最新第1章 半导体器件习题及答案

第1章 半导体器件
一、是非题 (注:请在每小题后[ ]内用"√"表示对,用"×"表示错) 1、P 型半导体可通过在本半导体中掺入五价磷元素而获得。

（ ） 2、N 型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到。

（ ） 3、在N 型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P 型半导体。

（ ） 4、P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。

（ ）
5、N 型半导体的多数载流子是电子，所以它带负电。

（ ）
6、半导体中的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。

（ ）
7、半导体中的空穴的移动是借助于邻近价电子与空穴复合而移动的。

（ ）
8、施主杂质成为离子后是正离子。

（ ）
9、受主杂质成为离子后是负离子。

（ ）
10、PN 结中的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。

（ ） 11、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。

（ ）
12、由于PN 结交界面两边存在电位差，所以，当把PN 结两端短路时就有电流流过。

（ ） 13、PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（ ）
14、二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，还可以描述二极管的反向击穿特性。

（ ） 15、通常的BJT 管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。

（ ） 16、有人测得某晶体管的U BE =0.7V ，I B =20μA ，因此推算出r be =U BE /I B =0.7V/20μA=35kΩ。

（ ） 17、有人测得晶体管在U BE =0.6V ，I B =5μA ，因此认为在此工作点上的r be 大约为26mV/I B =5.2kΩ。

（ ）
18、有人测得当U BE =0.6V ，I B =10μA 。

考虑到当U BE =0V 时I B =0因此推算得到
0.60
60()100
BE be B U r k I ∆-=
==Ω∆- （ ）
二、选择题
(注:在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处,多选或不选按选错论) . 1、在绝对零度（0K ）时，本征半导体中_________ 载流子。

A. 有
B. 没有
C. 少数
D. 多数
2、在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_________。

A. 负离子
B. 空穴
C. 正离子
D. 电子-空穴对
3、半导体中的载流子为_________。

A.电子 B.空穴 C.正离子 D.电子和空穴
4、N型半导体中的多子是_________。

A.电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子
5、P型半导体中的多子是_________。

A.电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子
6、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有
很大关系。

A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 C. 晶体缺陷
7、当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。

当PN结外加反向电压
时，扩散电流漂移电流，耗尽层。

A.大于
B.小于
C.等于
D.变宽
E.变窄
F.不变
8、二极管正向电压从0.7V增大15%时，流过的电流增大_______。

（A1．15% B1．大于
15% C1．小于15%）当流过二极管的电流一定，而温度升高时，二极管的正向电压______。

（A2．增大B2．减小；C2．基本不变）
9、温度升高时，二极管的反向伏安特性曲线________。

（A1．上移B1．下移C1．不变）
说明此时反向电流________。

（A2．减小B2．增大C2．不变）.
10、在下图1.10所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。

若把电源电压调整到V=10V，则
电流的大小将是[ ] I=2mA B.I<2mA C.I>2mA D.不能确定
图1.10 图1.11 图1.13
11、图1.11所示电路中电源V=5V不变。

当温度为20O C时测得二极管的电压U D=0.7V。

当温
度上生到为40O C时,则U D的大小将是[ ]
A.仍等于0.7V
B.大于0.7V
C. 小于0.7V
D.不能确定
12、设图1.11电路中保持V=5V不变，当温度为20℃时测得二极管的电流I=2mA。

当温度上升
到40℃时，则I的大小将是。

A. I=2mA B. I<2mA C. I>2mA 13、图1.13中，二极管的正向压降可以忽略，反向饱和电流0.1 mA, 反向击穿电压为5V,击
穿后电压基本不随电流而变化，这时电路中的电流I等于[ ]
A. 0.1 mA
B. 2.5 mA
C. 5mA
D. 15 mA
14、二极管的主要特性是[ ]
A.放大特性
B.恒温特性
C.单向导电特性
D.恒流特性
15、在下图1.15所示电路中，D1～D3为理想二极管，A、B、C白炽灯泡功率都相同，其中最亮
的灯是_________。

A. b B. c C. a
16、二极管电路如下图1.16所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电
压V o为______。

(设二极管的导通压降0) A.5.6V B.-4.3V C.-5V D.6V
图1.15 图1.16 图1.17 图1.18
17、二极管电路如上图1.17所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电
压V o为______(设二极管的导通压降为0.7V) A.0V B.-0.7V C.-1.7V D.1V 18、二极管电路如上图1.18所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电
压V o为______。

(设二极管的导通压降为0.7V) A.-8.3V B.8V C.9V D.-9.3V
19、电路如下图1.19所示。

试估算A点的电位为_________。

（设二极管的正向压降为0.7V。

）
A. 6.7V
B. 6V
C. 5.7V
D. 6.7V
20、已知如下图1.20所示电路中V A＝0V，V B＝5V，分析二极管的工作状态后，可确定V o
的值为_____。

（设二极管的正向压降为0.7V。

）A.5V B.-4V C.4.3V D.0.7V
图1.19 图1.20 图1.21 (a) 图1.21 (b)
21、设硅稳压管D Z1和D Z2的稳定电压分别为5V和8V，正向压降均为0.7V，可求出图1.21(a)
中电路的输出电压V o为_______；可求出图1.21(b)中电路的输出电压V o为_______；可求出图1.21(c)中输出电压V o为_______；可求出图1.21(d)中输出电压V o为_______。

A.0.7V
B.1.4V
C.5V
D.7V
E.8V G..13V H.17V
F.11.6V
图1.21(c) 图1.21(d) 图1.22(a) 图1.22(b)
22、已知D Z1、D Z2的稳压值分别为6V和7V，且具有理想的稳压特性，可求得图1.22(a)路中，
输出电压为_________；可求得图1.22(b)中输出电压为_________。

A. 1V
B. 5V
C. 6V
D. 13V
E. 7V
23、二极管的双向限幅电路如右图所示。

设v i为幅值大于
直流电源V C1(=－V C2)值的正弦波，二极管为理想器件。

则可画出v o的波形为_________。

A. a)
B. b)
C. c)
D. d)
24、在同一测试电路中，分别测得A、B和C三个二极管电流如下表所示。

二极管的性能
最好的是_________。

A. a)
B. b)
C. c
管号加0.5V正向电压时的电流加反向电压时的电流
a) 0.5mA 1μA
b) 5mA 0.1μA
c) 2mA 5μA
25、一个硅二极管在正向电压U D=0.6V时，正向电流I D=10mA。

若U D增大到0.66V（即增加10%），
则电流I D。

A.约为11mA（也增加10%）； B.约为20mA（增大1倍）；
C.约为100mA（增大到原先的10倍）；
D.仍为10mA（基本不变）。

26、用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（指NPN型还是PNP型）与三
个电极时以测出最为方便。

A.中极间电阻
B.各极对地电位
C.各极电流
27、温度升高时，晶体管的电流放大系数β，反向饱和电流I CB O，正向结电压
U BE。

A.变大 B.变小 C.不变
28、温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性
曲线之间的间隔将。

A.上移
B.下移
C.左移
D.右移
E.增大
F.减小
G.不变
29、双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是。

A 发射结正偏，集电结正偏
B 发射结正偏，集电结反偏
C 发射结反偏，集电结反偏
D 发射结反偏，集电结正偏
30、在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如下1.30图所示，该晶体管的类型
是。

A.NPN型硅管 B.PNP型硅管 C.NPN型锗管 D.PNP型锗管
31、某三极管各个电极的对地电位如图1.37所示，可判断其工作状态是。

A.饱和
B.放大
C.已损坏
2V 6V
1.3V
图1.30 图1.31
32、三极管的穿透电流I CEO是集-基反向饱和电流的倍. A.a B.1+β C.β
33、三极管工作在饱和区时，b-e极间为，b-c极间为；工作在放大区时，b-e 极间为，b-c极间为。

A. 扩散电流 B. 漂移电流
34、某三极管的极限参数P CM=150mW，I CM=100mA，V（BR）CEO=30V。

若它的工作电压V CE=10V，则工作电流I C不得超过mA（A.100ma B. 15mA C. 1mA）；若工作电压V CE=1V，则工作电流不得超过mA（A.100mA B. 15mA C. 1mA）；若工作电流I C=1mA，则工作电压不得超过V（A. 30V B. 10V C. 1V）。

三、计算题
1.写出图3.1所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。

图3.1
2.已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。

求图
3.2所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

图3.2
3 电路如图3.3所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。

设二极管正向导通电压可忽略不计。

图3.3
4 电路如图3.4所示，已知u i＝5sinωt(V)，二极管导通电压U D＝0.7V。

试画出u i与u O的波形，并标出幅值。

图3.4
5 电路如图3.5（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D ＝0.7V。

试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。

图3.5
6现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为0.7V。

试问：（1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？
（2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？
7已知图3.7所示电路中稳压管的稳定电压U Z＝6V，最小稳定电流I Zmin＝5mA，最大稳定电流I Zmax＝25mA。

（1）分别计算U I为10V、15V、35V三种情况下输出电压U O的值；
（2）若U I＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？
图3.7
8已知稳压管的稳定电压U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA，最大功耗P ZM＝150mW。

试求图3.8所示电路中电阻R的取值范围。

图3.8
9.在图3.9所示电路中，发光二极管导通电压U D＝1.5V，
正向电流在5～15mA时才能正常工作。

试问：
（1）开关S在什么位置时发光二极管才能发光？
（2）R的取值范围是多少？
图3.9
10电路如图3.10（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压U Z＝3V，R的取值合适，u I的波形如图（c）所示。

试分别画出u O1和u O2的波形。

图3.10
11.有两只晶体管，一只的β＝200，I CEO＝200μA；另一只的β＝100，I CEO＝10μA，其它参数大致相同。

你认为应选用哪只管子？为什么？
12测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图3.12所示。

在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。

图3.12
13.已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图3.13所示。

分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。

图3.13
14电路如图3.14所示，晶体管导通时U BE＝0.7V，β=50。

试分析V BB为0V、1V、1.5V三种情况下T的工作状态及输出电压u O的值。

图3.14
15.电路如图3.15所示，试问β大于多少时晶体管饱和？
图3.15
16电路如图3.16所示，晶体管的β＝50，|U BE|＝0.2V，饱和管压降|U CES|＝0.1V；稳压管的稳定电压U Z＝5V，正向导通电压U D＝0.5V。

试问：当u I＝0V时u O＝？当u I＝－5V时u O＝？
图3.16 17 分别判断图3.17所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。

图3.17
第1章 半导体器件习题答案
一、判断题
1． × 2．× 3．√ 4．× 5．× 6．× 7．√ 8．√ 9．√ 10．× 11．√ 12．× 13．√ 14．× 15．× 16．× 17．√ 18．× 二、选择题
1． B 2．D 3．D 4．A 5．B 6．C A 7．A E B D 8．B 1B 2 9．B 1B 2 10．C 11．C 12. C 13. B 14. C 15. B 16. C 17. B 18. D 19. D 20. C 21．G B C A 22. A C 23. A 24. B 25. C 26. B 27. A A B 28. C A E 29. B 30．A 31. D 32. B 33. A A A B 34. B A A 三、计算题
1.U O1≈1.3V ，U O2＝0，U O3≈－1.3V ，U O4≈2V ，U O5≈1.3V ，U O6≈－2V 。

2.U O1＝6V ，U O2＝5V 。

3. u i 和u o 的波形如图T3.3
T3.3 T3.4 T3.5
4.波形如解图T3.4所示。

5.波形如图3.5所示
6.（1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。

（2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。

7.（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。

故V 33.3I L
L
O ≈⋅+=
U R R R U
当U I ＝15V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以
U O ＝U Z ＝6V 同理，当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝6V 。

（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。

8.稳压管的最大稳定电流：I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA
电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin , 所以其取值范围为：Ω=-=k 8.136.0Z Z I ～I U U R
9.（1）S 闭合。

（2）R 的范围为。

Ω=-=Ω≈-=700)(233)(Dmin
D max Dmax D min I U V R I U V R
10. 解：波形如解图T3.10所示
图T3.10 图T3.13
11.选用β＝100、I CBO ＝10μA 的管子，因其β适中、I CEO 较小，因而温度稳定性较好。

12解：晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如解表T3.12所示。

管号 T 1 T 2 T 3 T 4 T 5 T 6 上 e c e b c b 中 b b b e e e 下 c e c c b c 管型 PNP NPN NPN PNP PNP NPN 材料
Si
Si
Si
Ge
Ge
Ge
13.答案如解图T3.13所示。

14解：（1）当V BB ＝0时，T 截止，u O ＝12V 。

（2）当V BB ＝1V 时，因为 60b
BEQ
BB BQ =-=
R U V I μA
CQ BQ O CC CQ C mA V 39I I u V I R β===-= 所以T 处于放大状态。

（3）当V BB ＝3V 时，因为 160b
BEQ
BB BQ =-=R U V I μA
CQ BQ O CQ C BE mA
8CC I I u V I R U β===-＜ 所以T 处于饱和状态。

15解：取U CES ＝U BE ，若管子饱和，则 CC BE CC BE
b C b C
V U V U R R R R ββ--⋅
==
所以，100C
b
=≥
R R β时，管子饱和。

16 解：当u I ＝0时，晶体管截止，稳压管击穿，u O ＝－U Z ＝－5V 。

当u I ＝－5V 时，晶体管饱和，u O ＝0.1V 。

因为 I BE
B C B b
μA mA 48024u U I I I R β-=
===
CC C C CC EC V R I V U ＜-=
17解： （a ）可能 （b ）可能 （c ）不能
（d ）不能，T 的发射结会因电流过大而损坏。

（e ）可能 明茨博格认为处于低层次管理者所需要的能力主要是（B ）和（C ）。

A 、思维能力 B 、人际能力 C 、技术能力 D 、创新能力
明茨博格认为处于高层次管理者所需要的能力主要是（ A ）和（ B ）。

A 、思维能力 B 、人际能力 C 、技术能力 D 、创新能力 战略管理过程包括（ACD ）。

A 、战略分析
B 、战略演变
C 、战略选择与评价
D 、战略实施 战略管理系统的规范性通常与（ AC ）两个因素有非常大的关系。

A 、企业的规模
B 、产品所处的生命周期
C 、企业所处的发展阶段
D 、外部环境稳定与否 设计一个正规的战略管理系统包括（ABCD ）模式。

A 、自上而下的模式
B 、自下而上的模式
C 、上下结合的模式
D 、小组计划模式 企业的战略可划分为（ABC ）等三个层次。

A 、公司战略
B 、经营战略
C 、职能战略
D 、人力资源战略 明茨博格认为，中层管理者的有效性主要依赖的能力是（AB ）。

A 、思维能力 B 、人际能力 C 、技术能力 D 、创新能力 战略管理的构成包括（ABCDEF ）。

A、董事会
B、高层管理者
C、中层管理者
D、战略管理部门
E、智囊团
F、非正式组织的领导
以下哪几项会使供应商变得更有讨价还价能力的条件?（BD）
A、有令顾客满意的替代品供应。

B、供应商的产品已经给购买者制造了很高的转换成本。

C、对供应商来说，购买者是他的重要客户。

D、供应商具有前向整合的能力。

以下哪几项是对互联网的说明不正确？BCD
A、互联网为全球通信提供了快速、廉价的方法
B、提及互联网时经常被看作是“通信走廊”
C、互联网是一个全球性的网络，由超过20万个计算机网络组成
D、互联网具有战略内涵，不仅仅用于小公司
在对中国的商业条件进行分析后，Dell的管理层认定：AB
A、参与中国市场的竞争不具有不可接受的风险
B、中国市场的潜力简直是大得不容忽视
C、中国政府会对公司提出合理的要求
D、不平等将会阻碍在这个市场的成功
在以下哪个条件下，购买者群体没有很强的讨价还价能力？BC
A、当供应商出售的是日用品时
B、当存在很高的转换成本时
C、他们不是供应商产品的重要采购者
D、当他们有能力进行后向整合时
以下哪几项会加剧竞争对手之间的竞争？CD
A、行业成长缓慢
B、竞争对手实力相当
C、当固定成本占了公司总成本的大部分时
D、产品无差异化
竞争对手分析集中在：AC
A、那些与公司直接进行竞争的企业
B、那些生产替代产品的企业
C、行业中有影响的企业
D、那些可能进入该行业的公司
企业资源分析过程包括（BCDE）。

A、分析潜在资源
B、分析现有资源
C、分析资源利用情况
D、分析资源的应变力
E、进行资源的平衡分析
企业资源分析的关键是确定企业（AB）。

A、资源强势
B、资源弱势
C、竞争优势
D、竞争劣势
企业内部生产管理能力分析包括（ABCDE）。