Electron Beam

Electron Beam Evaporator
加熱鎢絲使外層電子動能大於束縛能而逸出，
並利用高電位差加速電子及磁場控制電子束軌
跡，使其撞擊到蒸鍍源產生高熱讓蒸鍍源部分
蒸發為氣體，並在高真空的環境下附著在被鍍
物上。

目前實驗室的電子束蒸度系統主要應用
在製做電性量測的接點，目前提供Al, Au,
Ti, Ni等金屬蒸鍍。

電子束蒸鍍(E-Gun Evaporation)
相較於熱蒸鍍的方式電子束蒸鍍的方法有其下列的優點。

1.可聚焦的電子束，能局部加溫元素源，因不加熱其他部分而避免污染。

2. 高能量電子束能使高熔點元素達到足夠高溫以產生適量的蒸氣壓。

1.利用化學反應方式，於反應器內，將反應物生成固態生成物於基板上
2.藉反應氣體間的化學反應產生固態生成物，並沉積在晶片表面的薄膜沉積技術
快速熱退火（RTA），退火的目的：退火能夠加熱被注入矽片，修復晶格缺陷；還能使雜質原子移動到晶格點，將其激活高溫爐退火是在反應爐中通入氬氣或氮氣等鈍氣，不進行任何的氣體反應，只是利用高溫進行回火，用於多項製程，如離子植入（ion implantation）及矽酸鹽化（silicidation）之後，使晶格重排並消除應力，硼磷矽酸鹽玻璃（Borophospho-silicate Glass （BPSG））的回火，以及Silicide (W, Co) 的形成等等。

快速熱退火（RTA）：用極快的升溫和在目標溫度（一般是1000℃）短暫的持續時間對矽片進行處理快速的升溫過程和短暫的持續時間能夠在
晶格缺陷的修復、激活雜質和最小化雜質擴散三者間取得優化描述溝道效應，
控制溝道效應的四種方法溝道效應：當注入離子未與硅原子碰撞減速，而是穿透了晶格間隙時，就發生了溝道效應注入過程中有4種方法控制溝道效應： *傾斜矽片*掩蔽氧化層*矽預非晶化*使用質量較大的原子
消光係數越大﹐光振幅衰減越迅速﹐進入金屬內部的光能越少﹐反射率越高
消光係數，衡量光在材料傳播過程中衰減程度的物理量.折射率和消光係數是薄膜基本的光學特性,折射率夠大、消光係數夠小是好的薄膜所必須擁有的。

破壞性干涉：
所以當抗反射膜的光學厚度為波長的四分之一奇數倍時，就可使其
波長的光的反射率趨近為零。

BSF金屬層可以增加載子的收集，還可回收沒有被吸收的光子
是將結晶之素材，放置在以石墨，石英，氮化硼或白金製成的坩堝內，經由電阻加熱或高頻感應加熱等方式，將材料加以熔解且保持在較融點稍高的溫度，再將單結晶的種子結晶，浸泡在該融液待充分適應後，緩慢拉起，形成具有種子結晶方位排列之較大圓柱狀單結晶方法。

已形成之結晶因和容器沒有接觸，因此不會受到機械應力，可獲得較為良質之結晶。

費米能階
1.所謂費米能階~~金屬內的電子因苞利不相容原理~~故不能每一個電子都在
最低的能階~~便一個一個依序往高能階填直到最後一個填進的那個能階便是費米能階
2.價帶的最高能量狀態叫費米能級
3."單一電子所擁有的最大動能"所以畫能帶圖來看的話，在T=0K 的時候半導
體的價帶應該是全滿的所以無法導電~~也因此費米能階此時應該是低於導帶的高度，所以費米能階在零度K時的位置應在價帶的頂端(因為導帶是空的) ，對於無參雜半導體他是要讓某個溫度電子濃度和電動濃度相同所定出來的地方，有dopant的話，就看自由載子量來決定費米能階位置。