第六章 TMS320C6000 DSP外部存储器接口讲解
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*ptr = i; ptr++; } ptr=(Uint16 *)0x80000000; for(i=0;i<0x100;i++) { if(*ptr != i) {
result =0x01; return(result); } ptr++; } result=0x00; return(result); }
*(unsigned int *)EMIF_SDRAMCTL = 0x6B227000;//0x6B48F000; /* SDRAM control (128 Mb): 8M*16bit*4banks */
}
Uint32 SDRAM_test(void) {
Uint16 i; Uint16 *ptr; Uint32 result; ptr=(Uint16 *)0x80000000; for(i=0;i<0x0100;i++) {
WRHLD=2 */
/*WRSETUP=0 WRSTRB=24
RDHLD=2 */
/*RDSETUP=0 RDSTRB=24
/*TA=3 MTYPE=2 */
*(unsigned int *)EMIF_SDRAMCTL = 0x6B227000;//0x6B48F000; /* SDRAM control (128 Mb): 8M*16bit*4banks */
异步存储器
FLASH 存储器 非易失性存储器，读取速度快，但写入速度
慢，且写入之前需要整个扇区擦除，若需改 写某个字节的内容，需要将扇区其他内容暂 存到其他地方，待扇区擦除后再搬移回来。
SDRAM
读写速度快，容量大，成本低。但需要动态 刷新，读写控制时序复杂。目前有些处理器 如DSP等集成了专用SDRAM控制器接口，使 用亦很方便。
② 可编程式的ROM（PROM）， PROM允许用户一次性写入，再也不 可更改。
③ 可擦除式的ROM（EPROM） EPROM允许用户多次写入信息，写入操作由专用的写入设备完成。 写入之前应先擦除原来写入的信息。
一种擦除方式为紫外光擦除，用紫外光照射15分钟左右，这类 EPROM又叫UV EPROM。 另一种擦除方式为电擦除，即用特定的电信号对其进行擦除，可在线 操作，因此很方便。这类EPROM又叫E2PROM或EEPROM （Electrically Erasable Programmable ROM）。它的特点是写入时 电压要求较高（一般为20V~25V），写入速度较慢而不能像RAM那 样作随机存取存储器使用。
课外资料查阅：SDRAM原理（作业）
6.2 EMIF 概述
DSPs访问片外存储器时必须通过外部存储器接 （External Memory Interface，EMIF）。C6000 系列 DSPs 的 EMIF 具有很强的接口能力，不仅 具有很高的数据吞吐率（最高达 1 200 MB/s）， 而且可以与目前几乎所有类型的存储器直接接口。 存储器包括：
#define EMIF_GCTL 0x01800000 #define EMIF_CE1 0x01800004 #define EMIF_CE0 0x01800008 #define EMIF_CE2 0x01800010 #define EMIF_CE3 0x01800014 #define EMIF_SDRAMCTL 0x01800018 #define EMIF_SDRAMTIM 0x0180001C #define EMIF_SDRAMEXT 0x01800020 #define EMIF_CCFG 0x01840000 /*
Cache configuration register */
void user_EMIF_init(void)
{
*(unsigned int *)EMIF_GCTL = 0x000030f8;
*(unsigned int *)EMIF_CE0 = 0x2272c993; /* CE0 SDRAM 16-bit
pipeline 结构的同步突发静态 RAM（SBSRAM）
同步动态 RAM（SDRAM）
异步器件，包括 SRAM、ROM 和 FIFO 等
外部共享存储空间的设备
不同芯片的 EMIF 接口
6.3 接口信号与控制寄存器
Байду номын сангаас EMIF寄存器
6.3 EMIF 程序设计
第六章 TMS320C6000 EMIF 及其程序设计
6.1 基本存储器
异步存储器（SRAM、ROM） 同步动态存储器(SDRAM) 同步突发静态存储器（SBSRAM）
异步存储器
SRAM：读写速度快，掉电丢失，容量小。 ROM： ① 掩膜式ROM
用定作掩膜对存储器进行编程，一旦制造完毕，内容固定不能改变。
*/
*(unsigned int *)EMIF_CE1 = 0xFFFFFF03; /* CE1 Flash 8-bit //实际为16bit,按 8bit操作 */
*(unsigned int *)EMIF_CE2 = 0x2272c993; /* CE2 16-bit sdram */
*(unsigned int *)EMIF_CE3 = 0x2620C612; /* CE3 16-bit async */
*(unsigned int *)EMIF_SDRAMTIM = 0x00000350; /* SDRAM timing (refresh) 64ms,8192rows refresh, 7.8125us/row */
*(unsigned int *)EMIF_SDRAMEXT = 0x00018F5E;//0x0017DF3F; /* SDRAM Extension register */
result =0x01; return(result); } ptr++; } result=0x00; return(result); }
*(unsigned int *)EMIF_SDRAMCTL = 0x6B227000;//0x6B48F000; /* SDRAM control (128 Mb): 8M*16bit*4banks */
}
Uint32 SDRAM_test(void) {
Uint16 i; Uint16 *ptr; Uint32 result; ptr=(Uint16 *)0x80000000; for(i=0;i<0x0100;i++) {
WRHLD=2 */
/*WRSETUP=0 WRSTRB=24
RDHLD=2 */
/*RDSETUP=0 RDSTRB=24
/*TA=3 MTYPE=2 */
*(unsigned int *)EMIF_SDRAMCTL = 0x6B227000;//0x6B48F000; /* SDRAM control (128 Mb): 8M*16bit*4banks */
异步存储器
FLASH 存储器 非易失性存储器，读取速度快，但写入速度
慢，且写入之前需要整个扇区擦除，若需改 写某个字节的内容，需要将扇区其他内容暂 存到其他地方，待扇区擦除后再搬移回来。
SDRAM
读写速度快，容量大，成本低。但需要动态 刷新，读写控制时序复杂。目前有些处理器 如DSP等集成了专用SDRAM控制器接口，使 用亦很方便。
② 可编程式的ROM（PROM）， PROM允许用户一次性写入，再也不 可更改。
③ 可擦除式的ROM（EPROM） EPROM允许用户多次写入信息，写入操作由专用的写入设备完成。 写入之前应先擦除原来写入的信息。
一种擦除方式为紫外光擦除，用紫外光照射15分钟左右，这类 EPROM又叫UV EPROM。 另一种擦除方式为电擦除，即用特定的电信号对其进行擦除，可在线 操作，因此很方便。这类EPROM又叫E2PROM或EEPROM （Electrically Erasable Programmable ROM）。它的特点是写入时 电压要求较高（一般为20V~25V），写入速度较慢而不能像RAM那 样作随机存取存储器使用。
课外资料查阅：SDRAM原理（作业）
6.2 EMIF 概述
DSPs访问片外存储器时必须通过外部存储器接 （External Memory Interface，EMIF）。C6000 系列 DSPs 的 EMIF 具有很强的接口能力，不仅 具有很高的数据吞吐率（最高达 1 200 MB/s）， 而且可以与目前几乎所有类型的存储器直接接口。 存储器包括：
#define EMIF_GCTL 0x01800000 #define EMIF_CE1 0x01800004 #define EMIF_CE0 0x01800008 #define EMIF_CE2 0x01800010 #define EMIF_CE3 0x01800014 #define EMIF_SDRAMCTL 0x01800018 #define EMIF_SDRAMTIM 0x0180001C #define EMIF_SDRAMEXT 0x01800020 #define EMIF_CCFG 0x01840000 /*
Cache configuration register */
void user_EMIF_init(void)
{
*(unsigned int *)EMIF_GCTL = 0x000030f8;
*(unsigned int *)EMIF_CE0 = 0x2272c993; /* CE0 SDRAM 16-bit
pipeline 结构的同步突发静态 RAM（SBSRAM）
同步动态 RAM（SDRAM）
异步器件，包括 SRAM、ROM 和 FIFO 等
外部共享存储空间的设备
不同芯片的 EMIF 接口
6.3 接口信号与控制寄存器
Байду номын сангаас EMIF寄存器
6.3 EMIF 程序设计
第六章 TMS320C6000 EMIF 及其程序设计
6.1 基本存储器
异步存储器（SRAM、ROM） 同步动态存储器(SDRAM) 同步突发静态存储器（SBSRAM）
异步存储器
SRAM：读写速度快，掉电丢失，容量小。 ROM： ① 掩膜式ROM
用定作掩膜对存储器进行编程，一旦制造完毕，内容固定不能改变。
*/
*(unsigned int *)EMIF_CE1 = 0xFFFFFF03; /* CE1 Flash 8-bit //实际为16bit,按 8bit操作 */
*(unsigned int *)EMIF_CE2 = 0x2272c993; /* CE2 16-bit sdram */
*(unsigned int *)EMIF_CE3 = 0x2620C612; /* CE3 16-bit async */
*(unsigned int *)EMIF_SDRAMTIM = 0x00000350; /* SDRAM timing (refresh) 64ms,8192rows refresh, 7.8125us/row */
*(unsigned int *)EMIF_SDRAMEXT = 0x00018F5E;//0x0017DF3F; /* SDRAM Extension register */