太阳能电池片的分类

太阳能电池片的分类
国内常用的太阳能晶硅电池片根据尺寸和单多晶可分为：
太阳能单晶电池片
单晶125*125
单晶156*156
多晶156*156
单晶150*150
单晶103*103
多晶125*125
编辑本段太阳能电池片的技术参数
125S 晶体硅太阳电池技
术参数
档次 转换效率
最大功率 最大功率点电流 最小功率点电流 最大功率点电压 短路电流 开路电压 Pm(Wp) Im(A)max Im(A)min Vm(V) Isc(A) Voc(V) A
18.00% 2.674-2.696 5.135 5.093 0.525 5.440 0.630 B
17.80% 2.645-2.673 5.111 5.057 0.523 5.410 0.628 C
17.60% 2.615-2.644 5.075 5.019 0.521 5.380 0.627 D
17.45% 2.593-2.614 5.027 4.987 0.520 5.350 0.627 E
17.30% 2.570-2.592 5.004 4.961 0.518 5.330 0.626 F
17.15% 2.548-2.569 4.988 4.948 0.515 5.320 0.620 G
17.00% 2.526-2.547 4.975 4.933 0.512 5.300 0.620 H
16.85% 2.504-2.525 4.949 4.910 0.510 5.280 0.615 I
16.70% 2.481-2.503 4.956 4.913 0.505 5.260 0.615 J
16.50% 2.452-2.480 4.911 4.850 0.505 5.240 0.615 K
16.25% 2.414-2.451 4.853 4.780 0.505 5.200 0.615 L
16.00% 2.377-2.413 4.778 4.707 0.505 5.160 0.610 M
15.75% 2.340-2.376 4.752 4.680 0.500 5.000 0.610 N
15.50% 2.303-2.339 4.678 4.606 0.500 4.980 0.605 O
15.25% 2.266-2.302 4.604 4.578 0.495 4.960 0.605 P 15.00% 2.229-2.265 4.576 4.503 0.495 4.940 0.600
SF156M多晶体硅太阳电池技术参数
档次转换效
率
最大功
率
最大功
率点电
流
最大功率
点电压
短路电流开路电压Pm(Wp) Im(A) Vm(mV) Isc(A) Voc(mV)
A 17.50% 4.258 8.189 520 9.30±5%625±5%
B 17.25% 4.198 8.072 520 9.22±5%625±5%
C 17.00% 4.137 7.955 520 9.11±5%625±5%
D 16.75% 4.076 7.914 515 9.01±5%620±5%
E 16.50% 4.015 7.796 515 8.89±5%620±5%
F 16.25% 3.954 7.678 515 8.78±5%620±5%
G 16.00% 3.893 7.560 515 8.67±5%620±5%
H 15.75% 3.833 7.515 510 8.56±5%615±5%
I 15.50% 3.772 7.396 510 8.45±5%615±5% J 15.25% 3.711 7.348 505 8.30±5%615±5% K 15.00% 3.650 7.228 505 8.16±5%615±5% L 14.75% 3.589 7.107 505 8.01±5%615±5% M 14.50% 3.528 6.987 505 7.87±5%615±5% N 14.25% 3.468 6.935 500 7.75±5%610±5% O 14.00% 3.407 6.814 500 7.61±5%610±5% P 13.50% 3.285 6.637 495 7.38±5%610±5% Q 13.00% 3.163 6.456 490 7.12±5%610±5% R 12.50% 3.042 6.272 485 7.86±5%610±5% S 12.00% 2.920 6.084 480 6.56±5%605±5% T 11.50% 2.798 5.891 475 6.34±5%600±5% U 11.00% 2.677 5.695 470 6.08±5%590±5% V 10.50% 2.555 5.495 465 5.82±5%580±5% W <10.5%
编辑本段太阳能电池片及相关组件的相关性
125*125单晶
电池片
晶体硅太阳电池的优良性能简介：
·高效率，低衰减，可靠性强；
·先进的扩散技术，保证了片间片内的良好均匀性，降低了电池片之间的匹配损
失；
·运用先进的管式PECVD成膜技术，使得覆盖在电池表面的深蓝色氮化硅减反射
膜致密、均匀、美观；
·应用高品质的金属浆料制作电极和背场。

确保了电极良好的导电性、可焊性以及背场的平整性；
·高精度的丝网印刷图形，使得电池片易于自动焊接。

156*156多晶
电池片
晶体硅太阳电池的优良性能简介：
·高效率，低衰减，可靠性强；
·先进的扩散技术，保证了片间片内的良好均匀性，降低了电池片之间的匹配损失；
·运用先进的管式PECVD成膜技术，使得覆盖在电池表面的深蓝色氮化硅减反射膜致密、均匀、美观；
·应用高品质的金属浆料制作电极和背场。

确保了电极良好的导电性、可焊性以及背场的平整性；
·高精度的丝网印刷图形，使得电池片易于自动焊接。

125单晶电池组件
晶体硅太阳能电池组件的优良性能简介：
·SF-PV的组件可以满足不同的消费层次
·使用高效率的硅太阳能电池
·组件标称电压24/12V DC
·3.2mm厚的钢化玻璃
·为提高抗风能力和抗积雪压力，使用耐用的铝合金框架以方便装配，
·组件边框设计有用于排水的漏水孔消除了在冬天雨或雪水长期积累在框架内造成结冰甚至使框架变形
·电缆线使用快速连接头来装配
·满足顾客要求的包装
·保证25年的使用年限
156多晶电池组件
晶体硅太阳能电池组件的优良性能简介：
·SF-PV的组件可以满足不同的消费层次
·使用高效率的硅太阳能电池
·组件标称电压24/12V DC
·3.2mm厚的钢化玻璃
·为提高风的压力和雪的负载，使用耐用的铝框架以方便装配，
·组件边框设计有用于排水的漏水孔消除了在冬天雨或雪水长期积累在框架内造成结冰甚至使框架变形
·电缆线使用快速连接头来装配
·满足顾客要求的包装
·保证25年的使用年
编辑本段太阳能电池片生产制造工艺
太阳能电池片的生产工艺流程分为硅片检测——表面制绒——扩散制结——去磷硅玻璃——等离子刻蚀——镀减反射膜——丝网印刷——快速烧结等。

具体介绍如下：
一、硅片检测
硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，因此需要对来料硅片进行检测。

该工序主要用来对硅片的一些技术参数进行在线测量，这些参数主要包括硅片表面不平整度、少子寿命、电阻率、P/N 型和微裂纹等。

该组设备分自动上下料、硅片传输、系统整合部分和四个检测模块。

其中，光伏硅片检测仪对硅片表面不平整度进行检测,同时检测硅片的尺寸和对角线等外观参数;微裂纹检测模块用来检测硅片的内部微裂纹;另外还有两个检测模组，其中一个在线测试模组主要测试硅片体电阻率和硅片类型，另一个模块用于检测硅片的少子寿命。

在进行少子寿命和电阻率检测之前，需要先对硅片的对角线、微裂纹进行检测，并自动剔除破损硅片。

硅片检测设备能够自动装片和卸片，并且能够将不合格品放到固定位置，从而提高检测精度和效率。

二、表面制绒
单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。

由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了电池的短路电流和转换效率。

硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液，可用的碱有氢氧化钠，氢氧化钾、氢氧化锂和乙二胺等。

大多使用廉价的浓度约为1%的氢氧化钠稀溶液来制备绒面硅，腐蚀温度为70-85℃。

为了获得均匀的绒面，还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和异丙醇等作为络合剂，以加快硅的腐蚀。

制备绒面前，硅片须先进行初步表面腐蚀，用碱性或酸性腐蚀液蚀去约20～25μm，在腐蚀绒面后，进行一般的化学清洗。

经过表面准备的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，应尽快扩散制结。

三、扩散制结
太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备。

管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。

扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。

把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内，在850---900摄氏度高温下使用氮气将三氯氧磷带入石英容器，通过三氯氧磷和硅片进行反应，得到磷原子。

经过一定时间，磷原子从四周进入硅片的表面层，并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散，形成了N型半导体和P型半导体的交界面，也就是PN结。

这种方法制出的PN结均匀性好,方块电阻的不均匀性小于百分之十,少子寿命可大于10ms。

制造PN结是太阳电池生产最基本也是最关键的工序。

因为正是PN结的形成，才使电子和空穴在流动后不再回到原处，这样就形成了电流，用导线将电流引出，就是直流电。

四、去磷硅玻璃
该工艺用于太阳能电池片生产制造过程中，通过化学腐蚀法也即把硅片放在氢氟酸溶液中浸泡，使其产生化学反应生成可溶性的络和物六氟硅酸，以去除扩散制结后在硅片表面形成的一层磷硅玻璃。

在扩散过程中，POCL3与O2反应生成P2O5淀积在硅片表面。

P2O5与Si反应又生成SiO2和磷原子，
这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2，称之为磷硅玻璃。

去磷硅玻璃的设备一般由本体、清洗槽、伺服驱动系统、机械臂、电气控制系统和自动配酸系统等部分组成，主要动力源有氢氟酸、氮气、压缩空气、纯水，热排风和废水。

氢氟酸能够溶解二氧化硅是因为氢氟酸与二氧化硅反应生成易挥发的四氟化硅气体。

若氢氟酸过量，反应生成的四氟化硅会进一步与氢氟酸反应生成可溶性的络和物六氟硅酸。

五、等离子刻蚀
由于在扩散过程中，即使采用背靠背扩散，硅片的所有表面包括边缘都将不可避免地扩散上磷。

PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面，而造成短路。

因此，必须对太阳能电池周边的掺杂硅进行刻蚀，以去除电池边缘的PN结。

通常采用等离子刻蚀技术完成这一工艺。

等离子刻蚀是在低压状态下，反应气体CF4的母体分子在射频功率的激发下，产生电离并形成等离子体。

等离子体是由带电的电子和离子组成，反应腔体中的气体在电子的撞击下，除了转变成离子外，还能吸收能量并形成大量的活性基团。

活性反应基团由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面，在那里与被刻蚀材料表面发生化学反应，并形成挥发性的反应生成物脱离被刻蚀物质表面，被真空系统抽出腔体。

六、镀减反射膜
抛光硅表面的反射率为35%,为了减少表面反射,提高电池的转换效率,需要沉积一层氮化硅减反射膜。

现在工业生产中常采用PECVD设备制备减反射膜。

PECVD 即等离子增强型化学气相沉积。

它的技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体SiH4和NH3，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜即氮化硅薄膜。

一般情况下，使用这种等离子增强型化学气相沉积的方法沉积的薄膜厚度在70nm左右。

这样厚度的薄膜具有光学的功能性。

利用薄膜干涉原理，可以使光的反射大为减少，电池的短路电流和输出就有很大增加，效率也有相当的提高。

七、丝网印刷
太阳电池经过制绒、扩散及PECVD等工序后，已经制成PN结，可以在光照下产生电流，为了将产生的电流导出，需要在电池表面上制作正、负两个电极。

制造电极的方法很多，而丝网印刷是目前制作太阳电池电极最普遍的一种生产工艺。

丝网印刷是采用压印的方式将预定的图形印刷在基板上，该设备由电池背面银铝浆印刷、电池背面铝浆印刷和电池正面银浆印刷三部分组成。

其工作原理为：利用丝网图形部分网孔透过浆料，用刮刀在丝网的浆料部位施加一定压力，同时朝丝网另一端移动。

油墨在移动中被刮刀从图形部分的网孔中挤压到基片上。

由于浆料的粘性作用使印迹固着在一定范围内，印刷中刮板始终与丝网印版和基片呈线性接触，接触线随刮刀移动而移动，从而完成印刷行程。

八、快速烧结
经过丝网印刷后的硅片，不能直接使用，需经烧结炉快速烧结，将有机树脂粘合剂燃烧掉，剩下几乎纯粹的、由于玻璃质作用而密合在硅片上的银电极。

当银电极和晶体硅在温度达到共晶温度时，晶体硅原子以一定的比例融入到熔融的银电极材料中去，从而形成上下电极的欧姆接触，提高电池片的开路电压和填充因子两个关键参数，使其具有电阻特性，以提高电池片的转换效率。

烧结炉分为预烧结、烧结、降温冷却三个阶段。

预烧结阶段目的是使浆料中的高分子粘合剂分解、燃烧掉，此阶段温度慢慢上升;烧结阶段中烧结体内完成各种
物理化学反应，形成电阻膜结构，使其真正具有电阻特性，该阶段温度达到峰值;降温冷却阶段，玻璃冷却硬化并凝固，使电阻膜结构固定地粘附于基片上。

九、外围设备
在电池片生产过程中，还需要供电、动力、给水、排水、暖通、真空、特汽等外围设施。

消防和环保设备对于保证安全和持续发展也显得尤为重要。

一条年产50MW能力的太阳能电池片生产线，仅工艺和动力设备用电功率就在1800KW左右。

工艺纯水的用量在每小时15吨左右，水质要求达到中国电子级水
GB/T11446.1-1997中EW-1级技术标准。

工艺冷却水用量也在每小时15吨左右，水质中微粒粒径不宜大于10微米，供水温度宜在15-20℃。

真空排气量在300M3/H 左右。

同时，还需要大约氮气储罐20立方米，氧气储罐10立方米。

考虑到特殊气体如硅烷的安全因素，还需要单独设置一个特气间，以绝对保证生产安全。

另外，硅烷燃烧塔、污水处理站等也是电池片生产的必备设施。

[1]
编辑本段太阳能电池片烧结锅炉的注意问题
太阳电池片目前采用只需一次烧结的共烧工艺，同时形成上下电极的欧姆接触。

银浆、银铝浆、铝浆印刷过的硅片，经过烘干使有机溶剂完全挥发，膜层收缩成为固状物紧密粘附在硅片上，这时可视为金属电极材料层和硅片接触在一起。

当电极金属材料和半导体单晶硅加热达到共晶温度时，单晶硅原子以一定的比例溶入到熔融的合金电极材料中。

单晶硅原子溶入到电极金属中的整个过程是相当快的，一般只需几秒钟时间。

溶入的单晶硅原子数目取决于合金温度和电极材料的体积，烧结合金温度越高，电极金属材料体积越大，则溶入的硅原子数目也越多，这时的状态被称为晶体电极金属的合金系统。

如果此时温度降低，系统开始冷却形成再结晶层，这时原先溶入到电极金属材料中的硅原子重新以固态形式结晶出来，也就是在金属和晶体接触界面上生长出一层外延层。

如果外延层内含有足够量的与原先晶体材料导电类型相同的杂质成份，这就获得了用合金法工艺形成欧姆接触;如果在结晶层内含有足够量的与原先晶体材料导电类型异型的杂质成份，这就获得了用合金法工艺形成P.N结。

一般网带式烧结炉采用电热丝作为加热元件，主要通过热传导对工件进行加热，无法实现急速升温。

只有辐射或微波能够迅速加热物体，而辐射加热具有使用经济、安全可靠、更换方便等优点。

所以目前太阳电池片烧结炉基本都采用红外石英灯管作为主要加热元件。

它的设计需注意以下三个问题：
1、加热管的结构形式
为实现烧结段的温度尖峰，需在很短的炉膛空间内布置足够的加热功率。

目前，有短波孪管和短波单管两种结构可以选择，其线性功率密度均达到60kW/m2。

虽然短波孪管拥有更高的单根功率(相当于两根单管并联)，但由于其制造工艺复杂，对石英玻璃管的质量要求更高，制造成本约是单管的2.5倍。

因此，在实际使用中，大多采用单管。

2、红外辐射吸收光谱
当红外辐射能量被工件吸收时，该物质所特有的吸收光谱需与发射光谱相匹配，才能在最短时间内最大效率地吸收辐射能。

因此，在烧结的不同阶段，所选用的红外石英灯管也是不同的。

在烘干段，要让有机溶剂和水分迅速挥发，采用中波管辅助热风加热是正确的;在预烧段，要让基片获得充分均匀的预热，中波管良
好的红外辐射、均衡的吸收及穿透能力，正好符合要求;在烧结段，必须在极短时间内使基片达到共晶温度，只有短波管能做到这一点。

3、加热管的固定方式
烧结段的温度峰值在850℃左右，此时灯管的表面温度将达到1100℃，接近石英管的使用极限，稍微过热产生气孔就会立刻烧毁灯管。

而在灯管的引出导线部位，由于焊接导线的金属片和石英玻璃密封在一起，二者热膨胀系数不一致，如果此处温度过高就会产生应力裂纹，造成灯管漏气。

因此灯管在炉膛中的安装固定方式十分重要。

图2为红外灯管在炉膛中的一种固定方式。

这种固定方式要求灯管的冷端距离炉壁至少80mm以上，保证引出导线部位的温度不会过高;而且炉壁上安装孔的直径要比灯管大2～3mm，通过两侧的固定夹具将灯管悬空夹持在炉膛中。

[2]。