半导体量子点及其应用概述_李世国(精)
科技信息2011年第29期
SCIENCE&TECHNOLOGY INFORMATION
0引言
近年来半导体材料科学主要朝两个方向发展:一方面是不断探索扩展新的半导体材料,即所谓材料工程;另一方面是逐步从高维到低维深入研究己知半导体材料体系,这就是能带工程。半导体量子点就是通过改变其尺寸实现能级的改变,达到应用的目的,这就是半导体量子点能带工程。半导体量子点是由少量原子组成的准零维纳米量子结构,原子数目通常在几个到几百个之间,三个维度的尺寸都小于100纳米。载流子在量子点的三个维度上运动受尺寸效应限制,量子效应非常显著。在量子点中,由于量子限制效应作用,其载流子的能级类似原子有不连续的能级结构,所以量子点又叫人造原子。由于特殊能级结构,使得量子点表现出独特的物理性质,如量子尺寸效应、量子遂穿效应、库仑阻塞效应、表面量子效应、量子干涉效应、多体相关和非线性光学效应等,它对于基础物理研究和新型电子和光电器件都有很重要的意义,量子点材料生长和器件应用研究一直是科学界的热点之一[1]。
1量子点制备方法
目前对量子点的制备有很多方法,主要有外延技术生长法、溶胶-凝胶法(Sol-gel 和化学腐蚀法等,下面简单介绍这几种制备方法: 1.1外延技术法
外延技术法制备半导体量子点,主要是利用当前先进的分子束外延(MBE、金属有机物分子束外延(MOCVD和化学束外延(CBE等技术通过自组装生长机理,在特定的生长条件下,在晶格失配的半导体衬底上通过异质外延来实现半导体量子点的生长,在异质外延外延中,当外延材料的生长达到一定厚度后,为了释放外延材料晶格失配产生的应力能,外延材料就会形成半导体量子点,其大小跟材料的晶格失配度、外延过程中的条件控制有很大的关系,外延技术这是目前获得高质量半导体量子点比较普遍的方法,缺点是对半导体量子点的生长都是在高真空或超高真空下进行,使得材料生长成本非常高。1.2胶体法
胶体法是指金属的有机或无机物经过溶液、溶胶而固化形成量子点,在离心力作用下可以涂覆在衬底表面,经过退火处理而成为所需纳米团簇的方法。这种方法是要把胶体带有纳米孔状的模板中,经过高温退火处理后,模板会自动去除,而胶体颗粒也会在高温下形成晶体,颗粒的大小与模板孔尺寸、胶体浓度和退火温度等因素有关。这种制备量子点方法的优点是,方法简单,不需要复杂的仪器设备,成本较低,可以大面积制备纳米颗粒,缺点是不易形成高质量晶体颗粒和极易受到空气中的灰尘污染。
1.3化学腐蚀法
腐蚀法是利用化学液体对不同的半导体材料的腐蚀速率差异和晶体材料的各向异性,通过腐蚀光刻技术在晶体衬底留下的图形,从而达到纳米量级的量子点。该方法是通过腐蚀晶体衬底直接获得量子点材料,量子点表现出纯度高、性能优越,但是由于腐蚀的各向异性,量子点材料的尺寸非常不均匀[2]。
2量子点的应用
量子点在我们的日常生活中有着非常重要的作用,主要应用在量子光电器件、量子计算和量子生物医学等方面,下面我们将逐一进行简单的介绍:
2.1量子计算
在量子点中,通过加上很小的电压,利用库仑阻塞效应,可以很精确的控制电子流的数量,同时控制电子自旋的状态向上或者向下,进而控制数据的存贮或者计算,通过技术的不断发展,在不久的将来可以利用量子点实现量子计算或者实现量子计算机。
2.2光电器件
在量子点光电器件中,提供光增益的有源区介质是量子点,量子点由于特殊的尺寸限制表现出来的量子效应,使得他的态密度函数类似单个原子,是一个δ函数,使得量子点表现许多由于光学和电学特性。如以量子点为有源介质的量子点激光器,在
理论上计算发现,比量子阱、量子线和块体材料的激光器有更低的阈值电流密度、更高的量子线率、宽的增益、更高的微分增益和好的温度稳定特性。而且,量子点的禁带宽度除了跟材料本身的性质有关外,还跟量子点的大小有很大的关系。在固定的材料体系统,光电器件的发光波长还可以通过控制量子点的尺寸来控制。量子点尺寸越大,量子尺寸限制效应减弱,禁带宽度缩小,器件的发射波长红移。如在磷化铟衬底上生长的砷化铟量子点,通过调节砷化铟量子点的尺寸大小,可实现发光器件的波长在1.4微米到2微米之间调节,这样我们就可以根据实际需求选择量子点尺寸,从而达到需要的波长。虽然量子点光电器件有这么多优点,但在实际实际的应用中,受到量子点均匀性的影响,器件的很多性能远没有达到理论预计的值,与商用化的量子阱光电器件相比任然有很大的差距,然而通过制备技术和方法的不断改进,量子点在广电领域的前景是光明的[3]。
2.3量子生物医学
在生命科学领域,荧光图像技术是一种重要的手段,然而传统的有机染料非常容易淬灭,在实际应用中非常不方便,无法对标记物进行长期的跟踪和观察。而量子点的优点是发光波长可调,发光强度高和化学稳定性好,非常适合用在用于标记生物体的长期跟踪。在生物体中,可见光对生物的穿透能力较差,无法完成很多的病理检测,而半导体量子点发射的红外光则可穿透厘米级厚度的组织,因此可将某些在红外区发光的量子点标记到组织或细胞内的特异组分上,并用红外光激发,就可以通过成像检测的方法来研究组织内部的情况,达到诊断的目的[4]。
另外,量子点也可用于生物芯片研究。在生物芯片中,研究多个蛋白质就只能多次重复相同操作标记,非常不方便。而量子点的发光波长可以通过尺寸的改变来实现,这样我们就可用一系列不同大小、不同材料、光谱特性各自不同的量子点或量子点微粒标记各种蛋白质,更重要的是可以用同一波长的光激发,从而可以同时检测所有标记的蛋白质与芯片上的蛋白质之间的相互作用[5]。
2.4光伏电池
光伏电池中最重要的一个参数是光电转换效率,研究发现利用半导体硒化铅量子点作为有源材料,当吸收一个高能量可见光的光子,将产生7个左右的激子(相当于硒化铅量子点禁带宽度能量的7.8倍。而传统的光伏电池是,接收一个可见光的光子,将产生一个激子(电子-空隙对,所以利用硒化铅量子点将大大提高光伏电池的光电转换效率,这样将会大大降低光伏电池的生产成本[6]。
2.5保密量子通信
在保密量子通信中,是单个光子来传递信息,要实现高质量的信号传输,最重要的是要获得高质量的单光子源,目前实现单光源的方法是衰减的办法,就是通过光衰减的方法来获得单光子,现在的衰减技术无法获得真正意义上的单光子。而低密度半导体量子点,就可以实现这一要求,因为在一个单光子源中只有一个单量子点,当在单光子源上加泵浦是,一般只会发射单个光子,这样就能够达到保密量子通信的要求。(下转第454页
半导体量子点及其应用概述
李世国王新中范金坪夏林中张春晓杜军
(深圳信息职业技术学院广东深圳518029
【摘要】半导体量子点是由少量原子组成的准零维的纳米量子结构,表现出较其它维度的结构的半导体材料更优越的性能,被广泛应用于量子计算、量子生物医学、量子光伏器件、量子发光器件和量子探测器中,是现在前沿科学研究的热门课题之一。
【关键词】量子点;纳米结构;量子效应;量子点应用
○本刊重稿○
439
科技信息
SCIENCE &TECHNOLOGY INFORMATION
2011年第29期(上接第439页3
结束语
我们通过对半导体量子点的概念简单的描述了量子点的定义,并列举的半导体量子点的制备方法及每一种方法的优缺点,同时描述了半导体量子点在日常生活中的主要应用的几个方面。【参考文献】
[1]王占国,陈涌海,叶小玲,等.纳米半导体技术.化学工业出版社.
[2]M.T.Todaro,et al.Low -density self -assembled QDs grown directly in a GaAs
matrix for quantum -communication applications at 1300nm
wavelength.Microelecron.Eng.,2004,73:757.
[3]M.S Skolnick, D.J Mowbray .Recent developments in the physics and applications of self -assembled quantum dots .Physica E:Low -dimensional Systems and Nanostructures ,2004,21:155-163.
[4]候巍,单亚明,王丽萍.量子点技术在生物医学领域的应用进展.2004,8:436-
438.
[5]谭艳芝.量子点的应用及研究进展.纳米材料与应用,2007,8:22-26.
[6]Robert F.Service .Shortfalls in Electron Production Dim Hopes for MEG Solar Cells .Science,2008,322:1784.
作者简介:李世国(1978.04—,博士,深圳信息职业技术学院,讲师,主要从事半导体低维光电材料与器件方面的研究。
※基金项目:感谢深圳信息职业技术学院项目对本论文资助(项目编号
YB201006。
[责任编辑:王爽]
●
科
●
人的全面发展,既教育人、引导人、鼓舞人,又尊重人、理解人、关心人。“人文关怀就是在核心价值观教育中关注大学生的感受和多方面的需要,创造条件去满足大学生多方面的合理需求,引导大学生在社会价值和个人价值统一实现的过程中去获得幸福的感受”。[3]心理疏导就是要关注社会生活的急剧变化,工作和生活节奏的加快,竞争日趋激烈,就业压力加大而带来的心理不适和心理疾患,“引导大学生用和谐理念想问题,办事情,培养大学生豁达、乐观、宽容的精神,培养自尊自信、理性平和、积极向上的良好心态”。[4]人文关怀和心理疏导相结合的原则,体现了价值观教育的人性化要求,有利于增强价值观教育的人情味和说服力,从而提高大学生价值观教育的效益。
2.3教育理念不断创新原则。教育理念创新是大学生核心价值观教育的灵魂,是有效开展大学生核心价值观教育的原动力。传统的教育理念僵化地对待不断变化的形势,忽视了大学生的主体性和能动性,忽略了在价值观形成过程中个体的认知、判断、情感、理解和选择的重要作用,忽视了大学生的年龄特征、心理状况、远离生活,往往不能引起学生的共鸣,导致大学生价值判断和选择能力的弱化。因此,高校价值观教育必须与时俱进,顺应时代发展的要求,不断更新教育理念和方法,努力提高价值观教育的时代性、时效性和针对性。
2.4实践性原则。实践性原则是大学生核心价值观教育的根本原则,它主要建立在价值观教育的客观性、现实性、效用性的基础之上。其客观性主要强调价值观教育的真实性,也就是说价值观教育必须从人出发,不能脱离人的存在、人的需要、人
的本性;其现实性主要强调价值观教育的时代性,即主导价值观理论具有实践性品格,必须随时代的发展而发展,不能脱离时代、脱离社会;其效用性主要体现在价值观教育的功能性上,价值观教育必须以自身的教育效果为目的,而不是脱离教育对象的空洞说教。对此,大学生核心价值观教育必须以现实社会的实践为出发点,秉持“三贴近”原则,努力在价值观教育的针对性、实效性、吸引力、感染力上下功夫,这是实现价值观教育“实践性原则”的根本所在。同时,实践性原则指出大学生的创造性思维、价值观的最终生成源于实践,也只有在实践中得到验证和内化。
3理清思路:大学生核心价值观教育方法的创新
面对当前大学生核心价值观教育的诸多挑战,大学生核心价值观教育方法如何创新?目前,各高校在大学生核心价值观的教育方式、方法上有许多创新的做法,本文只是从当前特别需要加强、完善方法的角度谈几点看法。
3.1显形教育与隐性教育相结合的方法。显形教育是传统的教育方法,这种强制灌输性的教育方法只重视教育者的目标要求和强调内容的唯一正确性,而忽视受教育者的主体地位,不但难以调动受教育者的主动性、积极性,反而容易使受教育者产生抵触情绪,很难达到应有的教育效果。“隐性教育是指教育者隐藏教育的主题和目的,淡化受教育者的角色意识,按预定的教育计划将教育内容渗透到教育对象所处的环境、文化、娱乐、服务和管理等日常生活的氛围中,引导受教育者去感受和体会,迁移默化地接受组织者所设定的教育内容”。[5]在多元文化背景下,我们提倡在坚持显性教育的同时,通过隐性教育来弥补显性教育的不足和缺陷,实现两者的有机结合。一方面可以发挥各自的不同功能和优势,可以使价值观教育做到优势互补、功能互补、相互
促进;“另一方面能够加强隐性教育和显性教育两者之间的沟通和协调,实现大学生核心价值观教育效果的最大化和最优化”。[6]
3.2理论教育与实践教育相结合的方法。实践出真知,实践也检验并形成价值。用社会主义核心价值体系教育大学生,核心和关键之点就在于要引导大学生在认同的基础上践行核心价值体系,将之外化为自觉行动和行为习惯,内化为思想品格和意
志信念的内在组成部分。大学生核心价值观的确立仅仅通过理论教育是难以完成的,必须注重大学生价值观教育的实践性。坚持理论教育与实践教育相结合,才能避免理论教育的抽象化、概念化,以增强教育的吸引力和感染力。社会实践对于促进大学生了解社会、了解国情、奉献社会、锻炼毅力、开阔视野、培养品格、增强社会责任感等具有不可替代的作用。在参加社会实践的过程中,使他们亲身体验改革开放和社会主义现代化建设的伟大成就,增强对社会主义核心价值体系思想内涵、应用价值和现实意义的理解,增强对党的信心和坚定走中国特色社会主义道路的信念,激发大学生的爱国热情。在实践中体验、认同、接受社会主义核心价值观教育的意义和作用,逐渐将社会主义核心价值体系的思想体系内化为大学生的价值取向。
3.3双向交流与思想互感相结合的方法。传统的价值观教育中的简单说教、单一硬性的理论灌输模式普遍存在,突出地表现为重教育者主体,轻受教育者主体;重价值观教育的社会价值,轻价值观教育的个体价值;重为政治服务的工具价值,轻完善人格和全面发展的目的价值等。受教育者往往被按照统一的规格机械地培养成缺乏个性和创造力的“标准件”。在文化多元背景下的大学生价值观教育,教育者与教育对象之间应是一个思想上双向互动、情感上互相交流、心灵上互相沟通、互为主客体的辩证统一关系。因此,价值观教育必须运用主客体双向交流、思想互感的教育方法激发教育对象的内在主动性、积极性,使理论教育建立在心理相容和情感共鸣的基础之上,做到理中蕴情、情中抒理,情理交融,使核心价值观教育具有强烈的感召力,以取得大学生核心价值观教育的最佳效果。【参考文献】
[1]石中英,王卫东.价值观教育[M].北京:教育科学出版社,2007:13-15.
[2]胡锦涛.高举中国特色社会主义伟大旗帜,为夺取全面建设小康社会新胜利而奋斗[N].人民日报,2007-10-25.
[3][4]朱俊林.大学生人生观教育方法创新的思考[J].思想政治教育,2011(1:
49-50.
[5][6]余国林.发达国家高校隐性思想政治教育的启示[J].思想政治教
育,2011(1:89-91.
作者简介:李文信,男,汉族,宁夏大学农学院,副教授,主要从事党建和思想政治教育研究。
※本文系2009年度宁夏哲学社会科学规划项目(课题号09NXBKSO1“少数民族地区社会主义核心价值体系建设研究”部分研究成果。
[责任编辑:王静]
科
●
○本刊重稿○454
CdSe量子点的电荷存储
Organic bistable devices based on core/shell CdSe/ZnS nanoparticles embedded in a conducting poly …N -vinylcarbazole …polymer layer Fushan Li,Dong-Ik Son,Seung-Mi Seo,Han-Moe Cha,Hyuk-Ju Kim,Bong-Jun Kim,Jae Hun Jung,and Tae Whan Kim a ? Advanced Semiconductor Research Center,Division of Electronics and Computer Engineering,Hanyang University,17Haengdang-dong,Seongdong-gu,Seoul 133-791,Korea ?Received 16July 2007;accepted 16August 2007;published online 21September 2007?Current-voltage measurements on the Al/?CdSe/ZnS nanoparticles embedded in a hole-transporting poly ?N -vinylcarbazole ??PVK ?layer ?/indium tin oxide ?ITO ?/glass structures at 300K showed a nonvolatile electrical bistability behavior.Capacitance-voltage ?C -V ?measurements on the Al/?CdSe/ZnS nanoparticles embedded in a PVK layer ?/ITO/glass structures at 300K showed a metal-insulator-semiconductor behavior with a ?atband voltage shift due to the existence of the CdSe/ZnS nanoparticles,indicative of trapping,storing,and emission of charges in the electronic states of the CdSe nanoparticles.Operating mechanisms for the Al/?CdSe/ZnS nanoparticles embedded in the PVK layer ?/ITO/glass devices are described on the basis of the C -V results.?2007American Institute of Physics .?DOI:10.1063/1.2783189? Organic structures containing inorganic nanoparticles have been particularly attractive due to interest in their prom-ising applications in electronic and optoelectronic devices 1–7because of their unique advantages of low-power consump-tion,high mechanical ?exibility,and chemical structural ver-satility.Such hybrid organic/inorganic devices are also excel-lent candidates for potential applications in next-generation transistor and memory devices.8,9Potential applications of memory devices utilizing nanoparticles embedded in organic layers have driven extensive effort to form various kinds of nanoparticles.10,11Even though some studies concerning the formation of metal nanoparticles embedded in an organic layer for applications such as nonvolatile organic bistable devices ?OBDs ?have been conducted,almost all of the devices were fabricated by using strin-gent high-vacuum evaporation method.12–14The memory effects of core/shell-type cadmium selenium ?CdSe ?nano-particles embedded in a conducting poly ?2-methoxy-5-?2-ethylhexyloxy ?-1,4-phenylene-vinylene ??MEH-PPV ?poly-mer fabricated by using a simple spin-coating technique were reported.15Because the narrow band gap of MEH-PPV leads to a low charge capturing ef?ciency,resulting in the realization of memory effect at a high bias voltage of 10V,a hole transport poly ?N -vinylcarbazole ??PVK ?matrix can be introduced here to obtain the memory effects in CdSe/PVK nanocomposites under an applied bias voltage as small as 2V.Furthermore,studies on the memory effects and their operating mechanisms for OBDs made of semiconductor nanoparticles embedded in a conducting polymer are very important for improving the ef?ciencies of nonvolatile ?ash memories. This letter reports data for the bistability and the operat-ing mechanisms of the memory effects of OBDs fabricated utilizing CdSe semiconductor nanoparticles embedded in a PVK polymer layer.Core/shell-type CdSe nanoparticles have become particularly attractive because of their promising ap-plications in next-generation nonvolatile ?ash memory de-vices with low-power and ultrahigh-density elements.16,17Current-voltage ?I -V ?measurements were carried out to in-vestigate the electrical bistable properties of the fabricated OBDs containing CdSe/ZnS nanoparticles embedded in the PVK layer.Capacitance-voltage ?C -V ?measurements were carried out to investigate the possibility of fabricating memory effects involving the CdSe/ZnS nanoparticles em-bedded in the PVK layer.Furthermore,the dependence of the memory effects on the thickness of the PVK layer containing CdSe/ZnS nanoparticles was also investigated. The CdSe/ZnS nanoparticles with a diameter of about 6nm were purchased commercially,and a schematic dia-gram of the core/shell-type CdSe/ZnS nanoparticles is shown in Fig.1?a ?.The device with a structure shown in Fig.1?b ?was fabricated through the following process:At ?rst,the indium tin oxide ?ITO ?coated glass acting as a hole-injection layer in the OBDs was alternately cleaned with a chemical cleaning procedure by using trichloroehylene,ac-etone,and methanol solutions.Then,the PVK layer contain-ing the CdSe/ZnS nanoparticles was formed by spin coating a chloroform solution of 1.3%by weight PVK and 0.5%by weight CdSe/ZnS nanoparticles.Finally,a top Al electrode layer with a thickness of about 800nm was deposited by thermal evaporation.The I -V and C -V measurements were performed by using an HP 4284precision LCR meter at room temperature. Figure 2shows I -V curves for the Al/?CdSe/ZnS nano-particles embedded in the PVK layer ?/ITO/glass OBD struc- a ? Author to whom correspondence should be addressed;electronic mail: twk@hanyang.ac.kr FIG.1.Schematic diagrams of the CdSe/ZnS nanoparticles and the fabri-cated device studied in this study. APPLIED PHYSICS LETTERS 91,122111?2007? 0003-6951/2007/91?12?/122111/3/$23.00?2007American Institute of Physics 91,122111-1Downloaded 22 Oct 2007 to 166.104.58.178. Redistribution subject to AIP license or copyright, see https://www.360docs.net/doc/e514304155.html,/apl/copyright.jsp
半导体集成电路课程教学大纲(精)
《半导体集成电路》课程教学大纲 （包括《集成电路制造基础》和《集成电路原理及设计》两门课程） 集成电路制造基础课程教学大纲 课程名称：集成电路制造基础 英文名称：The Foundation of Intergrate Circuit Fabrication 课程类别：专业必修课 总学时：32 学分：2 适应对象：电子科学与技术本科学生 一、课程性质、目的与任务： 本课程为高等学校电子科学与技术专业本科生必修的一门工程技术专业课。半导体科学是一门近几十年迅猛发展起来的重要新兴学科，是计算机、雷达、通讯、电子技术、自动化技术等信息科学的基础，而半导体工艺主要讨论集成电路的制造、加工技术以及制造中涉及的原材料的制备，是现今超大规模集成电路得以实现的技术基础，与现代信息科学有着密切的联系。本课程的目的和任务：通过半导体工艺的学习，使学生掌握半导体集成电路制造技术的基本理论、基本知识、基本方法和技能，对半导体器件和半导体集成电路制造工艺及原理有一个较为完整和系统的概念，了解集成电路制造相关领域的新技术、新设备、新工艺，使学生具有一定工艺分析和设计以及解决工艺问题和提高产品质量的能力。并为后续相关课程奠定必要的理论基础，为学生今后从事半导体集成电路的生产、制造和设计打下坚实基础。 二、教学基本要求： 1、掌握硅的晶体结构特点，了解缺陷和非掺杂杂质的概念及对衬底材料的影响；了解晶体生长技术（直拉法、区熔法），在芯片加工环节中，对环境、水、气体、试剂等方面的要求；掌握硅圆片制备及规格，晶体缺陷，晶体定向、晶体研磨、抛光的概念、原理和方法及控制技术。 2、掌握SiO2结构及性质，硅的热氧化，影响氧化速率的因素，氧化缺陷，掩蔽扩散所需最小SiO2层厚度的估算；了解SiO2薄膜厚度的测量方法。 3、掌握杂质扩散机理，扩散系数和扩散方程，扩散杂质分布；了解常用扩散工艺及系统设备。 4、掌握离子注入原理、特点及应用；了解离子注入系统组成，浓度分布，注入损伤和退火。 5、掌握溅射、蒸发原理，了解系统组成，形貌及台阶覆盖问题的解决。 6、掌握硅化学汽相淀积（CVD）基本化学过程及动力学原理，了解各种不同材料、不同模式CVD方法系统原理及构造。 7、掌握外延生长的基本原理；理解外延缺陷的生成与控制方法；了解硅外延发展现状及外延参数控制技术。 8、掌握光刻工艺的原理、方法和流程，掩膜版的制造以及刻蚀技术（干法、湿法）的原理、特点，光刻技术分类；了解光刻缺陷控制和检测以及光刻工艺技术的最新动态。 9、掌握金属化原理及工艺技术方法；理解ULSI的多层布线技术对金属性能的基本要求，用Cu布线代替A1的优点、必要性；了解铝、铜、低k材料的应用。 10、掌握双极、CMOS工艺步骤；了解集成电路的隔离工艺，集成电路制造过程中质量管理基础知识、统计技术应用和生产的过程控制技术。 三、课程内容： 1、介绍超大规模集成电路制造技术的历史、发展现状、发展趋势；硅的晶体结构特点；微电子加工环境要求、单晶硅的生长技术（直拉法、区熔法）和衬底制备（硅圆片制备及规格，
量子点的制备及应用进展
龙源期刊网 https://www.360docs.net/doc/e514304155.html, 量子点的制备及应用进展 作者：于潇张雪萍王才富倪柳松等 来源：《科技视界》2013年第29期 【摘要】本文分别从量子点的概念、特性、制备方法、表面修饰等方面对量子点进行了 描述及讨论，在此基础上，对量子点在生物传感器方面的应用进行了，最后分析了量子点生物传感器的存在的问题，对其未来发展趋势进行了展望。 【关键词】量子点；光学；生物传感器 量子点主要是由Ⅱ-Ⅵ族和Ⅲ-Ⅴ族元素组成的均一或核壳结构纳米颗粒，又称半导体纳米晶体。由于发生结构和性质发生宏观到微观的转变，其拥有独特的光、电、声、磁、催化效应，因此成为一类比较特殊的纳米材料。国内外关于量子点传感器的研究非常广泛，例如在生命科学领域，可以用于基于荧光共振能量转移原理的荧光探针检测，可以用于荧光成像，生物芯片等；在半导体器件领域，量子点可以用于激光器，发光二极管、LED等。本文对量子点 的制备方法和应用领域及前景进行了初步讨论。 1 量子点的基本特性及其制备方法 1.1 量子点的特性及优势 量子点的基本特性有：量子尺寸效应、表面效应、量子限域效应、宏观量子隧道效应，除此之外，量子点具有一些独特的光学效应，这使得量子点较传统的荧光染料用来标记生物探针具有以下优势： （1）量子点具有宽的激发光谱范围，可以用波长短于发射光的光激发，产生窄而对称的发射光谱，避免了相邻探测通道之间的干扰。 （2）量子点可以“调色”，即通过调节同一组分粒径的大小或改变量子点的组成，使其荧光发射波长覆盖整个可见光区。尺寸越小，发射光的波长越小。 （3）量子点的稳定性好，抗漂白能力强，荧光强度强，具有较高的发光效率。半导体量子点的表面上包覆一层其他的无机材料，可以对核心进行保护和提高发光效率，从而进一步提高光稳定性。正是由于量子点具有以上特性使其在生物识别及检测中具有潜在的应用前景，有望成为一类新型的生化探针和传感器的能量供体，因此备受关注。 1.2 量子点的制备方法 根据原料的不同分为无机合成路线和金属-有机物合成路线，两种合成方法各有利弊。
半导体集成电路习题及答案
第1章 集成电路的基本制造工艺 1.6 一般TTL 集成电路与集成运算放大器电路在选择外延层电阻率上有何区别?为什么? 答：集成运算放大器电路的外延层电阻率比一般TTL 集成电路的外延层电阻率高。 第2章 集成电路中的晶体管及其寄生效应 复 习 思 考 题 2.2 利用截锥体电阻公式，计算TTL “与非”门输出管的CS r 2.2 所示。 提示：先求截锥体的高度 up BL epi mc jc epi T x x T T -----= 然后利用公式： b a a b WL T r c -? = /ln 1ρ ， 2 1 2?? =--BL C E BL S C W L R r b a a b WL T r c -? = /ln 3ρ 321C C C CS r r r r ++= 注意：在计算W 、L 时, 应考虑横向扩散。 2.3 伴随一个横向PNP 器件产生两个寄生的PNP 晶体管，试问当横向PNP 器件在4种可能 的偏置情况下，哪一种偏置会使得寄生晶体管的影响最大? 答：当横向PNP 管处于饱和状态时，会使得寄生晶体管的影响最大。 2.8 试设计一个单基极、单发射极和单集电极的输出晶体管，要求其在20mA 的电流负载下 ，OL V ≤0.4V ，请在坐标纸上放大500倍画出其版图。给出设计条件如下： 答： 解题思路 ⑴由0I 、α求有效发射区周长Eeff L ； ⑵由设计条件画图 ①先画发射区引线孔； ②由孔四边各距A D 画出发射区扩散孔； ③由A D 先画出基区扩散孔的三边； ④由B E D -画出基区引线孔； ⑤由A D 画出基区扩散孔的另一边；
⑥由A D 先画出外延岛的三边； ⑦由C B D -画出集电极接触孔； ⑧由A D 画出外延岛的另一边； ⑨由I d 画出隔离槽的四周； ⑩验证所画晶体管的CS r 是否满足V V OL 4.0≤的条件，若不满足，则要对所作 的图进行修正，直至满足V V OL 4.0≤的条件。（CS C OL r I V V 00 ES += 及己知 V V C 05.00ES =） 第3章 集成电路中的无源元件 复 习 思 考 题 3.3 设计一个4k Ω的基区扩散电阻及其版图。 试求： (1) 可取的电阻最小线宽min R W =?你取多少? 答：12μm (2) 粗估一下电阻长度，根据隔离框面积该电阻至少要几个弯头? 答：一个弯头 第4章 晶体管 (TTL)电路 复 习 思 考 题 4.4 某个TTL 与非门的输出低电平测试结果为 OL V =1V 。试问这个器件合格吗?上 机使用时有什么问题? 答：不合格。 4.5 试分析图题4.5所示STTL 电路在导通态和截止态时各节点的电压和电流，假定各管的 β=20, BEF V 和一般NPN 管相同， BCF V =0.55V , CES V =0.4～0.5V , 1 CES V =0.1～0.2V 。 答：（1）导通态（输出为低电平） V V B 1.21= ， V V B 55.12= ，V V B 2.13= ，V V B 5.04= ，V V B 8.05= ，
半导体材料课程教学大纲
半导体材料课程教学大纲 一、课程说明 （一）课程名称：半导体材料 所属专业：微电子科学与工程 课程性质：专业限选 学分： 3 （二）课程简介：本课程重点介绍第一代和第二代半导体材料硅、锗、砷化镓等的制备基本原理、制备工艺和材料特性，介绍第三代半导体材料氮化镓、碳化硅及其他半导体材料的性质及制备方法。 目标与任务：使学生掌握主要半导体材料的性质以及制备方法，了解半导体材料最新发展情况、为将来从事半导体材料科学、半导体器件制备等打下基础。 （三）先修课程要求：《固体物理学》、《半导体物理学》、《热力学统计物理》； 本课程中介绍半导体材料性质方面需要《固体物理学》、《半导体物理学》中晶体结构、能带理论等章节作为基础。同时介绍材料生长方面知识时需要《热力学统计物理》中关于自由能等方面的知识。 （四）教材：杨树人《半导体材料》 主要参考书：褚君浩、张玉龙《半导体材料技术》 陆大成《金属有机化合物气相外延基础及应用》 二、课程内容与安排 第一章半导体材料概述 第一节半导体材料发展历程 第二节半导体材料分类 第三节半导体材料制备方法综述 第二章硅和锗的制备 第一节硅和锗的物理化学性质 第二节高纯硅的制备 第三节锗的富集与提纯
第三章区熔提纯 第一节分凝现象与分凝系数 第二节区熔原理 第三节锗的区熔提纯 第四章晶体生长 第一节晶体生长理论基础 第二节熔体的晶体生长 第三节硅、锗单晶生长 第五章硅、锗晶体中的杂质和缺陷 第一节硅、锗晶体中杂质的性质 第二节硅、锗晶体的掺杂 第三节硅、锗单晶的位错 第四节硅单晶中的微缺陷 第六章硅外延生长 第一节硅的气相外延生长 第二节硅外延生长的缺陷及电阻率控制 第三节硅的异质外延 第七章化合物半导体的外延生长 第一节气相外延生长（VPE） 第二节金属有机物化学气相外延生长（MOCVD） 第三节分子束外延生长（MBE） 第四节其他外延生长技术 第八章化合物半导体材料（一）：第二代半导体材料 第一节 GaAs、InP等III-V族化合物半导体材料的特性第二节 GaAs单晶的制备及应用 第三节 GaAs单晶中杂质控制及掺杂 第四节 InP、GaP等的制备及应用 第九章化合物半导体材料（二）：第三代半导体材料 第一节氮化物半导体材料特性及应用 第二节氮化物半导体材料的外延生长 第三节碳化硅材料的特性及应用 第十章其他半导体材料
半导体量子点发光
. 半导体量子点发光 一、半导体量子点的定义 当半导体的三维尺寸都小于或接近其相应物质体相材料激子的玻尔半径（约5.3nm）时，称为半导体量子点。 二、半导体量子点的原理 在光照下，半导体中的电子吸收一定能量的光子而被激发，处于激发态的电子向较低能 级跃迁，以光福射的形式释放出能量。大多数情况下，半导体的光学跃迁发生在带边，也就是说光学跃迁通常发生在价带顶和导带底附近。半导体的能带结构可以用图的简化模型来表 示。如图所示，直接带隙是指价带顶的能量位置和导带底的能量位置同处于一个K 空间，间接带隙是指价带顶位置与导带底位置的K 空间位置不同。电子从高能级向低能级跃迁，伴随着发射光子，这是半导体的发光现象。
. 对于半导体量子点，电子吸收光子而发生跃迁，电子越过禁带跃迁入空的导带，而在原来的价带中留下一个空穴，形成电子空穴对（即激子），由于量子点在三维度上对激子施加 量子限制，激子只能在三维势垒限定的势盒中运动，这样在量子点中，激子的运动完全量子 化了，只能取分立的束缚能态。激子通过不同的方式复合，从而导致发光现象。原理示意图，如图所示，激子的复合途径主要有三种形式。 (1)电子和空穴直接复合 ,产生激子态发光。由于量子尺寸效应的作用 ,所产生的发射光的波长随着颗粒尺寸的减小而蓝移。 (2)通过表面缺陷态间接复合发光。在纳米颗粒的表面存在着许多悬挂键,从而形成了许多表面缺陷态。当半导体量子点材料受光的激发后,光生载流子以极快的速度受限于表面缺 陷态而产生表面态发光。量子点的表面越完整,表面对载流子的捕获能力就越弱,从而使得表面态的发光就越弱。 (3)通过杂质能级复合发光。杂质能级发光是由于表面分子与外界分子发生化学反应生 成其它杂质，这些杂质很容易俘获导带中的电子形成杂质能级发光。 以上三种情况的发光是相互竞争的。如果量子点的表面存在着许多缺陷,对电子和空穴的俘获能力很强,电子和空穴一旦产生就被俘获,使得它们直接复合的几率很小,从而使得激子态的发光就很弱,甚至可以观察不到,而只有表面缺陷态的发光。 为了消除由于表面缺陷引起的缺陷态发光而得到激子态的发光,常常设法制备表面完整 的量子点或者通过对量子点的表面进行修饰来减少其表面缺陷,从而使电子和空穴能够有效 地直接复合发光。
《半导体集成电路》考试题目及参考答案(DOC)
第一部分考试试题 第0章绪论 1.什么叫半导体集成电路？ 2.按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型，请同时写出它们对应的英文缩写？ 3.按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？ 4.按电路功能或信号类型分，半导体集成电路分为哪几类？ 5.什么是特征尺寸？它对集成电路工艺有何影响？ 6.名词解释：集成度、wafer size、die size、摩尔定律？ 第1章集成电路的基本制造工艺 1.四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用？ 2.在制作晶体管的时候，衬底材料电阻率的选取对器件有何影响？。 3.简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤？ 4.简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤？ 5.以p阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足？ 6.以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点？并请提出改进方法。 7. 请画出NPN晶体管的版图，并且标注各层掺杂区域类型。 8.请画出CMOS反相器的版图，并标注各层掺杂类型和输入输出端子。 第2章集成电路中的晶体管及其寄生效应 1.简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略？。 2.什么是集成双极晶体管的无源寄生效应？ 3. 什么是MOS晶体管的有源寄生效应？ 4. 什么是MOS晶体管的闩锁效应，其对晶体管有什么影响? 5. 消除“Latch-up”效应的方法？ 6.如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应？ 7. 如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应？ 第3章集成电路中的无源元件 1.双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS集成电路中常用的电阻都有哪些？ 2.集成电路中常用的电容有哪些。 3. 为什么基区薄层电阻需要修正。 4. 为什么新的工艺中要用铜布线取代铝布线。 5. 运用基区扩散电阻，设计一个方块电阻200欧，阻值为1K的电阻，已知耗散功率为20W/c㎡,该电阻上的压降为5V,设计此电阻。 第4章TTL电路 1.名词解释
半导体集成电路制造PIE常识
Question Answer & PIE
PIE 1. 何谓PIE? PIE的主要工作是什幺? 答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield）稳定良好。 2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义? 答：8吋硅片(wafer)直径为200mm , 直径为300mm硅片即12吋. 3. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺？未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺？ 答：当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达0.13um工艺。未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。 4. 我们为何需要300mm? 答：wafer size 变大，单一wafer 上的芯片数(chip)变多，单位成本降低200→300 面积增加2.25倍,芯片数目约增加2.5倍 5. 所谓的0.13 um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义？ 答：是指工厂的工艺能力可以达到0.13 um的栅极线宽。当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。 6. 从0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um 的technology改变又代表的是什幺意义？ 答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。从0.35um -> 0.25um -> 0.18um -> 0.15um -> 0.13um 代表着每一个阶段工艺能力的提升。 7. 一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓N, P-type wafer? 答：N-type wafer 是指掺杂negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂positive 元素(3价电荷元素, 例如：B、In)的硅片。 200mm300mm 8〞12〞
集成电路封装概述
集成电路封装概述 半导体器件有许多封装型式，从DIP、SOP、QPF、PGA、BGA到CSP再到SIP，技术指标一代比一代先进，这些都是前人根据当时的组装技术和市场需求而研制的。总体说来，它大概有三次重大的革新：第一次是在上世纪80年代从引脚插入式封装到表面贴片封装，极大地提高了印刷电路板上的组装密度；第二次是在上世纪90 年代球型矩正封装的出现，它不但满足了市场高引脚的需求，而且大大地改善了半导体器件的性能；晶片级封装、系统封装、芯片级封装是现在第三次革新的产物，其目的就是将封装减到最小。每一种封装都有其独特的地方，即其优点和不足之处，而所用的封装材料，封装设备，封装技术 根据其需要而有所不同。驱动半导体封装形式不断发展的动力是其价格和性能。电子产品是由半导体器件（集成电路和分立器件）、印刷线路板、导线、整机框架、外壳及显示等部分组成，其中集成电路是用来处理和控制信号，分立器件通常是信号放大，印刷线路板和导线是用来连接信号，整机框架外壳是起支撑和保护作用，显示部分是作为与人沟通的接口。所以说半导体器件是电子产品的主要和重要组成部分，在电子工业有“ 工业之米”的美称。 半导体组装技术（Assembly technology）的提高主要体现在它的封装型式（Package）不断发展。通常所指的组装（Assembly）可定义为：利用膜技术及微细连接技术将半导体芯片（chip）和框架（Lead-Frame）或基板（Substrate）或塑料薄片（Film）或印刷线路板中的导体部分连接以便引出接线引脚，并通过可塑性绝缘介质灌封固定，构成整体立体结构的工艺技术。它具有电路连接，物理支撑和保护，外场屏蔽，应力缓冲，散热，尺寸过度和标准化的作用。从三极管时代的插入式封装以及20世纪80年代的表面贴装式封装，发展到现在的模块封装，系统封装等等，前人已经研究出很多封装形式，每一种新封装形式都有可能要用到新材料，新工艺或新设备。封装的作用包括：1.物理保护。2.电器连接。3.标准规格化。 封装的分类： 1.根据材料分类，根据所用的材料来划分半导体器件封装形式有金属封装、陶瓷封装、金属-陶瓷封装和塑料封装。 2. 根据密封性分类，按封装密封性方式可分为气密性封装和树脂封装两类。 3. 根据外形、尺寸、结构分类，按封装的外形、尺寸、结构分类可分为引脚插入型、表面贴装型和高级封装。 SiP(system in a package，封装内系统，或称系统封装)是指将不同种类的元件，通过不同技术，混载于同一封装之内，由此构成系统集成封装形式。该定义是经过不断演变，逐渐形成的，开始是在单芯片封装中加入无源元件，再到单个封装中加入多个芯片、叠层芯片以及无源器件，最后封装构成一个体系，即SiP。该定义还包括，SiP应以功能块亚系统形式做成制品，即应具备亚系统的所有组成部分和功能。 微电子封装对集成电路(IC)产品的体积、性能、可靠性质量、成本等都有重要影响，IC 成本的40％是用于封装的，而IC失效率中超过25％的失效因素源自封装。实际上，封装已成为研发高性能电子系统的关键环节及制约因素，全球领先的整合器件制造商IDM在高密度、高可靠封装技术方面秣马厉兵，封装被列入重点研发计划正处于如火如茶之中。另外，支持发展速度的硅IC应用所需的无源元件的用量也越来越大，其典
半导体量子点及其应用概述_李世国答辩
科技信息2011年第29期 SCIENCE&TECHNOLOGY INFORMATION 0引言 近年来半导体材料科学主要朝两个方向发展:一方面是不断探索扩展新的半导体材料,即所谓材料工程;另一方面是逐步从高维到低维深入研究己知半导体材料体系,这就是能带工程。半导体量子点就是通过改变其尺寸实现能级的改变,达到应用的目的,这就是半导体量子点能带工程。半导体量子点是由少量原子组成的准零维纳米量子结构,原子数目通常在几个到几百个之间,三个维度的尺寸都小于100纳米。载流子在量子点的三个维度上运动受尺寸效应限制,量子效应非常显著。在量子点中,由于量子限制效应作用,其载流子的能级类似原子有不连续的能级结构,所以量子点又叫人造原子。由于特殊能级结构,使得量子点表现出独特的物理性质,如量子尺寸效应、量子遂穿效应、库仑阻塞效应、表面量子效应、量子干涉效应、多体相关和非线性光学效应等,它对于基础物理研究和新型电子和光电器件都有很重要的意义,量子点材料生长和器件应用研究一直是科学界的热点之一[1]。 1量子点制备方法 目前对量子点的制备有很多方法,主要有外延技术生长法、溶胶-凝胶法(Sol-gel 和化学腐蚀法等,下面简单介绍这几种制备方法: 1.1外延技术法 外延技术法制备半导体量子点,主要是利用当前先进的分子束外延(MBE、金属有机物分子束外延(MOCVD和化学束外延(CBE等技术通过自组装生长机理,在特定的生长条件下,在晶格失配的半导体衬底上通过异质外延来实现半导体量子点的生长,在异质外延外延中,当外延材料的生长达到一定厚度后,为了释放外延材料晶格失配产生的应力能,外延材料就会形成半导体量子点,其大小跟材料的晶格失配度、外延过程中的条件控制有很大的关系,外延技术这是目前获得高质量半导体量子点比较普遍的方法,缺点是对半导体量子点的生长都是在高真空或超高真空下进行,使得材料生长成本非常高。1.2胶体法
半导体集成电路制造PIE常识讲解
Question & PIE Answer
PIE 1. 何谓PIE? PIE 的主要工作是什幺? 答：Process Integration Engineer（工艺整合工程师）, 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield）稳定良好。 2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义? 答：8吋硅片（wafer）直径为200mm , 直径为300mm硅片即12吋. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片（wafer）工艺？未来北京3.的Fab4（四厂）采用多少mm的wafer 工艺？ 答：当前1~3 厂为200mm（8 英寸）的wafer, 工艺水平已达0.13um 工艺。 未来北京厂工艺wafer 将使用300mm（12 英寸）。 4. 我们为何需要300mm? 答：wafer size 变大，单一wafer 上的芯片数（chip）变多，单位成本降低200→300 面积增加2.25倍,芯片数目约增加2.5 倍 5. 所谓的0.13 um 的工艺能力（technology）代表的是什幺意义？答：是指工厂的工艺能力可以达到0.13 um 的栅极线宽。当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。 从0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um 的technology改变又代表的是什幺意义？ 答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。从0.35um -> 0.25um -> 0.18um -> 0.15um -> 0.13um 代表着每一个阶段工艺能力的提升。 一般的硅片（wafer）基材（substrate）可区分为N,P 两种类型（type）,何谓N, P-type wafer? 答：N-type wafer 是指掺杂negative 元素（5 价电荷元素，例如：P、As）的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂positive 元素（3 价电荷元素, 例如：B、 In）的硅片。 8. 工厂中硅片（wafer）的制造过程可分哪几个工艺过程（module）？答：主要有四个部分：DIFF （扩散）、TF（薄膜）、PHOTO （光刻）、ETCH （刻蚀）。其中
铟镓砷磷InGaAsP半导体材料简介-郭艳光
光電子學期末報告 Introduction to InGaAsP Semiconductor Materials 指導教師:郭艷光(Yen-Kuang Kuo) 教授 學生:蔡政訓 學號:8522022 系別:物理系 班級:四年級乙班
內容大綱： （一）前言 （二）波長範圍與能隙（Eg）寬（三）起振條件與輸出功率：（四）各種不同結構的雷射（五）先進的半導體結構及其性能（六）結語 （七）參考書目
（一）、前言 現在是資訊時代，為了高速處理資訊社會所擁有的龐大資料，利用光和電子技術之光電業於焉誕生。應用同調(coherence)光的工業在1984年度(以光學式影像機為中心)的生產規模為6600億日元，到西元2000年，預料將以光通訊為中心，生產規模也將成長為12兆日元。其製品包括同調光通訊系統、光IC(光電子積體電路，OEIC)光電算機等。 光IC 係將光與電子的功能特性集積在一片基板上，而以砷化鋁鎵及磷砷化銦鎵系半導體技術最為先進，其與化合物半導體IC 同樣，有實現的可能。光電半導體材料之研究十分積極，已開發出砷化鎵、磷化銦、砷化鋁鎵、磷砷化銦鎵等。 至於光通訊系統方面，與傳統的有線通訊系統比較起來，光纖通訊具有較大的通訊頻寬，較小的訊號衰減，不受電磁波干擾，沒有串音、保密性高、線徑小、重量輕、可靠度高、、等優點，因此可已知道隨著資訊的暴漲，據高速大容量高品質的光纖通訊系統毫無疑問的將是未來資訊傳遞的主流。而光纖系統中最重要的關鍵性元件就是它的光源，也就是雷射二極體，本文就是要介紹在光纖系統中最常被使用的雷射：磷砷化銦鎵 ( InGaAsP) 的特性以及其結構。 （二）、波長範圍與能隙（Eg ）寬 光纖通訊中最常使用的波長為1.3以及1.55微米，主要是由於光在石英光纖中的傳輸損失在這兩個波長最低，在1.3微米處約0.6dB/km ，而在1.55微米處約0.2 dB/km 。在光纖中，由於材料色散的緣故，不同波長的光在光纖中有不同的色散，因而傳輸速率的不同，會造成訊號的波形變形，而限制了傳輸的距離。波長於1.3微米附近的色散是零，因此雖然其損失比1.55微米時大，但仍然最常用來當作短距離光纖通訊的光源。 在光纖通訊所使用的長波長範圍內，最常用InP 為基板材料。為了能與InP 的晶格常數（a=5.87埃）相匹配，必須使用四元化合物InGaAsP 。當晶格與InP 相匹配時（y=2.2x ），其能隙Eg （單位是eV ）的變化為 212.072.035.1y y Eg +-= 則我們由公式 ： Eg 24.1=λ可知由0.92到1.65微米的整個波長範圍均被此種材料系統所涵蓋。
半导体集成电路复习题及答案
第8章动态逻辑电路 填空题 对于一般的动态逻辑电路，逻辑部分由输出低电平的网组成，输出信号与电源之间插入了栅控制1、 极为时钟信号的 ,逻辑网与地之间插入了栅控制极为时钟信号的。 【答案：NMOS, PMOS, NOMS】 对于一个级联的多米诺逻辑电路，在评估阶段：对PDN网只允许有跳变，对 PUN网只允许有跳变，2、 PDN与PDN相连或PUN与PUN相连时中间应接入。 【答案：】 解答题 从逻辑功能，电路规模，速度3方面分析下面2电路的相同点和不同点。从而说明CMOS动态组合逻辑1、 电路的特点。 【答案：】 图A是CMOS静态逻辑电路。图B是CMOS动态逻辑电路。2电路完成的均是NAND的逻辑功能。图B的逻辑部分电路使用了2个MOS管，图A使用了4个MOS管，由此可以看出动态组合逻辑电路的规模为静态电路的一半。图B的逻辑功能部分全部使用NMOS管，图A即使用NMOS也使用PMOS，由于NMOS的速度高于PMOS，说明动态组合逻辑电路的速度高于静态电路。 2、分析下面的电路，指出它完成的逻辑功能，说明它和一般动态组合逻辑电路的不同,说明其特点。 【答案：】
该电路可以完成OUT=AB的与逻辑。与一般动态组合逻辑电路相比，它增加了一个MOS管M kp,这个MOS 管起到了电荷保持电路的作用，解决了一般动态组合逻辑电路存在的电荷泄漏的问题。 3、分析下列电路的工作原理，画出输出端OUT的波形。 【答案：】 答案：
4、结合下面电路，说明动态组合逻辑电路的工作原理。 【答案：】 动态组合逻辑电路由输出信号与电源之间插入的时钟信号PMOS,NMOS逻辑网和逻辑网与地之间插入的时钟信号NMOS组成。当时钟信号为低电平时，PMOS导通，OUT被拉置高电平。此时电路处于预充电阶段。 当时钟信号为低电平时，PMOS截至，电路与V DD的直接通路被切断。这时NOMS导通，当逻辑网处于特定逻辑时，电路输出OUT被接到地，输出低电平。否则，输出OUT仍保持原状态高电平不变。例如此电路， NMOS网构成逻辑网中A与C,或B与C同时导通时，可以构成输出OUT到地的通路，将输出置为低电平。 第7章传输门逻辑 填空题 写出传输门电路主要的三种类型和他们的缺点：（1），缺点：；（2），缺点：；（3），缺1、 点：。 【答案：NMOS传输门，不能正确传输高电平，PMOS传输门，不能正确传输低电平，CMOS传输门， 电路规模较大。】 2、传输门逻辑电路的振幅会由于减小，信号的也较复杂，在多段接续时，一般要插入。 【答案：阈值损失，传输延迟，反相器。】 3、一般的说，传输门逻辑电路适合逻辑的电路。比如常用的和。 【答案：异或，加法器，多路选择器】 解答题 1、分析下面传输门电路的逻辑功能，并说明方块标明的MOS管的作用。 【答案：】
半导体材料概念简介---选修课论文
半导体材料 摘要：目前半导体产品广泛应用于生活生产中，半导体材料及其应用已经成为衡量一个国家经济发展和科技进步的重要标志。本文对半导体材料的定义、特性性能、材料分类及应用和发展方向作出简要解析。 关键词：半导体材料半导体材料分类半导体特性制备方法半导体材料应用引言：20世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，导致了电子工业革命；70年代光纤通讯技术迅速发展并逐步形成高新技术产业，使人类进入信息时代；超晶格概念的提出及其半导体超晶格，量子阱材料的诞生，改变了光电器件的发展，纳米技术的发展与运用使得半导体进入纳米时代。然而半导体材料的价值仍在于它的光学、电学及其他各种特性，自硅出现在很长时间内，硅仍将是大规模集成电路的主要材料，如在军事领域中应用的抗辐射硅单体、高效太阳能电池用硅单体、红外CCD器件用硅单体等。 随着半导体技术的发展和半导体材料的研究，微电子技术朝着高密度，高可靠性方向发展，各种各样新的半导体材料出现，而 GaAs和InP基材料等还是化合物半导体及器件的主要支柱材料。与此同时以硅材料为核心的当代微电子技术趋向于纳米级，到达这一尺寸后，一些列来自期间工作原理和工艺技术本身的物理限制以及制造成本大幅度提高等将成为难以克服的问题，为满足人类社会不断增长的对更大信息量的需求，近年来新的半导体材料制备方法出现，新的制备方法的研究与发展极有可能触发当前国际前沿研究热点，从而引起新的技术革命。 中国半导体材料经过40多年的研究与发展，已具备了相当的基础，特别是在改革开放后，中国的半导体材料和半导体技术获得明显发展，除满足国内需求外，一些材料已经进入国际市场，然而综观中国半导体产业链的全局，上端的设计，制造业较弱，尤其凸显的瓶颈部位式设计与材料设备业，但是可以相信整个发展大路上市顺利的，中国半导体材料应该掌握自主知识产权，系统技术的开发人才，规模化产业化生产，尽快在材料设备业发展。 1.半导体材料的定义及性质 当今，以半导体材料为芯片的各种产品已广泛进入人们的生活生产中，电视机，电子计算机，电子表等等，半导体材料为什么会拥有如此巨大的应用，我们