GeSbTe薄膜的制备与表征

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GeSbTe薄膜的制备与表征
作者：温佳琪南晓峰
来源：《科学大众》2019年第10期
摘; ;要：文章通过磁控溅射仪制备了GeSbTe薄膜，用原子力显微镜扫描形貌，并采用纳米压痕技术对其表征。

通过分析加载曲线和卸载曲线，排除弹性形变、表面粗糙度、针尖曲率半径等因素的影响，得到60 nm厚的GeSbTe薄膜的硬度和弹性模量，为后期薄膜的制备和力学特性研究提供一定的依据。

关键词：GeSbTe薄膜;粗糙度;硬度;弹性模量
当今，计算机硬件技术与网络技术发展迅速，特别是大数据与5G技术的兴起，使数字化信息变得更多更快。

人们迫切希望有更高存储密度、更大存储容量、更快存取速度的数据存储器出现。

GeSbTe相变材料具有良好的化学稳定性、优异的成膜性、非常短的相变转化时间等。