模拟电子技术课程习题 第一章 常用半导体器件

第一章 常用半导体器件
1.1 在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图1.1所示，该晶体管的类型是[ ]
A.
NPN 型硅管B.
PNP 型硅管 C.
NPN 型锗管 图D. PNP 型锗管 1.3V b
1.2 某三极管各个电极的对地电位如图1-2所示，可判断其工作状态是[ ]
A. 饱和
B. 放大
C. 截止 图1.2
D. 已损坏
1.3 在如图1.3所示电路中，当电源V=5V 时，测得I=1mA 。

若把电源电压调整到V=10V ，则电流的大小将是 [ ]
A.I=2mA
B.I<2mA
C.I>2mA
D.不能确定
图1.3
1.4 在如图1-7所示电路中电源V=5V 不变。

当温度为20O C 时测得二极管的电压
U D =0.7V 。

当温度上生到为40O C 时,则U D 的大小将是
[ ]
A.仍等于0.7V
B.大于0.7V
C. 小于0.7V
D.不能确定
图1.4
1.5 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 [ ]
A.温度
B.掺杂工艺
C.杂质浓度
D.晶体缺陷
1.6 对于同一个晶体管而言，反向电流最小的是 [ ]
A.I CBO
B.I CES
C.I CER
D.I CEO
1.7二极管的主要特性是 [ ]
A.放大特性
B.恒温特性
C.单向导电特性
D.恒流特性
1.8 温度升高时，晶体管的反向饱和电流I
CBO
将[ ]
A.增大
B.减少
C.不变
D.不能确定
1.9 下列选项中，不属三极管的参数是[ ]
A.电流放大系数β
B.最大整流电流I
F
C.集电极最大允许电流I
CM D.集电极最大允许耗散功率P
CM
1.10 温度升高时，三极管的β值将
A.增大
B.减少
C.不变
D.不能确定
1.11 在N型半导体中，多数载流子是[ ]
A. 电子
B. 空穴
C.离子
D. 杂质
1.12 下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ ]
A.正向电阻小反向电阻大
B. 正向电阻大反向电阻小
C.正向电阻反向电阻都小
D. 正向电阻反向电阻都大
1.13 在如图1.13所示电路中，设二极管的正向压降可以忽略不计，反向饱和
电流为0.1 mA, 反向击穿电压为25V且击穿后基本不随电流而变化，这时电路中的电流I等于[ ]
A. 0.1 mA
B. 2.5mA
C. 5mA
D. 15 mA
图 1.13
1.14 在P型半导体中，多数载流子是[ ]
A. 电子
B. 空穴
C.离子
D. 杂质
1.15 下列对场效应管的描述中，不正确的是[ ]
A 场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点；
B 场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET；
C 场效应管工作时多子、少子均参与导电；
D 场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。

1.16 在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的[ ]
A.可变电阻区
B.截止区
C.饱和区
D.击穿区
1.17 表征场效应管放大作用的重要参数是[ ]
A.电流放大系数β
B.跨导g
m =ΔI
D
/ΔU
GS
C.开启电压U
T D.直流输入电阻R
GS
1.18 下列选项中，不属场效应管直流参数的是[ ]
A.饱和漏极电流I
DSS B.低频跨导g
m
C.开启电压U
T D.夹断电压U
P
1.19 双极型晶体三极管工作时参与导电的是[ ]
A 多子
B 少子
C 多子和少子
D 多子或少子
1.20 双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是[ ]
A 发射结正偏，集电结正偏
B 发射结正偏，集电结反偏
C 发射结反偏，集电结反偏
D 发射结反偏，集电结正偏
1.21 选择括号中的答案填空（只填答案a、b、c、……）。

1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系，（a.温度，b.掺杂工艺，c.杂质浓度，d.晶体缺陷）
2、当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。

当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。

(a.大于，b.小于，c.等于，d.变宽，e.变宽f.不变)
3、温度升高时，晶体管的电流放大系数β，反向饱和电流I
CBO
，
正向结电压U
BE。

(a.变大，d.变小，c.不变)
4、温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。

(a.上移，b.下移，c.左移，d.右移，e.增大，f.减小，g.不变)
1.22 用大于号(>)、小于号(<)或等号(=)填空：
1、在本征半导体中，电子浓度空穴浓度；
2、在P型半导体中，电子浓度空穴浓度；
3、在N型半导体中，电子浓度空穴浓度。

1.23 判断下列说法是否正确，并在相应的括号内画√或×。

1、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。

（）
2、在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P型半导体。

（）
3、P型半导体带正电，N型半导体带负电。

（）
4、PN结构的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。

（）
5、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。

（）
6、由于PN 结交界面两边存在电位差，所以，当把PN 结两端短路时就有电
流流过。

（ ）
7、PN 结方程可以描述PN 结在的正向特性和反向特性，也可以描述PN 结的
反向击穿特性。

（ ）
8、通常的BJT 管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。

（ ）
9、通常的JFET 管在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。

（ ）
10、有人测得某晶体管的U BE =0.7V ，I B =20μA ，因此推算出r be =U BE /I B =0.7V/20
μA=35k Ω。

（ ）
11、有人测得晶体管在U BE =0.6V ，I B =5μA ，因此认为在此工作点上的r be 大
约为26mV/I B =5.2k Ω。

（ ）
12、有人测得当U BE =0.6V ，I B =10μA 。

考虑到当U BE =0V 时I B =0因此推算得到
0.6060()100BE be B U r k I ∆-===Ω∆- （ ）
1.24 选择正确的答案填空：
1、用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（指NPN 型
还是PNP 型）与三个电极时以测出 最为方便。

a.中极间电阻
b.各极对地电位
c.各极电流
2、一个硅二极管在正向电压U D =0.6V 时，正向电流I D =10mA 。

若U D 增大到
0.66V （即增加10%），则电流I D 。

a.约为11mA （也增加10%）；
b.约为20mA （增大1倍）；
c.约为100mA （增大到原先的10倍）；
d.仍为10mA （基本不变）。

3、设电路中保持V=5V 不变，当温度为20℃时测得二极管的电压U D =0.7V 。

当温度上升到40℃时，则U D 的大小将是 。

a. I =2mA
b. I <2mA
c. I >2mA
1.25 填空：
1、半导体中载流子的基本运动形式有： 和 。

2、二极管的最主要特性是 ，它的两个主要参数是反映正向特性的 和反映反向的特性的 。

3、在常温下，硅二极管的开启电压约 V，导通后在较大电流下的正向压降约 V；锗二极管的开启电压约 V，导通后在较大电流下的正向压降约 V。

4、场效应管从结构上分成和两大类型。

它们的导电过程仅仅取决于载流子。

5、场效应管属于控制型器件。

6、双极型晶体管从结构上看可以分成和两种类型，它们工作时有和两种载流子参于导电。

7、双极型晶体管从结构上看可以分成和两种类型，它们工作时有和两种载流子参与导电。

场效应管从结构上分成和两大类型，它们的导电过程仅仅取决于载流子的流动。

8、场效应管属于控制型器件，而晶体管若用简化的h参数等效电路来分析则可以认为是控制型器件。

9、晶体三极管用来放大时，应使发射结处于偏置，集电结处于偏置。

10、晶体管穿透电流I
CEO 是集-基反向饱和电流I
CBO
的倍。

在选用管子
时，一般希望I
CEO
尽量。

11、某晶体管的极限参数P
CM
=150mW，I CM=100mA，U(BR)CED=30V。

若它的工作电压U CE=10V，则工作电流I C不得超过 mA；若工作电压UCE=1V，则工作电流不得超过 mA；若工作电流I C=1mA，则工作电压不得超过 V。

12、已知某晶体管的f T=150MHz，
050
β=，则当其工作频率为50MHz时
||
β≈。

1.26 对于硅二极管：
1、在室温下，当反向电流达到其反向饱和电流I
s
的95%时，反向电压是多少？
2、计算偏压为+0.1V和-0.1V时，相应的正向电源和反向电流的比的绝对值。

3、设反向饱和电流为10mA，计算电压为0.6V时的电流，并说明此结果与实际不符的原因。

1.27 指出以下几种半导体器件中，哪些是普通硅二极管，哪些是普通锗二极管，哪些是硅稳压管：3AX22，2CZ11，3DG4。

2AP6，3DJ13，2CP10，3DO1，2CW11。

1.28 甲、乙、丙三个二极管的正、反向特性如表1.28所示，你认为哪一个二极管的性能最好？请在相应的括号内画√（只允许画一个）。

表1.28
栏中画√：
表1.29
I 1=-1.2mA ，I 2=-0.03mA ，I 3=1.23mA 。

由此可知：
1、电极①是 极，电级②是 极，电极③是 极。

2、此晶体管的电流放大系数 约为 。

3、此晶体管的类型是 型（PNP 或NPN ）。

1.31 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如下图所示
① ②
图1.30
（1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极；
（2）估算(b)图晶体管的β 和 α 值。

1.32判断各图 1.32中二极管导通状态，并标出o U 的值。

各二极管导通电压
=D U 0.7V 。

1. 33已知晶体管工作在放大区，并测得各电极对地电位如图1.33所示。

试在图中画出各晶体管的电路符号，并说明是锗管还是硅管。

1.34 写出晶体管在共基接法下的电流分配关系式ic=f(i E )：。

写出晶体管在共射接法下的电流分配关系
式ic=f(i B )： 。

1.35 NPN 型晶体管在什么情况下I B =-I c ？设电流正方向为流向电极。

1.36 下列四组晶体三极管的关系式分别代表三极管的什么特性曲线？
1、()|E EB CB i f u U = (共 极输 特性)；
2、()|C CB E i f u I = (共 极输 特性)；
3、()|B BE CE i f u U = (共 极输 特性)；
图1.32
图1.33
4、()|C CE B i f u I = (共 极输 特性)；
1.37 写出晶体三极管α与β之间的关系式。

1.38 扼要回答PN 结、双极型晶体管和场效应管的主要特性及其相对应的主要用
途。

1.39 计算：
1.已知晶体管的电流放大系数a =0.98，I c =1mA ，求I B 。

设忽略I CBO 。

2. 已知场效应管的IDSS=5mA ，U GS(off)=-4V ，求当U GS =-2V 时的g m 。

两个2CW15型稳压管，其稳定电压分别是8V 和7.5V ，正向压降为0.7V 。

如果把这两个稳压管串联，试问可能得到几种不同的稳压值（画出电路加以表示）？
1.41 电路如图1.41所示，若U I =10V ，R=100Ω，稳压管D Z 的稳定电压U Z =6V ，允
许电流的变动范围是Izmin=5mA, Izmax=30mA,求负载电阻R L 的可变范围。

图1.41
1.42 二极管电路如图1.42（a ）所示，设二极管为理想的。

（1） 试求电路的传输特性（v o ～v i 特性），画出v o ～v i 波形；
（2） 假定输入电压如图1.42（b ）所示，试画出相应的v o 波形。

1.43 稳压管稳压电路如图1.43所示。

已知稳压管稳压值为5伏，稳定电流范
图1.42
图1.43 围为10mA~50mA ， 限流电阻R=500Ω。

试求：
（1） 当?1,200=Ω==U K R V
U L i 时， （2） 当?100,200=Ω==U R V U L i 时，。