电子科大模电 第2章 习题课-解答
模电习题课-最终稿
模电典型例题分析第二章题2.1 如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±14V ，Ui=1V ；R1＝10k,Rw=100k 。
请问：当Rw 滑动端分别在最下端、最上端和中点时时，输出Uo ＝？V ； 解：14V ,1V ,6V题 2.2 在题图所示的放大电路中，已知Ω=====k R R R R R 1087521，Ω===k R R R 201096∶① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式；② 设V u I 3.01=，V u I 1.02=，则输出电压?=O u注：此图A 1的同相端、反相端标反。
解分析：本题中，运放A 1构成反相比例运用电路，A 2构成同相比例运用。
而A 3则构成了一个减法电路，由于可将运放当作理想器件，又在线线场合下使用，所以可使用“虚短”及“虚断”的两个基本概念来对电路进行分析。
（1）211111522216101010311202O I I I O I I I R u u u u R R u u u u R =-=-⨯=-⎛⎫⎛⎫=+=+⨯= ⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭对A 3，103222281020210203O O O I R u u u u u R R +=⨯===++因为0133079u u u u R R ---=－332011IIu u u u u -+===-()()90313212712201023O I III I R u u u u u u u R u u -=--=---=+（2）120.3,0.120.330.10.9I I O u V u Vu V ===⨯+⨯=题2.3 加减运算电路如图所示，求输出电压O u 的值。
R u分析：本题中运放A 构成了差分减法电路，由于运放可作理想器件，且工作在线性区，可用“虚短”和“虚断”的基本概念来分析电路。
此电路的同相和反相端分别有两个输入信号，因此可用叠加原理来分析。
电路与模拟电子技术基础(第2版)习题解答
第2章一阶动态电路的暂态分析习题解答。
图2.1 习题2.1图解电流源电流为其他2s11A 1s 01A )(S tt t i 分段计算电容电压)(t u s 10t 期间V2d 5.01d)(1)0()(0t t t i Cu t u s 1t时，V2)1(u s 21t 期间V24)1(22d )1(5.01)1()(1t t u t u t 2t s 时，0)2(u s 2t时t u t u 20d 05.01)2()(其他2s1V241s 0V2)(t t tt t u 瞬时功率为其他2s1W 421s 0W 2)()()(tt t t t i t u t p S 电容的储能为其他2s1J 21s 0J)(21)(222ttt t t Cu t w 2.2在图 2.2（a ）中，电感H 3L ，电流波形如图（b ）所示，求电压u 、s 1t 时电感吸收功率及储存的能量。
图2.2 习题2.2图解由图 2.2(b)可写出电流的函数其他02s1A 21s 0A)(tt t t t i 其他2s1V 31s 0V 3)(tt dtdi Lt u 1s t 时3W )1()1()1(i u p J231321)1(21)1(22L Li w 2.3 在图 2.3所示电路中，已知V 4cos 8t tu ，A 201i ，A 102i ，求0t时的t i 1和t i 2。
图2.3 习题 2.3电路图解A4sin 2d 4cos 8212d 21)0()(011t t u i t i t tA4s i n 211d 4c o s 841)0()(022t i t i t 2.4 电路如图 2.4(a)所示，开关在0t时由“1”搬向“2”，已知开关在“1”时电路已处于稳定。
求C u 、C i 、L u 和L i 的初始值。
（a ）动态电路（b ）0t时刻的等效电路图2.4 习题 2.4电路图解在直流激励下，换路前动态元件储有能量且已达到稳定状态，则电容相当于开路，电感相当于短路。
电子科大电磁场与波第二章答案
上任一点的磁场公式，可得到该细圆环电流在球心处产生的磁场为
dB
= ez
μ0b2 d I 2(b2 + d 2 )3 2
=
ez
μ0ωqa2 sin3 θ dθ 8π (a2 sin2 θ + a2 cos2 θ )3 2
=
ez
μ0ωq sin3 θ 8π a
dθ
故整个球面电流在球心处产生的磁场为
∫ ∫ B =
下各点的 E：（1） P1 (2,5, −5) ；（2） P2 (−2, 4,5) ；（3） P3 (−1, −5, 2) 。
解 无限大的均匀面电荷产生的电场为均匀场，利用前面的结果得
（1） E1
=
−ez
ρS1 2ε 0
− ez
ρS 2 2ε 0
− ez
ρS3 2ε 0
=
−e z
1 2ε 0
(3 + 6 − 8)×10−9
=
0
2.16 一个半径为 a 的导体球带电荷量为 q ,当球体以均匀角速度ω 绕一个直径旋转时（如
题 2.16 图所示），试求球心处的磁感应强度 B
解
导体球面上的面电荷密度为
ρS
=
q 4π a2
，当球体以均匀角速度 ω
绕一个直径旋转
时，球面上位置矢量 r = era 点处的电流面密度为
JS = ρS v = ρSω× r = ρS ezω × era =
+
(ex
3
−
ey )
3ρl1 8πε 0 L
=
ey
3ρl1 4πε 0 L
2.13 自由空间有三个无限大的均匀带电平面：位于点(0,0,-4)处的平面上 ρS1 = 3nC/m2 ，
模拟电子技术基础课后练习答案（国防科技大学出版社）第二章半导体器件习题答案（大题）
模拟电⼦技术基础课后练习答案（国防科技⼤学出版社）第⼆章半导体器件习题答案（⼤题）习题：⼀．填空题1. 半导体的导电能⼒与温度、光照强度、掺杂浓度和材料性质有关。
2. 利⽤PN结击穿时的特性可制成稳压⼆极管，利⽤发光材料可制成发光⼆级管，利⽤PN结的光敏性可制成光敏（光电）⼆级管。
3.在本征半导体中加⼊＿＿5价＿＿元素可形成N型半导体，加⼊＿3价＿元素可形成P型半导体。
N型半导体中的多⼦是_⾃由电⼦_______；P型半导体中的多⼦是___空⽳____。
4. PN结外加正向电压时导通外加反向电压时截⽌这种特性称为PN结的单向导电性。
5. 通常情况下硅材料⼆极管的正向导通电压为0.7v ，锗材料⼆极管的正向导通电压为0.2v 。
6..理想⼆极管正向电阻为__0______，反向电阻为_______，这两种状态相当于⼀个___开关____。
7..晶体管的三个⼯作区分别为放⼤区、截⽌区和饱和区。
8.. 稳压⼆极管是利⽤PN结的反向击穿特性特性制作的。
9.. 三极管从结构上看可以分成 PNP 和 NPN 两种类型。
10. 晶体三极管⼯作时有⾃由电⼦和空⽳两种载流⼦参与导电，因此三极管⼜称为双极型晶体管。
11.设晶体管的压降U CE不变，基极电流为20µA时，集电极电流等于2mA，则β=__100__。
12. 场效应管可分为绝缘栅效应管和结型两⼤类，⽬前⼴泛应⽤的绝缘栅效应管是MOS管，按其⼯作⽅式分可分为耗尽型和增强型两⼤类，每⼀类中⼜分为N沟道和P沟道两种。
13. 查阅电⼦器件⼿册，了解下列常⽤三极管的极限参数，并记录填写题表2-1在下表中题表2-1⼆．选择题1.杂质半导体中，多数载流⼦的浓度主要取决于A。
A、杂质浓度B、温度C、输⼊D、电压2.理想⼆极管加正向电压时可视为 B ，加反向电压时可视为＿＿A＿＿。
A.开路B.短路C.不能确定3.稳压管的稳压区是⼆极管⼯作在＿＿D＿＿状态。
A.正向导通B.反向截⽌C.反向导通D.反向击穿4.当温度升⾼时，⼆极管的反向饱和电流将＿＿A＿＿。
杭州电子科技大学电路与模拟电子技术基础(第4版)习题解答完整版
第1章直流电路习题解答1.1 求图1.1中各元件的功率，并指出每个元件起电源作用还是负载作用。
图1.1 习题1.1电路图解 W 5.45.131=×=P （吸收）；W 5.15.032=×=P （吸收） W 15353−=×−=P （产生）；W 5154=×=P （吸收）； W 4225=×=P （吸收）;元件1、2、4和5起负载作用，元件3起电源作用。
1.2 求图1.2中的电流I 、电压U 及电压源和电流源的功率。
图1.2 习题1.2电路图解 A 2=I ；V 13335=+−=I I U电流源功率：W 2621−=⋅−=U P （产生），即电流源产生功率6W 2。
电压源功率：W 632−=⋅−=I P （产生），即电压源产生功率W 6。
1.3 求图1.3电路中的电流1I 、2I 及3I 。
图1.3 习题1.3电路图解 A 1231=−=I ;A 1322−=−=I由1R 、2R 和3R 构成的闭合面求得：A 1223=+=I I 1.4 试求图1.4所示电路的ab U 。
图1.4 习题1.4电路图解 V 8.13966518ab −=×+++×−=U 1.5 求图1.5中的I 及S U 。
图1.5 习题1.5电路图解 A 7152)32(232=×+−×+−=IV 221021425)32(22S =+−=×+−×+=I U1.6 试求图1.6中的I 、X I 、U 及X U 。
图1.6 习题1.6电路图解 A 213=−=I ；A 31X −=−−=I I ; V 155X −=⋅=I UV 253245X X −=×−−⋅=I U1.7 电路如图1.7所示：（1）求图(a)中的ab 端等效电阻；（2）求图(b)中电阻R 。
图1.7 习题1.7电路图解 (1) Ω=+=+++×+×+×+=1046418666661866666ab R (2) Ω=−−=712432383R1.8 电路如图1.8所示：（1）求图(a)中的电压S U 和U ；（2）求图(b)中V 2=U 时的电压S U 。
电子技术(模拟部分)刘颖主编习题详解
s第一章习题参考答案1-1.填空（1）光信号、声信号和电信号（2）电压或电流（3）连续，离散（4）模拟信号（5）信号提取、信号预处理、信号的加工和信号执行2-1. 简答下列问题（1）有源元件的特点就是在电子电路中必须外加适合的电源电压或电流后方可有效工作；无源元件的特点就是在电子电路中无须外加适合的电源即可有效工作。
（2）参见1.2.2小节（3）参加图1.2.5第二章习题参考答案2-1．填空（1）五价元素；三价元素；（2）单向导电性；（3）0，无穷大；（4）势垒电容和扩散电容；（5）增大；（6）变窄，变宽；（7）扩散运动，漂移运动；（8）反偏截止状态；（9）正向导通状态。
2-2．(1)错（2）对（3）错（4）错（5）对（6）对（7）错(8) 错（9）错（10）对2-3．简答题（1）否则二极管性能将变坏甚至击穿。
（2）能，工作原理略。
（3）将模拟万用表设置为欧姆档，模拟万用表的黑色表笔（正极）和红色表笔（负极）分别接二极管的两端，如果电阻很小，则黑表笔接的就是二极管的正极；如果利用数字表的欧姆档测量二极管极性，与模拟表接法相反；当然目前很多数字万用表都有测试二极管的功能。
（4）不行，将造成二极管损坏。
（5）概念见教材，只有热击穿后PN 结将损坏。
2-4．（a ）导通，6V; （b ）导通,3V;（c ）D 1导通、D 2截止; 0V;（d ）D 1、D 3截止，D 2、D 4导通; 8V 。
2-5．题2-5解图2-6 .题2-6解图2-7．（1）利用作图法，D D 07V 26mA U .,I .≈≈T1D T D iD 1261026iu U d I e U r du I .-⎡⎤⎛⎫-⎢⎥⎪ ⎪⎢⎥⎛⎫⎝⎭⎣⎦=≈=Ω=Ω ⎪⎝⎭（2）流过二极管的交流电流有效值为 i d D 10mA 1mA 10U I r ⎛⎫=== ⎪⎝⎭2-8．假设稳压管正向导通压降近似为零，输入波形如2-8解图所示。
模拟电子技术习题答案
R 5V 10V UO
( a)
B1 D1 A R 12V 9V UO B1 B2
( b)
D1 D2 R 10V 15V UO A
B2 D2
( c)
(d )
图 T1.2
解： （a）UO=UA－UD=－5V－0.7V=－5.7V （b）UO=UB=UC=－5V （c）UO=UA=－0.7V （d）UO=UA=－9.3V 〖题1.3〗 二极管电路如图T1.3 (a) 所示，已知 ui 10 sin t (mV) ， E 1.2 V ，
iD /mA Rd 3.3k
VDD ( 12V)
4 3
uGS 12V 11V 10V 9V 8V 6V 5V 5 10 15 20 25 uDS /V
T
uI
2 uO
1 0
图 T1.17
解： （1） 略 （2） uI=4V时，T工作在夹断区； uI=8V时，T工作在恒流区； uI=12V时，T工作在可变电阻区。
1k ui uo 5V (c) ui
1k uo 5V (d)
解：
图 T1.5
uo(V)
5
uo(V)
5
uo(V)
5
uo(V)
5
o uo(V)
5
5
ui(V)
o uo(V)
5
5
ui(V)
o uo(V)
5
5
ui(V) o uo(V)
5
5
ui(V)
o π/35π/6
(a)
电子科大电磁场与波第二章答案
解 由 ∇iD = ρ ，得
ρ(r)
=
∇iD
=
1 r2
d dr
(r 2Dr )
故在 0 < r ≤ a 区域，有
b
d
dI
θ
a
o
ρ(r)
=
1 r2
d [r2 (r3 dr
+
Ar 2 )] = 5r2
+ 4Ar
在 r > a 区域
题 2.16 图
ρ(r)
=
1 r2
d dr
[r 2
(a5
+ r
Aa
2
4
)
]
=
0
2.16 一个半径为 a 的导体球带电荷量为 q ,当球体以均匀角速度ω 绕一个直径旋转时（如
题 2.16 图所示），试求球心处的磁感应强度 B
解
导体球面上的面电荷密度为
ρS
=
q 4π a2
，当球体以均匀角速度 ω
绕一个直径旋转
时，球面上位置矢量 r = era 点处的电流面密度为
JS = ρS v = ρSω× r = ρS ezω × era =
8π a
−a
2－4
μ0 I 8π a
ln
(x + a)2 (x − a)2
+ +
y2 y2
=
μ0I 4π a
ln
r2 r1
2.21 下面的矢量函数中哪些可能是磁场？如果是，求出其源量 J。
（1） H = eρ aρ, B = μ0 H （圆柱坐标系）
（2） H = ex (−ay ) + eyax, B = μ0 H
3
模拟电子电路及技术基础_第二版_答案_孙肖子_第2章
第二章 集成运算放大器的线性应用基础
2 - 7 理想运放组成的电路如图P2-7所示，试分别求uo1、 uo与ui的关系式。
解 将电路拆成两级，如图P2-7′所示，则
uo1
1
R2 R3
ui
1.5ui
uo
R6 R4
uo1
1
R6 R4
ui
1.5ui
故
uo1
ui1
1 2
ui2
uo
R2 R4
uo1
1
R7 R3 // R4
R6 R5 R6
ui2
ui1
ui2 2
3 2
ui2
ui1
2ui2
所以得uo波形如图P2-4″所示。
第二章 集成运算放大器的线性应用基础
图P2-4″ 图P2-4
第二章 集成运算放大器的线性应用基础
图 P2-5′
其中 而 故
第二章 集成运算放大器的线性应用基础
Ii
U i
U o1 R1
U o1
1
R3 R3
U i
2U i
Ii Ui
U o1 R1
Ui R1
1000k 1k
1000
Auf
R1 //100k 1k
90.90
Auf
R1 //10k 1k
9.9
Auf
R1 //1k 1k
0.999
Auf
R1 // 0.1k 1k
0.1
第二章 集成运算放大器的线性应用基础
模拟电子技术基础学习指导与习题解答(谢红主编)第二章
第二章思考题与习题解答2-1判断正确(幻与错误(X)。
电路的静态是指：(1)输入交流信号的幅值不变时的电路状态。
()(2)输入交流信号的频率不变时的电路状态。
()(3)输入交流信号且幅值为零时的状态。
()(4)输入端开路时的状态。
()(5)输入直流信号时的状态。
()目的澄清静态的概念。
解(1) X。
因为这是动态概念。
(2)X。
理由与⑴相同。
(3)即当弘=。
时的状态，也就是正弦波过零点对应的状态就是静态。
(4)X。
输入端开路时不能保证q=o的条件，可能有干扰信号从输入端窜入，因此不能保证静态。
(5) X。
这仍然是动态概念。
2-2试判断图题2-2(a)〜(i)所示各电路对交流正弦电压信号能不能进行正常放大，并说明理由。
图题2-2目的检查放大电路是否能正常放大。
分析一个能正常工作的放大电路应该同时满足四个原则，缺一不可。
这就是：①e结正偏，c结反偏。
由直流电源匕y与保证。
②信号能输入。
③信号能输出。
④波形基本不失真。
由合适的工作点保证。
检查一个电路，只要有一个原则不满足就不能正常放大。
解图⑶不能正常放大。
因为的极性接反了，使e结反偏。
图(b)不能放大。
原因是匕、c极性接反了，使c结正偏。
图(c)不能放大。
因为4=0,使信号(通过短路线以及匕《对地交流短路，加不到晶体管上，从而U0=0。
图(d)不能放大。
因为e结处于零偏置。
图(e)能正常工作。
因为四个原则均满足。
图⑴不能放大。
因为电容C有隔直作用，使不能在凡上产生偏置电流，即，BQ=。
，工作点不合理°图值)不能放大。
因为将信号q对地直接短路，不能输入到晶体管上.图(h)不能放大。
因为凡=o,信号不能输出.图⑴能放大。
四个原则均满足。
其中二极管起温度补偿作用,X 2-3电路如图题2-3所示，三极管为3Ax21, /?b=100kQ, ^C=9V,晶体管参数it图题2・3⑴要求 /c = 2mA, V BB =?⑵要求 Z c = 2mA , -i/CE=5 V,&=?⑶如果基极改为由电源匕c供电，工作点不改变，则&值应改为多少?目的已知静态工作点反算电路参数0分析这是一个由PNP楮管构成的放大电路。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
电子科技大学微电子器件习题
电子科技大学微电子器件习题Hessen was revised in January 2021第二章 PN结填空题1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为N A=×1016cm-3，则室温下该区的平衡多子浓度p p0与平衡少子浓度n p0分别为（）和（）。
2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（）电荷，N区一侧带（）电荷。
内建电场的方向是从（）区指向（）区。
3、当采用耗尽近似时，N型耗尽区中的泊松方程为（）。
由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（）。
4、PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（），内建电场的最大值就越（），内建电势V bi就越（），反向饱和电流I0就越（），势垒电容C T就越（），雪崩击穿电压就越（）。
5、硅突变结内建电势V bi可表为（），在室温下的典型值为（）伏特。
6、当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。
7、当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。
8、在P型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度n p与外加电压V之间的关系可表示为（）。
若P型区的掺杂浓度N A=×1017cm-3，外加电压V= ，则P型区与耗尽区边界上的少子浓度n p为（）。
9、当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）。
10、PN结的正向电流由（）电流、（）电流和（）电流三部分所组成。
11、PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（）；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（）。
12、当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边（）。
每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（）。
13、PN结扩散电流的表达式为（）。
这个表达式在正向电压下可简化为（），在反向电压下可简化为（）。
模拟电子技术习题及解答
模拟电子技术基础第一章1.1 电路如题图1.1所示，已知)5sin i u t V ω=，二极管导通电压降D 0.7V U =。
试画出i u 和o u 的波形，并标出幅值。
解：通过分析可知：(1) 当37V i u .>时，37o u .V = (2) 当37V 37V i .u .-≤≤时，o i u u = (3) 当37V i u .<-时，37o u .V =- 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。
（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算AO 两端的电压AO U 。
解：对于（a ）来说，二极管是导通的。
采用理想模型来说，6V AO U =- 采用恒压降模型来说，67V AO U .=-对于（c ）来说，二极管1D 是导通的，二极管2D 是截止的。
采用理想模型来说，0AO U = 采用恒压降模型来说，07V AO U .=-1.3 判断题图1.3电路中的二极管D 是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流D ?I =解：（b ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：25101515V 182255U .-⨯+⨯++左＝＝10151V 14010U ⨯+右＝＝故此二极管截止，流过的电流值为0D I ＝（c ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：151525V 255U .⨯+左＝＝，2252005V 182U ..-⨯+左＝＝10151V 14010U ⨯+右＝＝由于05V U U .-=右左，故二极管导通。
运用戴维宁定理，电路可简化为05327μA 153D .I ..==1.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。
解： T1: 硅管，PNP ，11.3V 对应b, 12V 对应e, 0V 对应cT2: 硅管，NPN ，3.7V 对应b, 3V 对应e, 12V 对应c T3: 硅管，NPN ，12.7V 对应b, 12V 对应e,15V 对应c T4: 锗管，PNP ，12V 对应b, 12.2V 对应e, 0V 对应c T5: 锗管，PNP ，14.8V 对应b, 15V 对应e, 12V 对应c T6: 锗管，NPN ，12V 对应b, 11.8V 对应e, 15V 对应c模拟电子技术基础 第二章2.2 当负载电阻L 1k R =Ω时，电压放大电路输出电压比负载开路（L R =∞）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻o r 。
第2章模拟电子技术练习题
第二章模拟电子技术练习题2-1 电路如题2-1图所示，二极管为理想元件，t sin 3u i ω=V ，U=3V ，当ωt = 0 瞬间，输出电压 u O 等于何值？ A ． 0 V B ． 3 VC ． —3 VD ． 0.7Vu iRUDu O+-+-+-题2-1图2-1正确答案是A ．提示：ωt = 0 瞬间u i = 0，二极管D 的阳极为电位最低点，因而此时二极管D 承受反向电压截止，0u u i 0==。
2-2 电路如题2-2图所示，二极管D 为理想元件，U S =5 V ，则电压u 0等于多少？ A ．U s B ．U S / 2 C ．0V D ．0.7VR LDU Su O+-+-题2-2图2-2正确答案是A ．提示：二极管承受正向电压而导通，二极管D 为理想元件，所以电阻两端电压应等于电压源电压，即u O = U s 。
2-3 电路如题2-3图所示，D 1，D 2 均为理想二极管，设V 6U 2=， U 1 的值小于 6V ， 则U 0 为多大？A ．+12VB ．+6VC ．U 1D ．U 1 － U 2+12V R 1R 2U 2U 1D 1D 2u O+-+-+-题2-3图2-3正确答案是C ．提示：D 1，D 2 均承受正向电压而导通，二极管为理想元件。
所以 u O = U 1 。
2-4 在同一测试条件下，测得三个同型号二极管的参数如下表所示，其中性能最好的一个二极管是哪一个？序 号 正 向 电 流 正向电压相同．反 向 电 流 反向电压相同． 反 向 击 穿 电 压A B C D100mA 100mA 100mA 100mA8μA2μA 6μA 10μA200V 200V 200V 200V2-4正确答案是B ．提示：其他条件相同的情况下反向电流越小的二极管性能越好。
2-5 电路如题2-5图所示，A 点与 B 点的电位差U AB 约等于多少？A ．0.3VB ．－2.3VC ．1.0VD ．1.3V100k Ω100k Ω18k Ω6k Ω2AP 1512VAB题2-5图2-5正确答案是A ．提示：先将二极管摘开，求出A 点和B 点的电位：Vk k VV Vk k VV B A 36)618(126100)100100(12=Ω⨯Ω+==Ω⨯Ω+=再判断二极管承受电压情况：二极管承受正向电压而导通，2AP15是锗管，导通管压降为0.3V 。
电子科大-微机原理习题解答-chap2
第二章习题答案2.2 完成下列逻辑运算（1）101+1.01 = 110.01（2）1010.001-10.1 = 111.101（3）-1011.0110 1-1.1001 = -1100.1111 1（4）10.1101-1.1001 = 1.01（5）110011/11 = 10001（6）(-101.01)/(-0.1) = 1010.12.3 完成下列逻辑运算（1）1011 0101∨1111 0000 = 1111 0101（2）1101 0001∧1010 1011 = 1000 0001（3）1010 1011⊕0001 1100 = 1011 01112.4 选择题（1）下列无符号数中最小的数是( A )。
A．H(1,1011,0101) (01A5)B．B(3764)C．D(2590)D．O （2）下列无符号数中最大的数是( B )。
A．B(227)(10010101)B．OC．H(143)(96)D．D（3）在机器数( A )中，零的表示形式是唯一的。
A．补码B．原码C．补码和反码D．原码和反码（4）单纯从理论出发，计算机的所有功能都可以交给硬件实现。
而事实上，硬件只实现比较简单的功能，复杂的功能则交给软件完成。
这样做的理由是( BCD )。
A．提高解题速度B．降低成本C．增强计算机的适应性，扩大应用面D．易于制造（5）编译程序和解释程序相比，编译程序的优点是( D )，解释程序的优点是( C )。
A．编译过程(解释并执行过程)花费时间短B．占用内存少C．比较容易发现和排除源程序错误D．编译结果(目标程序)执行速度快2.5通常使用逻辑运算代替数值运算是非常方便的。
例如，逻辑运算AND将两个位组合的方法同乘法运算一样。
哪一种逻辑运算和两个位的加法几乎相同？这样情况下会导致什么错误发生？逻辑运算OR和两个位的加法几乎相同。
问题在于多个bit的乘或加运算无法用AND或OR运算替代，因为逻辑运算没有相应的进位机制。
模拟电子技术基础 科学出版社 廖惜春 (最完整版)(包括选择题+填空题)第2章+半导体二极管及其应用B
1．半导体与 PN 结
5
第 2 章 半导体二极管及其应用
二极管的结构及分类 二极管的伏安特性 2．半导体二极管及其应用 主要参数 等效电路 二极管的应用 稳压二极管 3．特殊二极管 发光二极管 光电二极管 变容二极管 晶体管的结构及类型 电流分配及电流放大作用 4．双极型晶体管 共发射极特性、工作区域 主要参数 场效应管的结构及类型 场效应管的工作原理 5．结型场效应管 转移特性和输出特性 主要参数 MOS 场效应管的结构及类型 MOS 场效应管的工作原理 6．MOS 场效应管 转移特性和输出特性 主要参数 MOS 场效应管的使用注意事项
iD I S (eu /U T 1)
其中 k 为波耳兹曼常数，k 1.38 10
23
(2-1)
19 q 为电子电荷，q 1.60 10 C ， T 为热力学温度， J/K ，
式中 iD 为二极管通过的电流，u 为二极管两端的电压；U T 为温度电压当量，且 U T kT / q ， 即绝对温度（300K） ，室温下 U T 26mV ； I S 为二极管的反向饱和电流。 2．反向特性： 二极管的反向特性对应图 2-7 所示曲线的（2）段，此时二极管加反向电压，阳极电位低于阴 极电位。应注意到，硅管的反向电流要比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流一般小于 0.1μA， 锗管约为几个微安。 3．击穿特性： 当二极管反向电压过高超过反向击穿电压时，二极管的反向电流急剧增加，对应图 2-7 图中的 （3）段。由于这一段电流大、电压高， PN 结消耗的功率很大，容易使 PN 结过热烧坏，一般二极 管的反向电压在几十伏以上。 2.5.2.2 主要性能参数 1. 额定整流电流 IF：二极管长期工作时，允许通过的最大正向平均电流值。 2. 最高反向工作电压 URM：保证二极管不被击穿的最高反向电压。 3. 反向饱和漏电流 I S ：二极管两端加反向电压时流过二极管的电流。 4. 直流电阻 RD 5. 交流电阻 rd