LED制程介绍 PPT
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LED的生产工艺流程及其设备ppt课件
LED衬底材料制作--研磨和蚀刻
晶面研磨
通以特定粒度及粘性的研磨液，加 外研磨盘的公转和自转，达到均匀 磨平晶片切片时留下的锯痕、损伤 等不均匀表面。
晶片蚀刻
蚀刻的目的在于除去先前各步机械 加工所造成的损伤，同时获得干净 且光亮的表面，刻蚀化学作用可区 分为酸性及碱性反应。
晶片研磨机
LED衬底材料制作--退火与抛光
按着淀积过程中发生化学的种类不同可以分为热解法 、氧化法、还原法、水解法、混合反应等。
LED外延制作--CVD的优缺点
CVD制备的薄膜最大的特点是致密性好、高效率、良好的台阶 覆、孔盖能力、可以实现厚膜淀积、以及相对的低成本；
缺点是淀积过程容易对薄膜表面形成污染、对环境的污染等 常压CVD（APCVD）的特点是不需要很好的真空度、淀积速度
蓝宝石衬底紫外LED
LED生产工艺流程
蓝宝石衬底白光LED
LED生产工艺流程
所举例子只是一种LED制作工艺， 不同的厂家都有自己独到的一套制作工 艺，各厂家所使用的设备都可能不一样 ，各道工序的作业方式、化学配方等也 不一样，甚至不同的厂家其各道制作工 序都有可能是互相颠倒的。
但是万变不离其宗，其主要的思想 都是一样的：外延片的生长（PN结的 形成）---电极的制作（有金电极，铝电 极，并形成欧姆接触）---封装。
LED外延制作--液相外延的缺点
当外延层与衬底的晶格失配大于1%时生ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ长发生困难。
由于生长速率较快，难以得到纳米厚度 的外延材料。
外延层的表面形貌一般不如汽相外延的 好。
LED外延制作液相外延的生长原理
LED外延制作
液相外延示意图
LED外延制作
实 际 液 相 外 延 设 备
LED芯片制程简介PPT课件
型
及绿色荧光粉
高,光色及色温可调
晕现象,但较不明显
UV-LED配合红、绿、 兰三色荧光粉
高演色性,光色及色温可调, 使用高效率荧光粉提先发光 效率,光色不均不随电流变化
粉体混合数为因难，高效率 粉体不易寻找
结束语
当你尽了自己的最大努力时，失败也是伟大的，所以不 要放弃，坚持就是正确的。
When You Do Your Best, Failure Is Great, So Don'T Give Up, Stick To The End
周期 2 3 4 5 6
II
镁 Mg 锌 Zn 镉 Cd 汞 Hg
III 硼B 铝 A1 镓 Ga 铟 IN
IV 碳C 矽 Si 锗 Ge 锡 Sn 铅 Pb
V 氮N 磷P 砷 As 锑 Sb 鈊 Bi
VI 氧O 硫S 硒 Se 碲 Te
单晶成长
①柴可拉斯基液封式长晶法 (LEC)
②布吉曼水平式长晶法 (HB)
磊晶法
MOCVD LPE
MOCVD MOCVD MOCVD MOCVD MOCVD
MBE LPE LPE VPE CVD
元件形成
DH DH DH MQW MQW DH MQW DH SH SH SH SH
备注
晶片电极制作
金属化制程
①热阻式蒸镀 用于取低溶点的金属,如铝(AL)、金(AU)、镍（NI）
②电子枪蒸镀 (右图) 目前LED制程最普遍使用
③电浆溅镀(PLasma) 广泛应用于半导体制程
金属蒸气
晶圆
坩锅
电子束 金属
电子束产生器
抽真空
大电流
微影制程(光罩,蚀刻)
光源(汞弧光灯)
LED倒装制程介绍ppt课件
22
2 倒装焊固晶工艺
共晶焊的影响因素
固晶温度
选择Tg较固晶温度高10℃以上
E.g. Au-Sn(280 ℃ ),塑胶Tg>330 ℃
回流焊最高加热温度315 ℃ -320 ℃
E.g. Ag-Sn/Sn(232 ℃ ),塑胶Tg>290 ℃
回流焊最高加热温度270℃
23
2 倒装焊固晶工艺 共晶焊的影响因素
15
加热夹头
2 倒装焊固晶工艺
用吸头从晶圆上拾取晶片并放置在平台上 用加热的夹头从平台上拾取晶片 将晶片放置在预热的焊盘上 焊好的晶片置于在较低的温度下减小偏移
16
2 倒装焊固晶工艺
加热夹头可以显著减少孔洞 焊剂共晶在芯片中间有大的孔洞 加热夹头孔洞变得细小均匀
直接共晶 （加热焊盘）
LED倒装芯片与 倒装焊工艺
主讲人：
1
Contents
1
倒装结构LED芯片
2
倒装固晶工艺
3 Au-Sn共晶的制备方法
2
1 倒装结构LED芯片
• 正装/倒装芯片结构对比
器件功率 出光效率 热性能
3
1 倒装结构LED芯片
• 高可靠性 -机械强度
-散热性能
电性连接点 接触，瞬间 大电流冲击 易烧断
`
7
1 倒装结构LED芯片 Thin Film Flip Chip
8
1 倒装结构LED芯片
倒装芯片的制备方法
以蓝宝石基底制 作GaN外延片
ICP蚀刻/ RIE蚀刻
制作 透明导电层
制作 P-N电极
衬底上制备 反射散热层
芯片/衬底的划 片分割
Die bond 倒装焊接
LED制程详细讲解(内部资料)
LED制程講解
固晶站制程講解
1．在介紹固晶站制程前﹐先介紹LED整體制造流程﹕
1.手動線作業﹕
手動線流程圖示
2.自動線作業﹕
自動線流程圖示
2．固晶站制程講解(以圖示說明)﹕
■手動制程講解﹕
1.翻晶﹕
A.
a.翻晶機插上220V電源﹐桌上備負離子風扇并打開﹔
b.將原張晶片對准負離子風扇撕開后將保護膜貼于晶片膜的晶片四周﹐再取一白膜貼于晶片膜與保護膜上﹐然后白膜朝下并放于預熱盤正中﹐按下預熱器的開關﹐使氣缸動作﹔
b.攪攔方式自下而上全方位攪攔﹐時間在１０min分鐘以上﹔
D.銀膠攪攔注意事項﹕
a.攪攔棒需用丙酮等溶液清冼干淨方可使用﹔
b.未使用完之銀膠﹐需將殘留在罐內側或罐蓋的銀膠清理干淨﹐以防久置而凝固造成銀膠較大顆粒。
４.排支架
e.將母環套于子環上﹔
f.用壓晶模將母環壓到發熱盤底﹐將擴好的晶片取出﹐再按下降按鈕使發熱盤回復原位。
g.用剪刀將露出子母環外膠紙割掉﹐再在膜上注明具體晶片規格及數量等﹔
B.
a.檢查晶片WAFER直徑﹐若超過加熱盤規定范圍不能擴晶作業;
b.擴晶片前應放在顯微鏡底下檢查晶片是否有異常﹐如晶片反向﹑電極方向排列錯誤﹑電極損壞等等﹔
c.溫控器溫度設定為40~~60℃﹐如下圖﹕
d.氣缸提起后用壓晶輪來回滾壓晶片﹐使之受溫貼緊﹔
e.用手壓緊下膜﹐對准負離子風扇并迅速拉開上膜﹐然后取下保護膜即可。
B.
a.翻晶機台務必接地良好﹔
b.藍白光等高檔晶片翻晶過程(特別是撕膜過程)中﹐需嚴格做好防靜電措施﹐進行吹負離子風扇﹔
c.勿用手去觸摸電熱盤和翻好的晶片﹔
c.膠பைடு நூலகம்切勿放反﹐以免將晶片壓壞(晶片朝上﹑膠紙朝下);
固晶站制程講解
1．在介紹固晶站制程前﹐先介紹LED整體制造流程﹕
1.手動線作業﹕
手動線流程圖示
2.自動線作業﹕
自動線流程圖示
2．固晶站制程講解(以圖示說明)﹕
■手動制程講解﹕
1.翻晶﹕
A.
a.翻晶機插上220V電源﹐桌上備負離子風扇并打開﹔
b.將原張晶片對准負離子風扇撕開后將保護膜貼于晶片膜的晶片四周﹐再取一白膜貼于晶片膜與保護膜上﹐然后白膜朝下并放于預熱盤正中﹐按下預熱器的開關﹐使氣缸動作﹔
b.攪攔方式自下而上全方位攪攔﹐時間在１０min分鐘以上﹔
D.銀膠攪攔注意事項﹕
a.攪攔棒需用丙酮等溶液清冼干淨方可使用﹔
b.未使用完之銀膠﹐需將殘留在罐內側或罐蓋的銀膠清理干淨﹐以防久置而凝固造成銀膠較大顆粒。
４.排支架
e.將母環套于子環上﹔
f.用壓晶模將母環壓到發熱盤底﹐將擴好的晶片取出﹐再按下降按鈕使發熱盤回復原位。
g.用剪刀將露出子母環外膠紙割掉﹐再在膜上注明具體晶片規格及數量等﹔
B.
a.檢查晶片WAFER直徑﹐若超過加熱盤規定范圍不能擴晶作業;
b.擴晶片前應放在顯微鏡底下檢查晶片是否有異常﹐如晶片反向﹑電極方向排列錯誤﹑電極損壞等等﹔
c.溫控器溫度設定為40~~60℃﹐如下圖﹕
d.氣缸提起后用壓晶輪來回滾壓晶片﹐使之受溫貼緊﹔
e.用手壓緊下膜﹐對准負離子風扇并迅速拉開上膜﹐然后取下保護膜即可。
B.
a.翻晶機台務必接地良好﹔
b.藍白光等高檔晶片翻晶過程(特別是撕膜過程)中﹐需嚴格做好防靜電措施﹐進行吹負離子風扇﹔
c.勿用手去觸摸電熱盤和翻好的晶片﹔
c.膠பைடு நூலகம்切勿放反﹐以免將晶片壓壞(晶片朝上﹑膠紙朝下);
LED工艺制程good课件
P*62.139(lm)/Sr(15Deg)=3cd P*62.139/0.0537=3cd P=0.00259W=2.58mW
LED工艺制程good
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LED工艺制程good
the spectral response of the eye
lm/sr = candela (cd)
立体角:
Solid angle: sr = 2 (1 - cos(θ/2))
LED工艺制程good
如何理解光通量(Lumen)和发光强度(Mcd)
市场cd (20mA)
LED工艺制程good
光学知识
Power Power per unit area Power per unit solid angle
Radiometry Watt (W) W/m2 W/sr
Photometry lumen (lm) lm/m2 = lux (lx)
Photometry is just like radiometry except that everything is weighted by
Different parts of an LED
epoxy dome
bond wires
semiconductor chip
“silver cup” reflector
Process flow: Design Growth
electrodes
Processing Packaging Characterization
p电极蒸发
LED工艺制程good
P电极光刻
LED工艺制程good
P电极腐蚀
KI+I2
LED工艺制程good
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LED工艺制程good
the spectral response of the eye
lm/sr = candela (cd)
立体角:
Solid angle: sr = 2 (1 - cos(θ/2))
LED工艺制程good
如何理解光通量(Lumen)和发光强度(Mcd)
市场cd (20mA)
LED工艺制程good
光学知识
Power Power per unit area Power per unit solid angle
Radiometry Watt (W) W/m2 W/sr
Photometry lumen (lm) lm/m2 = lux (lx)
Photometry is just like radiometry except that everything is weighted by
Different parts of an LED
epoxy dome
bond wires
semiconductor chip
“silver cup” reflector
Process flow: Design Growth
electrodes
Processing Packaging Characterization
p电极蒸发
LED工艺制程good
P电极光刻
LED工艺制程good
P电极腐蚀
KI+I2
LED制造工艺流程简介PPT(共 55张)
剥离去除被挡住的部分后烘刻蚀rie和icp?以cf4刻蚀sio2为例说明刻蚀包括化学过程和物理过程化学过程是指反应气体与被刻蚀物质的化学反应物理过程是指离子在电场作用下对被刻蚀物质的物理轰击ecf4cf3fe4fsio2ssif4g2oriereactiveionetching反应离子刻蚀icpinducedcoupledplasma电感耦合等离子体外延材料生长?mocvd记编号放片子反应原理反应方程式nh3h2tmgbubblerreactorchamberchganhgan3ch3334substratesusceptornh3tmg氨气nh3氢气h2三甲基镓源tmg反应管衬底石墨支撑盘gach33vnh3v一gans3ch4v外延层结构外延层主要结构
•
18、努力也许不等于成功，可是那段追逐梦想的努力，会让你找到一个更好的自己，一个沉默努力充实安静的自己。
点胶
在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。（对于 GaAs、SiC导电衬底，具有背面电极的红光、黄光、 黄绿芯片，采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、 绿光LED芯片，采用绝缘胶来固定芯片。）工艺难 点在于点胶量的控制，在胶体高度、点胶位置均有 详细的工艺要求。
由于银胶和绝缘胶在贮存和使用均有严格的要求，银 胶的醒料、搅拌、使用时间都是工艺上必须注意的 事项。
固化与固化后
固化是指封装环氧的固化，一般环氧固化条件在 135℃，1小时。模压封装一般在150℃，4分钟。
后固化
后固化是为了让环氧充分固化，同时对LED进行热老 化。后固化对于提高环氧与支架（PCB）的粘结强度 非常重要。一般条件为120℃，4小时。
切筋和划片
由于LED在生产中是连在一起的（不是单个）， Lamp封装采用切筋切断LED支架的连筋。 SMD-LED则是在一片PCB板上，需要划片机 来完成分离工作。
•
18、努力也许不等于成功，可是那段追逐梦想的努力，会让你找到一个更好的自己，一个沉默努力充实安静的自己。
点胶
在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。（对于 GaAs、SiC导电衬底，具有背面电极的红光、黄光、 黄绿芯片，采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、 绿光LED芯片，采用绝缘胶来固定芯片。）工艺难 点在于点胶量的控制，在胶体高度、点胶位置均有 详细的工艺要求。
由于银胶和绝缘胶在贮存和使用均有严格的要求，银 胶的醒料、搅拌、使用时间都是工艺上必须注意的 事项。
固化与固化后
固化是指封装环氧的固化，一般环氧固化条件在 135℃，1小时。模压封装一般在150℃，4分钟。
后固化
后固化是为了让环氧充分固化，同时对LED进行热老 化。后固化对于提高环氧与支架（PCB）的粘结强度 非常重要。一般条件为120℃，4小时。
切筋和划片
由于LED在生产中是连在一起的（不是单个）， Lamp封装采用切筋切断LED支架的连筋。 SMD-LED则是在一片PCB板上，需要划片机 来完成分离工作。
LED生产流程PPT课件
30
开双孔光罩作业
将N/P电极区域的SiO2露出，以便下步蚀 刻
31
SiO2蚀刻
将电极上的SiO2用BOE（NH4F+HF）混酸 腐蚀35sec,露出电极。
32
去光阻
左图绿色阴影区域为SiO2，黄色阴影区域 为金属电极。
33
• 单颗晶粒前工艺后成品图
2024/1/5
3434
2024/1/5
主要设备有MOCVD.
2024/1/5
99
5um
P型GaN：Mg 发光层（InGaN/GaN）
N型GaN : Si
GaN缓冲层
450um 蓝宝石衬底
2024/1/5
1010
平面（镜面），PSS和粗化片的 概念与区别
平面片为最早的晶片，指的是蓝宝石衬底是 平的；而PSS指的是图形化衬底，蓝宝石衬 底不是平整的，而是做成重复的山包形状。 而粗化指的是外延衬底生长完成后在P层表 面是否进行粗化处理。所以理论上存在4中 类型晶片：
6464
LED产品应用
显示元件 •全彩看板 •数码管 •跑马灯
65
汽车 •第三剎車灯 •仪表显示灯 •方向灯 •尾灯
66
通讯 •背光源 •信号灯 •无线传输
67
照明 •一般照明 •景观照明
68
Thinks！
69
3
LED优点︰
●寿命长,理论上为10万小时，一般大于5万小 万。（是荧光灯的10倍）
●光效高，耗电量小,仅为白炽灯的1/8,荧光灯 的1/3）
●体积小,重量轻,可封装成各种类型 ●坚固耐用,不怕震动。环氧树脂封装，防水，
耐恶劣环境使用 ●多色显示,利用RGB可实现七彩色显示。 ●响应时间快,一般为毫微秒(ns)级。
开双孔光罩作业
将N/P电极区域的SiO2露出，以便下步蚀 刻
31
SiO2蚀刻
将电极上的SiO2用BOE（NH4F+HF）混酸 腐蚀35sec,露出电极。
32
去光阻
左图绿色阴影区域为SiO2，黄色阴影区域 为金属电极。
33
• 单颗晶粒前工艺后成品图
2024/1/5
3434
2024/1/5
主要设备有MOCVD.
2024/1/5
99
5um
P型GaN：Mg 发光层（InGaN/GaN）
N型GaN : Si
GaN缓冲层
450um 蓝宝石衬底
2024/1/5
1010
平面（镜面），PSS和粗化片的 概念与区别
平面片为最早的晶片，指的是蓝宝石衬底是 平的；而PSS指的是图形化衬底，蓝宝石衬 底不是平整的，而是做成重复的山包形状。 而粗化指的是外延衬底生长完成后在P层表 面是否进行粗化处理。所以理论上存在4中 类型晶片：
6464
LED产品应用
显示元件 •全彩看板 •数码管 •跑马灯
65
汽车 •第三剎車灯 •仪表显示灯 •方向灯 •尾灯
66
通讯 •背光源 •信号灯 •无线传输
67
照明 •一般照明 •景观照明
68
Thinks！
69
3
LED优点︰
●寿命长,理论上为10万小时，一般大于5万小 万。（是荧光灯的10倍）
●光效高，耗电量小,仅为白炽灯的1/8,荧光灯 的1/3）
●体积小,重量轻,可封装成各种类型 ●坚固耐用,不怕震动。环氧树脂封装，防水，
耐恶劣环境使用 ●多色显示,利用RGB可实现七彩色显示。 ●响应时间快,一般为毫微秒(ns)级。
LED制造工艺 (2)PPT
LED封装过程
目前，LED常用的封装形式有引脚式封 装(DIP)、外表贴装封装(SMD)、功率型LED 封装(HIGH POWER)，其中DIP封装有时也 称为Lamp-LED封装。图8-43所示为LED封 装的主要流程简图，其中晶片、银胶、绝 缘胶、支架、模条、胶水是封装使用的主 要原物料，固晶、焊线、灌胶、测试是 LED封装的主要制程。
〔4〕晶圆(或称衬底材料)制造完成后，进展外延生 长。外延就是在衬底上淀积一层薄的单晶层，新 淀积的这层称为外延层。
以GaAs为例，根据制程的不同，外延可分为 液相外延(LPE)、有机金属气相外延(MOCVD)以及 分子束外延(MBE)。LPE的技术层次较低，主要用 于一般发光二极管的外延生长，而MBE的技术层 次较高，容易生长极薄的外延层，且纯度高、平
焊线 焊线的工艺过程通常称为压焊。压焊
的目的是把电极引到LED芯片上，完成产 品内外引线的连接工作。使用的设备是铝 丝或金丝焊机。LED的压焊工艺有金丝球 焊和铝丝压焊两种。铝丝压焊时，先在 LED芯片电极上压焊第一点，再将铝丝拉 到相应的支架上方，压第二点后扯断铝丝。
灌胶 Lamp-LED的封装就是采用灌胶封装的 形式。灌胶就是在LED成型模腔内注入液 态环氧树脂的过程。灌胶后插入压焊好的 LED支架，放入烘箱进展液态环氧树脂的 固化。灌胶不良可能会引起以下现象：支
几个主要的环节
扩晶 扩晶的目的就是将粘贴芯片的膜进
展扩张从而增大芯片间的距离。由于划片 以后，LED芯片排列得较为严密，芯片间 的距离很小(约0.1mm)，使得后续工序的操 作变得困难。因此使用扩片机对粘贴芯片 的膜进展扩张，将LED芯片的间距拉伸到 约0.6mm左右，方便后续操作。
点胶 在LED支架的相应位置点上银胶或绝 缘胶。银胶主要用于以GaAs或SiC为衬底材 料且有反面电极的红光、黄光、黄绿光芯
LED上中下游制程.ppt
2004.12.15
（续）
右图为一颗四元系LED芯 片的结构，其中： P-GaP-Mg、 GaInP-Al、 N-GaP-Si、 GaAs 是前段工序完成后的产品；而 上面五层和下面四层则是中段 工序要做的工作。
目前超高亮度发光二极管 红黄光系列用AlGaInP四元系 材料是性能最好的，其前段工 序的主要核心技术：MOVPE （有機金屬氣相磊晶法）。
清 • 用于Wafer切割后，把Wafer表 洗 面经切割后留下的污物冲洗干净。
机
2004.12.15
2004.12.15
Al Ti Au AuBe Au P-GaP-Mg GaInP-Al N-GaP-Si GaAs Au AuGeNi Ni Au
上游成品（外延片）
（续）
研磨（减薄、抛光）
去腊清洗、库房
正面涂胶保护（P面）
化学抛光
去胶清洗
腐蚀
清洗
蒸镀（P面）
清洗
蒸镀（N面）
LED 工艺
黄光室涂胶
但是万变不离其宗，其主要的思想都是 一样的：外延片的生长（PN结的形成）---电 极的制作（有金电极，铝电极，并形成欧姆 接触）---封装。
2004.12.15
相关设备
光罩对准曝光机
• 用于LED光罩对准曝光微影制程。 该设备是利用照相的技术，定义出所 需要的图形，因为采用感光剂易曝光， 得在黄色灯光照明区域内工作，所以 其工作的区域叫做「黄光区」
2004.12.15
蒸镀Au（P面） 蒸镀Au（N面） 蒸镀AuGeNi（N面）
2004.12.15
蒸镀Ni（N面） 蒸镀Au（N面）
黄光室涂胶
2004.12.15
掩膜版 光罩作业
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Invisible
LED 生产流程
進料檢驗
固晶
烘烤
光電特性測試
切腳
烘烤
捲帶
包裝出貨
打線 封膠
➢ LED的五大物料與五大製程
五大物料
五大製程
晶片 基材 銀膠
固晶
金線
銲線
環氧樹脂
封膠
切腳
測試
LED结构图
LED光电参数定义
一、顺向电压（Forward Voltage）
单位（V）
红，黄，黄绿：Typ：2.0V Max:2.4V
Forward Voltage VF(V)
大家有疑问的，可以询问和交流
可以互相讨论下，但要小声点
二，发光颜色，波长 （Color Hue Wavelength Spectrum）
单位（nm)
a. λp:發光體或物體(經由反射或穿透)在分光儀上量得的能量
分佈,其峰值位置對應的波長,稱為λp(peak).
五，色温（Color Temperature)
单位：绝对温度（Kelvin,K)
一个光源之色温被定义为与其具有相同光色之“标准黑体（Black boby radiator)”本身之绝对温度值，以量化光源的光色表现。根据Max Planck(普 朗克)的理论，将一具完全吸收与放射能力的标准黑体加热，温度逐渐升 高光度亦随之改变；CIE色座标上的黑体曲线（Black body locus）显示黑 体由红——橙红——黄——黄白——白——蓝白的过程。黑体加温到出现 与光源相同或接近光色时的温度，定义为该光源的相关色温度，此温度可 以在色度图上之普朗克轨迹上找到其对应点。标准黑体之温度越高，其辐 射出之光线光谱中蓝色成份就越多，红色成份也就相对越少，反之，标准 黑体之温度越低，其辐射出之光线光谱中的蓝色成份就越少，红色成份就 越多。
b. λd :而λd (dominant)是以人眼所見的可見光區(400-700), 決定發光 體或物體的光線主要落在什麼波長.
c. △ λ:(半波寬)
Spectral Radiance (Peak @ 610nm)
Peak Wavelength λp:610nm(峰值波長)
1.0
Dominant Wavelength λd:624nm(主波長) 0.8
光 (人眼所見電磁波範圍)
接近
熱線
紅
長
光性質 (熱能
外
波
也稱為
線
長
熱波)
區
有大熱能
1mm
極超短波
電波
紅橙黃綠藍靛紫，為人眼可見之光，是人類所能察覺光的波長，介於380～780nm之間。 紫色光波以下的波長稱為紫外線，大約介於100nm~380nm。 紅色光波以上的波長稱為紅外線，大約介於780nm~1mm。
LED制程介绍
光的分类︰
白色光
分
稜鏡
成
七
色
光
譜
10-3nm 1nm 10nm 100nm 280nm 315nm 380nm
780nm 1000nm 1.5μm 5μm
100μm
γ射線 X射線
遠紫外線 中紫外線 近紫外線 可見光線
近紅外線 中紅外線
遠紅外線
紫
短
外
波
線
長
區
化學線 (由日照產生化 學線作用引起)
△ λ:22nm(半波寬)
0.6
0.4
△λ
Normalized Response
0.2
0.0
520 540 560 580 600 620 640 660 680 700 Wave Length(nm)
PS:人眼對555nm波長光(綠色)的感度 最佳, 隨之比它波長越短或越長, 則感度 越差, 此種人眼感度特性, 稱為視感度
三，发光强度（luminous Intensity）
单位﹕cd(Candla)
表示光源在一定方向范圍內發出的光通量的大小。
一般而言，光源之光线会向不同方向以不同强度放射出其光通量， 在特定方向所放出之可见光之强度称为光强
IV与IF成正比
Relative Luminosity (a.u)
Forward Current vs.Relative Luminosity (Ta=25℃)
一个灯的光色可以简单的以色温来表示，以发出光色为暖白色之普通白 炽灯泡为例，其色温为2700K，而一般日光灯之色温为6000K，光之色温 主要可分成三大类：
暖白色：＜3300K
中间色：3300至6000K
冷白色：＞6000K
白光LED简介
在技术方面白光LED目前主要分为两种发光方式:目前主要的商品化作法是日 亚化学(Nichia)以460nm波长的InGaN蓝光晶粒涂上一层YAG荧光物质，利用 蓝光LED照射此一荧光物质以产生与蓝光互补的555nm波长黄光，再利用透 镜原理将互补的黄光、蓝光予以混合，便可得出肉眼所需的白光。目前在白 光LED技术方面仍以日亚化学领先，拥有众多专利权。第二种是日本住友电工 亦开发出以ZnSe（锌，硒）为材料的白光LED。
紫，蓝，绿，白：Typ：3.2V Max:4.0V
测试条件：IF=20mA Ta=25℃
Forward Current IF(mA)
Forward Voltage vs.Forward Current(Ta=25℃)
100
10
1
1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
可见光区分
380nm 430nm 490nm 505nm 515nm 535nm 585nm 600nm
630nm 700nm
紫色(Purple)
藍色(Blue)
藍綠色(Bluish Green) 翠綠色(Green) 純綠色(Pure Green) 黃綠色(Yellow Green) 黃色(Yellow) 琥珀色(Amber) 橙色(Orange) 紅色(Red)
4.0 3.5 3.0 2.5 12..50 1.0 0.5 0.0
0
ห้องสมุดไป่ตู้
20 40 60 80 100 120
Forward Current IF(mA)
四，发光角度（2θ1/2 Viewing Angle）
LED為指向性元件 ½表示發光強度50%時的角度 LED亮度与角度成反比， 亮度相同的兩顆LED, 2θ1/2愈大則Iv愈小
LED的封装
Lens
Bond Wire
LED Chip
adhesive
Lead frame
PCB
Traditional package
High Power package
LED類別介紹
LAMP Pin-through-hole
Visible
HIGHPOWER
SMD Surface Mount Technology