《存储器及存储系统》PPT课件
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双向的（MDR总线） MAC控制线：含读、写和表示存储器功能完成的线
精选ppt
M A R
M D R
CPU
地址总线K位
数据总线n位 Read Write MAC
控制总线
精选ppt
主存容量 2K字
字长n位
MEM
读操作过程： CPU发出指定存储器地址（通过MAR到总线），并
发出Read有效，之后等待主存储器的应答信号（MAC 控制线，若为1，表示主存储器已将数据送入数据总 线），送入MDR，完成一次读操作。
存储信
依靠双稳态电路内部交叉反馈的机制存
息原理 储信息。 功耗较大,速度快,作Cache。
动态存储器DRAM （动态MOS型）：
依靠电容存储电荷的原理存储信息。
功耗较小,容量大精,选速ppt 度较快,作主存。
一、①T静1、态T2M是OS工存作储管器，（使得SRAA、M）B点为互补（一个为 1．1静，态另M一O个S存一储定单0）元。
（2）串行访问存储器（SAS） 在存储器中按某种顺序来存取，也就是存取时间与存储单 元的物理位置有关。又分为顺序存取存储器（SAM）和直接 存取存储器（DAM） 主要用途：磁带（SAM）和磁盘（DAM）。用于外部存储器。
精选ppt
（3）只读存储器（ROM） 只能读，不能写的，其内容已经预先一次写入，
精选ppt
② 地址译码器 地址译码器把用二进制表示的地址转换为译码输入 线上的高电位，以便驱动相应的读写电路。
两种地址译码方式： 1)单译码方式，适用于小容量存储器；
地址译码器只有一个，其输出叫字选线，选择某个 字的所有位。
地址输入线n=4，经地址译码器译码后，产生16个字 选线，分别对应16个地址。
特点：存储体积大且不易丢失含磁盘存储器、磁带存储 器等 （3） 激光存储器
特点：集上述两种优点
只读型光盘（CD-ROM）、只写一次型光盘（WORM） 和磁光盘（MOD）
精选ppt
2）按存取方式分类 （1）随机存储器（RAM）
在存储器中任何存储单元的内容都能随机存取，且存取时 间与存储单元的物理位置无关。 主要用途：存放各种输入/输出的程序、数据、中间结果以及 存放与外界交换的信息和做堆栈用。一般充当高速缓冲存 储器和主存储器。
I/O控制
y0
y1 ...
y 63
Y地址译码
采用双译码结构的4096×1的存储单元矩阵；对4096 个单元选址，需要12根地精选址ppt线：A0—A11。
③ 驱动器 一条X方向的选择线要控制在其上的各个存储单元的 字选线，负载较大，要在译码器输出后加驱动器。
④ I/O控制 它处于数据总线和被选用的单元之间，用以控制被 选中的单元读出或写入，并具有放大信息的作用。
精选ppt
存储体
…
m位 数据寄存器
m位 (CPU)
三、主存储器的基本操作
主存储器用来暂时存储CPU正在使用的指令和数据， 它们的连接是通过总线实现的。
总线有三类：数据总线、地址总线和控制总线 存储器地址寄存器（在CPU中，MAR）：传送地址的，
单向的CPU发出，连接的总线（MAR总线） 存储器数据寄存器（在CPU中，MDR）：传送数据的，
T4
T1
T2
T7 (I/O)
精选ppt
接 Y 地址译码线
B T6
D T8
(I/O)
一2）、读静操态作 MOS存储器（SRAM） 于1是．A读静点操、态作B时点MO，与S若位存某线储个D、存单储相元元D连被，选存中储，元则的T5信、息T6被、送T7到、IT/8O四线管和均导通， 下I 图/ O 是线上一，位I/O的及六I / O管线静连接态着M一O个S存差动储读单出元放大电器路，从图其：电流方向，
下图②T是3、一T4位是的负六载管管，静起态限M流OS电存阻储作单用元电路图：
③T5、T6、T7、T8为控制管或开门管，由它们实现按地址 选择存储单元。
X 地址
译码线
V CC
T5 A D
T3
T4
T1
T2
T7 (I/O)
精选ppt
接 Y 地址译码线
B T6
D T8
(I/O)
一1位1），、．写并如静静操开果作态态通写T入MM5OO、“SS1T存存6”、，储储T则7、器单在TI8（元/四OS线个R上MAO输SM管）入，高把电高位、，低而电在位I分/ O线别上加输入入A点低和电B
可以判断所存信息是“1”和“0”；也可以只有一个输出端连接到外
部，从其有无电流通过，判断出所存信息是“1”还是“0”。
X 地址
译码线
V CC
T5 A D
T3
T4
T1
T2
T7 (I/O)
精选ppt
接 Y 地址译码线
B T6
D T8
(I/O)
2. 静态MOS存储器的组成
A0 A1
. . .
A5
16
….
精选ppt
0 存储单元
A5
1
A4
A3 译
A2 码 A1 器 A0
64个单元
63
单译码 精选ppt
2)双译码方式，适用于容量较大的存储器。 地址译码器分为X和Y两个译码器。每一个译码器有 n/2个输入端，可以译出2 n/2个状态，两译码器交叉 译码的结果，可产生 2 n/2 × 2 n/2 个输出状态。
4×4 阵列构成的16×1位存储器
X1 X
X0 译 码
4×精4选p位pt 存储器
I/O电路
D3 DDD210
① 存储体（存储矩阵） 存储体是存储单元的集合。在容量较大的存储器中 往往把各个字的同一位组织在一个集成片中； 图芯片是4096*1位，由这样的8个芯片可组成4096字 节的存储器。 4096个存储单元排成64*64的矩阵。 由X选择线（行选择线）和Y选tel 2114静态MOS芯片逻辑结构图，该芯片是 一个1K×4位的静态RAM，片上共有4096个六管存储元 电路，排成64×64的矩阵，有地址总线10根（A0~A9） ，其中六根（A3~A8）用于行译码，产生64根行选择线 ，四根用于列译码，产生64/4条选择线，即16条列选 择线，每条线同时接矩阵的4位。
第三章 存储器及存储系统
3.1 存储器概述 3.2 主存储器 3.3 半导体存储器芯片 3.4 主存储器组织 3.5 存储保护和校验技术
精选ppt
3．1 存储器概述
1．存储器分类
1）按存储介质分类
（1）半导体存储器
特点：集成高、容量大、体积小、存取速度快、功耗低、 价格便宜、维护简单。
又分两类：双极性存储器（TTL型和ECL型）和金属氧 化物半导体存储器（MOS）（分为静态MOS存储器和动 态MOS存储器） （2） 磁表面存储器
和数据，主要用双极型半导体存储器组成。 （2）主存储器（主存）
是计算机主要存储器，用来存放计算机运行期 间的大量数据和程序。它是和快存交换数据和指令， 快存再与CPU打交道。由MOS存储器组成。 （3）外存储器（外存）
又称辅助存储器，主要是存储容量大，用来存 放系统程序和大型数据文件及数据库。
精选ppt
⑤ 片选控制 将一定数量的芯片按一定方式连接成一个完整的存 储器；芯片外的地址译码器产生片选控制信号，选中 要访问的存储字所在的芯片。
⑥ 读/写控制 根据CPU给出的信号是读命令还是写命令，控制被选 中存储单元的读写。 精选ppt
D
D
I/O
&
R/W
&
CS
片选和读写控制电路
精选ppt
3．静态MOS存储器芯片实例
存储器的访问时间（存取时间，用TA表示，多数在 ns级）：从存储器接收到读（或写）命令到从存储 器读出（写入）信息所需的时间。
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3、存取周期 存取周期（用TM表示）：存储器作连续访问
操作过程中完成一次完整存取操作所需的全部时 间。也是指连续启动两次独立的存储器操作所需 间隔的最小时间。TM>TA
精选ppt
写操作过程： CPU发出指定存储器地址（通过MAR到总线），
并将数据（通过MDR到总线），同时发出Write有效， 之后等待主存储器的应答信号（MAC控制线）；主 存储器从数据总线接收到信息并按地址总线指定的 地址存储。然后经过MAC控制线发回存储器操作完 成的信号。完成一次写操作。
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3.3 半导体存储器芯片
3.3.1 静态MOS存储器(SRAM) 3.3.2 动态MOS存储器(DRAM) 3.3.3 半导体只读存储器
精选ppt
半导体存储器
工艺
双极型 速度很快、功耗大、容量小
MOS型
静态MOS 功耗小、容量大 动态MOS （静态MOS除外）
静态存储器SRAM（双极型、静态MOS型）：
地
址
译 码 器
6
. . .
X 译 码 器
. . .
驱1 动 器…
64
2
1
64×64=4096
存储矩阵
1
… 64
I/O电路
输出驱动器
Y译码电路
… 地址反相器 6
…
A6 A7
A11
控制电路 读/写 片选
输出 输入
精选ppt
X1 X
X0 译 码
地址译码器
存储体
I/O电路
Y译码
Y1
Y 精选ppt 0
D D
带宽 取的信息量。
率技术指标 字节/秒
精选ppt
二、主存储器的基本结构
它接由收来存自储C体PU加的上n位一地些址外信号围，电经路过构译成码。、 外驱中围动一后个电形地路成址包2。n括个地地址址选译择码信驱号动，器每次、选数据寄存器和 存储器控制电路等。
地址 n 位 (CPU)
地
址
译 码
2n
驱
动
器
(CPU) R/W 控 制 线 路
三级结构有关系有下图表示：
CPU
Cache
高速缓冲
寄
存储器
存
主
外
器
存
组
存
主机
精选ppt
3．2 主存储器
一、主存储器的技术指标 1、存储容量
存放一个机器字的存储单元，称为字存储单元， 相应的单元地址叫字地址，若计算机中可编址最小 单元为字，称该计算机为按字编址的计算机；存放 一个字节的单元，称为字节存储单元，相应的单元 地址叫字节地址，若计算机中可编址最小单元为字 节，称该计算机为按字节编址的计算机。
是存放固定不变的信息。 主要用途：微程序控制器、BIOS等
又分为掩模ROM（MROM）、 可编程ROM（PROM）、 可擦除可编程ROM（EPROM和E2PROM））
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3)按信息的可保存性分类
非永久记忆的存储器：断电后信息即消失的存储器。 （主存中的RAM）
永久记忆性存储器：断电后仍能保存信息的存储器。 （辅存，ROM）
精选ppt
主存储器的主要几项技术指标
指标
存储容 量
存取时 间
存储周 期
含义
表现
单位
在一个存储器中可以容 存储空间的 字数，字
纳的存储单元总数
大小
节数
启动到完成一次存储器 操作所经历的时间
主存的速度
ｎｓ
连续启动两次操作所需 间隔的最小时间
主存的速度
ｎｓ
存储器 单位时间里存储器所存 数据传输速 位/秒，
精选ppt
在一个存储器中可以容纳的主存储器的单元总 数称为该存储器的存储容量，通常用字节（B，1B=8b）
表示。 1K=1024， 1M=1024K， 1G=1024M和 1T=1024G， 单位为MB、GB、TB
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2、存取时间 写操作：信息存入存储器的操作。 读操作：从存储器取出信息的操作。 访 问：读/写操作。
4)按在计算机系统中的作用分类
根据存储器在计算机系统中所起的作用，可分为 主存储器、辅助存储器、高速缓冲存储器、控制 存储器等。
精选ppt
存储器分类综述
RAM SRAM →Cache DRAM
主存储器
MROM
存
ROM PROM
储
EPROM
器
E2PROM
软盘
磁盘 硬盘
辅助存储器 磁带 CD-ROM
光盘 WORM
EOD
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2．存储器的分级管理 通常采用三级存储器结构（高速缓冲存储器、主 存储器和辅助存储器），CPU能直接访问存储器 （高速缓冲存储器、主存储器）称为内存储器 （内存），不能直接访问称为外存储器（外存）
精选ppt
（1）高速缓冲存储器（Cache、快存） 是一个高速的小容量的存储器，临时存放指令
精选ppt
A3 A4 A5
行
…
64×64
VCC GND
A6
选
…
存储矩阵
A7
择
A8
……
I/O1
I/O2
下点上图，是从一而使位T1的管截六止管，静T2管态导M通O。S存当输储入单信元号及电地路址选图择：信号消失
后，T5、T6、T7、T8管都截止，T1和T2管就保持被强迫写入的状态不
变，从而将“1”写入存储元，各种干扰信号不会影响T1和T2管；写
“0”同上原理一样。
X 地址
译码线
V CC
T5 A D
T3
精选ppt
0
1 A2 行 A1 译 A0 码
7
64个单元
01
7
列译码
双译码
A3A4A5
采用双译码结构的8×8的存储矩阵构成的64×1位的
存储器
精选ppt
...
... ... ...
X0
X1
X 地 址 X63 译 码
0,0 1,0
63,0
0,1 1,1
63,1
0,63 1,63
...
63,63
双地址译码 存储结构
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M A R
M D R
CPU
地址总线K位
数据总线n位 Read Write MAC
控制总线
精选ppt
主存容量 2K字
字长n位
MEM
读操作过程： CPU发出指定存储器地址（通过MAR到总线），并
发出Read有效，之后等待主存储器的应答信号（MAC 控制线，若为1，表示主存储器已将数据送入数据总 线），送入MDR，完成一次读操作。
存储信
依靠双稳态电路内部交叉反馈的机制存
息原理 储信息。 功耗较大,速度快,作Cache。
动态存储器DRAM （动态MOS型）：
依靠电容存储电荷的原理存储信息。
功耗较小,容量大精,选速ppt 度较快,作主存。
一、①T静1、态T2M是OS工存作储管器，（使得SRAA、M）B点为互补（一个为 1．1静，态另M一O个S存一储定单0）元。
（2）串行访问存储器（SAS） 在存储器中按某种顺序来存取，也就是存取时间与存储单 元的物理位置有关。又分为顺序存取存储器（SAM）和直接 存取存储器（DAM） 主要用途：磁带（SAM）和磁盘（DAM）。用于外部存储器。
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（3）只读存储器（ROM） 只能读，不能写的，其内容已经预先一次写入，
精选ppt
② 地址译码器 地址译码器把用二进制表示的地址转换为译码输入 线上的高电位，以便驱动相应的读写电路。
两种地址译码方式： 1)单译码方式，适用于小容量存储器；
地址译码器只有一个，其输出叫字选线，选择某个 字的所有位。
地址输入线n=4，经地址译码器译码后，产生16个字 选线，分别对应16个地址。
特点：存储体积大且不易丢失含磁盘存储器、磁带存储 器等 （3） 激光存储器
特点：集上述两种优点
只读型光盘（CD-ROM）、只写一次型光盘（WORM） 和磁光盘（MOD）
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2）按存取方式分类 （1）随机存储器（RAM）
在存储器中任何存储单元的内容都能随机存取，且存取时 间与存储单元的物理位置无关。 主要用途：存放各种输入/输出的程序、数据、中间结果以及 存放与外界交换的信息和做堆栈用。一般充当高速缓冲存 储器和主存储器。
I/O控制
y0
y1 ...
y 63
Y地址译码
采用双译码结构的4096×1的存储单元矩阵；对4096 个单元选址，需要12根地精选址ppt线：A0—A11。
③ 驱动器 一条X方向的选择线要控制在其上的各个存储单元的 字选线，负载较大，要在译码器输出后加驱动器。
④ I/O控制 它处于数据总线和被选用的单元之间，用以控制被 选中的单元读出或写入，并具有放大信息的作用。
精选ppt
存储体
…
m位 数据寄存器
m位 (CPU)
三、主存储器的基本操作
主存储器用来暂时存储CPU正在使用的指令和数据， 它们的连接是通过总线实现的。
总线有三类：数据总线、地址总线和控制总线 存储器地址寄存器（在CPU中，MAR）：传送地址的，
单向的CPU发出，连接的总线（MAR总线） 存储器数据寄存器（在CPU中，MDR）：传送数据的，
T4
T1
T2
T7 (I/O)
精选ppt
接 Y 地址译码线
B T6
D T8
(I/O)
一2）、读静操态作 MOS存储器（SRAM） 于1是．A读静点操、态作B时点MO，与S若位存某线储个D、存单储相元元D连被，选存中储，元则的T5信、息T6被、送T7到、IT/8O四线管和均导通， 下I 图/ O 是线上一，位I/O的及六I / O管线静连接态着M一O个S存差动储读单出元放大电器路，从图其：电流方向，
下图②T是3、一T4位是的负六载管管，静起态限M流OS电存阻储作单用元电路图：
③T5、T6、T7、T8为控制管或开门管，由它们实现按地址 选择存储单元。
X 地址
译码线
V CC
T5 A D
T3
T4
T1
T2
T7 (I/O)
精选ppt
接 Y 地址译码线
B T6
D T8
(I/O)
一1位1），、．写并如静静操开果作态态通写T入MM5OO、“SS1T存存6”、，储储T则7、器单在TI8（元/四OS线个R上MAO输SM管）入，高把电高位、，低而电在位I分/ O线别上加输入入A点低和电B
可以判断所存信息是“1”和“0”；也可以只有一个输出端连接到外
部，从其有无电流通过，判断出所存信息是“1”还是“0”。
X 地址
译码线
V CC
T5 A D
T3
T4
T1
T2
T7 (I/O)
精选ppt
接 Y 地址译码线
B T6
D T8
(I/O)
2. 静态MOS存储器的组成
A0 A1
. . .
A5
16
….
精选ppt
0 存储单元
A5
1
A4
A3 译
A2 码 A1 器 A0
64个单元
63
单译码 精选ppt
2)双译码方式，适用于容量较大的存储器。 地址译码器分为X和Y两个译码器。每一个译码器有 n/2个输入端，可以译出2 n/2个状态，两译码器交叉 译码的结果，可产生 2 n/2 × 2 n/2 个输出状态。
4×4 阵列构成的16×1位存储器
X1 X
X0 译 码
4×精4选p位pt 存储器
I/O电路
D3 DDD210
① 存储体（存储矩阵） 存储体是存储单元的集合。在容量较大的存储器中 往往把各个字的同一位组织在一个集成片中； 图芯片是4096*1位，由这样的8个芯片可组成4096字 节的存储器。 4096个存储单元排成64*64的矩阵。 由X选择线（行选择线）和Y选tel 2114静态MOS芯片逻辑结构图，该芯片是 一个1K×4位的静态RAM，片上共有4096个六管存储元 电路，排成64×64的矩阵，有地址总线10根（A0~A9） ，其中六根（A3~A8）用于行译码，产生64根行选择线 ，四根用于列译码，产生64/4条选择线，即16条列选 择线，每条线同时接矩阵的4位。
第三章 存储器及存储系统
3.1 存储器概述 3.2 主存储器 3.3 半导体存储器芯片 3.4 主存储器组织 3.5 存储保护和校验技术
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3．1 存储器概述
1．存储器分类
1）按存储介质分类
（1）半导体存储器
特点：集成高、容量大、体积小、存取速度快、功耗低、 价格便宜、维护简单。
又分两类：双极性存储器（TTL型和ECL型）和金属氧 化物半导体存储器（MOS）（分为静态MOS存储器和动 态MOS存储器） （2） 磁表面存储器
和数据，主要用双极型半导体存储器组成。 （2）主存储器（主存）
是计算机主要存储器，用来存放计算机运行期 间的大量数据和程序。它是和快存交换数据和指令， 快存再与CPU打交道。由MOS存储器组成。 （3）外存储器（外存）
又称辅助存储器，主要是存储容量大，用来存 放系统程序和大型数据文件及数据库。
精选ppt
⑤ 片选控制 将一定数量的芯片按一定方式连接成一个完整的存 储器；芯片外的地址译码器产生片选控制信号，选中 要访问的存储字所在的芯片。
⑥ 读/写控制 根据CPU给出的信号是读命令还是写命令，控制被选 中存储单元的读写。 精选ppt
D
D
I/O
&
R/W
&
CS
片选和读写控制电路
精选ppt
3．静态MOS存储器芯片实例
存储器的访问时间（存取时间，用TA表示，多数在 ns级）：从存储器接收到读（或写）命令到从存储 器读出（写入）信息所需的时间。
精选ppt
3、存取周期 存取周期（用TM表示）：存储器作连续访问
操作过程中完成一次完整存取操作所需的全部时 间。也是指连续启动两次独立的存储器操作所需 间隔的最小时间。TM>TA
精选ppt
写操作过程： CPU发出指定存储器地址（通过MAR到总线），
并将数据（通过MDR到总线），同时发出Write有效， 之后等待主存储器的应答信号（MAC控制线）；主 存储器从数据总线接收到信息并按地址总线指定的 地址存储。然后经过MAC控制线发回存储器操作完 成的信号。完成一次写操作。
精选ppt
3.3 半导体存储器芯片
3.3.1 静态MOS存储器(SRAM) 3.3.2 动态MOS存储器(DRAM) 3.3.3 半导体只读存储器
精选ppt
半导体存储器
工艺
双极型 速度很快、功耗大、容量小
MOS型
静态MOS 功耗小、容量大 动态MOS （静态MOS除外）
静态存储器SRAM（双极型、静态MOS型）：
地
址
译 码 器
6
. . .
X 译 码 器
. . .
驱1 动 器…
64
2
1
64×64=4096
存储矩阵
1
… 64
I/O电路
输出驱动器
Y译码电路
… 地址反相器 6
…
A6 A7
A11
控制电路 读/写 片选
输出 输入
精选ppt
X1 X
X0 译 码
地址译码器
存储体
I/O电路
Y译码
Y1
Y 精选ppt 0
D D
带宽 取的信息量。
率技术指标 字节/秒
精选ppt
二、主存储器的基本结构
它接由收来存自储C体PU加的上n位一地些址外信号围，电经路过构译成码。、 外驱中围动一后个电形地路成址包2。n括个地地址址选译择码信驱号动，器每次、选数据寄存器和 存储器控制电路等。
地址 n 位 (CPU)
地
址
译 码
2n
驱
动
器
(CPU) R/W 控 制 线 路
三级结构有关系有下图表示：
CPU
Cache
高速缓冲
寄
存储器
存
主
外
器
存
组
存
主机
精选ppt
3．2 主存储器
一、主存储器的技术指标 1、存储容量
存放一个机器字的存储单元，称为字存储单元， 相应的单元地址叫字地址，若计算机中可编址最小 单元为字，称该计算机为按字编址的计算机；存放 一个字节的单元，称为字节存储单元，相应的单元 地址叫字节地址，若计算机中可编址最小单元为字 节，称该计算机为按字节编址的计算机。
是存放固定不变的信息。 主要用途：微程序控制器、BIOS等
又分为掩模ROM（MROM）、 可编程ROM（PROM）、 可擦除可编程ROM（EPROM和E2PROM））
精选ppt
3)按信息的可保存性分类
非永久记忆的存储器：断电后信息即消失的存储器。 （主存中的RAM）
永久记忆性存储器：断电后仍能保存信息的存储器。 （辅存，ROM）
精选ppt
主存储器的主要几项技术指标
指标
存储容 量
存取时 间
存储周 期
含义
表现
单位
在一个存储器中可以容 存储空间的 字数，字
纳的存储单元总数
大小
节数
启动到完成一次存储器 操作所经历的时间
主存的速度
ｎｓ
连续启动两次操作所需 间隔的最小时间
主存的速度
ｎｓ
存储器 单位时间里存储器所存 数据传输速 位/秒，
精选ppt
在一个存储器中可以容纳的主存储器的单元总 数称为该存储器的存储容量，通常用字节（B，1B=8b）
表示。 1K=1024， 1M=1024K， 1G=1024M和 1T=1024G， 单位为MB、GB、TB
精选ppt
2、存取时间 写操作：信息存入存储器的操作。 读操作：从存储器取出信息的操作。 访 问：读/写操作。
4)按在计算机系统中的作用分类
根据存储器在计算机系统中所起的作用，可分为 主存储器、辅助存储器、高速缓冲存储器、控制 存储器等。
精选ppt
存储器分类综述
RAM SRAM →Cache DRAM
主存储器
MROM
存
ROM PROM
储
EPROM
器
E2PROM
软盘
磁盘 硬盘
辅助存储器 磁带 CD-ROM
光盘 WORM
EOD
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2．存储器的分级管理 通常采用三级存储器结构（高速缓冲存储器、主 存储器和辅助存储器），CPU能直接访问存储器 （高速缓冲存储器、主存储器）称为内存储器 （内存），不能直接访问称为外存储器（外存）
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（1）高速缓冲存储器（Cache、快存） 是一个高速的小容量的存储器，临时存放指令
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A3 A4 A5
行
…
64×64
VCC GND
A6
选
…
存储矩阵
A7
择
A8
……
I/O1
I/O2
下点上图，是从一而使位T1的管截六止管，静T2管态导M通O。S存当输储入单信元号及电地路址选图择：信号消失
后，T5、T6、T7、T8管都截止，T1和T2管就保持被强迫写入的状态不
变，从而将“1”写入存储元，各种干扰信号不会影响T1和T2管；写
“0”同上原理一样。
X 地址
译码线
V CC
T5 A D
T3
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0
1 A2 行 A1 译 A0 码
7
64个单元
01
7
列译码
双译码
A3A4A5
采用双译码结构的8×8的存储矩阵构成的64×1位的
存储器
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...
... ... ...
X0
X1
X 地 址 X63 译 码
0,0 1,0
63,0
0,1 1,1
63,1
0,63 1,63
...
63,63
双地址译码 存储结构