第一章 电力电子器件
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4. 擎住电流 IL —— 晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号 后，能维持导通所需的最小电流。
对同一晶闸管来说，通常IL约为IH的2～4倍。
第31页
1.3.3 晶闸管的主要参数
5.通态平均电压UT(AV) ——当晶闸管流过正弦半波的额定电流平均值和稳
定的额定结温时，元件阳极与阴极之间电压降的平均 值（1V左右）。
第12页
1.2.2 电力二极管的主要参数
1) 正向平均电流IF(AV) 额 定 电 流 —— 在 指 定 的 管 壳 温 度 和 散 热 条件下，其允许流过的最大工频正弦半 波电流的平均值。 IF(AV)是按照电流的发热效应来定义的，使 用时应按有效值相等的原则来选取电流 定额，并应留有一定的裕量。
O
UDRM Ubo +UA
UDSM
-IA
不可靠触发区
图1.8 晶闸管的阳极伏安特性和门极伏安特性
第25页
1.3.2 晶闸管的特性
2. 动态特性
iA
100%
① 开通过程
90%
延迟时间Td(0.5~1.5s)
10% 0 td tr
uAK
上升时间Tr (0.5~3s)
O
开通时间Ton为以上两者之
和， Ton=Td+ Tr
2. 其它分类方法:
（1）按照驱动电路信号的性质来分
电流驱动型——通过从控制端注入或者抽出电 流来实现导通或者关断的控制。
电压驱动型——仅通过在控制端和公共端之间 施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制。
（2）按照功率等级来分 微功率器件 小功率器件
大功率器件
（3）按照导电机理来分 双极型 单极型
整流二极管及模块
第11页
1.2.1 结构、工作原理和基本特性
基本结构和工作 原理与微电子电 路中的二极管一 样。
由一个面积较大 的 PN 结 和 两 端 引 线及封装组成。
A
K A
a)
K
A
K PN
I
J
b)
c)
外形——螺栓型和 平板型两种封装。
图1.4 a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号
8.门极触发电流IGT和门极触发电压UGT
——IGT是指在室温且阳极电压为6V直流电压时，使晶闸管从阻 断到完全开通所必需的最小门极电流。 UGT是对应于门极触发 电流时的门极触发电压。
9.额定结温Tjm ——晶闸管在正常工作时所允许的最高结温（器件内 部）。
第33页
1.3.4 晶闸管的派生器件
1.快速晶闸管(Fast Switching Thyristor——FST)
性、主要参数以及在选择和使用中应注意的事项。
第2页
1.1 电力电子器件概述
（一）基本概念
主电路(Power Circuit): 在电气设备或电力系统中,直接承担电能的变
换或控制任务的电路。
电力电子器件(Power Electronic Device): 在可直接用于处理电能的主电路中,实现电能的
变换或控制的电子器件。
③承受正向阳极电压,同时加门 极施正向电压，晶闸管由阻断变 为导通。晶闸管一旦导通，门极 图1.6 晶闸管的工作条件的实验电路 就失去控制作用。单向导电性。
④要使晶闸管关断,必须去掉阳极正向电压,或给阳极加反向 电压,或降低正向阳极电压,使通过晶闸管的电流小于维持电 流(即保持晶闸管导通的最小阳极电流)。
6.断态电压临界上升率du／dt
——指在额定结温和门极开路的情况下，不导致晶闸管从断 态到通态转换的外加电压最大上升率。电压上升率过大，使充 电电流足够大，就会使晶闸管误导通 。
第32页
1.3.3 晶闸管的主要参数
7.通态电流临界上升率di／dt
——指在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态 电流上升率。如果电流上升太快，可能造成局部过热而使晶闸 管损坏。
SBD）
肖特基二极管的缺点
(a)反向耐压提高时正向压降会提高，多用于200V以下。 (b)反向稳态损耗不能忽略，必须严格地限制其工作温度。 (c)容量小、漏电流大。
肖特基二极管的优点
(a)反向恢复时间很短（10～40ns）。 (b)正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲。 (c)反向耐压较低时其正向压降明显低于快恢复二极管。 (d)效率高，其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还小。
O
UDRM Ubo +UA
UDSM
-IA
压。通常取晶闸管的UDRM和URRM中较小的标值作为该器件的额定电 实际选用时，额定电压要留有一定裕量,一般取额定电压为
实际工作电路中可能承受到的正向阻断重复峰值电压UDRM和反向 重复峰值电压URRM的最大峰值电压,再取2～3倍的安全裕量.
第29页
1.3.3 晶闸管的主要参数
混合型
第7页
1.1 电力电子器件概述
(五)电力电子器件的使用特点
从使用角度出发，主要可从以下5个方面考查电力电子 器件的使用特点： a.导通压降——电力电子器件的管耗与导通压降成正比， 应尽量选择低导通压降的器件 b.运行频率——器件的开关时间越短，器件可运行的频率 越高 c.器件容量——包括输出功率、电压及电流等级、功率损 耗等参数 d.耐冲击能力——主要是指器件短时间内承受过电流的能 力 e.可靠性——主要是指器件防止误导通的能力
5）最高工作结温TJM
结温是指管芯PN结的平均温度，用TJ表示。 TJM是指在PN结不致损坏的前提下所能承受的最高
平均温度。 TJM通常在125~175C范围之内。
6) 浪涌电流IFSM
指电力二极管所能承受最大的连续一个或几个工频周 期的过电流。
第15页
1.2.2 电力二极管的品种
1.标准工频型（普通型）
包括快速晶闸管和高频晶闸管，分别应用于400Hz和10kHz 以上的斩波或逆变电路中。
开关时间以及du/dt和di/dt耐量都有明显改善。
普通晶闸管关断时间数百微秒，快速晶闸管数十微秒，高 频晶闸管10s左右。
1.1 电力电子器件概述
(三)应用电力电子器件系统组成
控制电路
控
检测 电路
制 保护
电
电路
驱动
路
电路
V1 LR
V2 主电路
电气隔离
图1.1 电力电子器件在实际应用中的系统组成
在主电路 和控制电 路中附加 一些电路， 以保证电 力电子器 件和整个 系统正常 可靠运行
第5页
1.1 电力电子器件概述
（四）电力电子器件的分类
第20页
1.3.1 晶闸管的结构和工作原理
螺栓型晶闸管
晶闸管模块
Байду номын сангаас平板型晶闸管外形及结构
第21页
1.3.1 晶闸管的结构和工作原理
2.晶闸管的工作原理
①承受反向阳极电压,处于关断 状态，与门极无关，有反向阻断 能力。
②承受正向阳极电压时,若门极 不施加电压,晶闸管也处于关断 状态,有正向阻断能力。
t IRM
t trr URRM tgr
图1.9 晶闸管的动态过程
第26页
1.3.2 晶闸管的特性
②关断过程
iA
反向阻断恢复时间Trr
100% 90%
10%
正向阻断恢复时间Tgr
0 td tr uAK
t
IRM
电路换向关断时间Toff为
O
以上两者之和Tq=Trr+Tgr
普通晶闸管的关断时间
t trr URRM tgr
简称快速二极管，恢复过程很短，特别是反向恢复 过程很短（一般在5µs以下）。
从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级。 前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在 100ns以下，甚至达到20～30ns。
第17页
1.2.2 电力二极管的品种
3.肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode ——
1. 按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程 度，可以将电力电子器件分为以下3类: 不可控型器件——不能用控制信号来控制其通断。
半控型器件——通过控制信号可以控制其导通而不 能控制其关断。
全控型器件——通过控制信号既可控制其导通又可 控制其关断，又称自关断器件。
第6页
1.1 电力电子器件概述
用的崭新时代。 20世纪80年代以来，开始被全控型器件取代。 能承受的电压和电流容量最高，工作可靠，在大容量的
场合具有重要地位。
第19页
1.3.1 晶闸管的结构和工作原理
1.晶闸管的结构
G
G
KK
A A G
a)
图1. 5 晶闸管的外形、结构和电气图形符号
外形——螺栓型和平板型两种封装。 联接端——三个。 螺栓型——螺栓是阳极，与散热器紧密联接且安装方便。 平板型——由两个散热器将其夹在中间。
第22页
1.3.1 晶闸管的结构和工作原理
晶闸管的工作原理
IA
IC1 G
IG
A
V1
IC2
V2
IK
图1.7 晶闸管的双晶体管模型
K
第23页
1.3.1 晶闸管的结构和工作原理
其它几种可能导通的情况：
(1)阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应。
(2)阳极电压上升率du/dt过高，中间结电容产生位移电流。 (3)结温较高，漏电流增大。 (4)光触发——光触发可以保证控制电路与主电路之间的良好
2.额定电流IT(AV)（P19）
晶闸管在环境温度为40C和规定的冷却状态下，稳定结 温不超过额定结温时所允许连续流过的单相工频正弦半波 电流的最大平均值，也称通态平均电流。
iT
0
π
2π
t
图1.11 单相工频正弦半波电流
额定电流的计算方法
第30页
1.3.3 晶闸管的主要参数
3.维持电流 IH
——在室温与门极开路时,使晶闸管维持导通所必需 的最小电流。一般为几十到几百毫安，与结温有关， 结温越高，则IH越小。
第3页
1.1 电力电子器件概述
（二）同处理信息的电子器件相比的一般特征 a. 能处理电功率的能力，一般远大于处理信 息的电子器件。 b. 电力电子器件一般都工作在开关状态。
c. 电力电子器件往往需要由信息电子电 路来控制。
d. 电力电子器件自身的功率损耗远大于信 息电子器件，一般都要安装散热器。
第4页
第13页
1.2.2 电力二极管的主要参数
2）正向压降UF
在指定温度下，流过某一指定的稳态正向电流时对应 的正向压降。
3） 反向重复峰值电压URRM
对电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压。 使用时，应当留有两倍的裕量。
4）反向恢复时间trr
trr= td+ tf
第14页
1.2.2 电力二极管的主要参数
绝缘而应用于高压电力设备中，称为光控晶闸管（Light Triggered Thyristor——LTT）。其它几种情况要尽量防止。
只有门极触发是最精确、迅速而可靠的控制手段。
第24页
1.3.2 晶闸管的特性
1. 静态特性
IA 正向 导通
可靠触发区
URSM URRM -UA
雪崩 击穿
IH
IG2
IG1 IG=0
约几百微秒
图1.9 晶闸管的动态过程
第27页
1.3.2 晶闸管的特性
③晶闸管的损耗
通态损耗
静态损耗
断态损耗
开通损耗
动态损耗
关断损耗
图1.10 晶闸管的动态过程及相应损耗
第28页
1.3.3 晶闸管的主要参数
1.额定电压UTN
URSM URRM -UA
雪崩 击穿
IA 正向 导通
IH
IG2
IG1 IG=0
第一章 电力电子器件
1.电力电子器件概述 2.电力二极管 3.晶闸管及其派生器件 4.典型全控型器件 5.其他新型电力电子器件 6.电力电子器件的驱动 7.电力电子器件的保护 8.电力电子器件的串联与并联运行
第1页
第一章 电力电子器件
重点
1.主电路和电力电子器件的基本概念。 2.电力电子器件的分类和电气图形符号。 3.晶闸管、电力晶体管和IGBT的工作原理、开关特
第18页
1.3 晶闸管及其派生器件
晶闸管（Thyristor）：晶体闸流管，可控硅整流 器（Silicon Controlled Rectifier——SCR）
1956年美国贝尔实验室发明了晶闸管。 1957年美国通用电气公司开发出第一只晶闸管产品。 1958年商业化，开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应
又称整流二极管（Rectifier Diode） 多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路 其反向恢复时间较长 正向电流定额和反向电压定额可以达到很高,可 以达到数千安或数千伏以上
第16页
1.2.2 电力二极管的品种
2.快速恢复二极管（Fast Recovery Diode——FRD）
第8页
1.1 电力电子器件概述
（六）电力电子器件的现状和发展趋势
图1.2 电力电子器件的种类和发展历史
第9页
1.1 电力电子器件概述
图1.3 各种器件寿命的周期曲线
第10页
1.2 电力二极管
电力二极管（Power Diode）结构和原理简单，工 作可靠，自20世纪50年代初期就获得应用。
快恢复二极管和肖特基二极管，分别在中、高频 整流和逆变，以及低压高频整流的场合，具有不 可替代的地位。
对同一晶闸管来说，通常IL约为IH的2～4倍。
第31页
1.3.3 晶闸管的主要参数
5.通态平均电压UT(AV) ——当晶闸管流过正弦半波的额定电流平均值和稳
定的额定结温时，元件阳极与阴极之间电压降的平均 值（1V左右）。
第12页
1.2.2 电力二极管的主要参数
1) 正向平均电流IF(AV) 额 定 电 流 —— 在 指 定 的 管 壳 温 度 和 散 热 条件下，其允许流过的最大工频正弦半 波电流的平均值。 IF(AV)是按照电流的发热效应来定义的，使 用时应按有效值相等的原则来选取电流 定额，并应留有一定的裕量。
O
UDRM Ubo +UA
UDSM
-IA
不可靠触发区
图1.8 晶闸管的阳极伏安特性和门极伏安特性
第25页
1.3.2 晶闸管的特性
2. 动态特性
iA
100%
① 开通过程
90%
延迟时间Td(0.5~1.5s)
10% 0 td tr
uAK
上升时间Tr (0.5~3s)
O
开通时间Ton为以上两者之
和， Ton=Td+ Tr
2. 其它分类方法:
（1）按照驱动电路信号的性质来分
电流驱动型——通过从控制端注入或者抽出电 流来实现导通或者关断的控制。
电压驱动型——仅通过在控制端和公共端之间 施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制。
（2）按照功率等级来分 微功率器件 小功率器件
大功率器件
（3）按照导电机理来分 双极型 单极型
整流二极管及模块
第11页
1.2.1 结构、工作原理和基本特性
基本结构和工作 原理与微电子电 路中的二极管一 样。
由一个面积较大 的 PN 结 和 两 端 引 线及封装组成。
A
K A
a)
K
A
K PN
I
J
b)
c)
外形——螺栓型和 平板型两种封装。
图1.4 a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号
8.门极触发电流IGT和门极触发电压UGT
——IGT是指在室温且阳极电压为6V直流电压时，使晶闸管从阻 断到完全开通所必需的最小门极电流。 UGT是对应于门极触发 电流时的门极触发电压。
9.额定结温Tjm ——晶闸管在正常工作时所允许的最高结温（器件内 部）。
第33页
1.3.4 晶闸管的派生器件
1.快速晶闸管(Fast Switching Thyristor——FST)
性、主要参数以及在选择和使用中应注意的事项。
第2页
1.1 电力电子器件概述
（一）基本概念
主电路(Power Circuit): 在电气设备或电力系统中,直接承担电能的变
换或控制任务的电路。
电力电子器件(Power Electronic Device): 在可直接用于处理电能的主电路中,实现电能的
变换或控制的电子器件。
③承受正向阳极电压,同时加门 极施正向电压，晶闸管由阻断变 为导通。晶闸管一旦导通，门极 图1.6 晶闸管的工作条件的实验电路 就失去控制作用。单向导电性。
④要使晶闸管关断,必须去掉阳极正向电压,或给阳极加反向 电压,或降低正向阳极电压,使通过晶闸管的电流小于维持电 流(即保持晶闸管导通的最小阳极电流)。
6.断态电压临界上升率du／dt
——指在额定结温和门极开路的情况下，不导致晶闸管从断 态到通态转换的外加电压最大上升率。电压上升率过大，使充 电电流足够大，就会使晶闸管误导通 。
第32页
1.3.3 晶闸管的主要参数
7.通态电流临界上升率di／dt
——指在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态 电流上升率。如果电流上升太快，可能造成局部过热而使晶闸 管损坏。
SBD）
肖特基二极管的缺点
(a)反向耐压提高时正向压降会提高，多用于200V以下。 (b)反向稳态损耗不能忽略，必须严格地限制其工作温度。 (c)容量小、漏电流大。
肖特基二极管的优点
(a)反向恢复时间很短（10～40ns）。 (b)正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲。 (c)反向耐压较低时其正向压降明显低于快恢复二极管。 (d)效率高，其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还小。
O
UDRM Ubo +UA
UDSM
-IA
压。通常取晶闸管的UDRM和URRM中较小的标值作为该器件的额定电 实际选用时，额定电压要留有一定裕量,一般取额定电压为
实际工作电路中可能承受到的正向阻断重复峰值电压UDRM和反向 重复峰值电压URRM的最大峰值电压,再取2～3倍的安全裕量.
第29页
1.3.3 晶闸管的主要参数
混合型
第7页
1.1 电力电子器件概述
(五)电力电子器件的使用特点
从使用角度出发，主要可从以下5个方面考查电力电子 器件的使用特点： a.导通压降——电力电子器件的管耗与导通压降成正比， 应尽量选择低导通压降的器件 b.运行频率——器件的开关时间越短，器件可运行的频率 越高 c.器件容量——包括输出功率、电压及电流等级、功率损 耗等参数 d.耐冲击能力——主要是指器件短时间内承受过电流的能 力 e.可靠性——主要是指器件防止误导通的能力
5）最高工作结温TJM
结温是指管芯PN结的平均温度，用TJ表示。 TJM是指在PN结不致损坏的前提下所能承受的最高
平均温度。 TJM通常在125~175C范围之内。
6) 浪涌电流IFSM
指电力二极管所能承受最大的连续一个或几个工频周 期的过电流。
第15页
1.2.2 电力二极管的品种
1.标准工频型（普通型）
包括快速晶闸管和高频晶闸管，分别应用于400Hz和10kHz 以上的斩波或逆变电路中。
开关时间以及du/dt和di/dt耐量都有明显改善。
普通晶闸管关断时间数百微秒，快速晶闸管数十微秒，高 频晶闸管10s左右。
1.1 电力电子器件概述
(三)应用电力电子器件系统组成
控制电路
控
检测 电路
制 保护
电
电路
驱动
路
电路
V1 LR
V2 主电路
电气隔离
图1.1 电力电子器件在实际应用中的系统组成
在主电路 和控制电 路中附加 一些电路， 以保证电 力电子器 件和整个 系统正常 可靠运行
第5页
1.1 电力电子器件概述
（四）电力电子器件的分类
第20页
1.3.1 晶闸管的结构和工作原理
螺栓型晶闸管
晶闸管模块
Байду номын сангаас平板型晶闸管外形及结构
第21页
1.3.1 晶闸管的结构和工作原理
2.晶闸管的工作原理
①承受反向阳极电压,处于关断 状态，与门极无关，有反向阻断 能力。
②承受正向阳极电压时,若门极 不施加电压,晶闸管也处于关断 状态,有正向阻断能力。
t IRM
t trr URRM tgr
图1.9 晶闸管的动态过程
第26页
1.3.2 晶闸管的特性
②关断过程
iA
反向阻断恢复时间Trr
100% 90%
10%
正向阻断恢复时间Tgr
0 td tr uAK
t
IRM
电路换向关断时间Toff为
O
以上两者之和Tq=Trr+Tgr
普通晶闸管的关断时间
t trr URRM tgr
简称快速二极管，恢复过程很短，特别是反向恢复 过程很短（一般在5µs以下）。
从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级。 前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在 100ns以下，甚至达到20～30ns。
第17页
1.2.2 电力二极管的品种
3.肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode ——
1. 按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程 度，可以将电力电子器件分为以下3类: 不可控型器件——不能用控制信号来控制其通断。
半控型器件——通过控制信号可以控制其导通而不 能控制其关断。
全控型器件——通过控制信号既可控制其导通又可 控制其关断，又称自关断器件。
第6页
1.1 电力电子器件概述
用的崭新时代。 20世纪80年代以来，开始被全控型器件取代。 能承受的电压和电流容量最高，工作可靠，在大容量的
场合具有重要地位。
第19页
1.3.1 晶闸管的结构和工作原理
1.晶闸管的结构
G
G
KK
A A G
a)
图1. 5 晶闸管的外形、结构和电气图形符号
外形——螺栓型和平板型两种封装。 联接端——三个。 螺栓型——螺栓是阳极，与散热器紧密联接且安装方便。 平板型——由两个散热器将其夹在中间。
第22页
1.3.1 晶闸管的结构和工作原理
晶闸管的工作原理
IA
IC1 G
IG
A
V1
IC2
V2
IK
图1.7 晶闸管的双晶体管模型
K
第23页
1.3.1 晶闸管的结构和工作原理
其它几种可能导通的情况：
(1)阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应。
(2)阳极电压上升率du/dt过高，中间结电容产生位移电流。 (3)结温较高，漏电流增大。 (4)光触发——光触发可以保证控制电路与主电路之间的良好
2.额定电流IT(AV)（P19）
晶闸管在环境温度为40C和规定的冷却状态下，稳定结 温不超过额定结温时所允许连续流过的单相工频正弦半波 电流的最大平均值，也称通态平均电流。
iT
0
π
2π
t
图1.11 单相工频正弦半波电流
额定电流的计算方法
第30页
1.3.3 晶闸管的主要参数
3.维持电流 IH
——在室温与门极开路时,使晶闸管维持导通所必需 的最小电流。一般为几十到几百毫安，与结温有关， 结温越高，则IH越小。
第3页
1.1 电力电子器件概述
（二）同处理信息的电子器件相比的一般特征 a. 能处理电功率的能力，一般远大于处理信 息的电子器件。 b. 电力电子器件一般都工作在开关状态。
c. 电力电子器件往往需要由信息电子电 路来控制。
d. 电力电子器件自身的功率损耗远大于信 息电子器件，一般都要安装散热器。
第4页
第13页
1.2.2 电力二极管的主要参数
2）正向压降UF
在指定温度下，流过某一指定的稳态正向电流时对应 的正向压降。
3） 反向重复峰值电压URRM
对电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压。 使用时，应当留有两倍的裕量。
4）反向恢复时间trr
trr= td+ tf
第14页
1.2.2 电力二极管的主要参数
绝缘而应用于高压电力设备中，称为光控晶闸管（Light Triggered Thyristor——LTT）。其它几种情况要尽量防止。
只有门极触发是最精确、迅速而可靠的控制手段。
第24页
1.3.2 晶闸管的特性
1. 静态特性
IA 正向 导通
可靠触发区
URSM URRM -UA
雪崩 击穿
IH
IG2
IG1 IG=0
约几百微秒
图1.9 晶闸管的动态过程
第27页
1.3.2 晶闸管的特性
③晶闸管的损耗
通态损耗
静态损耗
断态损耗
开通损耗
动态损耗
关断损耗
图1.10 晶闸管的动态过程及相应损耗
第28页
1.3.3 晶闸管的主要参数
1.额定电压UTN
URSM URRM -UA
雪崩 击穿
IA 正向 导通
IH
IG2
IG1 IG=0
第一章 电力电子器件
1.电力电子器件概述 2.电力二极管 3.晶闸管及其派生器件 4.典型全控型器件 5.其他新型电力电子器件 6.电力电子器件的驱动 7.电力电子器件的保护 8.电力电子器件的串联与并联运行
第1页
第一章 电力电子器件
重点
1.主电路和电力电子器件的基本概念。 2.电力电子器件的分类和电气图形符号。 3.晶闸管、电力晶体管和IGBT的工作原理、开关特
第18页
1.3 晶闸管及其派生器件
晶闸管（Thyristor）：晶体闸流管，可控硅整流 器（Silicon Controlled Rectifier——SCR）
1956年美国贝尔实验室发明了晶闸管。 1957年美国通用电气公司开发出第一只晶闸管产品。 1958年商业化，开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应
又称整流二极管（Rectifier Diode） 多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路 其反向恢复时间较长 正向电流定额和反向电压定额可以达到很高,可 以达到数千安或数千伏以上
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1.2.2 电力二极管的品种
2.快速恢复二极管（Fast Recovery Diode——FRD）
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1.1 电力电子器件概述
（六）电力电子器件的现状和发展趋势
图1.2 电力电子器件的种类和发展历史
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1.1 电力电子器件概述
图1.3 各种器件寿命的周期曲线
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1.2 电力二极管
电力二极管（Power Diode）结构和原理简单，工 作可靠，自20世纪50年代初期就获得应用。
快恢复二极管和肖特基二极管，分别在中、高频 整流和逆变，以及低压高频整流的场合，具有不 可替代的地位。