的重要分支。随着电力电子技术的发展,电子整流器件向着大电流小封装方向发展,目前商业化的功率二极管主要是硅功率二极管、肖特基势垒功率二极管和同步整流器。硅功率二极管有着耐高压、大电流、低泄漏电流和低导通损耗的优点,随着我国国防工业的发展,大电流小封装特殊外形的硅功

率整流二极管在现在国防科技应用越来越广范。本文设计的2CZ234型大电流小 封装特殊外形整流组件主要是满足市场需要而研制。 1.1 产品的主要技术指标 2CZ234的主要技术指标如表1所示。 表1 2CZ234主要技术指标参数单位测试条件数值 VRRMV500IFA15VFMVIFM=15 A≤1.6IR1μAV=VRRM TA=25 ℃10IR2μAVR=0.8 VRRM TA=125 ℃100工作温度℃-55~125贮存温度℃-55~175 1.2 产品外形尺寸 由于产品具有耐压高,电流大,工作环境温度范围宽等特点,在本产品中采用高耐压,大电流密度,玻璃钝化隔离技术的纵向N+NPP+结构的Si整流二极管芯,并针对大功率特性采用体积小、重量轻、散热能力强、电参数稳定性好、安装和使用方便的TO-254扁平化金属封装结构形式。 图1 2CZ234型整流二极管外形图 2 产品设计 2.1 管芯设计 2.1.1 工艺设计 兼容现有生产设备及工艺技术水平,该整流二极管管芯采用玻璃钝化台面结构,工 艺流程设计为: 磷扩散→磨片→硼铝扩散→喷砂→一次镀镍→镍硅合金→光刻开槽→玻璃钝化→喷砂→二次镀镍→正面镍层反刻→划片。 2.1.2 芯片结构设计 要降低器件本身的导通压降,必须使金属与半导体形成欧姆接触,然而由于Si具 有较高的表面态密度,无论N型材料或P型材料的半导体与金属接触都形成势垒。

晶圆激光划片技术简析

晶圆激光划片技术简析 高爱梅;张永昌;邓胜强 【摘要】针对晶圆划片工艺,分析了激光半划、激光全划、激光隐形划切和异形芯片的划切等工艺方法的特点.结合典型试验案例,提供了每种划片方式的适用领域,对晶圆划片具有一定的工艺参考价值.%Aiming at wafer dicing technics, this paper analyzes technics characteristic of laser half-dicing, laser full-dicing and laser stealth dicing. Fall together some typical test cases, provides the appropriate application field of each dicing method. It may be of reference value to wafer dicing. 【期刊名称】《电子工业专用设备》 【年(卷),期】2018(000)005 【总页数】5页(P26-30) 【关键词】晶圆划片;激光划片;半划;全划 【作者】高爱梅;张永昌;邓胜强 【作者单位】中国电子科技集团公司第四十五研究所, 北京 100176;中国电子科技集团公司第四十五研究所, 北京 100176;中国电子科技集团公司第四十五研究所, 北京 100176 【正文语种】中文 【中图分类】TN305.1

随着激光器及相关光学元件制造技术的发展,为激光加工设备的开发提供了强大支撑,极大地促进激光微加工应用的广度和深度。晶圆划片是将制作好图形的晶圆按切割道分割成单一芯片的过程。随着芯片设计及制造技术的升级,对半导体封装工艺提出新的需求。如:超薄硅晶圆、低k介质晶圆、含悬梁薄膜结构的微机电系统(MEMS,micro electro mechanical system)器件晶圆、硬脆碳化硅晶圆、软脆碲锌镉晶圆等,使得晶圆划片工艺面临新挑战,需求促进设备加工手段升级。本文较全面地介绍了几种主流的晶圆划片工艺,结合实际案例,分析其优缺点和适用领域。 1 激光半划 1.1 激光开槽+砂轮切割 随着芯片特征尺寸的不断缩小和芯片集成度的不断提高,为提高芯片速度和降低互联电阻电容(RC)延迟,低电介常数(低k)膜及铜质材料逐步应用在高速电子元器件上。采用砂轮刀具切割低k膜一个突出的问题是膜层脱落,通过使用无机械负荷的激光开槽,可抑制脱层,实现高品质加工并提高生产效率,激光开槽完成后,砂轮刀具沿开槽完成硅材料的全切割,工艺过程如图1所示,切割效果如图2所示。 图1 激光开槽+砂轮切割工艺 图2 低K介质膜切割断面图 此外,激光开槽也可用于去除硅晶圆表面的金属层。当切割道表面覆盖金、银等金属层时,直接采用砂轮切割易造成卷边缺陷,切割效果如图3所示。可行的方法是通过激光开槽去除切割道的金属覆盖层,再采用砂轮切割剩余的硅材料,边缘整齐,芯片质量显著提升,切割效果如图4所示。 图3 砂轮全切割

陶瓷贴片封装SMCJ、SMDJ系列瞬变电压抑制二极管生产工艺技术分析及改进

陶瓷贴片封装SMCJ、SMDJ系列瞬变电压抑制二极管生产工艺技术分析及改进 作者:石仙宏 来源:《科学与财富》2018年第27期 摘要:本文介绍一种原位替代DO-214AB封装的陶瓷贴片封装产品,并进行工艺优化,找出可靠的、高效的、适合批量生产的工艺路线。 关键词:DO-214AB 陶瓷贴片二极管工艺优化 1 前言 国内金属-陶瓷贴片封装瞬态电压抑制二极管还处于起步阶段,所使用的表面贴装器件主要还以塑料封装为主,但由于塑料封装因其防湿热性差,机械强度、产品可靠性不高,很难满足高等级产品的要求。随着整机质量可靠性要求的不断提高,塑封产品市场需求中的一部分将会不得不转而采用金属-陶瓷表面贴装器件替代,因此,金属-陶瓷表面贴装器件产品有着良好的市场基础。 2014年9月29日,中国振华电子集团有限公司在贵阳组织召开了新产品鉴定会。会议成立了鉴定委员会,对中国振华集团永光电子有限公司研制的陶瓷片式封装SMCJ、SMDJ系列硅瞬态电压抑制二极管产品进行了鉴定。鉴定委员会听取了研制总结报告,审查了相关技术资料,质询了有关问题,经讨论形成鉴定,鉴定委员会一致同意该系列产品通过新产品鉴定。 我公司在金属-陶贴产品市场的研制处于领先水平,SMD-2、SMD-1、SMD-0.5、SMD-0.3、SMD-0.2、SMD-0.1、SOT-23C等多个封装外形的产品已率先投入市场,经用户使用反应情况良好,我厂自主设计的陶瓷贴片封装SMCJ、SMDJ系列产品所采用的零件可原位替代DO-214AB塑料封装外形尺寸,质量可靠性比塑料封装产品更高。 2结构设计 当瞬态电压抑制二极管器件吸收瞬时高能脉冲时,将导致器件结温升高,结上产生的热量大部分先流入芯片,然后流入焊料和管座,最后流入周围环境。。 瞬态电压抑制二极管在工作时将产生大量的热量,产品封装组件的热容以及散热能力的强弱将直接影响产品的抗瞬态脉冲功率的能力。因此在设计中必须考虑以下三个问题: (1)器件产生的热量吸收; (2)管芯产生的热量是否均匀分布;

一种台面整流器件的玻璃钝化形成工艺

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利说明书 (10)申请公布号CN1302523C (43)申请公布日2007.02.28(21)申请号CN200410093980.0 (22)申请日2004.12.21 (71)申请人天津中环半导体股份有限公司 地址300111 天津市南开区黄河道495号 (72)发明人魏庆忠;王道强;王有国;杜春倩;李朴革 (74)专利代理机构天津中环专利商标代理有限公司 代理人莫琪 (51)Int.CI 权利要求说明书说明书幅图 (54)发明名称 一种台面整流器件的玻璃钝化形成工艺 (57)摘要 本发明提供一种台面硅整流器件的玻 璃钝化形成工艺,首先用混酸将扩散后的硅 片腐蚀出PN结台面,然后将异丙醇、铅系玻 璃粉、二元醇-环氧乙烷聚合物按比例混合配 制成璃玻浆,再加入定量乙酸乙脂,并滴入 微量的硝酸和高纯丙酮配成电泳液,再用电 泳法将玻璃粉均匀的沉积在单晶硅PN结台面 沟槽中,最后在温度为820℃的氧气气氛条 件下,将经电泳处理后硅片进行烧成,该处 理工艺能有效控制钝化玻璃厚度并提高膜的 均匀度,因此能提高该类半导体器件的性

能,特别是提高高反压器件的稳定性、可靠 性和耐压强度。 法律状态 法律状态公告日法律状态信息法律状态 2005-07-27公开公开 2005-09-21实质审查的生效实质审查的生效 2007-02-28授权授权 2016-11-23专利权质押合同登记的生效、 变更及注销 专利权质押合同登记的生效、 变更及注销

权利要求说明书 一种台面整流器件的玻璃钝化形成工艺的权利要求说明书内容是....请下载后查看

鉴别可控硅模块三个极的方法

鉴别可控硅模块三个极的方法 鉴别可控硅模块三个极的方法很简单,根据P-N结的原理,只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。很多客户由于缺乏这方面的相关知识,在鉴别可控硅模块三个极时会存在很多问题,以下详细介绍: 阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上,阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上(它们之间有两个P-N结,而且方向相反,因此阳极和控制极正反向都不通)。 控制极与阴极之间是一个P-N结,因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围,反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻断状态的,可以有比较大的电流通过,因此,有时测得控制极反向电阻比较小,并不能说明控制极特性不好。另外,在测量控制极正反向电阻时,万用表应放在R*10或R*1挡,防止电压过高控制极反向击穿。 若测得元件阴阳极正反向已短路,或阳极与控制极短路,或控制极与阴极反向短路,或控制极与阴极断路,说明元件已损坏。 可控硅模块和其它半导体器件一样,其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现,使半导体技术从弱电领域进入了强电领域,成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。

智能可控硅模块在各行业的应用广泛,如;电解、电镀、调温、调光、电焊、蓄电池充放电、直流电机调速、交流电机软起动、稳压电源装置、励磁等。据有关单位提供的信息来看,智能可控硅模块主要有以下特点: 1、采用进口玻璃钝化方芯片,模块导通压降小,功耗低,节能效果显着。 2、控制触发电路采用进口贴片元器件组装,全部元器件开展高温老化筛选,可靠性高。 3、采用陶瓷覆铜工艺,焊接工艺独特,绝缘强度高,导热性能好,电流承载能力大,热循环负载次数是国标的进10倍。 4、控制触发电路,主电路,导热底板之间相互绝缘,介电强度≥2500ⅤAC导热底板不带电,安全可靠。 5、控制端口输入0-10V直流信号,可对主电路输出开展平滑调节。 6、控制方式可为:手动电位器控制;仪表控制;微机控制;plc控制等。 7、适用于阻性或感性负载。 其中抗老化设计是智能可控硅模块的显著特点,受各大单位的青睐。 晶闸管模块就是将晶闸管主电路与移相触发电路以及具有控制功能的电路封装在同一外壳内的新型模块。该模块实际上已是一个准电力电子装置,不管在体积、容量、功能、智能化程度以及可靠性等方面与传统装置却有很大优势,安

GPP二极管加工

浏览:14872009-01-05 GPP二极管、可控硅的激光划片工艺 晶圆划片是制造工艺流程中的一道必不可少的工序;在晶圆制造中属后道工序..将做好芯片的整片晶圆按芯片大小分割成单一的芯片晶粒;称之为晶圆划片..晶圆划片不仅仅是芯片封装的核心关键工序之一;而且是从圆片级的加工即加工工艺针对整片晶圆;晶圆整片被同时加工过渡为芯片级加工即加工工艺针对单个芯片的地标性工序..从功能上来看;划片工艺通过切割或刻化晶圆片上预留的切割划道;将一整片晶圆上众多的芯片划片后相互分离开;形成单一的芯片;为后续正式的芯片封装做好最后一道准备.. 一、激光划片机的优点 随着技术的发展;激光作为一个功能强大的、生产性的工具;已广泛应用于制造、表面处理和材料加工领域..我们提出:激光作为加工工具的晶圆划片机;其无接触式加工对晶圆片不产生应力、具有较高的加工效率、极高的加工成品率;可有效的解决困扰晶圆划片的难题..同时;图像识别、高精度控制、自动化技术的发展;使得能实现图像自动识别、高精度自动对位、自动切割融为一体的晶圆

划片机成为可能.. 1.很低的运行成本:不要去离子水;无宝石刀片的消费;这将节 约一笔很大的开支.. 目前广大晶圆制造划片厂商;都是采用以旋转砂轮式切割机Ding Saw..此种工艺需要刀片冷缺水和切割水;均为去离子水DI纯水;而激光划片不需要消耗切割水..旋转砂轮式切割需要宝石刀片;每分钟接近4万转的旋转速度;容易发生打刀;即使正常切割;也存在刀片磨损;在刀片寿命结束后;需更换新的宝石刀片;这是一笔很大的开支;激光划片不需要刀片.. 2.对于切划不同类型的晶圆片;不需要更换刀具;激光具有很好的兼容性.. 采用旋转砂轮式切割机;对于不同的晶圆片;需要更换刀具;例如:软刀、硬刀等..对于不同的晶圆片;激光划片具有更好的兼容性和通用性..可24小时连续作业;不需要更换刀具.. 3.切割速度较快;对于大多速产品;速度可以提高到5倍左右..刀片切割速度为8-10mm/s;激光切割为40-50mm/s.. 由于宝石刀片旋转机械力是直接作用在晶圆表面并在内部产生应力损伤;芯片背面承受拉应力;故而容易产生崩边及晶圆破损问题..制造业通常采用降低旋转砂轮式切割的进刀速度或者采取阶

(整理)集成电路制造技术原理与工艺王蔚习题答案第2单元

第二单元习题解答 1.SiO 2膜网络结构特点是什么?氧和杂质在SiO 2 网络结构中的作用和用途是什 么?对SiO 2 膜性能有哪些影响? 二氧化硅的基本结构单元为Si-O四面体网络状结构,四面体中心为硅原子,四个顶角上为氧原子。对SiO2网络在结构上具备“长程无序、短程有序”的一类固态无定形体或玻璃体。半导体工艺中形成和利用的都是这种无定形的玻璃态SiO2。 氧在SiO2网络中起桥联氧原子或非桥联氧原子作用,桥联氧原子的数目越多,网络结合越紧密,反之则越疏松。在连接两个Si-O四面体之间的氧原子 掺入SiO2中的杂质,按它们在SiO2网络中所处的位置来说,基本上可以有两类:替代(位)式杂质或间隙式杂质。取代Si-O四面体中Si原子位置的杂质为替代(位)式杂质。这类杂质主要是ⅢA,ⅤA元素,如B、P等,这类杂质的特点是离子半径与Si原子的半径相接近或更小,在网络结构中能替代或占据Si原子位置,亦称为网络形成杂质。 由于它们的价电子数往往和硅不同,所以当其取代硅原子位置后,会使网络的结构和性质发生变化。如杂质磷进入二氧化硅构成的薄膜称为磷硅玻璃,记为PSG;杂质硼进入二氧化硅构成的薄膜称为硼硅玻璃,记为BSG。当它们替代硅原子的位置后,其配位数将发生改变。 具有较大离子半径的杂质进入SiO2网络只能占据网络中间隙孔(洞)位置,成为网络变形(改变)杂质,如Na、K、Ca、Ba、Pb等碱金属、碱土金属原子多是这类杂质。当网络改变杂质的氧化物进入SiO2后,将被电离并把氧离子交给网络,使网络产生更多的非桥联氧离子来代替原来的桥联氧离子,引起非桥联氧离子浓度增大而形成更多的孔洞,降低网络结构强度,降低熔点,以及引起其它性能变化。 2.在SiO 2 系统中存在哪几种电荷?他们对器件性能有些什么影响?工艺上如何降低他们的密度? 在二氧化硅层中存在着与制备工艺有关的正电荷。在SiO2内和SiO2-Si界面上有四种类型的电荷:可动离子电荷:Q m;氧化层固定电荷:Q f;界面陷阱电荷:Q it;氧化层陷阱电荷:Q Ot。这些正电荷将引起硅/二氧化硅界面p-硅的反型层,以及MOS器件阈值电压不稳定等现象,应尽量避免。 (1)可动离子电荷(Mobile ionic charge)Q m主要是Na+、K+、H+等荷正电的碱金属离子,这些离子在二氧化硅中都是网络修正杂质,为快扩散杂质,电荷密度在1010~1012/cm2。其中主要是Na+,因为在人体与环境中大量存在Na+,热氧化时容易发生Na+沾污。 Na+离子沾污往往是在SiO2层中造成正电荷的一个主要来源。这种正电荷将影响到SiO2层下的硅的表面势,从而,SiO2层中Na+的运动及其数量的变化都将影响到器件的性能。进入氧化层中的Na+数量依赖于氧化过程中的清洁度。现在工艺水平已经能较好地控制Na+的沾污,保障MOS晶体管阈值电压V T的稳定。 存在于SiO2中的Na+,即使在低于200℃的温度下在氧化层中也具有很高的扩散系数。

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