陶瓷介质电容器

第一类陶瓷介质电容器的温度性质
按照美国标准EIA-198-D，在用字母或数字表示的陶瓷电容器的温度性质有三部分：第一部分为（如字母
C）温度系数的有效数字；第二部分是有效数字的倍乘；第三部分为随温度变化的容差。

三部分字母与数
字所表达的意义如下表
第一类陶瓷介质电容温度特性（EIA-198-D）
温度系数α的有效数字倍乘随温度变化的容差
C=0.0 S=3.3 0=1 5=+1 G=±30
L=±500
M=1.0 T=4.7 1=-10 6=+10 H=±60
M=±1000
P=1.6 U=7.5 2=-100 7=+100 J=±120 N =±2500
R=2.2 3=-1000 8=+1000 K=±1250
（1）α的额定值和伴随值的限制误差用-20～+85℃间的电容变化来定义，（2）温度系数为0和
限制偏差为±30ppm/℃的电容字码为C0G（类别为1B）
例如C0G（NP0）=±30ppm/℃，C0H=±60ppm/℃，S2H=(3.3*100)±60ppm/℃第一类陶瓷介质电容器的容量几乎不随温度变化，以C0G为例，±30ppm/℃，实际上温度系数只有一半
，在-55℃到+125℃间，电容量变化为0.3%，其损耗因素在40℃到60℃时最小，绝缘电阻随温度上升而
下降，-40℃时为10000s（ohm*F），+125℃时为200s多一点，电容量基本不因频率变化而改变。

第二类陶瓷介质电容器的温度性质
按照美标EIA-198-D，第一部分为最低工作温度，第二部分有效数字为最高工作温度，第
三部分为随温度
变化的容差，三部分字母与数字表达意义如下表
第二类陶瓷介质电容温度特性
最低温度最高温度随温度变化的容值偏差
Z=-10℃4=+65℃ 7=+125℃ A=±1.0 D=±3.3 P=±10 T=+22%/-32%
Y=-30℃5=+85℃ 8=+15℃ B=±1.5 E=±4.7 R=±15 U=+22%/-56 %
X=-55 ℃ 6=+105℃ C=±2.2 F=±7.5 S=±22 V=+22%/-82%
例子X7R：-55 ℃，+125 ℃，±15%容差；Z5U：+10 ℃，+85 ℃，T=+22%/-32%容差；Y5V：-30 ℃，+85 ℃，
T=+22%/-56%容差
几种常见的陶瓷介质温度系数如下表
温度特性温度范围容量变化或温度系数工作温度范围类别
SL -55℃～+85℃+350～1000ppm/℃-55℃～+125℃ 1
C0G -55℃～+125℃ 0±30ppm/℃ -55℃～+125℃ 1
C0H -55℃～+125℃ 0±60ppm/℃ -55℃～+125℃ 1
P2H -55℃～+85℃-150±60ppm/℃-55℃～+125℃ 1
S2H -55℃～+85℃-220±60ppm/℃-55℃～+125℃ 1
T2H -55℃～+85℃ -470±60ppm/℃-55℃～+125℃ 1
U2J -55℃～+85℃ -750±60ppm/℃ -55℃～+125℃ 1
B -25℃～+85℃ ±10% -25℃～+85℃ 2
Z5U -10℃～+85℃ +22%/-56% -10℃～
+85℃ 2
Y5V -30℃～+85℃ +22%/-82% -30℃～+85℃ 2
R -55℃～+125℃±15% -55℃～+125℃ 2
X5R -55℃～+85℃ ±15% -25℃～+125℃ 2
X7R -55℃～+125℃ ±15% -55℃～+125℃ 2
Y5V瓷片电容
Z5V瓷片
C0G（NP0）瓷片
SL瓷片
Z5U
Y5P瓷片
由于NPO属零温度系数器件，因此它主要是和同样零温度系数的高稳定电感器配合使用，或者在无电感器的晶振、定时电路中使用。

一般的电感器通常具有正的温度系数，因此作谐振用的电感器应配用负温度系数的电容器。

晶体的温度系数较小，配谐电容器可以使用NPO。

无电感定时电路中的积分电容器用于产生各种波形，应当使用NPO。

各类仪器中的输入分压器的频率补偿电容器，应当使用NPO。