mc9s12xs128内存映射和数据flash操作

解答
16位地址，寻址范围为0~65536，即64k MC9S12XS128的RAM为8K，P-FLASH为 128K，D-FLASH为8K。

*p=0x8000，访问的是P-FLASH
？
MC9S12XS128内存结构


MC9S12XS128使用global adress（全局地 址）对内存划分地址空间。全局地址共 23bit，寻址能力达到8M 使用全局地址划分的内存空间如下： 0x10_0000~0x10_1FFF:8K d-flash 0x7E_0000~0x7F_FFFF:128K p-flash 0x0F_E000~0x0F_FFFF:8K 非分页RAM 问题：CPU和BDM都是使用16bit local address（本地地址）我们在程序中定义的 指针变量默认都是near型，即16位地址， 如何解决？
D-flash状态寄存器
注意： 1. 开始新的FLASH命令之前必须等待上 一个命令结束，即需要查询CCIF标志。 2. 在启动flash命令之前，FSTAT寄存器中 的ACCERR和FPVIOL两个标志位必须 被清除，否则无法启动新的FLASH操 作。

完整的擦除操作
while(FSTAT_CCIF==0); if(FSTAT_ACCERR) //判断并清除标志位； FSTAT_ACCERR=1; if(FSTAT_FPVIOL) //判断并清除标志位； FSTAT_FPVIOL=1; FCCOBIX_CCOBIX=0x00; FCCOBHI=0x12; //高字节写入擦除命令 FCCOBLO=0x10； //低字节d-flash全局地址高8位，固定 为0x10 FCCOBIX_CCOBIX=0x01; FCCOB=ADDR16; //写入低16位的地址 FSTAT_CCIF=1; //启动执行命令 while(FSTAT_CCIF==0); //等待执行完成
D-flash擦除扇区操作
由于一个flash单元不能重复写入，写入之前需 要先擦除。 扇区（sector）是擦除操作的最小单位，一个 d-flash扇区大小为256个字节 擦除的命令字为0x12，并给出一个全局地址， flash控制器将擦除该地址所在的扇区中的所有 单元，擦除后所有bit都为1。
分页地址映射
MC9S12XS128使用分页地址映射的方法，在程序 中使用16位地址访问更大的存储空间。 访问RAM

访问D-FLASH 访问P-FLASH
◦ 使用地址0x2000 ~0x3FFF，访问8K RAM
◦ 使用地址0x0800 ~ 0x0BFF，访问1K D-FLASH(一个DFLASH页)
R
W Reset CCIF
0
1
0
0
0
0
0
0
0
D-flash状态寄存器




该寄存器主要用于查询flash操作的状态，也可启动新的flash操作，详细如下。 CCIF、ACCERR、FPVIOL可读也可写入，MGBUSY、MGSTAT只可读，不可写入 CCIF:命令结束中断标志位，用于指示flash命令结束。向该位写1可清0并启动一个flash命令。 在命令执行过程中该位一直保持为0直到命令结束或命令冲突。 1：flash命令执行完毕 0：flash命令正在执行过程中 ACCERR:flash访问错误标志。该位用于指示对flash存储器的非法访问，当该位置1时，CCIF 标志不可被清0并启动新的flash命令。向该位写1可清除该位，写0无效。 1：检测到访问错误 0：没有检测到访问错误 FPVIOL:flash保护冲突标志位。该位用于指示在flash命令序列执行过程中发生了对被保护的 p-flash或d-flash区域的写入或擦除操作。向该位写1可清除该位，写0无效。当该位被置1时， 不可启动新的命令或写入操作。 1：出现保护冲突错误 0：未出现保护冲突错误 MGBUSY:存储器控制器忙标志位。该位用于指示存储器控制器的状态。 1：存储器控制器正忙 0：存储器控制器空闲 RSVD:保留位，一直为0 MGSTAT[1:0]:存储器控制器命令完成状态标志。这两位用于指示在执行命令过程中或复位 时出现的错误。
设置命令字和相关参数
D-flash操作是通过FCCOB寄存器向存 储器控制器提供命令码和相关参数实现 的。用户首先需要初始化所需的 FCCOB寄存器。 FCCOB是一个6个16位的寄存器组，并 通过FCCOBIX寄存器指示当前操作的 FCCOB寄存器地址。

FCCOB寄存器格式
CCOBIX[2:0]索引值 000 字节 高8位 低8位 001 高8位 低8位 010 高8位 低8位 011 高8位 低8位 100 高8位 低8位 101 高8位 低8位 FCCOB 寄存器参数域 FCMD[7:0] 定义flash操作命令 0, Global address [22:16] 全局地址22-16位 Global address [15:8] 全局地址15-8位 Global address [7:0] 全局地址7-0位 Data 0 [15:8] Data 0 [7:0] Data 1 [15:8] Data 1 [7:0] Data 2 [15:8] Data 2 [7:0] Data 3 [15:8] Data 3 [7:0]

FCCOBIX_CCOBIX=0x00; FCCOBHI=0x12; //高字节写入擦除命令 FCCOBLO=0x10； //低字节d-flash全局地址高8位，固定 为0x10 FCCOBIX_CCOBIX=0x01; FCCOB=ADDR16; //写入低16位的地址
D-FALSH写入操作

◦ 使用地址0x8000 ~0xBFFF，访问16K P-FLASH(一个PFLASH页) 我们程序中的指针指向不同的地址范围，访问的内存空 间也不同。 问题？如何访问8k的d-flash空间和128k的p-flash空间

分页地址映射


MC9S12XS128的FLASH存储区是分页组织的 以D-FLASH为例，共分8个页面，每页1K大小， 地址如下： EEPROM_00 0x00_0800 TO 0x00_0BFF; EEPROM_01 0x01_0800 TO 0x01_0BFF; EEPROM_02 0x02_0800 TO 0x02_0BFF; EEPROM_03 0x03_0800 TO 0x03_0BFF; EEPROM_04 0x04_0800 TO 0x04_0BFF; EEPROM_05 0x05_0800 TO 0x05_0BFF; EEPROM_06 0x06_0800 TO 0x06_0BFF; EEPROM_07 0x07_0800 TO 0x07_0BFF;
设置flash模块时钟

初始化flash模块是必须设置fclk，且为1MHz，fclk是有晶振时钟分频 而来， Flash控制模块使用该时钟实现flash写入和擦除时的定时，通 过设置FCLKDIV寄存器完成。
7 6 5 4 3 2 1 0 FDIVLD FDIV[6:0] 0 0 0 0 0 0 0 0
MC9S12XS128内存映射和 数据flash操作
北京联合大学实训基地——潘峰 QQ:66797490
问题
内部地址总线宽度为16位，寻址范围有多 大？ MC9S12XS128的RAM,P-FLASH,D-FLASH各 有多大？ 在程序中给出如下定义 unsigned int *p； p=0x8000； data=*p； 这上面这段代码中，访问的是哪一块存储 区域？
RFDIV[6:0]可写入。 FDIVLD:时钟分频载入 1：从上一次复位开始，FCLKDIV寄存器已写入。 0：FCLKDIV寄存器还未写入。 当晶振频率为16M时，FDIV设置为0x0F。当晶振频率为其它值时，具体设置 参考数据手册。 *注意：1.在flash命令执行过程中，FDIV不可被写入 2.只有FDIVLD==1时，才可以进行flash操作
访问D-FLASH
当访问d-flash时，地址由页地址和页内偏移量组 成 页地址由EPAGE寄存器指定 页内偏移量范围0x0800~0x0BFF; 例如，读出第0页的第一个存储单元一个字的信 息，代码如下： unsigned int data； EPAGE=0x00； data=((unsigned int)(*(volatile unsigned int *__near)(0x0800)))
D-FALSH写入操作

也可以只写入一个字 FCCOBIX_CCOBIX=0x00; FCCOB=0x1110; //写入命令和高位 地址 FCCOBIX_CCOBIX=0x01; //地址后16位 FCCOB=ADDR16; //写入低16位地址 FCCOBIX_CCOBIX=0x02; //写入第一个 数据 FCCOB=data;
Flash状态寄存器和flash命令的启动
清除d-flash状态寄存器中的CCIF标志即可将 FCCOB寄存器中的flash操作命令和相关参数传递 给flash控制器并启动操作。 D-flash状态寄存器格式如下：

7 6 5 4 3 MGBUSY ACCERR FPVIOL 2 RSVD 1 MGSTAT 0

D-FLASH常见操作

D-FLASH是一种非易失性存储器（NVM） 用于保存掉电后不会丢失的数据 常用操作有读、擦除、写入，其中读操 作可直接通过指针读取，而擦除和写入 则需要通过flash控制器完成，具体步骤 如下： 1. 设置flash模块时钟 2. 设置命令字和相关参数 3. 将命令字和相关参数传递给flash控制 器，启动flash操作
写入的命令字为0x11，并给出一个全局地址和需要写入 的字，一次最多可写入4个字。 FCCOBIX_CCOBIX=0x00; FCCOB=0x1110; //写入命令和高位地址 FCCOBIX_CCOBIX=0x01; //地址后16位 FCCOB=ADDR16; //写入低16位地址 FCCOBIX_CCOBIX=0x02; //写入第一个数据 FCCOB=Buffer[0]; FCCOBIX_CCOBIX=0x03; //写入第二个数据 FCCOB=Buffer[1]; FCCOBIX_CCOBIX=0x04; //写入第三个数据 FCCOB=Buffer[2]; FCCOBIX_CCOBIX=0x05; //写入第四个数据 FCCOB=Buffer[3];