读取潜伏期CL

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clcr名词解释

clcr名词解释

CLCR名词解释一、什么是CLCR?CLCR,缩写全称为Character-Level Convolutional Recurrent Networks,中文译为“字符级卷积循环网络”。

它是一种神经网络模型,主要用于文本分类和序列任务。

二、CLCR的结构与原理CLCR由两个主要组件组成:字符级卷积神经网络(Character-level Convolutional Neural Network,简称CNN)和循环神经网络(Recurrent Neural Network,简称RNN)。

1.字符级卷积神经网络(CNN)CNN主要负责从原始字符序列中提取特征。

它将字符序列作为输入,并通过采用不同大小的卷积核进行卷积操作来捕捉不同大小的局部特征。

卷积操作后,再通过池化层来减少特征维度。

最后,通过堆叠多个卷积层,可以逐渐提取高层次的特征表示。

2.循环神经网络(RNN)RNN主要负责处理序列信息,通过建立记忆体(Memory Cell)来记住先前的信息,并将其与当前的输入信息进行融合。

在CLCR中,RNN可以将卷积层提取的特征序列化为固定长度的向量表示,然后通过全连接层进行分类。

三、CLCR的优势与应用CLCR在文本分类和序列任务中具有许多优势,使其成为研究和实践中的热门模型。

1.处理任意长度的序列与传统的基于词或分词的方法不同,CLCR直接操作字符级序列。

这使得CLCR可以处理任意长度的输入序列,无需对文本进行分词或预处理。

2.捕捉字符级别的特征由于CLCR操作的是字符级别的序列,因此可以捕捉字符间的细粒度特征。

这些特征对于包含拼写错误、特殊字符或缩写的文本任务尤为重要。

3.学习上下文信息CLCR中的循环神经网络可以通过记忆体来学习和保留先前的信息,从而从序列中提取上下文相关的特征。

这使得CLCR在机器翻译、语音识别和文本生成等序列任务中非常有效。

4.应用广泛CLCR的应用非常广泛,例如文本分类、情感分析、命名实体识别、问答系统和自然语言处理等领域。

2 药动学

2 药动学
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时量曲线及其变化规律
1. 2. 3. 4. 5. 6.
潜伏期 最小有效浓度 药物吸收分布相 峰浓度 药物治疗维持时间 药物代谢排泄相
21/63
MEC for
peak concentration drug concentration
adverse response
峰浓度
intensity duration of effect
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一级速率消除时体内药量
按一级速率消除的药物,体内药量每个t 按一级速率消除的药物,体内药量每个t1/2消 除一半 单次给药后,经5 单次给药后,经5个t1/2体内药量基本消除完 毕(剩余量<5 毕(剩余量<5%) 若以每间隔1 若以每间隔1个t1/2重复静脉注射给药,经5个 重复静脉注射给药,经5 t1/2达到96.9%,即稳态浓度 达到96.9%,即稳态浓度 此后无论重复给药多少次,其达到的最高药物 累积量(accumulation dose)逼近初始给 累积量(accumulation dose)逼近初始给 药量的一倍
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生物转化 (biotransformation)
药物作为外源性物质在体内发生化学结 构的改变称为转化或生物转化 药物发生转化的器官主要是肝脏 药物发生转化的器官主要是肝脏
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生物转化过程 生物转化过程
生物转化分为两个时相: 生物转化分为两个时相: Ⅰ相反应:包括氧化、还原、水解。促使 相反应:包括氧化、还原、水解。 氧化 药物分子结构中暴露出极性基团 Ⅱ相反应:为结合反应。 使极性基团与 相反应: 结合反应。 葡萄糖醛酸等经共价结合生成水溶性强、 葡萄糖醛酸等经共价结合生成水溶性强、 极性高的代谢物易于从肾排出体外
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DDR系列基础知识讲解

DDR系列基础知识讲解
DDR2 SDRAM:Double-Data-Rate Two Synchronous Dynamic Random Access Memory,第二代双倍数据率同步动态随机存取存储器;
DDR3 SDRAM:Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory,第三代双倍数据率同步动态随机存取存储器;
据输 出之前的一个时钟上升沿开始到数据传到I/O总线上止的这段时间;
2021-7-18
名词解析
tWR:Write Recovery Time,写回,保证数据的可靠写入而留出足够的写入/ 校正
时间,被用来说明对同一个bank的最后有效操作到预充电命令之间的时间量; BL:Burst Lengths,突发长度,突发是指在同一行中相邻的存储单元连续进
特性分析
存储原理 存储原理示意图:行选与列选信号将使存储电容与外界间的传输电路导通,
从而 可进行放电〔读取〕与充电〔写入〕。另外,图中刷新放大器的设计并不固
定, 目前这一功能被并入读出放大器〔Sense Amplifier ,简称S-AMP〕;
特性分析
• DDR • 延迟锁定回路〔DLL〕的任务是根据外部时钟动态修正内部时钟的延迟来
名词解析
AL:Additive Latency,附加潜伏期〔DDR2〕; WL:Write Latency,写入命令发出到第一笔数据输入的潜伏期; tRAS:Active to Precharge Command,行有效至预充电命令间隔周期; tDQSS:WRITE Command to the first corresponding rising edge of DQS,
传输,届时可通过A112位地址线来控制这一突发模式;

10-体内药物的时-量关系

10-体内药物的时-量关系

(3)峰浓度:非血管给药-时曲线达到的最高点。
(C)
E
(Cmax) Emax
最低中毒浓度,MTC
最低有效浓度,MEC
0 123
潜伏期
(Tmax) 持续期
4 5 6 7 89
时间(T)
残效期
药物的时–量(效)关系曲线
(4)达峰时间 (Peak time, tmax, tpeak): 给药后达到峰浓度的时间
2016/10/10
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药物剂量设计和优化
(3)负荷量(the loading dose, Dl ) Dl = Css x Vd /F 如 为 t1/2 , Dl = Dm/1-e-0.693 = D/0.5 = 2Dm
4. 计算药物在体内的总量
A = C x Vd 5. 个体化治疗
2016/10/10
2016/10/10
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多次给药
(3)平均稳态浓度( Cssav) Cssav = AUCss/ =AUC0- /
2016/10/10
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多次给药
(4)波动度 (degree of fluctuation, DF): 达稳态时,峰浓度与谷浓度的距离 DF (%) = 2 x (Css.max- Css.min) / (Css.max+ Css.min)
2016/10/10
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(2)峰浓度和谷浓度
峰浓度(Css.max ):Css的最高值。 谷浓度(Css.min): Css的最低值。
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峰浓度和谷浓度的计算
C(ss)max = A/ Vss . (1/1- e-k) = F.D/ Vss . (1- e-k)
C ( ss)min= A/Vss . (1/1- e-k) x e-k = C(ss)max x e-k

SDRAM工作原理

SDRAM工作原理
1.SDRAM工作原理: 原理:行选与列选 信号使存储电容与外界 的传输电路导通,从而 实现放电(读取)与充 电(写入)。
图1:DRAM存储原理示意图
2.SDRAM结构: a: SDRAM为随机存储,可以自由指 定地址进行读写;
b: 芯片一般以4个L-bank (Logic bank) 组成,可用(BA0,BA1寻址);
c: L-bank为相应个行R和列C的矩阵;
3. SDRAM芯片容量
=MxW (M:存储单元总数;W:每个存储单元的容量,即芯片位宽)
存储单元总数M=行数(R)x 列数(C)x L-bank 的数量
不同厂家的行数和列 数设定并不一样
3.SDRAM芯片结构:
三.SRAM基本操作与内部工作时序
1.芯片初始化 SDRAM逻辑控制单元中有模式寄存器(MR),开机需Biblioteka 其进行初始化操作。谢谢大家
2.行有效 在CS#, L-bank定址的同时 RAS#处于有效状态,An地 址线发送具体的行地址。
3.列读写 a: 行地址确定后,对列地址寻址;
b: A0-A11作为行列地址分时复用,配合CAS#输出列地址;
c: 由WE#来控制读写(0时为写,1时为读) d: RAS to CAS Delay (tRCD) :发送读写命令时必须与行有效命令有一个间隔。 单位为时钟周期。
4.数据输出/读 a: CL(CAS Latency) CAS潜伏期:从CAS与读取命令发出到第一笔数据输出的这 段时间。单位:时钟周期。 b: CAS响应时间快于RAS:一个位宽为n bit 的芯片,行地址要选通n x c(列数为 c)个存储体,而列地址只需选通n个存储体。 c: CL的产生原因: 1)存储体中晶体管的反应时间使数据和CAS在同一上升沿触发,至少延后一个 时钟周期; 2)tAC (Access time from clock)时钟触发后的访问时间:(由于存储电容小,故 信号需经S-AMP放大来保证被识别(事前还要进行电压比较来进行逻辑电平判断) 从数据I/O总线上有数据输出之前的一个时钟上升沿开始,数据已传向S-AMP,数 据已经被触发,经过一定的驱动时间最终向数据I/O总线传输(小于一个时钟周 期)。

SDRAM之参数解释

SDRAM之参数解释

正文:有关内存优化的文章其实已经有很多了,可能大家都没觉得没什么了不起的,不就是那几个参数吗?这还用讲?但是,我相信 90% 以上的人并没有完全真正理解那些时序参数的含义。

我敢说,目前很多的优化原则都是有问题的,甚至有误导的倾向!本人在此之前曾有一篇专门探讨内存原理与相关参数的大型专题(文章发表于《电脑高手》),其中所讲到的一些原理其实对优化就有很大的启发意义。

的确,虽然在 BIOS 中就是那么几个可以调节的内存时序参数,但如果不正确了解它们的意思,并不是每个人都知道如何正确的调节。

有人可能会说,这有什么难的,与时序相关的时序参数,肯定都是越小越好呀,错!这就是我今天要着重讲到的问题。

1、认识内存相关工作流程与参数首先,我们还是先了解一下内存的大体结构工作流程,这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用。

这部分的讲述以SDRAM为例,因为时序图看起来会简单一些,但相关概念与DDR SDRAM的基本相同。

SDRAM的内部是一个存储阵列,将数据“填”进去,你可以它想象成一张表格。

和表格的检索原理一样,先指定一个行(Row),再指定一个列(Column),我们就可以准确地找到所需要的单元格,这就是内存芯片寻址的基本原理。

对于内存,这个单元格可称为存储单元,那么这个表格(存储阵列)叫什么呢?它就是逻辑Bank (Logical Bank,下文简称L-Bank)。

SDRAM内部L-Bank示意图,这是一个8X8的阵列,B代表L-Bank地址编号,C代表列地址编号,R代表行地址编号。

如果寻址命令是B1、R2、C6,就能确定地址是图中红格的位置目前的内存芯片基本上都是4个L-Bank设计,也就是说一共有4个这样的“表格”。

寻址的流程也就是——先指定L-Bank地址,再指定行地址,然后指列地址最终的确寻址单元。

在实际工作中,L-Bank地址与相应的行地址是同时发出的,此时这个命令称之为“行有效”或“行激活”(Row Active)。

产程潜伏期延长49例临床分析

产程潜伏期延长49例临床分析
用x 检验 。 2
表 I 潜伏期延长与头盆关系
维普资讯
山 西 临 床 医 药杂 志
20 0 2年 2月第 l 卷 第 2期 i
24 潜伏期延长与胎头浮动的关系 潜伏期延长组中胎头 27 潜伏期延长与其它产程延长的关系 本文4 倒中 伴 . 9 浮动2 例(51 ) 7 5. 对照组l 倒(61 ) 7 2. 两组比较有显著 活跃期延长l 例, l 活跃期早期停滞1 例 0 两者共2 例(36 l 2.
延长。
按凌萝达头盆评分法口, ]根据骨盆大小, 胎儿大小二项
评分相加作为诊断头盆关系的标准。 . 胎头衔接情况: 按产妇临产后第一次检查记录为准, 临 23 潜伏期延长与头盆关系 潜伏期延长组中头盆评分≤ 分者明显高于对照组, 差异有显著意义(<o0) P .1。 产时胎头颅骨最低位于一2 以上为胎头泽功, 统计学处理采 7
2 0  ̄ 3 ( ): 3) 0 f 1 7 4 1 . .
[] 吴瑞 萍. 2 胡亚美. 江载芳主编. 实用 儿科学[ . M] 第6版. 北京 人民卫生出版挂 .9 5 14 19 . 1 3 [ ] 柬 维. 儿 急性 肺 损伤 [] 中 国实用 儿 科 杂 志. 3 小 J.
[ ] 胡 皓夫主编. 1 现代儿 科治疗 学[ . M] 北京: 民军 医出 ^
版 牡 , 9 9 2 6 2 7 1 9 . 1 ~ 1.
1 9 1 1 ) 7 8 9 9, 4( 2 : 0 .
[ ] 汪 受传. 4 中药针剂治疗小 儿肺 炎 的临束评价[ ] 中国 J. 宴用 儿 科 杂志 ,0 0 1 (1 :9 . 2 0 ,5 1 )5 4 ) [] 马 莉 琨黄 连 静脉 滴 注囊 喉水 肿2倒 [ l新 医学 , 5 J

cl-的检验方法

cl-的检验方法

cl-的检验方法
1. 血液采样:通过采集不同时间点的血液样本,测定药物或物质在血液中的浓度,绘制药时曲线。

根据曲线下面积(AUC)和消除半衰期(t1/2)等参数,可以计算出 CL。

2. 尿液采样:收集不同时间点的尿液样本,测定药物或物质在尿液中的浓度。

通过计算尿液中排泄的药物量,并结合时间和尿液体积,可以估算出 CL。

3. 放射性同位素标记:将放射性同位素标记的药物或物质给予受试者,然后通过检测排泄物(如尿液、粪便)中的放射性同位素活性,计算出药物或物质的清除率。

4. 稳定同位素标记:使用稳定同位素标记的药物或物质,通过质谱或其他分析技术检测排泄物中的稳定同位素丰度,从而计算出药物或物质的清除率。

5. 高效液相色谱法(HPLC):利用 HPLC 技术分析血液或尿液中的药物浓度,结合采样时间和体液体积,可以计算出 CL。

6. 气相色谱法(GC):适用于分析挥发性药物或物质,通过 GC 技术检测血液或尿液中的药物浓度,进而计算出 CL。

需要注意的是,具体的 CL 检测方法会根据药物或物质的特性、实验目的以及实验室的设备和技术条件而有所不同。

在进行 CL 检测时,应选择适当的方法并严格按照实验操作规程进行,以确保结果的准确性和可靠性。

一类潜伏期与传染期均传染的SEIQR传染病模型

一类潜伏期与传染期均传染的SEIQR传染病模型
o s ds u s .T e tr s o d a i e rd ci e n mb rwh c e emie h te ie s s e t c r n t s d i ic s e d h e h l ,b s rp o u t u e ih d t r n s w eh r a d s a e i xi to o ,i h c v n
o tie .T ee itn e n lb ls blis o h sae —fe q i b u a d te e d m c e ul ru ae ban d h xs c s a d go a t it te d e s e a ie f i re e ul r m n h n e q ibim r ii i i
2 1 模 型的建 立 .
将人 口分 为 SE,, R分别表示 易感染 者 、 伏者 、 病者 、 , ,Q, 潜 染 隔离者 。 , 分别 表示潜伏 , 者 与染 病者 的 传染 能力 。 以为移人人 口, 并假 设所 有移人 者均为易 感染者 。 , , 分别表示 , 潜 伏者成 为染病者 的比例 、 染病 者成 为隔 离者 的 比例 和 隔离 者成 为恢 复 者 的康 复率 。d为 自 然 死亡率 , 为潜 伏者成 为恢 复者 的比例 。 d () = S t
结果不够完善。如文献[ ] 2 研究 了一类潜伏期与传染期均传染的 S IS传染病模型, ER 得到 了
戴斌祥 教授推荐
收稿 日 : 0 年 1 月 1 期 2 9 0 1 2日
2 4
数学理论与应用
无病平衡 点 的全局 稳定性 以及地方病平 衡点 的局部稳 定性 。文献 [ , ] 3 4 研究 了潜伏 期与传 染
Ch n Z o gd n e h n ra g

DDR3的工作原理

DDR3的工作原理

硬件十万个为什么—— DDR3的工作原理杜盼dzplay@目录☐DDR的片内结构☐DDR的读写流程☐DDR的基础命令☐DDR的读写时序与参数DDR的片内结构框图上图是一片容量4Gb,数据位宽为8bit的DDR3 SDRAM的结构图DDR的片内结构说明1.控制器单元:包括输入命令解析,模式配置&控制部分;2.行地址选通单元:行激活通过此处操作;3.Bank控制逻辑:行/列地址解码用到bank选通4.列地址选择单元,读写操作同时在打开列地址的时候送到1;5.内部存储阵列,此处分8个bank,已4g8bit的颗粒为例;每个bank分65536行,128列,每个cell存储8*bl的数据宽度;6.读写数据缓存及接口驱动;dq数据在此变换位宽后内外交互;7.锁存与控制逻辑:刷新与预充电用到该模块。

目录☐DDR的片内结构☐DDR的读写流程☐DDR的基础命令☐DDR的读写时序与参数DDR的操作☐启动:上电->解复位->初始化->ZQCL-> LEVELING->IDLE(READY) ☐读:IDLE->行激活->读数据(1次或多次突发)->预充电->IDLE☐写:IDLE->行激活->写数据(1次或多次突发)->预充电->IDLE☐刷新:IDLE->REF->IDLE☐自刷新的进入与退出:IDLE->SFR->IDLE☐定期校正:IDLE->ZQCS->IDLE,一般外部温度或电压改变时操作☐动态更改配置:IDLE->MRS/MPR->IDLEDDR 的读操作(内部流程图)1243DDR的读操作(步骤说明)ddr发起一次读的过程包含一系列命令有:1.操作开始于Active命令——Active命令同时并发含带地址位,以选择Bank和Row地址(BA0-BA2选择BANK、A0-A15选择Row)。

药理学 (2)

药理学 (2)

绝对生物利用度: AUC血管外
F=
100%
AUC静注 相对生物利用度:不同制剂AUC比较
F = (AUC受试制剂 AUC标准制剂) × 100% (2) 吸收速度: Tmax
• 药物剂型不同,生产厂家不同,其F不同 • 同一药物:剂量相等,制剂不同,AUC相等,但Tpeak 、Cmax不同,故其所产生的药理效应强度不同。如图 :
因此吸收的量和速度都要影响药物的效应
影响因素
1、辉瑞公司 2、强生公司 3、赛诺菲-安万特公 司 4、葛兰素史克公司 5、诺华公司 6、罗氏公司 7、默克公司 8、惠氏公司 9、阿斯利康公司 10、百时美施贵宝公 司
药物的晶型、 颗粒大小、 物理性质 (药物工艺水平有关)
第二章
第七节
药物剂量的设计和优化
二.治疗效果与不良反应
治疗作用
Therapeutic Effects 符合用药目的,使机机恢复 正常
药 物 作 用 的 两 重 性
不良反应
Adverse Reactions 对机体不利、不符用药目的
1)、治疗效果(Therapeutic effect)
是指药物引起的有利于改变病人的生理、生化功
能或病理过程,使患病的机体恢复正常。
药物吸收后达到的最高浓度。
• 潜伏期:从用药到开始呈现治疗作用的时间。
意义:反映药物吸收并到达作用部位的时间,静脉注射无明显潜伏期
• 持续期
指药物维持治疗作用浓度或最低有效浓度的时间。
• 残留期:指药物浓度已经降至最低浓度以下,虽无疗效但尚未从体
内完全消除的时间。
• 达峰时间(peak time,Tpeak):达到峰浓度的时间
与给药间隔和剂量相关 稳态浓度 与生物利用度和清除率相关

度冷丁、东莨菪碱用于产程潜伏期延长240例分析

度冷丁、东莨菪碱用于产程潜伏期延长240例分析

h rA M 4 B. se A,l—Ta e A S y d M e
, od—E l Ab t l H a
A, t 1 ti s e s fe e ta o p r s s o k ea .S en t se at r xr e r o e l h c - r
wa e h h t p y a t lg p e e t n a d la - v t or s : ei o y, rv ni n n n i o o
不 良反 应 , 报 告 如 下 。 现
产妇的精 神状 态影响 宫缩 和产 程进
展 , 产 妇 产 程 长 容 易 产 生 焦 虑 紧 张 和 急 初 躁 情 绪 … 。 由 于 对 分 娩 阵 痛 缺 乏 足 够 的
参 考 文 献
1 乐 杰 , 编 . 产 科 学 . 京 : 民 卫 生 出 版 主 妇 北 人
A gr 分 经 统 计 学 分 析 有 显 著 性 意 义 。 pa评
结论 : 临产 后 使 用度 冷 丁 +东 莨菪 碱 肌 肉 注射 能 缩短 产 程 , 新 生 儿 无 不 良影 响 。 对
关键 词 临产 后 度 冷 丁 东 莨 菪碱
产程
痉 ( 张宫 口) 用。 扩 作 本研究表明 , 度冷丁与东莨菪碱在产 程 中适时适量 使用 , 大改善 了产程 , 大 产 妇阴道分娩率 提高 , 剖宫产 率下 降 , 增 不 加产后出血量及新生儿窒息发生率 , 疗效
cl ngmet[ .n Wa hPC, ek A a maae n M] I: l R t s i
B, tme e l e s Ca b H, r l g S a y T A, ta , d . mp e Su oo y

SDRAM读写时序介绍(配时序图)

SDRAM读写时序介绍(配时序图)

SDRAM初始化
SDRAM进入正常 工作状态
稳定期100us
所有L-bank预充 电
2个以上自刷新周 期
模式寄存器设置 (MRS)
图 1 SDRAM 初始化时序
SDRAM 模式寄存器所控制的操作参数:地址线提供不同的 0/1 信号来获得不同的参数。在设置到 MR 之后,就开始了进入正常的工作状态。
二、行激活 初始化完成后,在向 SDRAM 发送读或写命令之前必须打开该 Bank 中的一行,通过 ACTIVE 命令来 确定要激活的 Bank 和行。要想对一个 L-Bank 中的阵列进行寻址,首先要确定行(Row),然后确定列。 片选信号与 L-Bank 选择信号与行有效同时进行。
时钟CLK
读写命令
行有效
空操作
空操作
读或写
tRCD 图 3 tRCD=3 的列读写时序图
四、读操作 读命令从输入信号 BA0、BA1 中选取要进行读数据操作的 BANK,并在已激活的行中进行突发读操作。 输入的 A0-A7 用来进行列寻址。在选定列地址后,就已经确定了具体的存储单元,剩下的事情就是数据通
SDRAM 读写时序介绍(配时序图)
本文为明德扬原创文章,转载请注明出处! 车载视频拼接项目使用到了 LVDS 高速接口和 DDR3 接口,摄像头采集的视频图像数据需要先存入 DDR3 中然后与通过 LVDS 传输的主机视频数据进行拼接输出,最终在屏幕上显示画中画的效果。在调试 DDR3 的过程中,我有一些高速存储器的使用心得,特分享给大家。首先我先介绍一下 SDRAM 存储器的 读写时序。 SDRAM 即同步动态随机存储单元,主要用来存储较大容量的数据。我们都知道,数据在处理的过程 中一般都需要进行存储,开发板上常见的存储方式有 FPGA 内部芯片 RAM 资源、外部 Flash 存储器和外 部 SDRAM 存储器。除了 Flash,其他两种存储器都是掉电即丢失数据,由于 Flash 掉电能够保持内部数 据,因此 Flash 主要用来固化程序或者固化参数。FPGA 片内的 RAM 资源稀少而且珍贵,在大容量存储场 合如图像数据缓存时,只能选择外部存储如 SDRAM、DDR3 等存储器。在 MP801 开发板上就含有三块 SDRAM 芯片,可以满足较大数据的高速读取。这也是新手在进阶过程中所面对的一个较复杂的接口,很 多人对 SDRAM 的工作方式及接口时序不是很清楚。经过查阅数据手册与搜集相关的技术文档,我整理了 一篇有关 SDRAM 接口读写时序的文章,希望能够帮助不了解的同学对 SDRAM 数据读写有更进一步的认 识。

药物动力学参数

药物动力学参数

掌握药动学基本概念及其重要参数之间的相互关系:药-时曲线下面积、生物利用度、药峰时间、药峰浓度、消除半衰期、表观分布容积、清除率等。

一、一次性血管外给药三个时期1、潜伏期(短:吸收快)------有效期------残留期(长:蓄积中毒)2、时量关系:血药浓度随时间的变化过程。

3、房室概念与房室模型1)、一室模型:假定身体由一个房室组成,给药后药物立即均匀地分别于整个房室,并以一定的速率从该室消除。

单次静注给药时,时量(对数浓度)曲线呈单指数消除。

2)、二室模型:假定身体由两个房室组成,即中央室(血流丰富的器官如心、肝、肾)和周边室(血流量少的器官如骨、脂肪)。

给药后药物立即分布到中央室,然后缓慢分布到周边室。

单次静注给药时,时量(对数浓度)曲线呈双指数衰减即分为分布相和消除相。

二、药动学重要参数1、消除半衰期及意义:血药浓度下降一半所需的时间。

是决定给药间隔时间的重要参数之一。

2、生物利用度:药物吸收速度与程度的一种量度。

可药时曲线下面积AUC 计算,F=口服AUC/注射AUC 。

3、表观分布容积Vd :是指血药浓度与体内药物量间的一个比值,Vd=A/C=体内药量/血药浓度。

可反映药物分布的广泛程度或药物与组织结合的程度。

4、药-时曲线下面积AUC 代表一次用药后的吸收总量,反映药物的吸收程度。

三、药物消除动力学1.一级消除动力学(恒比消除):多数药消除半衰期恒定,与血药浓度无关。

血浆清除率(Cl):即单位时间内多少容积血浆中的药物被消除干净(单位用L•h-1 )。

消除速率:单位时间内被机体消除的药量。

常用表观分布容积(Vd)计算。

Vd及Cl的区别:①是两个独立的药动学指标,各有其固定的数值,互不影响,也不因剂量大小而改变其数值。

②Vd是表观数值,不是实际的体液间隔大小。

多数药的Vd值均大于血浆容积。

③Cl不是药物的实际排泄量。

Cl是肝肾等消除能力的总和。

④与组织亲和力大的脂溶xing药物其Vd可能比实际体重的容积还大。

镇静催眠药定义

镇静催眠药定义

15-30
氯西泮 15~40 +(80)
5
10-30
巴比妥类 (Barbiturates)
分类
长效 巴比妥、苯巴比妥
6-8h
中效 戊巴比妥、异戊巴比妥 4-6h
短效 司可巴比妥
2-3h
超短效 硫喷妥钠
0.25h
【体内过程】
口服或肌注易吸收; 再分布现象:硫喷妥钠 ; 苯巴比妥中毒:碱化尿液促进药物 排泄
安眠酮:60年代广泛用于安眠药, 1976停止生产和销售, 明显药物依赖性。
失眠的治疗
在3月21日“世界睡眠日”活动中提到,目前失 眠还没有得到公众和医生们的应有重视。
一项最新调查显示,出现过失眠的人,只有6% 的人专门为失眠就诊过,而70%的人没有把失眠 当作一种疾病。Thomas Roth教授说,失眠对健 康的危害非常大,导致失眠症有5个主要危险因 素:年龄增大;女性较男性多发;各种疾病像呼 吸系统疾病或疼痛等;精神疾病以及倒班作业等 。
三唑仑
T1/2 2~3
代谢物活性 (t1/2)
+(7)
常用每次剂量(mg)
镇静
催眠 抗惊厥
0.125 0.25-0.5
奥沙西泮 10~20

10-30 30-45
艾司唑仑 10~24

1
2-4
劳拉西泮 10~20

0.5-1 1-4
地西泮 20~80 +(80)
2.5
5-10 10-20, iv
氟西泮 40~100 +(80)
——通过增强中枢γ-氨基丁酸 (GABA)的抑制性 作用来实现的。
【作用机制】
BZs+BZs-R BZs+BZs-R复合物 ↓

社区获得性肺炎的健康小常识[精选5篇]

社区获得性肺炎的健康小常识[精选5篇]

社区获得性肺炎的健康小常识[精选5篇]第一篇:社区获得性肺炎的健康小常识社区获得性肺炎的健康小常识一般知识社区获得性肺炎是指在医院外罹患的感染性肺实质(含肺泡壁,即广义的肺间质)炎症,包括具有明确潜伏期的病原体感染而在入院后潜伏期内发病的肺炎。

发病以冬季和初春为多,好发于青壮年,男性较多,大多数病人先有轻度上呼吸道感染,或受寒,淋雨,饥饿,醉酒等史,使机体抵抗力降低,呼吸道防御功能受损,细菌进入下呼吸道,在肺泡内繁殖发生肺炎。

肺炎球菌不产生毒素,不引起原发性肺组织坏死或形成空洞,其致病力是荚膜对组织的侵袭作用。

社区获得性肺炎的表现病前常有受凉,淋雨,疲劳,醉酒或病毒感染史,约半数病人有上呼吸道感染的先驱症状。

就医须知起病急骤,寒战高热,体温很快高达39—40度,感头痛,全身肌肉酸痛。

炎症波及胸膜,引起患侧胸部刺痛,随呼吸和咳嗽加重。

咳嗽,咳痰。

初为刺激性咳嗽,逐渐出现粘痰,可见铁锈色痰。

部分有食欲不振,恶心,呕吐,腹泻,腹胀。

及时按医嘱开始抗生素治疗,社区获得性肺炎首选青霉素G。

高水平耐药或存在耐药高危险因素时应选择头孢曲松,头孢噻肟,奎诺酮类或万古霉素类。

由于突然起病,病人及家属缺乏应付疾病的心理准备,表现为焦虑不安,不知所措。

在发病期,持续高热往往加重病人对疾病的恐惧,表现为情绪波动不安。

指导病人有效排痰,可促进疾病的康复。

首先要求病人每天饮水1000-15000毫升,以湿润呼吸道,稀释痰液。

教会病人有效咳嗽的技巧:嘱病人咳嗽时先深呼吸5-6次,然后再深吸一口气后保持张口,然后浅咳一下,将痰咳至喉头,然后再迅速咳出。

剧烈刺激性干咳者,遵医嘱给予可待因。

自我保健高热期应进食高营养的清淡,易消化的流质或半流质。

不能进食者适当补液。

恢复期进食高蛋白,高维生素的富含营养的饮食。

特别医嘱:尽量在抗生素治疗前采集标本。

嘱患者先行漱口,指导或辅助患者深呼吸,留取脓性痰送检。

无痰患者可用高渗盐水雾化吸入导痰。

中潜伏期听觉诱发电位的提取与识别研究

中潜伏期听觉诱发电位的提取与识别研究

中潜伏期听觉诱发电位的提取与识别研究李昂;沈君姝;郭辉;潘永泉;曹新志【摘要】目的:通过小波变换模极大值和人工神经网络对中潜伏期听觉诱发电位进行提取与识别,判断患者处于的麻醉深度.方法:利用信号和噪声在分解尺度上的不同特性来滤除中潜伏期听觉诱发电位中的强噪声成分.经过模极大值处理后,小波系数在每个尺度上只剩下有限个模极大值点.通过Mallat交替投影算法,根据这些模极大值点重构出中潜伏期听觉诱发电位.在此基础上,根据中潜伏期听觉诱发电位与麻醉深度之间的对应关系,建立适用于麻醉深度监测的BP(back propagation)神经网络模型.结果:通过小波变换模极大值提取后,中潜伏期听觉诱发电位的信噪比由-15.43~0 dB提升到10.05~20.18 dB,基本恢复了原始信号;麻醉深度监测的BP 神经网络模型测试集精确度分别为90%和100%.约登指数和Kappa值均为0.900 0,大于0.75.该模型对中潜伏期听觉诱发电位具有良好的识别能力.结论:小波变换模极大值提取可以有效地去除信号中的强噪成分,还原信号;麻醉深度监测的BP 神经网络模型对中潜伏期听觉诱发电位与麻醉深度之间的关系具有良好的识别性.【期刊名称】《医疗卫生装备》【年(卷),期】2014(035)008【总页数】4页(P26-29)【关键词】中潜伏期听觉诱发电位;小波变换模极大值处理;Mallat交替投影法;BP 神经网络【作者】李昂;沈君姝;郭辉;潘永泉;曹新志【作者单位】210002南京,南京军区南京总医院医学影像科;210002南京,南京军区南京总医院放疗科;210002南京,南京军区南京总医院医学影像科;210002南京,南京军区南京总医院医学影像科;210002南京,南京军区南京总医院医学影像科;210016南京,南京航空航天大学生物医学工程系【正文语种】中文【中图分类】R318;S857.124麻醉深度是外科手术中的一个非常重要的指标,对麻醉深度的有效监测一直是麻醉学家和生物医学工程专家追求的目标。

SDRAM的结构、时序与性能的关系

SDRAM的结构、时序与性能的关系

SDRAM的结构、时序与性能的关系(上)在讲完SDRAM的基本工作原理和主要操作之后,我们现在要重要分析一下SDRAM的时序与性能之间的关系,它不在局限于芯片本身,而是从整体的内存系统去分析。

这也是广大DIYer 所关心的话题。

比如CL值对性能的影响有多大几乎是每个内存论坛都会有讨论,今天我们就详细探讨一下,其中的很多内容同样适用于DDR与RDRAM。

这里需要强调一点,对于内存系统整体而言,一次内存访问就是对一个页的访问,这个页的定义已经在解释Full Page含义时讲明了。

由于在P-Bank中,每个芯片的寻址都是一样的,所以可以将页访问“浓缩”等效为对每芯片中指定行的访问,这样可能比较好理解。

但为了与官方标准统一,在下文中会经常用页来描述相关的内容,请读者注意理解。

一、影响性能的主要时序参数所谓的影响性能是并不是指SDRAM的带宽,频率与位宽固定后,带宽也就不可更改了。

但这是理想的情况,在内存的工作周期内,不可能总处于数据传输的状态,因为要有命令、寻址等必要的过程。

但这些操作占用的时间越短,内存工作的效率越高,性能也就越好。

非数据传输时间的主要组成部分就是各种延迟与潜伏期。

通过上文的讲述,大家应该很明显看出有三个参数对内存的性能影响至关重要,它们是t RCD、CL和tRP。

每条正规的内存模组都会在标识上注明这三个参数值,可见它们对性能的敏感性。

以内存最主要的操作——读取为例。

t RCD决定了行寻址(有效)至列寻址(读/写命令)之间的间隔,CL决定了列寻址到数据进行真正被读取所花费的时间,tRP则决定了相同L-Bank中不同工作行转换的速度。

现在可以想象一下读取时可能遇到的几种情况(分析写入操作时不用考虑CL即可):1、要寻址的行与L-Bank是空闲的。

也就是说该L-Bank的所有行是关闭的,此时可直接发送行有效命令,数据读取前的总耗时为t RCD+CL,这种情况我们称之为页命中(PH,Page Hit)。

临床执业医师生理学《神经系统的功能》专项考试试题及答案

临床执业医师生理学《神经系统的功能》专项考试试题及答案

临床执业医师生理学《神经系统的功能》专项考试试题及答案一、选择题1、交互抑制的形成是由于:CA、神经元侧支兴奋性递质释放量减少B、神经元侧支释放抑制性递质C、抑制性中间神经元兴奋D、兴奋性中间神经元兴奋E、抑制性中间神经元2、由脊髓前角运动神经元与闰绍细胞构成的局部神经元回路所形成的抑制,称为 AA、回返性抑制B、前馈抑制C、侧支抑制D、交互抑制E、突触前抑制3、突触后抑制时,下列哪种情况不会出现? DA、突触前膜释放神经递质B、突触后膜Cl-内流C、突触后膜超极化D、兴奋性突触后电位E、突触后膜的兴奋性降低4、脊髓闰绍细胞构成的抑制称为:CA、周围性抑制B、侧支抑制C、回返抑制D、交互抑制E、去极化抑制5、闰绍细胞与脊髓前角运动神经元构成的突触所释放的递质可能是:BA、乙酰胆碱B、甘氨酸C、γ-氨基丁酸D、5-羟色胺E、去甲肾上腺素6、对突触后抑制中的返回抑制叙述,错误的是:AA、为一种典型的正反馈活动B、其结构基础为神经元之间的环式联系C、在脊髓中的返回抑制活动中、关键细胞为闰绍细胞D,闰绍细胞为一种抑制性中间神经元 E、闰绍细胞释放的递质可能是甘氨酸7、对突触后抑制与突触前抑制特征比较的叙述,错误的是:DA、前者发生于突触后膜,后者发生于突触前膜B、前者中间神经元是抑制性的,后者中间神经元为兴奋性的C、前者为超极化抑制,后者为去极化抑制D、两者抑制都与IPSP有关E、两者最终均使突触后神经元抑制8、突触前抑制的发生是由于:AA、突触前膜兴奋性递质释放量减少B、突触前膜释放抑制性递质C、突触后膜超极化D、中间抑制性神经元兴奋的结果E、以上原因综合的结果9、突触前抑制的重要结构基础是:CA、轴突胞体型突触B、铀突树突型突触C、轴突轴突型突触D、胞体树突型突触E、胞体胞体型突触10、突触前抑制的轴-体突触处,突触后电位变化特征为:BA、兴奋性突触后电位绝对值增大B、兴奋性突触后电位绝对值减少C、抑制性突触后电位绝对值减少D、抑制性突触后电位绝对值增大E、突触后电位变化不大11、突触前抑制的论述中,正确的是:CA、突触前膜超极化B、突触后膜超极化C、突触前膜去极化D、突触前膜释放抑制性递质E、潜伏期较短12、对神经纤维传导冲动速度的叙述,错误的是:DA、直径粗的神经纤维传导冲动的速度快于直径细的神经纤维B、有髓鞘的纤维传导冲动的速度快于无髓鞘的纤维C、神经纤维遇到麻醉药时传导冲动速度可减慢,甚至不传导冲动D、随着周围温度的下降,神经纤维传导冲动速度将减慢,当降至10℃左右,神经传导就要发生阻滞。

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可以说与CL=2.5(DDR)或CL3(SDRAM)比起来,CL=2期×CL模式数+存取时间(tAC)。比如某DDR333内存的存取时间为6ns,当我们将设定CL模式数为2.5(即CAS Latency=2.5),则总延迟时间=6ns×2.5+6ns=21ns,而当将CL设为2的时候,总延迟时间=6ns×2+6ns=18ns,足足减少了3个执行周期;如果你的DDR266内存是采用默认143MHz的7ns芯片,当CL=2时,则其总延迟时间=7ns系统时钟周期 ×2+7ns=21ns。因此对于一款性能超群的DDR266内存来说,其性能可以达到DDR333的水准,这也就是为什么超频玩家喜欢选择CL值较低内存的原因。在这里也建议你在买内存的时候,如果CL=2的内存价格只比其它的高一点,那你最好买CL=2的产品(不过你要记住不同速度的内存混在一起时,最慢的内存就会成为性能瓶颈。举例来说,如果你插上1条CL=2的内存以及一条CL=2.5的内存,那两条内存都会以CL=2.5的设置来执行)。此外,目前各内存颗粒厂商除了从提高内存时钟频率来提高DDR的性能之外,已经考虑通过更进一步的降低CAS延迟时间来提高内存性能,这在DDR上是可行的,预计CL=1.5会是下一个发展的目标。
附注:在内存条上的SPD芯片中已经包含有CL相关信息。当启动电脑时,BIOS会检查此项内容,并且以内存标称的CL模式运行。
cl是什么意思?
RAS信号(Row Address Strobe,行地址信号)
CAS信号(Column Address Strobe,列地址信号)
标志上面的CL英文全称为CAS Latency,为CAS的延迟时间。带宽表示的是数据传输能力,在各种内存中,在数据被真正传输前,传送方必须花费一定时间去等待传输请求的响应,这种等待就是一种延迟,在这里的专门术语就叫做“Latency”。而CAS Latency就是指的是CPU在接到读取某列内存地址上数据的指令后,到实际开始读出数据所需的等待时间。内存内部的存储单元按照行和列排成一个矩阵,内存访问地址被解码成行和列两个信号。为了要读出或写入某笔数据,内存控制芯片会先传送列的地址,接下来RAS信号就会被激活。然而,在存取行的数据前,还需要几个执行周期才行,这就是所谓的RAS-to-CAS延迟时间。同样地,在CAS信号被执行后,也同样需要几个周期。使用标准PC133的SDRAM大约是2到3个周期;而DDR RAM则是4到5个周期。在DDR中,真正的CAS延迟时间则是2到2.5个执行周期。RAS-to-CAS的时间则视技术而定,大约是5到7个周期,这也是延迟的基本因素。
不过,并不是说CL值越低性能就越好,因为其它的因素会影响这个数据。例如,新一代处理器的高速缓存较有效率,这表示处理器比较少地直接从内存读取数据。再者,列的数据会比较常被存取,所以RAS-to-CAS的发生几率也大,读取的时间也会增多。最后,有时会发生同时读取大量数据的情形,在这种情形下,相邻的内存数据会一次被读取出来,CAS延迟时间只会发生一次。此外,也许有一些朋友会注意到,当把DDR内存的CL从标准的2.5设置到2工作模式下的时候,反而系统的性能还没有默认的CL= 2.5好了,这是什么原因呢?这是因为内存的品质不太好,不能稳定地工作在CL=2这种模式下,在此模式下会出现在存取数据的时候数据常常被“丢失”的情况(即数据读取命中率降低)。不能取得数据,当然就只能重新读取,这样就浪费掉了很多时间,从而造成系统效率低。
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