8031单片机ppt课件

合集下载

8031单片机ppt课件

大题60分
21Biblioteka （3）控制线： CE ——低电平存储片选信号线，由高位地址译码得
到。 WE WE=0 ——低电平有效写信号控制 OE——输出允许即读将地址线所指令的内存单元数
据通过
10
（4）电源： VCC电源正 GND电源地 6164与6116 的区别是地址
线数 6164 8K 213即13根地址线
11
74ls138引脚图-74ls138管脚图及功能真值表 74ls138引脚图
若将选通端中的一个作为数据输入端时，74LS138还可作数据分配器
用与非门组成的3线-8线译码器74LS138 3线-8线译码器74LS138的功能表
13
14
15
16
17
18
19
20
复习：一、填空二、消除机械传动间隙的原理（以齿轮为主）三、步进电机驱动电源四、光电耦合器的原理、符号图、在微机控制系统中的应用及设计举例五、单片机的接口电路图考试：填空40分
（3）控制或与其它电源复用引脚RST/VPD，ALE/ ，和 /Vpp
① RST/VPD 当振荡器运行时，在此引脚上出现两个机器周期的高电平（由低到高跳变），将使单片机复位
在Vcc掉电期间，此引脚可接上备用电源，由VPD向内部提供备用电源，以保持内部RAM中的数据。
② ALE/ 正常操作时为ALE功能（允许地址锁存）提供把地址的低字节锁存到外部锁存器，ALE 引脚以不变的频率（振荡器频率的）周期性地发出正脉冲信号。因此，它可用作对外输出的时钟，或用于定时目的。但要注意，每当访问外部数据存储器时，将跳过一个ALE脉冲，ALE 端可以驱动（吸收或输出电流）八个LSTTL电路。对于EPROM型单片机，在EPROM编程期间，此引脚接收编程脉冲（功能）

单片机基础知识资料-PPT

第1、3章单片机应用概述与开发步骤第4章 80C51单片机硬件基础知识第5章 80C51单片机软件基础知识第6章 80C51单片机内部资源及应用第7章单片机外部扩展资源及应用
第1、3章单片机应用概述与开发步骤
1. 电子计算机的发展概述
2. 单片机的发展过程及产品近况
3. 单片机的特点 4. 单片机应用系统开发简介
5.1 计算机语言概述
5.2 80C51单片机寻址方式
5.3 80C51单片机指令系统
暂时不讲
5.4 80C51汇编语言程序设计
5.5 80C51单片机C51程序设计语言
5.6 C51的运算符和表达式
5.7 C51的库函数
5.8 C51的应用技巧
第5章 80C51单片机软件基础知识
单片机应用系统
大家有疑问的，可以询问和交流
可以互相讨论下，但要小声点
第1、3章单片机应用概述与开发步骤
软件系统
• 系统资源分配 • 程序结构 • 数学模型 • 程序流程 • 编制程序
第1、3章单片机应用概述与开发步骤
程序设计
通常是C语言或者汇编语言，在特定的集成开发环境（IDE）中编程调试，比如应用最广泛的KEIL uVision3
通过特殊功能寄存器可实现对单片机内部资源的操作和管理。
常用特殊功能寄存器
第4章 80C51单片机硬件基础知识
常用特殊功能寄存器
第4章 80C51单片机硬件基础知识
常用特殊功能寄存器
端口P0～P3
特殊功能寄存器P0～P3分别是I/O端口P0～P3的锁存器。80C51单片机是把I/O当作一般的特殊功能寄存器使用，不专设端口操作指令，使用方便。
•数据缓冲区 30H～7FH是数据缓冲区，即用户RAM区，共80个单元。

51系列单片机8031

51系列单片机8031、8051及89c51/89s51均采用40Pin封装的双列直接DIP结构。

下图是它们的引脚配置:40个引脚中，正电源和地线两根，外置石英振荡器的时钟线两根，4组8位共32个I/O口，中断口线与P3口线复用。

现在我们对这些引脚的功能加以说明：·Pin20:接地脚。

·Pin40:正电源脚，工作时，接+5V电源。

·Pin19:时钟XTAL1脚，片内振荡电路的输入端。

·Pin18:时钟XTAL2脚，片内振荡电路的输出端。

8051的时钟有两种方式，一种是片内时钟振荡方式，但需在18和19脚外接石英晶体(2-12MHz)和振荡电容，振荡电容的值一般取10p-30p。

另外一种是外部时钟方式，即将XTAL1接地，外部时钟信号从XTAL2脚输入。

输入输出(I/O)引脚：Pin39-Pin32为P0.0-P0.7输入输出脚。

Pin1-Pin8为P1.0-P1.7输入输出脚。

Pin21-Pin28为P2.0-P2.7输入输出脚。

Pin10-Pin17为P3.0-P3.7输入输出脚。

·Pin9:RESET/Vpd复位信号复用脚，当8051通电，时钟电路开始工作，在RESET引脚上出现24个时钟周期以上的高电平，系统即初始复位。

8051的复位方式可以是自动复位，也可以是手动复位，见下图。

此外，RESET/Vpd还是一复用脚，Vcc掉电期间，此脚可接上备用电源，以保证单片机内部RAM 的数据不丢失。

·Pin30:ALE/当访问外部程序器时，ALE(地址锁存)的输出用于锁存地址的低位字节。

而访问内部程序存储器时，ALE端将有一个1/6时钟频率的正脉冲信号，这个信号可以用于识别单片机是否工作，也可以当作一个时钟向外输出。

如果单片机是EPROM，在编程其间，将用于输入编程脉冲。

·Pin29:当访问外部程序存储器时，此脚输出负脉冲选通信号，PC的16位地址数据将出现在P0和P2口上，外部程序存储器则把指令数据放到P0口上，由CPU读入并执行。

用8031单片机设计简单数字电压表以及原理图

AT89S51和ADC0809构成的数字电压表电路原理图利用单片机AT89S51与ADC0809设计一个数字电压表，能够测量0－5V之间的直流电压值，四位数码显示，但要求使用的元器件数目最少。

3．系统板上硬件连线a) 把“单片机系统”区域中的P1.0－P1.7与“动态数码显示”区域中的ABCDEFGH端口用8芯排线连接。

b) 把“单片机系统”区域中的P2.0－P2.7与“动态数码显示”区域中的S1S2S3S4S5S6S7S8端口用8芯排线连接。

c) 把“单片机系统”区域中的P3.0与“模数转换模块”区域中的ST端子用导线相连接。

d) 把“单片机系统”区域中的P3.1与“模数转换模块”区域中的OE端子用导线相连接。

e) 把“单片机系统”区域中的P3.2与“模数转换模块”区域中的EOC端子用导线相连接。

f) 把“单片机系统”区域中的P3.3与“模数转换模块”区域中的CLK端子用导线相连接。

g) 把“模数转换模块”区域中的A2A1A0端子用导线连接到“电源模块”区域中的GND端子上。

h) 把“模数转换模块”区域中的IN0端子用导线连接到“三路可调电压模块”区域中的VR1端子上。

i) 把“单片机系统”区域中的P0.0－P0.7用8芯排线连接到“模数转换模块”区域中的D0D1D2D3D4D5D6D7端子上。

4．程序设计内容i. 由于ADC0809在进行A/D转换时需要有CLK信号，而此时的ADC0809的CLK是接在AT89S51单片机的P3.3端口上，也就是要求从P3.3输出CLK信号供ADC0809使用。

因此产生CLK信号的方法就得用软件来产生了。

ii. 由于ADC0809的参考电压VREF＝VCC，所以转换之后的数据要经过数据处理，在数码管上显示出电压值。

实际显示的电压值(D/256*VREF)5．汇编源程序（略）6． C语言源程序#include <AT89X52.H>unsigned char code dispbitcode[]={0xfe,0xfd,0xfb,0xf7,0xef,0xdf,0xbf,0x7f};unsigned char code dispcode[]={0x3f,0x06,0x5b,0x4f,0x66,0x6d,0x7d,0x07,0x7f,0x6f,0x00};unsigned char dispbuf[8]={10,10,10,10,0,0,0,0};unsigned char dispcount;unsigned char getdata;unsigned int temp;unsigned char i;sbit ST=P3^0;sbit OE=P3^1;sbit EOC=P3^2;sbit CLK=P3^3;void main(void){ST=0;OE=0;ET0=1;ET1=1;EA=1;TMOD=0x12;TH0=216;TL0=216;TH1=(65536-4000)/256; TL1=(65536-4000)%256; TR1=1;TR0=1;ST=1;ST=0;while(1){if(EOC==1){OE=1;getdata=P0;OE=0;temp=getdata*235; temp=temp/128;i=5;dispbuf[0]=10; dispbuf[1]=10; dispbuf[2]=10; dispbuf[3]=10; dispbuf[4]=10; dispbuf[5]=0;dispbuf[6]=0;dispbuf[7]=0;while(temp/10){dispbuf[i]=temp%10; temp=temp/10;i++;}dispbuf[i]=temp;ST=1;ST=0;}}}void t0(void) interrupt 1 using 0{CLK=~CLK;}void t1(void) interrupt 3 using 0{TH1=(65536-4000)/256;TL1=(65536-4000)%256;P1=dispcode[dispbuf[dispcount]];P2=dispbitcode[dispcount];if(dispcount==7){P1=P1 | 0x80;}dispcount++;if(dispcount==8){dispcount=0;}}利用单片机AT89S51与ADC0809设计一个数字电压表2008-05-22 14:521．实验任务利用单片机AT89S51与ADC0809设计一个数字电压表，能够测量0－5V之间的直流电压值，四位数码显示，但要求使用的元器件数目最少。

8031单片机

第二章单片机系统部分组成2。

1 概述为了设计此系统，我们采用了8031单片机作为控制芯片,在前向通道中是一个非电信号的电量采集过程。

它由传感器采集非电信号，从传感器出来经过功率放大过程，使信号放大，再经过模/数转换成为计算机能识别的数字信号,再送入计算机系统的相应端口。

由于8031中无片内ROM，且数据存储器也不能满足要求，，经扩展2732和6264来达到存储器的要求，其结果通过显示器和微型打印机来进行显示输出，也可以通过上位机接口来上传PC机，对于实时检测系统我们还配备了键盘对单片机的各项工作进行管理和控制。

2。

2 8031的内部结构8031是有8个部件组成,即CPU，时钟电路,数据存储器，并行口（P0～P3)串行口,定时计数器和中断系统，它们均由单一总线连接并被集成在一块半导体芯片上.CPU中央处理器：中央处理器是8031的核心，它的功能是产生控制信号,把数据从存储器或输入口送到CPU 或CPU数据写入存储器或送到输出端口。

还可以对数据进行逻辑和算术的运算.内存:内部存储器可分做程序存储器和数据存储器，但在8031中无片内程序存储器。

定时/计数器：8031有两个16位的定时/计数器，每个定时器/计数器都可以设置成定时的方式和计数的方式，但只能用其中的一个功能，以定时或计数结果对计算机进行控制。

并行I/O口：MCS-51有四个8位的并行I/O口，P0，P1，P2，P3，以实现数据的并行输出。

串行口：它有一个全双工的串行口，它可以实现计算机间或单片机同其它外设之间的通信，该并行口功能较强，可以做为全双工异步通讯的收发器也可以作为同步移位器用。

中断控制系统：8031有五个中断源，既外部中断两个，定时计数中断两个，串行中断一个，全部的中断分为高和低的两个输出级。

8031的制作工艺为HMOS，采用40管脚双列直插DIP封装,引脚说明如下：VCC（40引脚）正常运行时提供电源。

VSS（20引脚）接地。

XTAL1(19引脚）在单片机内部,它是一个反向放大器的输入端，该放大器构成了片内的震荡器，可以提供单片机的时钟信号,该引脚也是可以接外部的晶振的一个引脚，如采用外部振荡器时，对于8031而言此引脚应该接地。

8031单片机

欢迎共阅第二章单片机系统部分组成2.1 概述为了设计此系统，我们采用了8031单片机作为控制芯片，在前向通道中是一个非电信号的电量采集过程。

它由传感器采集非电信号，从传感器出来经过功率放大过程，使信号放大，再经过模/数转换成为计算机能识别的数字信号，再送入计算机系统的相应端口。

CPU 中央处理器：中央处理器是8031的核心，它的功能是产生控制信号，把数据从存储器或输入口送到CPU 或CPU 数据写入存储器或送到输出端口。

还可以对数据进行逻辑和算术的运算。

内存：内部存储器可分做程序存储器和数据存储器，但在8031中无片内程序存储器。

并行I/O口：MCS-51有四个8位的并行I/O口，P0，P1，P2，P3，以实现数据8031的制作工艺为HMOS，采用40管脚双列直插DIP封装，引脚说明如下：VCC（40引脚）正常运行时提供电源。

VSS（20引脚）接地。

XTAL1（19引脚）在单片机内部，它是一个反向放大器的输入端，该放大器构成了片内的震荡器，可以提供单片机的时钟信号，该引脚也是可以接外部的晶振的一个引脚，如采用外部振荡器时，对于8031而言此引脚应该接地。

XTAL2（18引脚）在内部，接至上述振荡器的反向输入端，当采用外部振荡器时，对MCS51系列该引脚接收外部震荡信号，即把该信号直接接到内部时钟的输入端。

行口中，可以在任何一个输出数据，又可以从它们那得到数据，故它们都是双向的，每一个I/O口内部都有一个8位数据输出锁存器和一个8位数据输入缓冲器，各成为SFR中的一个，因此CPU数据从并行I/O口输出时可以得到锁存，数据输入时可以得到缓冲，但他们在功能和用途上的差异很大，P0和P2口内部均有个受控制器控制的二选一选择电路，故它们除可以用做通用I/O口以外还具有特殊的功能，P0口通常用做通用I/O口为CPU传送数据，P2口除了可以用做通用口以外，还具有第一功能，除P0口以外其余三个都是准双向口。

8031

单片机8031生产厂家：Intel公司特性：8031单片机是Intel公司生产的MCS-51系列单片机中的一种，除无片内ROM外，其余特性与MCS-51单片机基本一样。

MCS-51单片机的引脚描述及片外总线结构一、芯片的引脚描述HMOS制造工艺的MCS-51单片机都采用40引脚的直插封装（DIP方式），制造工艺为CHMOS的80C51/80C31芯片除采用DIP封装方式外，还采用方型封装工艺，引脚排列如图。

其中方型封装的CHMOS芯片有44只引脚，但其中4只引脚（标有NC的引脚1、12、23、34）是不使用的。

在以后的讨论中，除有特殊说明以外，所述内容皆适用于CHMOS 芯片。

如图，是MCS-51的逻辑符号图。

在单片机的40条引脚中有2条专用于主电源的引脚，2条外接晶体的引脚，4条控制或与其它电源复用的引脚，32条输入/输出（I/O）引脚。

下面按其引脚功能分为四部分叙述这40条引脚的功能。

1、主电源引脚VCC和VSSVCC——（40脚）接+5V电压；VSS——（20脚）接地。

2、外接晶体引脚XTAL1和XTAL2XTAL1（19脚）接外部晶体的一个引脚。

在单片机内部，它是一个反相放大器的输入端，这个放大器构成了片内振荡器。

当采用外部振荡器时，对HMOS单片机，此引脚应接地；对CHMOS单片机，此引脚作为驱动端。

XTAL2（18脚）接外晶体的另一端。

在单片机内部，接至上述振荡器的反相放大器的输出端。

采用外部振荡器时，对HMOS单片机，该引脚接外部振荡器的信号，即把外部振荡器的信号直接接到内部时钟发生器的输入端；对XHMOS，此引脚应悬浮。

3、控制或与其它电源复用引脚RST/VPD、ALE/PROG、PSEN和EA/VPP①RST/VPD（9脚）当振荡器运行时，在此脚上出现两个机器周期的高电平将使单片机复位。

推荐在此引脚与VSS引脚之间连接一个约8.2k的下拉电阻，与VCC引脚之间连接一个约10μF的电容，以保证可靠地复位。

单片机结构(共46张PPT)

MCS-51单片机的结构原理
8051是MCS-51系列单片机的典型产品，我们以这一代表性的机型进行系统的讲解。
➢ 内部结构
➢ 外部引脚 ➢ 工作时序
➢ 实例分析
第1页，共46页。
典型单片机结构
T0 T1
时钟电路 ROM
内部总线 CPU
RAM
定时/计数器
并行接口
串行接口
中断系统
中央处理器数据存储器(RAM)
输入输出引脚
P1.0
➢ P0：P0.1~P0.7
P1.1
➢ 漏极开路双向I/O
P1.2 P1.3
➢ 一般为数据总线口
P1.4
➢ P1：P1.1~P1.7
P1.5 P1.6
➢ 拟双向I/O通道
➢ P2：P2.1~P2.7
P1.7 RST
RXD/P3.0
➢ 拟双向I/O通道
TXD/P3.1 INT0/P3.2
P3口的第二功能表
I/O口
第二功能
注释
2个定时器T0、T1溢3，.0 然后从中间往两R头X逐D 个灭，周而复始为1时：负边沿触发中断请求；
串行口数据接收端
分别由8位寄存器TH0、TL0 和 TH1、TL1组成。
else return(0);
28
14
27
15
26
16
25
17
24
18
23
19
22
20
21
第10页，共46页。
V CC P0.0/AD 0 P0.1/AD 1 P0.2/AD 2 P0.3/AD 3 P0.4/AD 4 P0.5/AD 5 P0.6/AD 6 P0.7/AD 7 EA/V PP ALE/PROG PSEN P2.7/A 15 P2.6/A 14 P2.5/A 13 P2.4/A 12 P2.3/A 11 P2.2/A 10 P2.1/A 9 P2.0/A 8

8031单片机

8031和8051是最常见的mcs51系列单片机，是inter公司早期的成熟的单片机产品，应用范围涉及到各行各业,下面介绍一下它的引脚图等资料。

<8031，8051管脚图>8031,8051引脚功能（1）主电源引脚Vss和Vcc①Vss接地②Vcc正常操作时为+5伏电源（2）外接晶振引脚XTAL1和XTAL2①XTAL1内部振荡电路反相放大器的输入端，是外接晶体的一个引脚。

当采用外部振荡器时，此引脚接地。

②XTAL2内部振荡电路反相放大器的输出端。

是外接晶体的另一端。

当采用外部振荡器时，此引脚接外部振荡源。

（3）控制或与其它电源复用引脚RST/VPD，ALE/ ，和/Vpp①RST/VPD 当振荡器运行时，在此引脚上出现两个机器周期的高电平（由低到高跳变），将使单片机复位在Vcc掉电期间，此引脚可接上备用电源，由VPD向内部提供备用电源，以保持内部RAM中的数据。

②ALE/ 正常操作时为ALE功能（允许地址锁存）提供把地址的低字节锁存到外部锁存器，ALE 引脚以不变的频率（振荡器频率的）周期性地发出正脉冲信号。

因此，它可用作对外输出的时钟，或用于定时目的。

但要注意，每当访问外部数据存储器时，将跳过一个ALE脉冲，ALE 端可以驱动（吸收或输出电流）八个LSTTL电路。

对于EPROM型单片机，在EPROM编程期间，此引脚接收编程脉冲（功能）③外部程序存储器读选通信号输出端，在从外部程序存储取指令（或数据）期间，在每个机器周期内两次有效。

同样可以驱动八LSTTL输入。

④/Vpp 、/Vpp为内部程序存储器和外部程序存储器选择端。

当/Vpp为高电平时，访问内部程序存储器，当/Vpp 为低电平时，则访问外部程序存储器。

对于EPROM型单片机，在EPROM编程期间，此引脚上加21伏EPROM编程电源（Vpp）。

⊙IC-8031☆8031/8051/8751引脚功能：Vcc:+5V电源电压。

Vss:电路接地端。

8031单片机原理

8031单片机原理及接口技术第一章 8031原理和结构一、内部结构及引脚图一个机器周期＝12个振荡脉冲周期（ｆosc）二、存储器空间以及存储器内部数据存储器外部数据存储器外部程序存储器(用mov指令读写) (用movx指令读写) (用movc指令读)１、内部数据存储器结构:内部RAM区: 专用寄存器区: 开机复位状态：复位后：内部RAM区及外部RAM区皆保持原值２、程序状态字: PSW┌──┬──┬──┬──┬──┬──┬──┬──┐│ CY │ AC │ F0 │RS1 │RS0 │ OV │ X │ P │└──┴──┴──┴──┴──┴──┴──┴──┘CY：进、借位，有进、借位：CY=1AC：半进、借位，有半进、借位：AC=1F0：用户标志位（由用户设定）RS1,RS0：工作寄存器组选择位００：选择０组０１：选择１组１０：选择２组１１：选择３组OV：溢出位，有溢出：OV=1X：无效位P：奇偶位，运算结果有奇数个１：P=1３、程序存储器特定入口:0000H: 复位或开机后的程序入口0003H: 外部中断0服务程序入口000BH: 定时/计数器0中断服务程序入口0013H: 外部中断1服务程序入口001BH: 定时/计数器1中断服务程序入口0023H: 串行I/O中断服务程序入口三、定时/计数器8031片内有两个１６位定时/计数器（增量式计数）１、工作方式（方式０、方式１、方式２、方式３）以定时/计数器１为例⑴方式０（１３位定时/计数）⑵方式１（１６位定时/计数）⑶方式２（８位自动重装时间常数定时/计数）⑷方式３（仅适用于定时/计数器０）TL0用于８位定时/计数TH0只用于８位定时２、控制寄存器⑴定时/计数器方式控制寄存器：TMOD├──── T1 ────┼──── T0 ────┤ ├──┬──┬──┬──┼──┬──┬──┬──┤ │GATE│C/T │ M1 │ M0 │GATE│C/T │ M1 │ M0 │ └──┴──┴──┴──┴──┴──┴──┴──┘ GATE: 门控位，１：打开，０：关闭C/T: 工作状态选择，１：计数状态，０：定时状态M1,M0:工作方式选择00 方式０01 方式１10 方式２11 方式３⑵定时/计数器控制寄存器：TCON┌──┬──┬──┬──┬──┬──┬──┬──┐ │ TF1│ TR1│ TF0│ TR0│ IE1│ IT1│ IE0│ IT0│ └──┴──┴──┴──┴──┴──┴──┴──┘TF1,TF0: 定时/计数器中断请求标志，１：有请求；０：无请求TR1,TR0: 定时/计数器运行控制位，１：打开；０：关断IE1,IE0: 外部中断INT1,INT0中断请求标志，１：有请求；０：无请求IT1,IT0: 外部中断INT1,INT0触发方式，１：下降沿触发；０：低电平触发四、中断系统５个中断源：INT0：外部中断０INT1：外部中断１T0：定时/计数器０中断T1：定时/计数器１中断TI/RI：串行Ｉ/Ｏ中断⑴中断允许寄存器：IE（１：允许；０：不允许）┌──┬──┬──┬──┬──┬──┬──┬──┐│ EA │ × │ × │ ES │ET1 │EX1 │ET0 │EX0 │└──┴──┴──┴──┴──┴──┴──┴──┘EA: 全局中断允许位ES: 串行口中断允许位ET1:T1中断允许位EX1:INT1中断允许位ET0:T0中断允许位EX0:INT0中断允许位⑵中断优先寄存器：IP（１：高优先级；０：低优先级）┌──┬──┬──┬──┬──┬──┬──┬──┐│ × │ × │ × │ PS │PT1 │PX1 │PT0 │PX0 │└──┴──┴──┴──┴──┴──┴──┴──┘PS: 串行口中断优先位PT1:T1中断优先位PX1:INT1中断优先位PT0:T0中断优先位PX0:INT0中断优先位(同级中断时的优先顺序：INT0→T0→INT1→T1→RI/TI)CPU响应中断后，自动清除中断请求标志(只有串行口中断请求标志需用软件清除),并将程序计数器PC之值压入堆栈，然后将相应的中断入口地址装入PC，使程序转入相应的中断服务程序。

8031单片机汇编

若将选通端中的一个作为数据输入端时，74LS138还可作数据分配器
用与非门组成的3线-8线译码器74LS138
3线-8线译码器74LS138的功能表
复习：一、填空二、消除机械传动间隙的原理（以齿轮为主）三、步进电机驱动电源四、光电耦合器的原理、符号图、在微机控制系统中的应用及设计举例五、单片机的接口电路图考试：填空40分
8031单片机
（3）控制或与其它电源复用引脚RST/VPD，ALE/ ，和 /Vpp
① RST/VPD 当振荡器运行时，在此引脚上出现两个机器周期的高电平（由低到高跳变），将使单片机复位
在Vcc掉电期间，此引脚可接上备用电源，由VPD向内部提供备用电源，以保持内部RAM中的数据。
② ALE/ 正常操作时为ALE功能（允许地址锁存）提供把地址的低字节锁存到外部锁存器，ALE 引脚以不变的频率（振荡器频率的）周期性地发出正脉冲信号。因此，它可用作对外输出的时钟，或用于定时目的。但要注意，每当访问外部数据存储器时，将跳过一个ALE脉冲，ALE 端可以驱动（吸收或输出电流）八个LSTTL电路。对于EPROM型单片机，在EPROM编程期间，此引脚接收编程脉冲（功能）
图1 引脚功能图
74LS373真值表：
L--低电平； H--高电平； X--不定态； Q0--建立稳态前Q的电平； G--输入端，与8031ALE连高电平：畅通无阻低电平：关门锁存。图中OE--使能端，接地。当G=“1”时，74LS373输出端1Q-8Q与输入端1D8D相同；当G为下降沿时，将输入数据锁存。
A0-A12为13根地址线，可寻址8K字节；D0-D7为数据输出线；CE为片选线；OE为数据输出选通线；PGM为编程脉冲输入端；Vpp是编程电源；Vcc是主电源。

8031单片机温度采集与显示系统(数字温度计)

目录一、设计课题 (2)二、设计要求 (2)三、单元电路设计及芯片选择 (3)四、整机电路 (5)五、总结 (6)六、参考文献 (6)七、附录一 (7)八、附录二 (11)一.设计课题数字温度计二.设计要求1.系统功能任务要求1）测量范围0-76.5C02）误差在 0.5C03）全部采用LED显示2.系统设计说明1）可以自增系统功能2）允许用MCS-51系列或8086系列3）系统程序采用汇编或C语言编程4）硬件原理图采用电子CAD绘制三．单元电路设计及芯片选择1. AD590温度传感器温度通过AD590温度传感集成芯片将温度变化量转换成电压值变化量每摄氏度2mV，通过AD转换后可将设定温度为0摄氏度时变换放大电路送出的模拟量为0V，此时A/D输出的数字量为00H；温度为76.5摄氏度时变换放大电路送出4.9805V电压，此时A/D输出的数字量为FFH，即每0.3摄氏度对应1LSB变化量。

由于温度计和温度采样芯片AD590的采样点不同，理论计算值同显示值略有偏差。

实验平台利用IC温度传感器AD590作为测温器，AD590是AD公司生产的一种精度和线性度较好的双端集成温度传感器，其输出电流与绝对温度有关，对于电源电压从5-10V变化只引起1 A最大电流的变化或1摄氏度等效误差。

给出了用于获得正比于绝对温度的输出电流的基本温度敏感电路，当温度有10℃的变化时输出电压变化为20mV，即该电路M点电压随温度变化为2mV/℃。

将温度传感器输出的小信号跟随放大32倍左右后，送至8位A/D转换器转换成数字量，编制程序，微控制器采集、显示和控制温度。

输入A/D的模拟信号有过压保护，不会损坏A/D转换器。

2. AD0809模数转换器ADC0809是八位逐次逼近法A/D转换器，每采集一次一般需100us。

中断方式下，A/D转换结束后会自动产生EOC信号，经一级74LS14反相后与8031的INT0相接。

本程序采取了中断处理来正确读取A/D转换的结果。

8031芯片说明

LASER ARGON-40–ARGON-39 AGE STUDIES OF DAR AL GANI 262 LUNAR METEORITE. V. A.Fernandes, R. Burgess, and G. Turner, Department of Earth Sciences, University of Manchester, Oxford Road,Manchester, M13 9PL, UK (vfernandes@)Introduction: The lunar meteorite Dar al Gani 262(DAG 262) was found in the Sahara desert in Libya on March 23, 1997. This was the first lunar meteorite found in a desert and is the thirteenth lunar meteorite discovered. DAG 262 is a polymict anorthositic lunar highland breccia [1, 2].The 40Ar-39Ar dating technique has been applied to DAG 262 in an attempt to determine the crystallization age and shock events experienced by this meteorite. Previous studies have indicated that this meteorite may have suffered up to 4 shock events [3]. Due to the brecciated nature of the rock and the likelihood of multiple shock events, a laser probe technique has been used to analyse individual components (minerals and clasts) of the meteorite.Sample Description: The sample supplied to us (~1.5g) shows two distinct clast types: (1) feldspathic and (2) basaltic; the latter not having been previously described [1–4]. Plagioclases show fractures and undulatory extinction as the result of shock events [1-3]. The feldspathic clast has small round low-Ca pyroxenes distributed within it.Electron microprobe analysis of feldspar and pyroxene are given in Table 1. The bulk composition as determined by [4] suggests that the source of this clast to be the ferroan-anorthositic suite.Figure 1: 36Ar/40Ar vs 39Ar/40Ar laser steppedheating results for DAG3. The numbers adjacent to the data points indicate the laser extraction step.TABLE 1. Electron-Microprobe analyses of low-Ca Pyroxene and plagioclase; and of a devitrified glass-spherule found within the matrix.Low-Ca PyroxenePlagioclase Devitrified glass SiO 238.3544.2335.19TiO 20.11730.01450.0671Al 2O 30.084035.32440.0000Cr 2O30.08450.00000.0338FeO 21.420.1936.47MnO 0.33210.00000.4154MgO 39.380.1927.73CaO 0.162519.62930.0623K 2O 0.00000.02360.0025Na 2O 0.02370.40240.0268NiO0.04900.00000.0000The basaltic clast shows a very fine intergranular texture with some larger plagioclase grains. The two clasts are separated by a melt-glass matrix that contains plagioclase with the same chemical composition as those plagioclases within the feldspathic clast. A devitrified mafic-glass spherule of ~150 µm-diameter was identified within the matrix as well as other small fragments of possible glass spheres. Some dendritic veins can be observed on the outer part of the section which formed after breccia lithification[1, 2].Experimental Methods: Two laser 40Ar-39Ar experiments are being carried-out: (1) IR laser stepped heating of feldspathic fragments which have been separated from the meteorite; and (2) UV laser spot fusion (50 µm) of a slice of meteorite (~1.0 ×0.5 cm) showing both clast types. Preliminary results from experiments (1) have been obtained so far.Three feldspathic fragments (DAG1-3 each weighing ~1mg) have been heated using between 20-30 steps, of increasing laser output power, each of 1minute duration.Argon-40–Argon-39 Age Constraints: Figure 1 is a plot of 36Ar/40Ar vs. 39Ar/40Ar for 20 extractions obtained from DAG3. Overall, the data show increasing 36Ar/40Ar and decreasing 39Ar/40Ar as heating proceeds. In detail the release is more complex; points 1-4 show a significant decrease in 39Ar/40Ar corresponding to an increase in apparent0.000.050.100.150.200.250.300.350.400.450.0000.0050.0100.0150.0200.02539Ar/40A r36A r t /40Arage from 1.3 to 5.1Ga. This variation may be attributed to the combined affects of terrestrial alteration that will result in loss of radiogenic 40Ar, and implantation of lunar 40Ar in grain boundaries that will lead to an increase in apparent age.Points 5–20 define a linear correlation interpreted to represent mixing between radiogenic 40Ar, released at intermediate temperature, andtrapped Ar that dominates the high temperature release (Fig. 1). The intercept of the correlation on the 39Ar/40Ar axis corresponds to an age of 1.95 Ga. This age is low compared with other lunar meteorites and is most likely related to a shock event. The trapped component released at high temperature has 36Ar/40Ar of ~2.8 which is close the value of ~2.5 reported previously for the bulk meteorite [2].The increasing proportion of trapped Ar released at high temperature is contrary to the usual release pattern obtained for lunar soils [5]. Two possible explanations are given: (1) Ar loss from grain boundaries occurred at depth within the lunar regolith, while preserving trapped Ar with higher 36Ar/40Ar in the centre of grains; or (2) release of trapped Ar from a low K-bearing mineral present in feldspathic fragments. Anomalously high apparent ages (>4.5 Ga) obtained at low temperature from steps 3 and 4 indicate that DAG3 contains implanted lunar atmosphere 40Ar presumably acquired near the surface of the lunar regolith. This is inconsistent with (1) that loss occurred at depth. Fine-grained pyroxene is a common component in the matrix of DAG 262 [2], has low K content and will retain Ar to a higher temperature than plagioclase making explanation (2) the most likely.Release of Ar from fragment DAG1 was similar to that of DAG3 giving an indistinguishable intercept age of 2.0Ga. However, DAG2 contained much lower levels of trapped Ar and 19% of the total 39Ar released at high temperature gave an age of 3.05 Ga. This age is slightly below previously inferred total gas ages for lunar meteorites and may be related to the crystallisation event.Cosmic Exposure Ages: These are based on plots of 37Ar/36Ar vs 38Ar/36Ar and give ages of 185Ma, 252Ma and 122Ma for DAG1, DAG2 and DAG3 respectively. The cosmic ray exposure ages indicate the components of DAG 262 had different exposure histories, an expected result given that this meteorite is a breccia.Chemistry: The K/Ca weight ratio calculated from 39Ar/37Ar of 3.6 × 10–3 is similar to bulk ratio obtained by [2] of 3.8 × 10–3. A much lower K/Ca of 0.6 × 10–3 obtained from feldspar by electron microprobe is evidence for the impurity of the feldspar separates analysed for the age study. The low K/Ca ratio of the feldspar compared to the bulk, indicates that there is an additional K-bearing phase in DAG 262 that remains to be identified.Current investigations are aimed at using the UV laser to determine 40Ar-39Ar ages from individual minerals within DAG 262. Acknowledgments: We wish to thank I. Franchi (Open University) for providing the sample of DAG 262. This work was supported by the European Commission via a TMR fellowship to VAF. References: [1] Bischoff A. and Weber D. (1997) MAPS, 32, A13–A14. [2] Bischoff A. et al. (1998) MAPS, 33, 921–935. [3] Nishiizumi K. et al. (1998) LPS XXIX, Abstract #1957. [4] Joliff B. et al. (1999) LPS XXIX, Abstract #2000. [5] Burgess R. and Turner G. (1997) MAPS, 33, 921–935.。

微机原理课件：第二章 MCS-51单片机内部结构(8031、8051、8751)

第二章 MCS－51单片机硬件结构（8031、8051、8751）§２－１ MCS－51机主要功能8位CPU20多个特殊功能寄存器５个中断源（可屏蔽中断），２个优先级。

有较强的位处理功能振荡器和时钟电路４Ｋ字节的程序存贮器（ROM 或EPROM） 128字节的RAM４个并行Ｉ／Ｏ口，32线。

（可控制）２个16位定时／计数器（可编程控制）另外：１个串行Ｉ／Ｏ口（２线）片外可寻址的存贮器空间程序存贮器（ROM）：64K．数据存贮器（RAM）：64K§２－2MCS－51机引脚P3～P0：四个并行I/O 口线，共32线XTAL1、XTAL2：芯片内部振荡电路输入/ 输出端 EA：存储器选择信号 ALE：地址锁存信号VCC、VSS：电源端§２－3 CPU一、算术逻辑运算部件ALU算术运算：加、减、乘、除功能：对８位无符号数进行逻辑运算：与、或、异或、取反、清０、移位位处理功能：与、或、置位、清０、取反、检测等二、专用寄存器MCS－51单片机中有０～255等256个内部存贮器（除内部程序存贮器之外）地址。

MCS －51有128个RAM单元。

有20多个特殊功能寄存器单元（都是８位）。

RAM占用00H～7FH地址。

余下的地址中部分提供给特殊功能寄存器。

1、累加器Ａ（E0H）①使用频率高。

②算术运算和逻辑运算必用。

③存放指令中的操作数和运算中部结果。

2、寄存器Ｂ（F0H）①存放乘、除法指令中的被乘数和被除数。

②存放乘积的高位字节或除法的余数。

③作一般的寄存器。

3、程序状态字PSW（D0H）D7～D0（DOH）Cy Ac Fo RS1RS0OV －P①Cy ----- ALU 操作结果最高位（D7位）进位或错位标志。

位处理操作中作位累加器②Ac ----- ALU操作结果D4进位标志（半进位标志）；CPU自用（用于BCD码操作）③Fo ----- 用户标志（由用户定义使用）④RS0、RS1 ----- 选择工作寄存器组。