最新存储器及其接口

存储器及其接口

存储器的种类、特性和结构

一、分类

按元件组成：半导体M，磁性材料存储器（磁芯），激光存储器

按工作性质：内存储器：速度快，容量小（64K〜8Gbyte）外存储器：速度慢，容量大（20MB〜640GB）

二、半导体存储分类

RAM

SRAM 静态

DRAM 动态

IRAM 集成动态

ROM

掩膜ROM

PROM 可编程

EPROM 可改写

E PROM 可电擦除

三、内存储器性能指标

1. 容量 M可容纳的二进制信息量，总位数。

总位数=字数×字长 bit，byte，word

2. 存取速度

内存储器从接受地址码，寻找内存单元开始，到它

取出或存入数据为止所需的时间，T A。

T A越小，计算机内存工作速度愈高，半导体M存储时间为几十ns〜几百ns ns=mus

3.功耗

维持功耗操作功耗

CMOS NMOS TTL ECL

（低功耗.集成度高）（高速.昂贵.功耗高）

4、可靠性

平均故障间隔时间

MTBF（Mean Time Between Failures）

越长，可靠性越高.跟抗电磁场和温度变化的能力有关.

5、集成度

位/片 1K位/片〜1M位/片

在一块芯片上能集成多少个基本存储电路

（即一个二进制位）

四、存储器的基本结构

随机存储器 RAM 或读写存储器

一、基本组成结构

存储矩阵

寄存二进制信息的基本存储单元的集合体，为便于读写，基本存储单元都排列成一定的阵列，且进行编址。

N×1—位结构：常用于较大容量的SRAM，DRAM

N×4

N×8 —字结构常用于较小容量的静态SRAM

2、地址译码器

它接收来自CPU的地址信号，产生地址译码信号。选中存储矩阵中某一个或几个基本存储单元进行读/写操作

两种编址方式：

单译码编址方式. 双译码编址方式

（字结构M）（复合译码）

存储容量