SS8550
三极管 SS8550
COLLECTOR POWER DISSIPATION Pc (mW)
COLLECTOR-EMITTER SATURATION
CAPACITANCE C (pF)
VOLTAGE V
(mV)
CEsat
DC CURRENT GAIN h FE
SS8550
h FE
——
I
C
500
Ta=100℃
Ta=25℃
100
10 -0.1
-1000
-1
-10
-100
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
V
——
CEsat
I
C
V =-1V CE -1000
-100
Ta=100℃ Ta=25℃
-10
-1 0.2
100
-1
-10
-100
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
C /C ob ib
——
V /V CB EB
-900 -1000
BASE-EMMITER VOLTAGE V (mV) BE
fT
——
I
C
COLLCETOR CURRENT I (mA) C
100
TRANSITION FREQUENCY fT (MHz)
VCE-10V
Ta=25 oC
10
-1
-10
-100
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
C ib
β=10
-1000
f=1MHz
I =0/ I =0
E
C
Ta=25 oC
C ob
1 -0.2
8050、8550代换9014、9013
8050、8550代换9014、9013(a) 判定基极。
用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。
当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。
这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN 型管如9013，9014,9018。
(b) 判定三极管集电极c和发射极e。
(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。
在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。
D 不拆卸三极管判断其好坏的方法。
在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测管子各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断三极管的好坏。
如是象9013 ，9014一样NPN的用万用表检测他们的引脚，黑表笔接一个极，用红笔分别接其它两极，两个极都有5K阻值时，黑表笔所接就是B极。
这时用黑红两表笔分别接其它两极，用舌尖同时添（其实也可以先用舌头添湿一下手指然后用手指去摸，反正都不卫生）黑表笔所接那个极和B极，表指示阻值小的那个黑表所接就是C极。
（以上所说为用指针表所测，数字表为红笔数字万用表内部的正负级是和指正表相反的。
）9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-909013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1109014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-908050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-1008550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140。
代换相应的8050或8550三极管
代换相应的8050或8550三极管(a) 判定基极。
用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。
当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。
这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN 型管如9013，9014,9018。
(b) 判定三极管集电极c和发射极e。
(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。
在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。
D 不拆卸三极管判断其好坏的方法。
在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测管子各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断三极管的好坏。
如是象9013 ，9014一样NPN的用万用表检测他们的引脚，黑表笔接一个极，用红笔分别接其它两极，两个极都有5K阻值时，黑表笔所接就是B极。
这时用黑红两表笔分别接其它两极，用舌尖同时添（其实也可以先用舌头添湿一下手指然后用手指去摸，反正都不卫生）黑表笔所接那个极和B极，表指示阻值小的那个黑表所接就是C极。
（以上所说为用指针表所测，数字表为红笔数字万用表内部的正负级是和指正表相反的。
）9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-909013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1109014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-908050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-1008550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140。
三极管的主要参数
9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据9012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-908550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-1409011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1109014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-908050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-100详情如下：90系列三极管参数90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。
9011 结构：NPN集电极-发射极电压30V集电极-基电压50V射极-基极电压5V集电极电流0.03A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均370MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 9012 结构：PNP集电极-发射极电压-30V集电极-基电压-40V射极-基极电压-5V集电极电流0.5A耗散功率0.625W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300 9013 结构：NPN集电极-发射极电压25V集电极-基电压45V射极-基极电压5V集电极电流0.5A耗散功率0.625W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009014 结构：NPN集电极-发射极电压45V集电极-基电压50V射极-基极电压5V集电极电流0.1A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000 9015 结构：PNP集电极-发射极电压-45V集电极-基电压-50V射极-基极电压-5V集电极电流0.1A耗散功率0.45W结温150℃特怔频率平均300MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000 9016 结构：NPN集电极-发射极电压20V集电极-基电压30V射极-基极电压5V集电极电流0.025A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 9018 结构：NPN集电极-发射极电压15V集电极-基电压30V射极-基极电压5V集电极电流0.05A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 三极管85508550是一种常用的普通三极管。
9011三极管参数
9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的相关参数手册9011,9012,9013,9014,8050,8550 三极管的主要参数数据9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数 20-809012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数 30-909013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数 40-1109014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数 20-908050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数 30-1008550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数 40-140详情如下：90 系列三极管参数 90 系列三极管大多是以 90 字为开头的，但也有以 ST90、C 或 A90、S90、SS90、UTC90 开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。
9011 结构：NPN 集电极-发射极电压 30V 集电极-基电压 50V 射极-基极电压5V 集电极电流 0.03A 耗散功率 0.4W 结温150℃ 特怔频率平均 370MHZ 放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-1989012 结构：PNP 集电极-发射极电压 -30V 集电极-基电压 -40V 射极-基极电压-5V 集电极电流 0.5A 耗散功率 0.625W 结温150℃ 特怔频率最小 150MHZ 放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009013 结构：NPN 集电极-发射极电压 25V 集电极-基电压 45V 射极-基极电压5V 集电极电流 0.5A 耗散功率 0.625W 结温150℃ 特怔频率最小 150MHZ 放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009014 结构：NPN 集电极-发射极电压 45V 集电极-基电压 50V 射极-基极电压5V 集电极电流 0.1A 耗散功率 0.4W 结温150℃ 特怔频率最小 150MHZ 放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009015 结构：PNP 集电极-发射极电压 -45V 集电极-基电压 -50V 射极-基极电压-5V 集电极电流 0.1A 耗散功率 0.45W 结温150℃ 特怔频率平均 300MHZ 放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009016 结构：NPN 集电极-发射极电压 20V 集电极-基电压 30V 射极-基极电压5V 集电极电流 0.025A 耗散功率 0.4W 结温150℃ 特怔频率平均 620MHZ 放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-1989018 结构：NPN 集电极-发射极电压 15V 集电极-基电压 30V 射极-基极电压5V 集电极电流 0.05A 耗散功率 0.4W 结温150℃ 特怔频率平均 620MHZ 放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198三极管 8550 8550 是一种常用的普通三极管。
9011、9012、9013、9014、9015、9018、8055、8550三极管参数知识
一、概述s9014,s9013，s9015，s9012，s9018系列的晶体小功率三极管，把显示文字平面朝自己，从左向右依次为e发射极 b基极 c集电极；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c，s8050，8550，C2078 也是和这个一样的。
用下面这个引脚图(管脚图)表示：三极管引脚图 1：e 2：b 3：c二、三极管管脚判断当前，国内各种晶体三极管有很多种，管脚的排列也不相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置（下面有用万用表测量三极管的三个极的方法），或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
非9014,9013系列三极管管脚识别方法：(a) 判定基极。
用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。
当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。
这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。
黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测管子为PNP型三极管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管如9013，9014,9018。
(b) 判定三极管集电极c和发射极e。
(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。
在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。
三、三极管好坏判断在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测管子各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断三极管的好坏。
SS8550三极管规格书：三极管SS8550参数与封装尺寸
DC current gain
hFE(1) hFE(2)
VCE=-1V, IC=-100mA VCE=-1V, IC=-800mA
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat) IC=-800mA, IB=-80mA
Base-emitter saturation voltage
VBE(sat) IC=-800mA, IB=-80mA
Base-emitter voltage
VBE
VCE=-1V, IC=-10mA
Transition frequency
fT
VCE=-10V,IC=-50mA , f=30MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB=-10V, IE=0, f=1MHz
V(BR)EBO IE=-100µA, IC=0
Collector cut-off current
ICBO
VCB=-40V, IE=0
Collector cut-off current
ICEO
VCE=-20V, IB=0
Emitter cut-off current
IEBO
VEB=-5V, IC=0
Parameter
Symbol
Test conditions
Collector-base breakdown voltage
V(BR)CBO IC=-100µA, IE=0
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=-0.1mA, IB=0
Emitter-base breakdown voltage
代换S8550 S8050三极管
代换S8550 S8050三极管8050 8550三极管有时在电路里做为对管来使用，也有的做单管应用。
在有些电路里对S8050放大倍数要求是很高的，不能随意替换，必需要用原参数管才能替换，否则电路不能正常工作。
8050为NPN型三极管8550为PNP型三极管图片一TO92封装图片二贴片封装S8050 S8550参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V集电极-发射极饱和电压0.6V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出引脚排列为EBC或ECB按三极管后缀号分为 B C D档贴片为L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-3508050S 8550S参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压25V集电极-发射极饱和电压0.5V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出引脚排列为ECB按三极管后缀号分为 B C D档贴片为L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 E280-400 L100-200 H200-350关于C8050 C8550参数：耗散功率1W集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300关于8050SS 8550SS参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D D3 共4档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400 引脚排列有EBC ECB两种关于SS8050 SS8550参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D 共3档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300引脚排列多为EBCUTC的S8050 S8550 引脚排列有EBC8050S 8550S 引脚排列有ECB这种管子很少见参数：耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档C：120-200 D：160-300 E：280-400图一是这几种三极管的管脚排列图。
!90系列三极管参数
90系列三极管参数9013三极管目录编辑本段9014、9013、8050对比s9014,s9013，s9015，s9012，s9018系列的晶体小功率三极管，把显示文字平面朝自己，从左向右依次为e发射极 b基极 c集电极；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c，s8050，8550，C2078 也是和这个一样的。
用下面这个引脚图(管脚图)表示：三极管引脚图9013三极管[1]e b c当前，国内各种晶体三极管有很多种，管脚的排列也不相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置（下面有用万用表测量三极管的三个极的方法），或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
非9014,9013系列三极管管脚识别方法：(a) 判定基极。
用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。
当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。
这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。
黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测管子为PNP型三极管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管如9013，9014,9018。
(b) 判定三极管集电极c和发射极e。
(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。
在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。
D 不拆卸三极管判断其好坏的方法。
在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测管子各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断三极管的好坏。
代换S8550_S8050三极管
8050 8550三极管有时在电路里做为对管来使用，也有的做单管应用。
在有些电路里对S8050放大倍数要求是很高的，不能随意替换，必需要用原参数管才能替换，否则电路不能正常工作。
8050为NPN型三极管8550为PNP型三极管图片一TO92封装图片二贴片封装S8050 S8550参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V集电极-发射极饱和电压0.6V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出引脚排列为EBC或ECB按三极管后缀号分为 B C D档贴片为L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-3508050S 8550S参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压25V集电极-发射极饱和电压0.5V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出引脚排列为ECB按三极管后缀号分为 B C D档贴片为L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 E280-400 L100-200 H200-350关于C8050 C8550参数：耗散功率1W集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300关于8050SS 8550SS参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D D3 共4档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400 引脚排列有EBC ECB两种关于SS8050 SS8550参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D 共3档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300引脚排列多为EBCUTC的S8050 S8550 引脚排列有EBC8050S 8550S 引脚排列有ECB这种管子很少见参数：耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档C：120-200 D：160-300 E：280-400图一是这几种三极管的管脚排列图。
几种常见8050的区别
几种常见8050的区别8050 8550三极管有时在电路里做为对管来使用，也有的做单管应用。
在有些电路里对S8050放大倍数要求是很高的，不能随意替换，必需要用原参数管才能替换，否则电路不能正常工作。
8050为NPN型三极管8550为PNP型三极管S8050 S8550参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V集电极-发射极饱和电压0.6V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出引脚排列为EBC或ECB按三极管后缀号分为 B C D档贴片为L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-3508050S 8550S参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压25V集电极-发射极饱和电压0.5V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出引脚排列为ECB按三极管后缀号分为 B C D档贴片为L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 E280-400 L100-200 H200-350关于C8050 C8550参数：耗散功率1W集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300关于8050SS 8550SS参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D D3 共4档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400 引脚排列有EBC ECB两种关于SS8050 SS8550参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D 共3档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300引脚排列多为EBCUTC的S8050 S8550 引脚排列有EBC8050S 8550S 引脚排列有ECB这种管子很少见参数：耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档C：120-200 D：160-300 E：280-400图一是这几种三极管的管脚排列图。
MMSS8550-L-TP;MMSS8550-H-TP;中文规格书,Datasheet资料
Suggested Solder Pad Layout
NOTE
fT
Transistor Frequency
100
---
MHz
.031
(IC=50mAdc, VCE=10Vdc, f=30MHz)
.800
.035 .900
CLASSIFICATION OF HFE (1)
Rank Range
L 120-200
Symbol
Parameter
Min Max Units
OFF CHARACTERISTICS
V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO ICBO ICEO IEBO
Collector-Base Breakdown Voltage (IC=100uAdc, IE=0)
Collector-Emitter Breakdown Voltage (IC=0.1mAdc, IB=0)
---
0.1
uAdc
---
0.1 uAdc
120
350
---
40
---
---
---
0.5
Vdc
---
1.2
Vdc
---
6
Vdc
PNP Silicon Plastic-Encapsulate
Transistor
SOT-23
A
D C
CB
F
E
B
E
G
H
J
K
DIMENSIONS
INCHES
DIM
MIN
MAX
Device Part Number-TP
Packing Tape&Reel: 3Kpcs/Reel
FOSAN富信电子 三极管 SS8550-产品规格书
安徽富信半导体科技有限公司ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.SS8550 SOT-23Bipolar Transistor双极型三极管▉Features特点PNP Power Amplifier功率放大▉Absolute Maximum Ratings最大额定值Characteristic特性参数Symbol符号Rat额定值Unit单位Collector-Base Voltage集电极基极电压V CBO-40VCollector-Emitter Voltage集电极发射极电V CEO-25V压Emitter-Base Voltage发射极基极电压V EBO-5V Collector Current集电极电流I C-1500mA Power dissipation耗散功率P C(T a=25℃)300mW Thermal Resistance Junction-Ambient热阻RΘJA417℃/WJunction and Storage TemperatureT J,T stg-55to+150℃结温和储藏温度■Device Marking产品打标SS8550=Y2ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.SS8550■ElectricalCharacteristics 电特性(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol 符号Min 最小值Type 典型值Max 最大值Unit 单位Collector-Base Breakdown V oltage集电极基极击穿电压(I C =-100uA ，I E =0)BV CBO -40——V Collector-Emitter Breakdown Voltage 集电极发射极击穿电压(I C =-1mA ，I B =0)BV CEO -25——V Emitter-Base Breakdown V oltage发射极基极击穿电压(I E =-100uA ，I C =0)BV EBO -5——V Collector-Base Leakage Current集电极基极漏电流(V CB =-40V ，I E =0)I CBO ——-100nA Collector-Emitter Punch Throng Current 集电极发射极穿透电流(V CE =-20V ，V BE =0)I CES ——-100nA Emitter-Base Leakage Current发射极基极漏电流(V EB =-5V ，I C =0)I EBO ——-100nADC Current Gain直流电流增益(V CE =-1V ，I C =-100mA)H FE （1）120—400DC Current Gain直流电流增益(V CE =-1V ，I C =-1500mA)H FE （2）40——Collector-Emitter Saturation Voltage 集电极发射极饱和压降(I C =-1500mA ，I B =-150mA)V CE(sat)——-0.6V Base-Emitter Saturation V oltage 基极发射极饱和压降(I C =-1500mA ，I B =-150mA)V BE(sat)——-1.2V Transition Frequency特征频率(V CE =-10V ，I C =-50mA)f T 100——MH Z Output Capacitance输出电容(V CB =-10V ，I E =0,f=1MH Z )C ob—18—pFANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.SS8550■Typical Characteristic Curve典型特性曲线ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.SS8550■Dimension外形封装尺寸Symbol Dimensions In Millimeters Dimensions In Inches Min Max Min Max A 0.900 1.1500.0350.045A10.0000.1000.0000.004A20.900 1.0500.0350.041b 0.3000.5000.0120.020c 0.0800.1500.0030.006D 2.800 3.0000.1100.118E 1.200 1.4000.0500.055E1 2.2502.5500.0890.100e 0.950TYP0.037TYPe1 1.8002.0000.0710.079L 0.550REF0.022REFL10.3000.5000.0120.020θ0o8o 0o8o。
代换S8550 S8050三极管要特别注意放大倍数
代换S8550 S8050三极管要特别注意放大倍数8050 8550三极管有时在电路里做为对管来使用，也有的做单管应用。
在有些电路里对S8050放大倍数要求是很高的，不能随意替换，必需要用原参数管才能替换，否则电路不能正常工作。
8050为NPN型三极管 8550为PNP型三极管ab126计算公式大全图片一TO92封装图片二贴片封装S8050 S8550参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V集电极-发射极饱和电压 0.6V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出引脚排列为EBC或ECB838电子按三极管后缀号分为 B C D档贴片为 L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-3508050S 8550S参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压25V集电极-发射极饱和电压 0.5V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出引脚排列为ECB按三极管后缀号分为 B C D档贴片为 L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 E280-400 L100-200 H200-350关于C8050 C8550参数：耗散功率1W集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300关于8050SS 8550SS参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D D3 共4档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400 引脚排列有EBC ECB两种关于SS8050 SS8550参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D 共3档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300引脚排列多为EBCUTC的S8050 S8550 引脚排列有EBC8050S 8550S 引脚排列有ECB这种管子很少见参数：耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档C：120-200 D：160-300 E：280-400 图一是这几种三极管的管脚排列引脚。
SS8550技术参数
SS8550PNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings T a =25°C unless otherwise notedElectrical Characteristics T a =25°C unless otherwise notedh FE ClassificationSymbol ParameterRatings Units V CBO Collector-Base Voltage -40V V CEO Collector-Emitter Voltage -25V V EBO Emitter-Base Voltage -6V I C Collector Current-1.5A P C Collector Power Dissipation 1W T J Junction Temperature 150°C T STGStorage Temperature-65 ~ 150°CSymbol ParameterTest Condition Min.Typ.Max.Units BV CBO Collector-Base Breakdown Voltage I C = -100µA, I E =0-40V BV CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage I C = -2mA, I B =0-25V BV EBO Emitter-Base Breakdown Voltage I E = -100µA, I C =0-6V I CBO Collector Cut-off Current V CB = -35V, I E =0-100nA I EBO Emitter Cut-off Current V EB = -6V, I C =0-100nAh FE1h FE2h FE3DC Current GainV CE = -1V, I C = -5mA V CE = -1V, I C = -100mA V CE = -1V, I C = -800mA 45854017016080300V CE (sat)Collector-Emitter Saturation Voltage I C = -800mA, I B = -80mA -0.28-0.5V V BE (sat)Base-Emitter Saturation Voltage I C = -800mA, I B = -80mA -0.98-1.2V V BE (on)Base-Emitter on Voltage V CE = -1V, I C = -10mA -0.66-1.0V C ob Output CapacitanceV CB = -10V, I E =0f=1MHz15pF f TCurrent Gain Bandwidth ProductV CE = -10V, I C = -50mA100200MHzClassificationB C D h FE285 ~ 160120 ~ 200160 ~ 3001. Emitter2. Base3. CollectorSS85502W Output Amplifier of Portable Radios in Class B Push-pull Operation.•Complimentary to SS8050•Collector Current: I C =1.5A•Collector Power Dissipation: P C =2W (T C =25°C)TO-921SS8550SS8550TRADEMARKSThe following are registered and unregistered trademarks Fairchild Semiconductor owns or is authorized to use and is not intended to be an exhaustive list of all such trademarks.DISCLAIMERFAIRCHILD SEMICONDUCTOR RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE TO ANY PRODUCTS HEREIN TO IMPROVE RELIABILITY, FUNCTION OR DESIGN. FAIRCHILD DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF THE APPLICATION OR USE OF ANY PRODUCT OR CIRCUIT DESCRIBED HEREIN;NEITHER DOES IT CONVEY ANY LICENSE UNDER ITS PATENT RIGHTS, NOR THE RIGHTS OF OTHERS.LIFE SUPPORT POLICYFAIRCHILD’S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION.As used herein:1. Life support devices or systems are devices or systems which, (a) are intended for surgical implant into the body,or (b) support or sustain life, or (c) whose failure to perform when properly used in accordance with instructions for use provided in the labeling, can be reasonably expected to result in significant injury to the user.2. A critical component is any component of a life support device or system whose failure to perform can be reasonably expected to cause the failure of the life support device or system, or to affect its safety or effectiveness.PRODUCT STATUS DEFINITIONS Definition of TermsDatasheet Identification Product Status DefinitionAdvance InformationFormative or In Design This datasheet contains the design specifications for product development. Specifications may change in any manner without notice.PreliminaryFirst ProductionThis datasheet contains preliminary data, andsupplementary data will be published at a later date.Fairchild Semiconductor reserves the right to make changes at any time without notice in order to improve design.No Identification Needed Full ProductionThis datasheet contains final specifications. Fairchild Semiconductor reserves the right to make changes at any time without notice in order to improve design.Obsolete Not In ProductionThis datasheet contains specifications on a product that has been discontinued by Fairchild semiconductor.The datasheet is printed for reference information only.FACT™FACT Quiet series™FAST ®FASTr™FRFET™GlobalOptoisolator™GTO™HiSeC™I 2C™ImpliedDisconnect™ISOPLANAR™LittleFET™MicroFET™MicroPak™MICROWIRE™MSX™MSXPro™OCX™OCXPro™OPTOLOGIC ®OPTOPLANAR™PACMAN™POP™Power247™PowerTrench ®QFET™QS™QT Optoelectronics™Quiet Series™RapidConfigure™RapidConnect™SILENT SWITCHER ®SMART START™SPM™Stealth™SuperSOT™-3SuperSOT™-6SuperSOT™-8SyncFET™TinyLogic™TruTranslation™UHC™UltraFET ®VCX™ACEx™ActiveArray™Bottomless™CoolFET™CROSSVOLT ™DOME™EcoSPARK™E 2CMOS™EnSigna™Across the board. Around the world.™The Power Franchise™Programmable Active Droop™。
SS8550 长电 JCET 辨别真伪 参考价
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage
Transition frequency
CLASSIFICATION OF hFE(1) Rank Range
L 120-200
V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO
Ｓｘｉｎｅｎ品牌：Ｓ８０５５０ 参考价：０．０１８ MARKING : 2TY
1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg
-90 -80 -70 -60 -50 -40 -30
-20 -10
-0 -0
I ——
C
V CE
-400uA -360uA -320uA -280uA
COMMON EMITTER T =25℃
a
-240uA
-200uA
-160uA
-120uA
-80uA
IB=-40uA
-2
-4
-6
-8
-10
-12
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)
ICBO ICEO IEBO hFE(1) hFE(2) VCE(sat) VBE(sat)
fT
IC = -100μA, IE=0
IC =-1mA, IB=0
IE= -100μA, IC=0
VCB= -40V, IE=0 VCE= -20V, IB=0 VEB= -3V, IC=0 VCE= -1V, IC= -50mA VCE= -1V, IC= -500mA IC=-500mA, IB= -50mA IC=-500mA, IB= -50mA VCE= -6V, IC= -20mA
8550三极管 电流
8550三极管电流摘要：1.8550 三极管简介2.8550 三极管的电流特性3.8550 三极管在实际应用中的电流表现4.总结正文：【1.8550 三极管简介】8550 三极管是一种常用的半导体元器件，具有放大和开关功能。
它的结构由三个控制电极组成，分别是基极（Base）、发射极（Emitter）和集电极（Collector）。
在电路设计中，8550 三极管广泛应用于放大器、振荡器、脉冲发生器等电子设备。
【2.8550 三极管的电流特性】8550 三极管的电流特性主要表现在两个方面：静态电流和动态电流。
静态电流是指在无输入信号时，三极管所通过的电流。
动态电流则是当输入信号发生变化时，三极管中流过的电流。
静态电流：8550 三极管的静态电流较小，通常在10nA 到100nA 之间。
静态电流的大小主要取决于基极电流，发射极和集电极之间的电压差。
静态电流小意味着8550 三极管具有较低的功耗和较长的使用寿命。
动态电流：动态电流是指在输入信号发生变化时，三极管中流过的电流。
当基极电流发生变化时，发射极和集电极之间的电流也会发生相应的变化。
根据电流放大系数β，可以计算出动态电流的范围。
在实际应用中，8550 三极管的电流放大系数β通常在100 到300 之间。
【3.8550 三极管在实际应用中的电流表现】在实际应用中，8550 三极管的电流特性对电路性能具有重要影响。
例如，在音频放大器中，要求三极管具有较高的电流放大系数，以便放大电信号。
而在开关电路中，要求三极管具有较低的静态电流，以减少功耗和提高电路的稳定性。
【4.总结】8550 三极管作为一种常用的半导体元器件，在电路设计中具有广泛的应用。
了解其电流特性对于优化电路性能至关重要。