自组织InAs量子点材料生长与发光性质的研究(精)

自组织InAs量子点材料生长与发光性质的研究

【中文题名】自组织InAs量子点材料生长与发光性质的研究【英文题名】 Studies of Growth and Luminescent Properties in Self-organized InAs Quantum Dots 【中文摘要】半导体自组织量子点材料在光电子与微电子器件领域具有重要的作用。它是制备性能优良的光电子与微电子器件，如光纤通讯激光器、光电探测器、高电子迁移率晶体管、电光调制器等的主要选择对象之一。在众多的制备半导体量子点材料方法中，自组织方法生长量子点有许多特殊的优点，因而自组织InAs／GaAs量子点的生长和物性表征成为目前低维半导体物理材料和器件研究领域一个热点课题。本论文较为深入地研究了量子点的光致发光谱(PL)和时间分辨谱(TS)，并取得了一些有意义的结果。本文开展的主要工作和结果有： (1) 研究了自组织量子点的生【英文摘要】Semiconductor materials with self-organized quantum dot structure play a very important role in photoelectronic and microelectronic field. It is a good candidate for the high quality photoelectronic and microelectronic devices, such as fiber optical communication lasers, photoelectronic detectors, high electron mobility transistors and electro-optic modulators. Among the kinds of method to fabricate the semiconductor quantum dots, self-organized processes is the one of most efficiency methods and attract 【中文关键词】 InAs自组织量子点. 分子束外延. 光致发光. 时间分辨谱. 【英文关键词】 InAs self-organized quantum dots. molecular beam epitaxy. Photoluminescence. time-resolved spectra. 【作者】孔令民. (Introduce) 【导师】吴正云. 【论文级别】硕士【学科专业名称】凝聚态物理【学位授予单位】厦门大学. 【论文提交日期】 2002-05-01 第一章绪论 8-15 §1． 1 概述 8-9

§1． 2 半导体中的电子态 9-11 §1． 3 量子点的形成 11-13 §1． 4 相关研究进展与应用前景 13-15 第二章分子束外延生长技术及表征技术简介 15-23 §2． 1 分子束外延技术（MBE） 15-17 §2． 2 扫描探针显微镜 17-19 §2． 3 光谱测量 19-24 第三章普通单层InAs量子点的发光特性 23-34

§3． 1 样品的结构及制备 24-25 §3． 2 实验结果与分析 25-32

§3． 2． 1 AFM观测 25-25 §3． 2． 2 变温PL谱测量结果与分析 25-28 §3． 2． 3 量子点与浸润层的发光机理 28-29 §3． 2． 4 时间分辨谱 29-36 §3． 3 本章小结 32-34 第四章 InGaAs和AlAs缓冲层对量子点发光性质的影响 34-49 §4． 1 样品结构与制备 34-35 §4． 2 实验结果与分析 35-47 §4． 2． 1 低温光致发光谱 36-39 §4． 2． 2 变温光致发光谱 39-44 §4． 2． 3 时间分辨谱 44-64 §4． 3 本章小结 47-49 第五章循环生长的量子点的发光性质研究 49-62 §5． 1 样品结构与制备 49-50 §5． 2 低温光致发光谱 50-52 §5． 3 变温光致发光谱 52-57 §5． 4 时间分辨谱研究57-60 §5． 5 本章小结 60-64 第六章结论 62-63 致谢 63-64 硕士期间完成的论文 64-65