2SC5949中文资料(toshiba)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
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500
300
FE
Tc = 100°C
100 25
50 −25
30
DC电流增益^ h
10
hFE的 - 我C
5
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
集电极电流Ir IC / IB = 10 V
1
VCE (sat) – IC
0.5
0.3
(V)
Tc = 100°C
集电极 CE
(A)
IC max(pulsed) *
C
10 IC max(continuous)
DC operation Tc = 25°C
1 ms * 10 ms * 100 ms *
集电极电1流I
*:Single non-repetitive pulse
Tc = 25°C
Curves must be de-rated
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功率放大器应用
东芝晶体管硅NPN三重扩散型
2SC5949
• PC = 220W • 为了补充2SA2121
最大额定值
（ TC = 25℃）
特有
集电极基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极基极电压 集电极电流 基极电流 集电极耗散功率 结温 存储温度范围
符
评级
Unit
(-sa发0t).1射极饱和电压
V 0.05
0.03
25 −25
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
集电极电流I
C (A)
100
(MHz)
T
10
fT– IC
过渡频率f
1 0.01
0.1
集电极电流I
Common emitter Tc = 25°C
VCE = 5 V
1
10
C (A)
安全動 ½ 領域
100
集电极 - 发射极击穿电压
DC电流增益
集电极 - 发射极饱和电压 基极 - 发射极电压
转换频率 集电极输出电容
注1：小时 FE(1) 分类
打标
（ TC = 25℃）
符
测试条件
ICBO
VCB = 200 V, I E = 0
IEBO
VEB = 5 V, I C = 0
V (BR) CEO IC = 50毫安,我B = 0
35
60
―
― 0.4 3.0
V
― 1.0 1.5
V
― 30 ― MHz
― 270 ― pF
2
2005-07-27
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2SC5949
20 Common emitter Tc = 25°C
IC – V CE
16
(A)
500 400
300
C 12
200
8
集电极电流I
hFE (1) VCE = 5 V, I C = 1 A
（注1）
hFE (2) VCE = 5 V, I C = 8 A
VCE (sat) IC = 10 A, I B = 1 A
VBE
VCE = 5 V, I C = 8 A
fT
VCE = 5 V, I C = 1 A
Cob
VCB = 10 V, I E = 0,F = 1兆赫
100
4
50
IB = 20 mA
0
0
2
4
6
8
10
12
集电极 - 发射极电压
VCE (V)
16 Common emitter VCE = 5 V
IC – VBE
(A) 12
C
8
Tc = 100°C
25
集电极电流I
−25
4
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
基极 - 发射极电压
VBE (V)
1000 Common emitter VCE = 5 V
VCBO
200
V
VCEO
200
V
VEBO
5
V
IC
15
A
IB
1.5
A
PC
220
W
Tj
150
°C
Tstg
−55 150
°C
2SC5949
单位：mm
JEDEC
―
JEITA
―
东芝
2-21F1A
重量：9.75克（典型值）.
1
2005-07-27
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电气特性
特有 集电极截止电流 发射极截止电流
R：55〜110,O：80〜160
东芝
2SC5949
JAPAN
Characteristisc
指示器
部件号（或缩写代码）
批号
A线指示铅（Pb）free包装或铅（Pb）-free完 成.
2SC5949
Min Typ. Max Unit
― ― 5.0 µA
― ― 5.0 µA
200 ―
―
V
55 ― 160
linearlywith increase in
temperature.
0.1
0.1
1
VCEO max
10
100
1000
集电极 - 发射极电压V
CE (V)
3
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300
FE
Tc = 100°C
100 25
50 −25
30
DC电流增益^ h
10
hFE的 - 我C
5
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
集电极电流Ir IC / IB = 10 V
1
VCE (sat) – IC
0.5
0.3
(V)
Tc = 100°C
集电极 CE
(A)
IC max(pulsed) *
C
10 IC max(continuous)
DC operation Tc = 25°C
1 ms * 10 ms * 100 ms *
集电极电1流I
*:Single non-repetitive pulse
Tc = 25°C
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• PC = 220W • 为了补充2SA2121
最大额定值
（ TC = 25℃）
特有
集电极基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极基极电压 集电极电流 基极电流 集电极耗散功率 结温 存储温度范围
符
评级
Unit
(-sa发0t).1射极饱和电压
V 0.05
0.03
25 −25
0.01
0.03
0.1
0.3
1
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集电极电流I
C (A)
100
(MHz)
T
10
fT– IC
过渡频率f
1 0.01
0.1
集电极电流I
Common emitter Tc = 25°C
VCE = 5 V
1
10
C (A)
安全動 ½ 領域
100
集电极 - 发射极击穿电压
DC电流增益
集电极 - 发射极饱和电压 基极 - 发射极电压
转换频率 集电极输出电容
注1：小时 FE(1) 分类
打标
（ TC = 25℃）
符
测试条件
ICBO
VCB = 200 V, I E = 0
IEBO
VEB = 5 V, I C = 0
V (BR) CEO IC = 50毫安,我B = 0
35
60
―
― 0.4 3.0
V
― 1.0 1.5
V
― 30 ― MHz
― 270 ― pF
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20 Common emitter Tc = 25°C
IC – V CE
16
(A)
500 400
300
C 12
200
8
集电极电流I
hFE (1) VCE = 5 V, I C = 1 A
（注1）
hFE (2) VCE = 5 V, I C = 8 A
VCE (sat) IC = 10 A, I B = 1 A
VBE
VCE = 5 V, I C = 8 A
fT
VCE = 5 V, I C = 1 A
Cob
VCB = 10 V, I E = 0,F = 1兆赫
100
4
50
IB = 20 mA
0
0
2
4
6
8
10
12
集电极 - 发射极电压
VCE (V)
16 Common emitter VCE = 5 V
IC – VBE
(A) 12
C
8
Tc = 100°C
25
集电极电流I
−25
4
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
基极 - 发射极电压
VBE (V)
1000 Common emitter VCE = 5 V
VCBO
200
V
VCEO
200
V
VEBO
5
V
IC
15
A
IB
1.5
A
PC
220
W
Tj
150
°C
Tstg
−55 150
°C
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单位：mm
JEDEC
―
JEITA
―
东芝
2-21F1A
重量：9.75克（典型值）.
1
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电气特性
特有 集电极截止电流 发射极截止电流
R：55〜110,O：80〜160
东芝
2SC5949
JAPAN
Characteristisc
指示器
部件号（或缩写代码）
批号
A线指示铅（Pb）free包装或铅（Pb）-free完 成.
2SC5949
Min Typ. Max Unit
― ― 5.0 µA
― ― 5.0 µA
200 ―
―
V
55 ― 160
linearlywith increase in
temperature.
0.1
0.1
1
VCEO max
10
100
1000
集电极 - 发射极电压V
CE (V)
3
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2SC5949
4
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