LTE室分多系统合路干扰处理指导意见V3

LTE室分多系统合路干扰处理指导意见

目前联通1800MHz FDD-LTE室分建设方案大多数为合路至原室分系统，开通后出现了WCDMA底噪明显抬升的干扰问题，严重影响了现网用户，LTE室分开通进度受到影响，现将关于LTE室分多系统合路干扰处理指导意见下发如下：

1 干扰问题现象

LTE室分合路至多系统室分之前，WCDMA室分底噪维持在正常值，LTE室分激活之后，WCDMA室分RTWP有一定程度抬升3-5dB，LTE模拟下行加载100%后，WCDMA室分RTWP有15-20dB明显抬升。如下图所示：

LTE室分多系统合路干扰示意图1（W三载波）

LTE室分多系统合路干扰示意图1（W单载波）

2 干扰站点比例

前期专项研究工作主要在广州开展，以广州为例，FDD规模560站（包括可研一期450站，可研二期110站），合路站点共374，占比66.8%。存在W上行干扰问题站点31个，占已开通方案为合路型的室分站点的60%左右。（已开通合路

室分干扰站点清单.

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待广分提供合路后存在问题的站点比例及干扰值。器件及规模以此60%的比例（数据待更新）进行规模估算，广州约有220个存在合路干扰（规模560，合路374），广东约有600个存在合路干扰（规模1498，合路约1000）。

3 干扰问题原因

3.1互调干扰分析

无源互调是射频信号路径中两个或多个射频信号，因各种无源器件 (例如天线、电缆或连接器) 的非线性特性引起的混频干扰信号，在大功率、多信道系统中，铁磁材料、异种金属焊接点、金属氧化物接点、和松散的射频连接器都会产生信号的混频，其最终结果就是PIM(Passive Intermodulation)干扰信号。

互调产物的大小取决于器件的互调抑制度，互调抑制度越差，互调产物越大；互调抑制度越好，互调产物越小。互调产物的大小还和输入信号的功率密切相关，在相同的互调抑制度情况下，输入功率越大，互调产物越大。

一般取三阶互调来衡量互调水平，三阶互调越高则五阶互调也高。五阶互调一般比三阶互调低10-15dB。

（一）Case 1（D/W/L合路当前频段划分）:

DCS1800: 1830-1850/1735-1755 MHz；LTE1800: 1850-1870/1755-1775 MHz；

UMTS2100: 2130-2145/1940-1955 MHz

互调产物的频率分析结果：

（1）3阶互调产物不会干扰GL1800和UMTS2100的上行；

（2）5阶互调产物会干扰部分G1800上行频率（1750-1755），部分U2100上行频率（1940-1950），整个LTE1800的上行频率；

（3）7阶互调产物会干扰GL1800和UMTS2100整个的上行频率。

WCDMA/FDD/DCS合路的五阶互调干扰落入WCDMA上行频段，如果这个互调分量电平过高，将会影响DCS和WCDMA的上行接收，形成干扰。

（二）Case 2（D/W/L合路后续规划频段划分）:

DCS 1800: 1830-1840/1735-1745 MHz；LTE1800: 1840-1860/1745-1765 MHz UMTS2100: 2130-2145/1940-1955 MHz

互调产物频率的分析结果：

（1）3阶互调产物不会干扰GL1800和UMTS2100的上行；

（2）5阶互调产物不会干扰GL1800和UMTS2100的上行；

（3）7阶互调产物会干扰部分G1800上行频率（1740-1745），部分U2100上行频率（1940-1950），整个LTE1800的上行频率。

Case1当前频段划分互调示意图Case后续可能频段划分互调示意图（三）Case 3（G900/W2100/L1800合路）:

A：FDD-LTE1850-1870（现有频段）二阶互调落入900上行

B：FDD-LTE1840-1860（后续规划频段）二阶互调不落入900上行

G900和L1800二阶互调影响G900上行，GSM与DCSLTE的四阶互调产物落在DCS与LTE的上行频段。影响较大无法通过更换器件规避，若必须保证2G覆盖，建议GSM900更换为DCS1800。

（四）Case 4（与电信CDMA多系统合路建议）:

不建议与CDMA合路：CDMA（875～880MHz）二次谐波产物（1750～1760MHz）影响LTE和DCS上行，无法通过更换器件规避，且部分站点电信部署合路LTE，导致我方无法再合路。

除双方沟通进行较好频率规划且前级采用高品质器件的基础上可以共建共享，实际组网中不建议再合路FDD-LTE。

3.2互调干扰的影响因素

（一）无源器件的质量：

前期集采无源器件互调抑制度仅为120dbc，且已有旧系统经过多年运行使用，器件老化锈蚀严重，相关影响干扰和不达标，近RRU端输入信号功率大的无源器件互调对系统的底噪提升影响较大，需更换为三阶互调抑制度指标不低于-140dBc@2×43dBm高性能器件。

DCS1800、WCDMA2100、FDD-LTE1800合路天馈系统无源互调指标需求为143dBc@2*43dBm，取3dB余量，则为146dBc@2*43dBm。计算公式见附件2。（二）施工工艺（含跳线，馈线的接头制作）的质量：

室分施工工艺质量存在不足，馈线、跳线接头质量差或接头制作问题，都会引起互调干扰指标的抬升。在更换器件仍无法满足上行干扰抑制要求的情况下，建议更换馈线接头为高性能DIN头。

外导体：内导体：外导体：内导体：

外导体

外导体：

内导体：

（三）天馈系统外的互调干扰，由天线附近金属物体（如生锈的铁制品等）的强非线性特性引起。在系统排查过程中需注意。

3.3功率容量影响

安装于基站信源前端的器件由于承受较高的功率通过，往往由于器件的工艺、结构、耦合节点电阻的耐功率、触点距离、接地隔离电阻等问题影响器件的电气性能指标和承受功率能力，同时还会因为器件的“趋肤效应”而导致局部微打火，出现电压飞弧打火现象，产生宽带噪声，对通信系统形成严重的上行低噪干扰。

目前中国联通对于无源器件功率容量的集采标准要求是200W（平均），按照WCDMA等制式对功率的要求，可以满足WCDMA系统多载波的平均功率要求。但问题是WCDMA系统峰均比很高，往往超过10，而集采器件没有峰值功率的指标要求，在多载波和大话务量的冲击下，很容易带来宽带杂散干扰。

使用1.8G FDD-LTE后，由于1.8G FDD-LTE下行频段距离WCDMA上行频段较近，且LTE峰均比较大，因此产生的飞弧打火很容易干扰WCDMA上行。为较大概