TiO2纳米管阵列薄膜制备及生长机理的研究

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第２６卷第２期
２０年２月０１
无
机
化
学
学
报
Ｖ０．６Ｎｏ２１．２
２１２２７— ２
ＣＨＩＳＯＵＲＮＮＯＲＧＡＮＩＮＥＥＪＡＬＯＦＩＣＣＨＥＳＲＹＭＩＴ
ＴＯ２ｉ纳米管阵列薄膜制备及生长机理的研究
李洪义１王金淑－陈欣１周关玲１孙果宋黄科林郭秋宁２，，２，２
（北京３业大学材料科学与工程学院，型功能材料教育部重点实验室，京１０２）－新北０１４（广西化工研究院，南宁５００）３０１
摘要：论文采用阳极氧化的方法，Ｎ４ＮＰ混合水溶液中于室温下以金属钛为基体原位合成氧化钛纳米管阵本在ＨＨＦ＋ＨＨ２Ｏ的
ｖｌｅｏｈｒｈｌｇｎｃｏｔｕｔｒｆＴＯ，ｎｎｔｂｒａｈｎｆｍｓｗｅｅｄｓｕｓｄｉｈｓｓｕｙｈａｕｎｔｅｍｏｐｏｏｙａｄｍｉｒｓｒｃｕｅｏｉａｏｕｅａｒｙｔｉｌｒｉｃｓｅｎｔｉｔｄ．ＴｅｉｇｏｈｍｏｅｆｉａｏｕｅａｒｙｔｉｌｓｃｅｔｄＴｅｒｓｌｈｗｔａｅｏｔｒｏｔｇａｏｓｏｆｃｒｗｔｄｌＯ２ｎｔｂｒａｈｎｆｍｓｗａｒａｅ．ｈｅｕｔｓｏｔｈｕｅｌｅｈｓｌｔｆｆｔｏＴｎｉｓｈｔｖａｅｅｏｅｍｉｒｓｕｔｒｆｉａｏｕｅａａｈｎｆｍｓｔｅＴＯ２ａｏｕｅａａｉｌｏｌｅｆｒｄｏｌｉｎｔｃｏｔｃｕｅｏＯ２ｎｔｂｒｙｔｉｌ，ｈｉｎｔｂｒｙｔｎｆｍｓｃｕｄｂｍｅｎｙｗｔｈｒＴｎｉｎｈｉｏｈｔｅｏｔｒｏｔｇｆ～５Ｖ．ｎｅｒｉｍｅｅｆｉ，ａｏｕｅｉｈａｇｆ０１０ｎｉｃｅｓｄｗｉｈｕｅｈｕｅｌｅｏ３ａｄｔｉｄａｔｒＯｎｎｔｂｎｔｅｒｎｅｏ～ｍｒａｅｔｔｅｏｔｒｖａ３ｈｏＴ３６ｎｈｖｌｇ．ｈｈｃｎｓｆｈｎｆｍｓｗａｒａｌｆｃｅｙｔｅｐｖｌｅｏｅｅｅｔｏｙｅｓｌｔｎ．ｈｎｔｆｈｏｔｅＴｅｔｉｋｅｓｏｉｌｓｇｅｔａｆｔｄｂＨａｕｆｈｌｃｒｌｔｏｕｉｓＴｅｌｇｈｏｅａｔｉｙｅｈｔｏｅｔ
关键词：氧化钛纳米管；阳极氧化；生长机理二
中图分类号：６４４０１．１１
文献标识码：Ａ
文章编号：０１８１０００ —２７０１０ — ６（１）２０１—６４２
ＰｒｐｒｔｎｏｉｎｔｂｒｙＴｈｎＦｉｓａｄＴｅｒＧｒｗｔｅｈｎｓｅａａｉｆＴＯ２ｏＮａｏｕｅＡｒａｉｌｎｈｉｏｈＭｃａｉｍｍ
列薄膜。讨论了电解液成分、加电压、液的ｐ值对氧化钛纳米管阵列薄膜微观结构及形貌的影响，建立了阳极氧化钛纳外溶Ｈ并米管阵列薄膜的生长模型。氧化钛纳米管的结构与外加电压有很大的关系，只有电压在５３ — ５Ｖ范围内才能制备出二氧化钛纳米管阵列薄膜，管径随着电压的升高而增加，管径范围为３ — ６ｍ。薄膜的厚度与电解液有关，过控制电解液的成分其且０１０ｎ而通及ｐ值，Ｈ可获得厚度为６５ｔ的氧化钛纳米管阵列薄膜。．ｘｍ
Ｌｎ－ＷＡＮＧＪｎＳｕ，ＣＨＥＮＸｉＺＩＨｏｇＹｉｉ— ｈｎＨＯＵＭｅ— ｉｇＳｉＬｎＵＮｏＳｎＧｕ —ｏｇ。
ＨＡＮｅＬｎＧｉ— ｉｇＵＧＫ —ｉＵＯＱｕＮｎ
（ｅａｏａｒａｃｄＭａｒｌＳｈｏｏａｒｓｎｎｉｅｒｇＢｉｎｎｖｒｔｏｃｎｌｙＢｉｎ０１４ｙＬｂｒｔｙｏｄｎｅｔｉｓｃｏｌｆｍｔｉｄｅｇｎｅｉ，ｅｉｇＵｉｓｙｆＴｈｏｏ，ｅｉ１０２）ＫｏｆＡｖｅａ，ｅａａｌｎｊｅｉｅｇｊｇ
ｓｌｉｎｖａａｏｉｘｄｔｏｔｏｔｒｏｔｍｐｒｔｒ．ｏｕｔｏｉｎｄｃｏｉａｉｎｍｅｈｄａｏｍｅｅａｕｅＴｈｅｅｆｃｓｏｌｃｒｌｔｏｕｉｎｕｔｒｖｌａｅａｄｐｆｅｔｆｅｅｔｏｙｅｓｌｔｏ，ｏｅｏｔｇ，ｎＨ
（ｕｎｘｅｅｒｈＩｓｔｔｏｈｍｃｄｓｒＮｎｉ３０１ａｇｉｓａｃｎｔｕＣｅｉａＩｕｔ，ａｎｎ５００）ＧＲｉｅｆｌｎｙｇ
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