在KDS中使用C90TFS操作flash的问题讲解

在KDS中使用C90TFS操作flash的问题讲解
【经验分享】在KDS中使用C90TFS操作flash的问题讲解
一，问题描述
最近有个客户在使用C90TFS移植到K22 KDS KSDK工程中的时候，发现在操作flash sector 擦除之后，返回的FTFA_FSTAT 寄存器总是0X40，也就是ACCERR为1，访问flash 错误。

通过查看对应的K22 参考手册，可以知道：
产生ACCERR错误，通常有如上表格中的三种情况。

但是客户使用的命令是这样的：
FCCOB0=0X09
FCCOB1=0X07
FCCOB2=0XA0
FFCCOB3=0X00
也就是对地址0X07A000所在的sector执行擦除命令，所以命令，地址都没有错误。

那么到底是什么原因导致的呢？
首先想一下，和flash操作失败相关的因素一般有几点，1，操作flash之前没有关闭中断，这样flash操作时，产生中断，导致flash操作错误；2，发起flash操作命令没有放到RAM中；3，flash操作时钟超限或者时钟模式不对。

下面带着这几个排查点具体分析问题，测试平台TWR-K22F120M, FRDM-K22F120M。

二，问题排查与解答
1. 操作flash前中断关闭否
查看代码：
可以看到，操作flash之前，已经关闭了全局中断。

2. 发起flash命令代码未放到RAM
其实，如果flash操作的发起命令代码如果不是放在被操作的flash区域，应该也不会影响到flash的操作。

而在执行flash sector 之前，已经查看过，该sector并没有存放程序代码。

不过为了flash 的快速执行，通常还是把flash操作的发起命令代码放到RAM中执行。

从上图的代码中可以看到：
g_FlashLaunchCommand = (pFLASHCOMMANDSEQUENCE)RelocateFunction((uint32_t)ram Func , LAUNCH_CMD_SIZE ,(uint32_t)FlashCommandSequence);
该命令FlashCommandSequence已经放到了RAM中，所以肯定不会是这个因素影响的。

3. flash时钟越界或时钟模式不对
从reference manual 的时钟章节，可以看到：
Flash clock时钟最高只能到26.67Mhz.
下面查看代码时钟情况
可以看到，定义内核时钟为120Mhz，而OUT4为4，则按照时钟系统：
可以知道，这样算下来，flash 时钟=120M/5=24M，可以看到时钟还是符合要求，小于26.67Mhz.
但是从代码中，可以清晰的看到，编译的是：(CLOCK_INIT_CONFIG == CLOCK_HSRUN)从K22的功耗模式章节可以看到：
也就是flash的编程或者擦除是不能运行在HSRUN和VLPR模式下面的，所以这里可以知道是时钟模式不对导致的。

那么就需要把功耗模式换为RUN模式，具体配置在下图：
这里就有点奇怪，为何定义了CLOCK_RUN，在KDS中编译，还是编译的未定义
CLOCK_INT_CONFIG呢？可以看到，其实程序中需要的是CLOCK_INIT_CONFIG, 而客户把INIT写成了INT了，这就是为何功耗模式不对的原因，修改为CLOCK_INIT_CONFIG之后，可以看到flash就能够准确的操作擦除和编程了。

三总结
FLASH操作需要注意三大点：
1，操作flash之前关闭全局中断，flash操作完成后，可以重新开启中断
2，发起flash操作命令放到RAM中；
3，Flash编程和擦除操作不能放在高速运行HSRUN和VLPR模式下。