Chapter 4.2 反应器基本原理-第二讲

5G时代终端射频前端发展趋势

射频前端——手机通信重要模块 1、射频前端基本架构与运作原理 手机终端的通信模块主要分为天线、射频前端模块、射频收发模块、基带信号处理。射频前端是移动智能终端产品的核心组成部分,它是模拟电路中应用于高频领域的一个重要分支。按照设备中产品形态分类,射频器件可分为分立器件和射频前端模组。分立器件即功放、滤波器、天线开关等各个独立器件;射频前端模组则是将器件集成在一起,随着通信技术的进步,集成化和小型化技术趋势已使射频前端模组倍受推崇。 射频前端介于天线与射频收发之间,可以分为接收通道和发射通道,元件主要包括滤波器(Filters)、低噪声放大器(LNA,Low Noise Amplifier),功率放大器(PA,PowerAmplifier)、射频开关(RF Switch)、天线调谐开关(RF Antenna Switch)、双工器。 从线路看信号传输: 其接收通道:信号—天线—天线开关—滤波器/双工器—LNA—射频开关—射频收发—基带; 其发射通道:基带—射频收发—射频开关—PA—滤波器/双工器—天线开关—天线—信号。 天线用于无线电波的收发;射频开关用于实现射频信号接收与发射的切换、不同频段间的切换;LNA用于实现接收通道的射频信号放大;PA用于实现发射通道的射频信号放大;滤波器用于保留特定频段内的信号,而将特定频段外的信号滤除;双工器用于将发射和接收信号的隔离,保证接收和发射在共用同一天线的情况下能正常工作。

1.1天线与射频开关 天线用于无线电波的收发,连接射频前端,是接收通道的起点与发射通道的终点。天线按功能分类包括主天线、GPS定位天线、Wifi天线、NFC天线、FM天线等。天线的应用包括基站侧与终端侧,本文主要介绍手机终端情况。随着信息技术的不断发展,无线网络频段增加、频率升高,驱使手机天线的使用增加,同时,为实现高速、多频率、少损耗的传输,终端天线通过材料、结构、工艺的不断改进实现性能的提升。 射频开关的作用是控制多路射频信号中的一路或几路实现逻辑连通,达到不同信号路径的切换的目的,包括接收与发射的切换、不同频段间的切换等,最终可以共用天线、节省终端产品成本。射频开关的主要包括移动通信传导开关、WiFi 开关、天线调谐开关等。 它的运作原理如下:当射频开关的控制端口加上不同电压时,射频开关各端口将呈现不同的连通性。以单刀双掷射频开关为例,当控制端口加上正电压时,连接端口1与端口3的电路导通,同时连接端口2与端口3的电路断开;当控制端口加上零电压时,连接端口1与端口3的电路断开,同时连接端口2与端口3的电路导通。通过控制电压,实现了不同电路的连通。 1.2滤波器 滤波器主要是通过电容、电感、电阻等元件组合移除信号中不需要的频率分量,保留所需要的频率分量,传输特定的筛选后的信号,消除频带间相互干扰。目前手机中常用的滤波器包括声表面波滤波器(Surface Acoustic Wave Filter,

聚合反应器技术及应用

聚合反应器技术及应用31 聚合反应工艺及设备分类;郝静祖;摘要:以聚乙烯为例简单介绍了聚合反 应的工艺流程,;1、聚合反应工艺流程及主要控制回路简介;聚合反应机理复杂,是强放热反应,过程具有大滞后、;其一般流程图如下:;图1聚合反应流程图;系统主要由聚合反应器(C4001)、循环汽冷却器;以聚乙烯合成为例[1],聚合反应在硫化床反应器(;温度控制回路,主要依靠进入反应器入口的循环汽 温度 聚合反应工艺及设备分类 郝静祖 摘要:以聚乙烯为例简单介绍了聚合反应的工艺流程,及聚合反应器的一般 分类关键词:聚合反应器聚合反应 1、聚合反应工艺流程及主要控制回路简介 聚合反应机理复杂,是强放热反应,过程具有大滞后、大惯性、非线性等特性。温度、压力、浓度及催化剂的活性与牌号等都对化学平衡产生重要影响。其中,反应器床层温度对产品的质量、产率影响最大。 其一般流程图如下: 图1 聚合反应流程图 系统主要由聚合反应器(C4001)、循环汽冷却器(E4002)和循环汽压缩机组成。反应循环汽体在压缩机的作用下,连续经过被硫化的树脂反应床和冷却器,同时移走反应产生的热量。冷却器是单程壳式换热器,汽体走管程,调温水走壳层。 以聚乙烯合成为例[1],聚合反应在硫化床反应器(C4001)中进行,反应压力为2.1MPa,反应温度88℃左右,具体数值视产品牌号而定。反应用料乙烯、H2、T2、CH及其共聚单体等从反应器底部加入,一部分转化为聚乙烯,大部分单体和共聚单体从反应器顶部作为循环汽又返回到反应器。循环汽冷却器(E4002)的

调温水由水泵加入,从循环器冷却器出来的调温水带出大量的热量。催化剂Cat 来自加料器STC4036。反应器有两套出料循环系统,一 路排出料粉进入出料缸C4101,另一路从塔顶排出,循环反应。 温度控制回路,主要依靠进入反应器入口的循环汽温度来调节,循环汽的温度由冷却水流量控制,而水流量的控制为分程控制。控制系统结构为串级控制,主调节器4001T26,副调节器4001T46。 循环汽流量控制:反应器流量由4001FIC检测并发出调节信号给入口导向阀4003FV,通过调节入口导向阀的开度来控制循环汽流量。 反应器温度400126.PV在负荷平稳、催化剂加料均匀、活性好的情况下基本能维持稳定的正常88℃±1℃。当工况负荷有变化,或其它未知扰动的影响时,会造成温度的大范围波动,甚至出现高高限报警。如:由于产品牌号的变化,操作员为保证产品质量而改变催化剂加料量,一不小心就会导致聚合反应的剧烈变化,表现为反应器温度的剧烈波动。另外,由于循环汽压泵的故障,常会引发循环汽流量的波动,而流量回路由于时间常数小,短时间即可恢复稳定,但由此而导致的反应器温度波动却迟迟不能恢复稳定,有可能会产生振荡。总的来说,反应器温度控制通道具有大惯性、大滞后、非线性等特征,目前普遍采用的PID 控制有不尽如意之处,有待改进。 2、聚合反应器 以溶聚丁苯橡胶连续聚合工艺为线索,介绍了我国目前应用于聚合反应生产的反应器。 2.1连续聚合用反应釜 采用相向两侧进料的反应釜[2],釜内设有轴向和径向搅拌器,搅拌速度35 0 r/min,4块挡板用来强化混合,适当改善物料在釜内的停留时间分布。单体和引发剂溶液由湍流区相对两侧的入口管线的3个孔进入体系,从而防止新鲜引发剂直接与高浓度的单体接触,以便减轻挂胶及凝胶的生成;另外要在反应物料中加入适量1,2-丁二烯。各种物料的组成(质量份)如下:单体溶液中丁二烯100,环己烷475,THF 0.04,1,2-丁二烯0.04;引发剂溶液中正丁基锂0.065,环己烷

《材料科学基础》教学教案

《材料科学基础》教学教案导论 一、材料科学的重要地位 生产力发展水平,时代发展的标志 二、各种材料概况 金属材料 陶瓷材料 高分子材料 电子材料、光电子材料和超导材料 三、材料性能与内部结构的关系 原子结构、结合键、原子的排列方式、显微组织 四、材料的制备与加工工艺对性能的影响 五、材料科学的意义

第一章材料结构的基本知识 §1-1 原子结构 一、原子的电子排列 泡利不相容原理 最低能量原理 二、元素周期表及性能的周期性变化§1-2 原子结合键 一、一次键 1.离子键 2.共价键 3.金属键 二、二次键 1.范德瓦尔斯键 2.氢键 三、混合键 四、结合键的本质及原子间距 双原子模型 五、结合键与性能 §1-3 原子排列方式 一、晶体与非晶体 二、原子排列的研究方法 §1-4 晶体材料的组织 一、组织的显示与观察

二、单相组织 等轴晶、柱状晶 三、多相组织 §1-5 材料的稳态结构与亚稳态结构 稳态结构 亚稳态结构阿累尼乌斯方程 第二章材料中的晶体结构§ 2-1 晶体学基础 一、空间点阵和晶胞 空间点阵,阵点(结点)晶格、晶胞 坐标系 二、晶系和布拉菲点阵 7 个晶系 14 个布拉菲点阵 表2-1 三、晶向指数和晶面指数 1.晶向指数 确定方法,指数含义,负方向,晶向族2.晶面指数 确定方法,指数含义,负方向,晶向族3.六方晶系的晶向指数和晶面指数 确定方法,换算 4.晶面间距

密排面间距大 5.晶带 相交和平行于某一晶向直线的所有晶面的组合晶带 定律:hu+kv+lw=0 ? 晶向指数和晶面指数确定练习,例题 §2-2 纯金属的晶体结构 一、典型金属晶体结构 体心立方bcc 面心立方fcc 密排六方hcp 1.原子的堆垛方式 面心立方:ABCABCAB—C— 密排六方:ABABA—B — 2.点阵常数 3.晶胞中的原子数 4.配位数和致密度 晶体结构中任一原子周围最邻近且等距离的原子数 晶体结构中原子体积占总体积的百分数 5.晶体结构中的间隙 四面体间隙,八面体间隙 二、多晶型性 :-Fe, :-Fe, :-Fe 例:

LTE网络20M+20M载波聚合开发项目测试报告

LTE网络20M+20M载波聚合开发项目 测试报告 2014年2月

目录 1概述 (1) 1.1.测试目的 (2) 1.2.测试依据..................................................................................... 错误!未定义书签。 1.3.测试总体情况说明 (2) 2.测试环境 (3) 2.1.测试设备连接与组网 (3) 2.2.测试系统配置 (5) 2.3.测试工具及仪表 (5) 2.4.测试系统基本配置 (6) 3.测试项目 (6) 3.1.激活/去激活辅载波 (6) 3.1.1.激活辅载波 (6) 3.1.1.1.测试目的 (6) 3.1.1.2.测试配置 (6) 3.1.1.3.测试原理 (6) 3.1.1.4.测试方法 (7) 3.1.1.5.测试结果分析 (7) 3.1.1.6.测试小结 (7) 3.1.2.去激活辅载波 (8) 3.1.2.1.测试目的 (8) 3.1.2.2.测试配置 (8) 3.1.2.3.测试原理 (8) 3.1.2.4.测试方法 (8) 3.1.2.5.测试结果分析 (8) 3.1.2.6.测试小结 (9) 3.2.载波聚合和非载波聚合终端近、中点下行速率测试 (9) 3.2.1.测试目的 (9) 3.2.2.测试配置 (9) 3.2.3.测试原理 (10) 3.2.4.测试方法 (10) 3.2.5.测试结果分析 (10) 3.2.6.测试小结 (13) 3.3.载波聚合和非载波聚合终端覆盖性能对比测试 (13) 3.3.1.测试目的 (13) 3.3.2.测试配置 (13) 3.3.3.测试原理 (13) 3.3.4.测试方法 (13) 3.3.5.测试结果分析 (13) 3.3.6.测试小结 (14) 3.4.双载波与双载波小区的切换 (14)

《材料科学基础》经典习题及答案全解

材料科学与基础习题集和答案 第七章回复再结晶,还有相图的内容。 第一章 1.作图表示立方晶体的()()()421,210,123晶面及[][][]346,112,021晶向。 2.在六方晶体中,绘出以下常见晶向[][][][][]0121,0211,0110,0112,0001 等。 3.写出立方晶体中晶面族{100},{110},{111},{112}等所包括的等价晶面。 4.镁的原子堆积密度和所有hcp 金属一样,为0.74。试求镁单位晶胞的体积。已知Mg 的密度3 Mg/m 74.1=m g ρ,相对原子质量为24.31,原子半径r=0.161nm 。 5.当CN=6时+Na 离子半径为0.097nm ,试问: 1) 当CN=4时,其半径为多少?2) 当CN=8时,其半径为多少? 6. 试问:在铜(fcc,a=0.361nm )的<100>方向及铁(bcc,a=0.286nm)的<100>方向,原子的线密度为多少? 7.镍为面心立方结构,其原子半径为nm 1246.0=Ni r 。试确定在镍的 (100),(110)及(111)平面上12mm 中各有多少个原子。 8. 石英()2SiO 的密度为2.653Mg/m 。试问: 1) 13 m 中有多少个硅原子(与氧原子)? 2) 当硅与氧的半径分别为0.038nm 与0.114nm 时,其堆积密度为多少(假设原子是球形的)? 9.在800℃时1010个原子中有一个原子具有足够能量可在固体内移 动,而在900℃时910个原子中则只有一个原子,试求其激活能(J/ 原子)。 10.若将一块铁加热至850℃,然后快速冷却到20℃。试计算处理前后空位数应增加多少倍(设铁中形成一摩尔空位所需要的能量为104600J )。

LTE载波聚合

首先介绍几个基本概念 Primary Cell(PCell):主小区是工作在主频带上的小区。UE在该小区进行初始连接建立过程,或开始连接重建立过程。在切换过程中该小区被指示为主小区(见36.331的3.1节) Secondary Cell(SCell):辅小区是工作在辅频带上的小区。一旦RRC连接建立,辅小区就可能被配置以提供额外的无线资源(见36.331的3.1节) Serving Cell:处于RRC_CONNECTED态的UE,如果没有配置CA,则只有一个S erving Cell,即PCell;如果配置了CA,则S erving Cell集合是由PCell和SCell组成(见36.331的3.1节) CC:Component Carrier;载波单元 DL PCC :Downlink Primary Component Carrier;下行主载波单元 UL PCC :Uplink Primary Component Carrier;上行主载波单元 DL SCC :Downlink Secondary Component Carrier;下行辅载波单元 UL SCC :Uplink Secondary Component Carrier;上行辅载波单元 一. 简介 为了满足LTE-A下行峰速1 Gbps,上行峰速500 Mbps的要求,需要提供最大100 MHz的传输带宽,但由于这么大带宽的连续频谱的稀缺,LTE-A提出了载波聚合的解决方案。 载波聚合(Carrier Aggregation, CA)是将2个或更多的载波单元(Component Carrier, CC)聚合在一起以支持更大的传输带宽(最大为100MHz)。 每个CC的最大带宽为20 MHz。 为了高效地利用零碎的频谱,CA支持不同CC之间的聚合(如图1) ·相同或不同带宽的CCs ·同一频带内,邻接或非邻接的CCs ·不同频带内的CCs 图1:载波聚合 从基带(baseband)实现角度来看,这几种情况是没有区别的。这主要影响RF实现的复杂性。 CA的另一个动力来自与对异构网络(heterogeneous network)的支持。后续会在跨承载调度(cross-carrier scheduling)中对异构网络进行介绍。 Rel-10中的所有CC都是后向兼容的(backward-compatible),即同时支持Rel-8的UE。 ?R10版本UE支持CA,能够同时发送和接收来自多个CC(对应多个serving cell)的数据 ?R8版本UE只支持在一个serving cell内,从一个CC接收数据以及在一个CC发送数据 简单地做个比较:原本只能在一条大道(cell或cc)上运输的某批货物(某UE的数据),现在通过CA能够在多条大道上同时运输。这样,某个时刻可以运输的货物量(throughput)就得到了明显提升。每条大道的路况可能不同(频点、带宽等),路况好的就多运点,路况差的就少运点。 二.PCell / SCell / Serving Cell / CC

材料科学基础最全名词解释

1.固相烧结:固态粉末在适当的温度,压力,气氛和时间条件下,通过物质与气孔之间的传质,变为坚硬、致密烧结体的过程。 液相烧结:有液相参加的烧结过程。 2.金属键:自由电子与原子核之间静电作用产生的键合力。 3.离子键:金属原子自己最外层的价电子给予非金属原子,使自己成为带正电的正离子,而非金属得到价电子后使自己成为带负电的负离子,这样正负离子靠它们之间的静电引力结合在一起。 共价键:由两个或多个电负性相差不大的原子间通过共用电子对而形成的化学键。氢键:由氢原子同时与两个电负性相差很大而原子半径较小的原子(O,F,N等)相结合而产生的具有比一般次价键大的键力。 弗兰克缺陷:间隙空位对缺陷 肖脱基缺陷:正负离子空位对的 奥氏体:γ铁内固溶有碳和(或)其他元素的、晶体结构为面心立方的固溶体。 布拉菲点阵:除考虑晶胞外形外,还考虑阵点位置所构成的点阵。 不全位错:柏氏矢量不等于点阵矢量整数倍的位错称为不全位错。 玻璃化转变温度:过冷液体随着温度的继续下降,过冷液体的黏度迅速增大,原子间的相互运动变得更加困难,所以当温度降至某一临界温度以下时,即固化成玻璃。这个临界温度称为玻璃化温度Tg。 表面能:表面原子处于不均匀的力场之中,所以其能量大大升高,高出的能量称为表面自由能(或表面能)。 半共格相界:若两相邻晶体在相界面处的晶面间距相差较大,则在相界面上不可能做到完全的一一对应,于是在界面上将产生一些位错,以降低界面的弹性应变能,这时界面上两相原子部分地保持匹配,这样的界面称为半共格界面或部分共格界面。 柏氏矢量:描述位错特征的一个重要矢量,它集中反映了位错区域内畸变总量的大小和方向,也使位错扫过后晶体相对滑动的量。 柏氏矢量物理意义: ①从位错的存在使得晶体中局部区域产生点阵畸变来说:一个反映位错性质以及由位错引起的晶格畸变大小的物理量。 ②从位错运动引起晶体宏观变形来说:表示该位错运动后能够在晶体中引起的相对位移。 部分位错:柏氏矢量小于点阵矢量的位错 包晶转变:在二元相图中,包晶转变就是已结晶的固相与剩余液相反应形成另一固相的恒温转变。 包析反应:由两个固相反应得到一个固相的过程为包析反应。 包析转变:两个一定成分的固相在恒温(T)下转变为一个新的固相的恒温反应。包析转变与包晶转变的相图特征类似,只是包析转变中没有液相,只有固相。 粗糙界面:界面的平衡结构约有一半的原子被固相原子占据而另一半位置空着,这时界面称为微观粗糙界面。 重合位置点阵:当两个相邻晶粒的位相差为某一值时,若设想两晶粒的点阵彼此通过晶界向对方延伸,则其中一些原子将出现有规律的相互重合。由这些原子重合位置所组成的比原来晶体点阵大的新点阵,称为重合位置点阵。 成分过冷;界面前沿液体中的实际温度低于由溶质分布所决定的凝固温度时产生的过冷。

LTE的载波聚合技术

LTE的载波聚合技术 人们对数据速率的要求越来越高,载波聚合(Carrier Aggregation ,CA) 成为运营商面向未来的必然选择。什么是载波聚合?简单一点说,就是把零碎的LTE频段合并成一个“虚拟”的更宽的频段,以提高数据速率。 我们先来看看全球CA发展历程。 1)2013年,韩国SK电信首次商用CA,其将800MHZ频段和1.8GHZ频段聚合为一个20MHZ频段,以获得下行峰值速率150Mbps。LGU+一个月后跟进。 2)2013年11月,英国运营商EE宣布完成inter-band 40 MHz载波聚合,理论速率可达300Mpbs。 3)2013年12月,澳大利亚运营商Optus首次完成在TD-LTE上载波聚合。紧随其后,日本软银、香港CSL、澳大利亚Telstra等也相继部署或商用载波聚合。

刚开始,载波聚合部署仅限于2载波。2014年,韩国SK电信、LGU+成功演示了3载波聚合。随着技术的不断演进,相信未来还有更多CC的载波聚合。当然还包括TDD和FDD、LTE和WiFi之间的载波聚合。中国电信在2014年9月成功演示了FDD和TDD的载波聚合,这也是载波聚合路上一个新的里程碑。为了说清楚载波聚合,我们首先来了解一下LTE的频段分配。

载波聚合的分类 载波聚合主要分为intra-band 和inter-band载波聚合,其中intra-band载波聚合又分为连续(contiguous)和非连续(non-contiguous)。 对于intra-band CA (contiguous)中心频点间隔要满足300kHz的整数倍,即Nx300 kHz。 对于intra-band 非连续载波聚合,该间隔为一个或多个GAP(s)。 3GPP关于载波聚合的定义

链路聚合技术

一、链路聚合简介 1.链路聚合原理 将两个或更多数据信道结合成一个单个的信道,该信道以一个单个的更高带宽的逻辑链路出现。链路聚合一般用来连接一个或多个带宽需求大的设备 2.作用 将多个物理以太网端口聚合在一起形成一个逻辑上的聚合组,使用链路聚合服务的上层实体把同一聚合组内的多条物理链路视为一条逻辑链路 https://www.360docs.net/doc/f48337375.html,CP协议 Link Aggregation Control Protocol 链路聚合控制协议 LACP 协议通过LACPDU(Link Aggregation Control Protocol Data Unit,链路聚合控制协议数据单元)与对端交互信息。 使能某端口的LACP 协议后,该端口将通过发送LACPDU 向对端通告自己的系统LACP 协议优先级、系统MAC、端口的LACP 协议优先级、端口号和操作Key。对 端接收到LACPDU 后,将其中的信息与其它端口所收到的信息进行比较,以选择能 够处于Selected 状态的端口,从而双方可以对端口处于Selected 状态达成一致。 操作Key 是在链路聚合时,聚合控制根据端口的配置(即速率、双工模式、up/down 状态、基本配置等信息)自动生成的一个配置组合。在聚合组中,处于Selected 状 态的端口有相同的操作Key。 4.链路聚合的端口的注意事项 1 端口均为全双工模式;

2 端口速率相同; 3 端口的类型必须一样,比如同为以太口或同为光纤口; 4 端口同为access端口并且属于同一个vlan或同为trunk端口; 5 如果端口为trunk端口,则其allowed vlan和nativevlan属性也应该相同。 5.链路聚合配置命令 1)CISCO a)把指定端口给聚合组,并指定聚合方式 SW(config)interface Ethernet0/1 SW(config-ethernet0/1)#port-group 1 mode(active|passive|on) b)进入聚合端口的配置模式 SW(config)#interface port-channel 1 进入该模式可以配置一些端口参数 c)名词解释 Port-channel 组号:范围是1-16 聚合模式 active(0)启动端口的LACP 协议,并设置为Active 模式; passive(1)启动端口的LACP 协议,并且设置为Passive 模式; on(2)强制端口加入Port Channel,不启动LACP 协议。

微通道反应器的分类介绍

微反应器,即微通道反应器,利用精密加工技术制造的特征尺寸在10到300微米(或者1000微米)之间的微型反应器,微反应器的“微”表示工艺流体的通道在微米级别,而不是指微反应设备的外形尺寸小或产品的产量小。微反应器中可以包含有成百万上千万的微型通道,因此也实现很高的产量。 微反应器又可分为气固相催化微反应器、液液相微反应器、气液相微反应器和气液固三相催化微反应器等。 1.气固相催化微反应器 由于微反应器的特点适合于气固相催化反应,迄今为止微反应器的研究主要集中于气固相催化反应,因而气固相催化微反应器的种类最多。最简单的气固相催化微反应器莫过于壁面固定有催化剂的微通道。复杂的气固相催化微反应器一般都耦合了混合、换热、传感和分离等某一功能或多项功能。运用最广的甲苯气-固催化氧化。 2.液液相反应器 到目前为止,与气固相催化微反应器相比较,液相微反应器的种类非常少。液液相反应的一个关键影响因素是充分混合,因而液液相微反应器或者与微混合器耦合在一起,或者本身就是一个微混合器。专为液液相反应而设计的与微混合器等其他功能单元耦合在一起的微反应器案例为数不多。主要有BASF设计的维生素前体合成微反应器和麻省理工学院设计的用于完成Dushman化学反应的微反应器。 3.气液相微反应器 一类是气液分别从两根微通道汇流进一根微通道,整个结构呈T

字形。由于在气液两相液中,流体的流动状态与泡罩塔类似,随着气体和液体的流速变化出现了气泡流、节涌流、环状流和喷射流等典型的流型,这一类气液相微反应器被称做微泡罩塔。 另一类是沉降膜式微反应器,液相自上而下呈膜状流动,气液两相在膜表面充分接触。气液反应的速率和转化率等往往取决于气液两相的接触面积。这两类气液相反应器气液相接触面积都非常大,其内表面积均接近20000m2/m3,比传统的气液相反应器大一个数量级。4.气液固三相催化微反应器 气液固三相反应在化学反应中也比较常见,种类较多,在大多数情况下固体为催化剂,气体和液体为反应物或产物,美国麻省理工学院发展了一种用于气液固三相催化反应的微填充床反应器,其结构类似于固定床反应器,在反应室(微通道)中填充了催化剂固定颗粒,气相和液相被分成若干流股,再经管汇到反应室中混合进行催化反应。 上海惠和化德生物科技有限公司,是一家专注于微反应器连续工艺开发及工业化的创新性高科技公司。公司于2015年6月在中国(上海)自由贸易试验区内成立,随着业务的发展,公司于2019年10月整体搬迁至上海化学工业园内。公司上海本部实验室配备十余套微反应器,并与梅特勒托利多共建化学过程联合实验室、与沈阳化工研究院和上海化工研究院共建过程安全联合体、与南大淮安高新技术研究院共建特殊反应实验室等。公司主要服务于国内外精细化工企业,帮助客户进行微反应器连续流工艺咨询与评估、工艺开发、工业化项目投资和管理等。公司立足于客户具体项目,以“以终为始”的项目

链路聚合与VLAN试验

链路聚合与VLAN试验 一、实验目标 ●理解虚拟LAN(VLAN)基本原理; ●掌握一般交换机按端口划分VLAN的配置方法; ●掌握Tag VLAN配置命令和操作步骤; ●掌握链路聚合的配置方法 二、技术原理 ●TRUNKING即为链路聚合技术,可以实现链路聚合功能。组网时,核心交换机之间的 连接、核心交换机与数据服务器的连接以及核心交换机与边缘交换机的连接是整个网络最重要的连接,叫主干连接(Trunk)。主干连接具有高带宽和高可靠性等要求,显然,单一物理链路未必能提供足够的带宽和可靠性,而采用聚合技术,把多个物理链路捆绑成一条逻辑链路不但可以在一对系统之间建立一条高性能的链路,而且当某条链路失效时,虽然可用带宽减少,但聚合链路仍可以继续正常工作。总而言之,使用TRUNKING带来的好处有增加带宽、链路备份、链路负荷分担。 ●VLAN是指在一个物理网段内,进行逻辑的划分,划分成若干个虚拟局域网。VLAN最大 的特性是不受物理位置的限制,可以进行灵活的划分。VLAN具备了一个物理网段所具备的特性。相同VLAN内的主机可以相互直接通信,不同VLAN间的主机之间互相访问必须经由路由设备进行转发。广播数据包只可以在本VLAN内进行广播,不能传输到其他VLAN中。 三、实验步骤 实验拓扑 1.设置9台PC机IP地址如图所示

2.对交换机S1进行配置(1)基本设置 (1)基本配置

(2)在交换机S2上配置聚合端口 四、验证 删除任何一条链路后 打开PC-P1机的Command Prompt

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化学反应器分类及其特点

化学反应器的分类及特点 秦财德 (中南大学、化学化工学院、化工1002班) 摘要: 反应器的应用始于古代,制造陶器的窑炉就是一种原始的反应器。近代工业中的反应器形式多样。化学反应器,用于实现液相单相反应过程和液液、气液、液固、气液固等多相反应过程。器内常设有搅拌(机械搅拌、气流搅拌等)装置。本文主要介绍化学反应器的分类和特点 关键词:化学反应器特点典型反应 现在的化工反应器在向高精端方向发展,在化工反应中处于主要地位,化学反应器是化学反应的载体,是化工研究、生产的基础,是决定化学反应好坏的重要因素之一,因此反应器的设计、选型是十分重要的。反应器的种类很多,设计和选型很重要,座椅应该按照实际情况来设计制造。 一.釜式反应器 (一)反应器的简介 一种低高径比的圆筒形反应器,用于实现液相单相反应过程和液液、气液、液固、气液固等多相反应过程。器内常设有搅拌(机械搅拌、气流搅拌等)装置。在高径比较大时,可用多层搅拌桨叶。在反应过程中物料需加热或冷却时,可在反应器壁处设置夹套,或在器内设置换热面,也可通过外循环进行换热。 (二)反应器的特点 反应器中物料浓度和温度处处相等,并且等于反应器出口物料的浓度和温度。物料质点在反应器内停留时间有长有短,存在不同停留时间物料的混合,即返混程度最大。反应器内物料所有参数,如浓度、温度等都不随时间变化,从而不存在时间这个自变量。 优点:适用范围广泛,投资少,投产容易,可以方便地改变反应内容。 缺点:换热面积小,反应温度不易控制,停留时间不一致。绝大多数用于有液相参与的反应,如:液液、液固、气液、气液固反应等。 (三)典型反应: 在等温间歇反应器中进行乙酸乙酯皂化反应: CH3COOC2H5+NaOH CH3COONa+ C2H5OH 二.管式反应器 (一)反应器的简介 管式反应器一种呈管状、长径比很大的连续操作反应器。这种反应器可以很长,如丙烯二聚的反应器管长以公里计。反应器的结构可以是单管,也可以是多管并联;可以是空管,如管式裂解炉,也可以是在管内填充颗粒状催化剂的填充管,以进行多相催化反应,如列管式固定床反应器。通常,反应物流处于湍流状态时,空管的长径比大于50;填充段长与粒径之比大于100(气体)或200(液体),

材料科学基础基本概念

晶体缺陷 单晶体:是指在整个晶体内部原子都按照周期性的规则排列。 多晶体:是指在晶体内每个局部区域里原子按周期性的规则排列,但不同局部区域之间原子的排列方向并不相同,因此多晶体也可看成由许多取向不同的小单晶体(晶粒)组成 点缺陷(Point defects):最简单的晶体缺陷,在结点上或邻近的微观区域内偏离晶体结构的正常排列。在空间三维方向上的尺寸都很小,约为一个、几个原子间距,又称零维缺陷。包括空位vacancies、间隙原子interstitial atoms、杂质impurities、溶质原子solutes等。 线缺陷(Linear defects):在一个方向上的缺陷扩展很大,其它两个方向上尺寸很小,也称为一维缺陷。主要为位错dislocations。 面缺陷(Planar defects):在两个方向上的缺陷扩展很大,其它一个方向上尺寸很小,也称为二维缺陷。包括晶界grain boundaries、相界phase boundaries、孪晶界twin boundaries、堆垛层错stacking faults等。 晶体中点阵结点上的原子以其平衡位置为中心作热振动,当振动能足够大时,将克服周围原子的制约,跳离原来的位置,使得点阵中形成空结点,称为空位vacancies 肖脱基(Schottky)空位:迁移到晶体表面或内表面的正常结点位置,使晶体内部留下空位。弗兰克尔(Frenkel)缺陷:挤入间隙位置,在晶体中形成数目相等的空位和间隙原子。 晶格畸变:点缺陷破坏了原子的平衡状态,使晶格发生扭曲,称晶格畸变。从而使强度、硬度提高,塑性、韧性下降;电阻升高,密度减小等。 热平衡缺陷:由于热起伏促使原子脱离点阵位置而形成的点缺陷称为热平衡缺陷(thermal equilibrium defects),这是晶体内原子的热运动的内部条件决定的。 过饱和的点缺陷:通过改变外部条件形成点缺陷,包括高温淬火、冷变形加工、高能粒子辐照等,这时的点缺陷浓度超过了平衡浓度,称为过饱和的点缺陷(supersaturated point defects) 。 位错:当晶格中一部分晶体相对于另一部分晶体发生局部滑移时,滑移面上滑移区与未滑移区的交界线称作位错 刃型位错:当一个完整晶体某晶面以上的某处多出半个原子面,该晶面象刀刃一样切入晶体,这个多余原子面的边缘就是刃型位错。 刃型位错线可以理解为已滑移区和未滑移区的分界线,它不一定是直线 螺型位错:位错附近的原子是按螺旋形排列的。螺型位错的位错线与滑移矢量平行,因此一定是直线 混合位错:一种更为普遍的位错形式,其滑移矢量既不平行也不垂直于位错线,而与位错线相交成任意角度。可看作是刃型位错和螺型位错的混合形式。 柏氏矢量b: 用于表征不同类型位错的特征的一个物理参量,是决定晶格偏离方向与大小的向量,可揭示位错的本质。 位错的滑移(守恒运动):在外加切应力作用下,位错中心附近的原子沿柏氏矢量b方向在滑移面上不断作少量位移(小于一个原子间距)而逐步实现。 交滑移:由于螺型位错可有多个滑移面,螺型位错在原滑移面上运动受阻时,可转移到与之相交的另一个滑移面上继续滑移。如果交滑移后的位错再转回到和原滑移面平行的滑移面上继续运动,则称为双交滑移。 位错滑移的特点 1) 刃型位错滑移的切应力方向与位错线垂直,而螺型位错滑移的切应力方向与位错线平行; 2) 无论刃型位错还是螺型位错,位错的运动方向总是与位错线垂直的;(伯氏矢量方向代表

材料科学基础名词解释

材料科学基础名词解释 第一章固体结构 1、晶体 :原子按一定方式在三维空间内周期性地规则重复排列,有固定熔点、各向异性。 非晶体 :原子没有长程的周期排列,无固定的熔点,各向同性等。 2、中间相 : 两组元 A 和 B 组成合金时,除了形成以 A 为基或以 B 为基的固溶体外,还可能形成晶体结构与 A,B 两组元均不相同的新相。由于它们在二元相图上的位置总是位于中间,故通常把这些相称为中间相。 3、晶体点阵:由实际原子、离子、分子或各种原子集团,按一定几何规律的具体排 列方式称为晶体结构或晶体点阵。 4、配位数 :晶体结构中任一原子周围最近邻且等距离的原子数。 5、晶格:描述晶体中原子排列规律的空间格架称之为晶格。 6、晶胞 :在点阵中取出一个具有代表性的基本单元(最小平行六面体)作为点阵的组成单元,称为晶胞。 7、空间点阵:由周围环境相同的阵点在空间排列的三维列阵成为空间点阵。 8、晶向:在晶格中,穿过两个以节点的任一直线,都代表晶体中一个原子列在空间的位 向,称为晶向。 9、晶面:由节点组成的任一平面都代表晶体的原子平面,称为晶面。 10、晶向指数(晶面指数):为了确定晶面、晶向在晶体中的相对取向、就需要一种 符号,这种符号称为晶面指数和晶向指数。国际上通用的是密勒指数。 一个晶向指数并不是代表一个晶向,二十代表一组互相平行、位向相同的晶向。 11、晶向族:原子排列相同但空间位向不同的所有晶向称为晶向族,以表示。 12、晶面间距:相邻两个平行晶面之间的垂直距离。低指数晶面的面间距较大,而高指数晶面的面间距较小。晶面间距越大,则该晶面上原子排列越紧密,该原子密度越大。 13、配位数:每个原子周围最近邻且等距离的原子数目,称为配位数。 14、多晶型性:有些金属固态在不同温度或不同压力范围内具有不同的晶体结 这种性质构, 称为晶体的多晶型性。 15、多晶型性转变:具有多晶型性的金属在温度或压力变化 由一种结构转变为另一种结时, 构的过程称为多晶型性转变,也称为同素异构转变。 16、晶体缺陷:通常把晶体中原子偏离其平衡位置而出现不完整性的区域称为晶体缺陷。 17、间隙原子:进入点阵间隙总的原子称为间隙原子。间隙原子由同类原子形成称为自间隙原子,由外来杂志原子形成称为异类间隙原子。 19、置换原子:异类原子占据原来基体原子的平衡位置,则称为置换原子。 20、线缺陷:晶体中线缺陷指各种类型的位错,它是晶体中某处一列或若干列原子发生 了有规律的错排现象,错排区是细长的管状畸变区域。 21、位错:位错是晶体中已滑移区与未滑移区的边界线。 22、位错环:在一个圆形区域内部发生滑移,外部不滑移,因而得到封闭的圆周边界。这种 封闭位错叫做位错环。 23、柏氏矢量:可以揭示位错本质并能描述位错行为的矢量,称为柏氏矢量。刃型位 错,柏氏矢量与位错线互相垂直,螺型位错的柏氏矢量与其位错线互相平行。 24、全位错:柏氏矢量的模等于该晶向上原子的间距则此位错称为全位错或者单位为错;如果小于,则称为不全位错。 25、柏氏矢量的特性:柏氏矢量是完整晶体中对应回路的不封闭段,所以 b 是位错周围晶 体弹性变形的叠加, b 越大,弹性性能越高。 26、位错密度:位错密度是单位体积晶体中所含的位错线的总长度或晶体中穿过单位截面面

LTE-A载波聚合原理及参数指引20150616

LTE-A载波聚合原理及参数指引 1LTE-A载波聚合技术概述 3GPP在Release 10(TR 36.913)阶段引入了载波聚合(Carrier Aggregation,简称CA),通过将多个连续或非连续的载波聚合成更大的带宽(最大 100MHz)。载波聚合后,在MAC层完成上层数据流映射到聚合的各载波中进行传输。eNodeB为每个载波在每个TTI构建一个(空分复用时为两个或更多)传输块(Transport Block),每个载波使用单独的混合自动重传请求(HARQ)实体和链路适应机制。 在载波聚合中,分别定义了主载波小区(Pcell)和辅载波小区(Scell),对于每个CA UE其主载波小区上的系统信息获取方式跟非CA相同,辅小区上的系统信息通过RRC重配信息获取,UE根据其能力选择工作在CA模式或者非CA模式。 2LTE-A载波聚合技术基本参数配置 2.1华为系统载波聚合技术基本配置 1)CA group配置: a)将两个CA小区互配为异频邻区;需要与3G配置非优化切换,重选 及邻区关系 b)添加小区集; c)在小区集中添加CA小区; ——华为要求:逻辑上两个小区,物理上一个小区,覆盖方向一致,互配异频,配置与3G的eHRPD关系及邻区 2)邻区配置: a)LTE两个载波间配置邻区关系 b)LTE两个载波均与3G配置邻区关系

2.2中兴系统载波聚合技术基本配置 1)CA 协作关系配置: a)互配置要进行CA的两个小区的邻接关系,包括相邻、同覆盖、包含 和被包含几种关系; b)配置两邻区小区的下行CA协同关系; 2)邻区配置: a)LTE两个载波间配置邻区关系 b)LTE两个载波均与3G配置邻区关系 3主载波选择原则 空闲态CA终端和非CA终端均根据系统下发的频点优先级进行空闲驻留,优先驻留到高优先级的小区(CA终端空闲态也只驻留到一个小区),若两个频点优先级相同,则随机驻留到某个小区。(目前广州两个载波优先级配置的一致,CA UE随机驻留,驻留在哪里,哪个就是主载波) CA空闲态驻留的小区即为该终端的主载波小区,CA终端只在主载波上建立一个RRC连接。辅载波上无RRC连接。——针对业务态时候 4TE-A载波聚合辅载波增加/删除原理及参数 4.1华为系统辅载波增加/删除原理 4.1.1华为系统辅载波增加原理 1)若SCC盲配置开关打开,即ENodeBAlgoSwitch.CaAlgoSwitch的子开关 “SccBlindCfgSwitch”打开,eNodeB不需要下发A4测量的配置消息,直接尝试通过RRC Connection Reconfiguration将同一CA Group 标识下的Cell配置成SCell。——不需要A4测量,直接加另一个小区作为SCC即可

材料科学基础最全名词解释

固相烧结:固态粉末在适当的温度,压力,气氛和时间条件下,通过物质与气孔之间的传质,变为坚硬、致密烧结体的过程。 液相烧结:有液相参加的烧结过程。 金属键:自由电子与原子核之间静电作用产生的键合力。 离子键:金属原子自己最外层的价电子给予非金属原子,使自己成为带正电的正离子,而非金属得到价电子后使自己成为带负电的负离子,这样正负离子靠它们之间的静电引力结合在一起。 共价键:由两个或多个电负性相差不大的原子间通过共用电子对而形成的化学键。 氢键:由氢原子同时与两个电负性相差很大而原子半径较小的原子(O,F,N等)相结合而产生的具有比一般次价键大的键力。 弗兰克缺陷:间隙空位对缺陷 肖脱基缺陷:正负离子空位对的 奥氏体:γ铁固溶有碳和(或)其他元素的、晶体结构为面心立方的固溶体。 布拉菲点阵:除考虑晶胞外形外,还考虑阵点位置所构成的点阵。 不全位错:柏氏矢量不等于点阵矢量整数倍的位错称为不全位错。 玻璃化转变温度:过冷液体随着温度的继续下降,过冷液体的黏度迅速增大,原子间的相互运动变得更加困难,所以当温度降至某一临界温度以下时,即固化成玻璃。这个临界温度称为玻璃化温度Tg。 表面能:表面原子处于不均匀的力场之中,所以其能量大大升高,高出的能量称为表面自由能(或表面能)。 半共格相界:若两相邻晶体在相界面处的晶面间距相差较大,则在相界面上不可能做到完全的一一对应,于是在界面上将产生一些位错,以降低界面的弹性应变能,这时界面上两相原子部分地保持匹配,这样的界面称为半共格界面或部分共格界面。 柏氏矢量:描述位错特征的一个重要矢量,它集中反映了位错区域畸变总量的大小和方向,也使位错扫过后晶体相对滑动的量。 柏氏矢量物理意义: ①从位错的存在使得晶体中局部区域产生点阵畸变来说:一个反映位错性质以及由位错引起的晶格畸变大小的物理量。 ②从位错运动引起晶体宏观变形来说:表示该位错运动后能够在晶体中引起的相对位移。部分位错:柏氏矢量小于点阵矢量的位错 包晶转变:在二元相图中,包晶转变就是已结晶的固相与剩余液相反应形成另一固相的恒温转变。 包析反应:由两个固相反应得到一个固相的过程为包析反应。 包析转变:两个一定成分的固相在恒温(T)下转变为一个新的固相的恒温反应。包析转变与包晶转变的相图特征类似,只是包析转变中没有液相,只有固相。 粗糙界面:界面的平衡结构约有一半的原子被固相原子占据而另一半位置空着,这时界面称为微观粗糙界面。 重合位置点阵:当两个相邻晶粒的位相差为某一值时,若设想两晶粒的点阵彼此通过晶界向对方延伸,则其中一些原子将出现有规律的相互重合。由这些原子重合位置所组成的比原来晶体点阵大的新点阵,称为重合位置点阵。 成分过冷;界面前沿液体中的实际温度低于由溶质分布所决定的凝固温度时产生的过冷。超塑性:某些材料在特定变形条件下呈现的特别大的延伸率。 超结构(超点阵,有序固溶体):对某些成分接近于一定的原子比(如AB或AB3)的无序固溶体中,当它从高温缓冷到某一临界温度以下时,溶质原子会从统计随机分布状态过渡到占

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