B32523-Q3335中文资料
s32505成分
s32505成分
S32505是一种不锈钢材料，具有优异的耐腐蚀性和高温性能。
它由铁、铬、镍和钼等元素组成，可以用于制造各种耐蚀设备和结构件。
这种不锈钢材料常用于制造化工设备、食品加工设备和海洋工程设备等。
它具有优异的抗腐蚀性能，可以在恶劣的环境中长期使用而不受损。
同时，S32505不锈钢材料还具有良好的强度和韧性，能够承受高温和高压的工作条件。
S32505不锈钢材料的耐蚀性能主要得益于其中的铬元素。
铬能够与氧气反应生成一层致密的氧化铬膜，这层膜能够有效地阻止氧气和水分的进一步侵蚀。
此外，镍和钼元素的添加还可以提高材料的耐蚀性能，使其能够在酸性和碱性介质中工作。
除了耐蚀性能外，S32505不锈钢材料还具有良好的加工性能。
它可以通过冷加工和热加工来获得不同的形状和尺寸，满足不同工程的需求。
此外，S32505不锈钢材料还可以进行焊接、切割和抛光等加工工艺，进一步提高其使用性能。
S32505不锈钢材料是一种具有优异耐蚀性和高温性能的材料。
它在化工、食品加工和海洋工程等领域有着广泛的应用。
通过合理的加工工艺，可以将其制成各种耐腐蚀设备和结构件，为人们的生活和工作提供可靠保障。
宝钢板带牌号含义
宝钢常见钢种牌号含义
一、宝钢主要热轧（酸洗）钢板（钢带）代表钢种
1.1 冷成型用热连轧钢板（钢带）
相近牌号对照表 A.
1.2 结构用热连轧钢板（钢带）
相近牌号对照表表B.1
表B.2
表B.3
1.3 汽车结构用热连轧钢板（钢带）
二、宝钢主要冷轧钢板（钢带）代表钢种
2.1 冷连轧碳素钢板（钢带）
2.2 冷连轧低碳钢板（钢带）
2.3 冲压用冷连轧低碳钢板（钢带）
2.4 冷连轧碳素结构钢板（钢带）
2.5 加磷高强度冷连轧钢板（钢带）
相近牌号对照表C.
2.6 烘烤硬化高强度冷连轧钢板（钢带）
2.7 双向高强度冷连轧钢板（钢带）
2.8 低合金高强度冷轧钢板（钢带）
2.9 搪瓷用冷连轧钢板（钢带）
2.10 冷轧无取向电工钢带
三、宝钢主要热镀锌钢板（钢带）代表钢种
续上表
准相近牌号对照表D.1
表D.1（续）
四、宝钢主要电镀锌/镍钢板（钢带）代表钢种
相近牌号对照表E.1
表
E.2
表E.3
表
E.4 表E.5。
宝钢标准目录、文本及介绍
ASTM 标准在宝钢的应用和实践作者：李玉光上海宝山钢铁股份有限公司制造部生产技术室ASTM International 成立于1898年，是目前世界上最大的标准制定组织之一，最初是为工程师、研究人员及其他相关人员制定铁路钢轨标准提供场所。
ASTM 是非盈利性的私营机构，其目标是根据市场的需求制定和推广标准及相关信息。
100多年来，ASTM 已经满足了100多个领域的标准制定需求，涉及领域包括建筑材料、环境危险评估，到医疗器件和石油产品等。
宝山钢铁股份有限公司（以下简称宝钢）是中国现代化程度最高的大型钢铁联合企业和最大的钢铁企业，一期工程于1985年正式投产，二期工程于1991年正式投产，三期工程于2000年正式投产。
目前，宝钢具有年产1100万吨钢的生产能力，生产技术和工艺装备建立在当代钢铁冶炼、冷热加工、液压传感、电子控制、计算机和信息通讯等先进技术的基础上，具有大型化、连续化、自动化的特点，总体装备达到世界一流水平。
其产品主要有冷轧产品、涂层产品、热轧产品、无缝钢管、高速线材等。
宝钢每年向国内外汽车、石油天然气、船舶、机械、铁路、家电、建筑等行业提供大量的优质钢材，其中大部分是以前依赖进口的高档次产品。
宝钢在投产初期就把产品定位在国际先进水平上，因此采用国际先进标准是宝钢生产和销售的必然选择。
ASTM 标准作为国际著名的材料和试验标准，自投产初期就在宝钢得到了广泛的采用，随着宝钢生产组织和产品实物质量水平的不断提高，ASTM 标准的使用领域仍在不断扩大。
ASTM 标准在中国钢铁行业的应用现状和前景中国的钢铁行业的发展经历从无到有，从小到大，不断发展，稳步提高的过程。
目前，中国的钢铁总产量已经突破1亿吨，中国钢铁行业正沿着"做高做强"的目标不断前进。
ASTM 的产品标准和试验标准在中国钢铁的代表性企业，如鞍山钢铁集团公司、武汉钢铁集团公司和宝钢，已经得到了广泛的认可和应用。
【2019年整理】技术交流-太钢不锈钢产品介绍
化学成分
（%） 钢种 TTS443 0Cr17（430） Cr 21 17 Ni － － Mo － － Ti 0.3 － Cu 0.4 －
00Cr18Ni9（304）
18.2
8.2
－
－
－
无镍无钼 铬含量提高到21％ 碳氮含量低 添加稳定化元素钛
东方烟台技术交流
几种替代304不锈钢钢种介绍
东方烟台技术交流
太钢不锈钢生产工艺
主要装备及特点
APL(H)
产能80万吨；喷丸酸洗前设有拉伸弯曲破磷装置，强化酸洗前的
预处理能力；在后部增设在线平整机。
森吉米尔轧机
具有先进的厚度、板形自动控制装置，产品精度高、板形优良、 同板差小。
宽幅多辊可逆式冷轧机
年生产能力30万吨； 卷重48吨； 产品规格：厚度0.8~8.0mm；宽度1500~2000mm。
淬火
冷矫直
压平
酸洗
修磨、标识包装
东方烟台技术交流
太钢不锈钢生产工艺
主要产品生产工艺
不锈钢热轧卷板
3 2 # # 加 加 热 热 炉 炉
1 # 加 热 炉
热轧卷板2000mm宽 最薄可达2mm
高压水除鳞箱
R0大压力可逆粗轧机
保温罩
R0 V E 0
滚筒 式切 头飞 剪
CS
7机架精轧机
层流冷却装置
凸度仪
无镍无钼高耐蚀性的TTS443铁素体不锈钢
耐蚀性和成型性优异的436L／444铁素体不锈钢 经济实用型301系列奥氏体不锈钢
东方烟台技术交流
几种替代304不锈钢钢种介绍
无镍无钼高耐蚀性的TTS443铁素体不锈钢
TTS443的特点
2N3系列三极管参数三
2N3系列三极管参数三2N3440DCSM LAB 2个硅NPN高压中功率三极管0.35 0.5 300 250 15M 40/160 3DK304B 2N3440L MICROSEMI 硅NPN小信号三极管 1 1 450 15M 3DK304B 2N3440S LAB 硅NPN三极管 5 1 300 250 15M 40/160 3DK304B 2N3441LAB 硅NPN中功率三极管25 3 160 140 15/75 3DD61E 2N3441A MOSPEC 硅NPN功率三极管25 3 160 80 800K 3DD61E 2N3441B MC 硅NPN功率三极管25 3 160 80 800K 3DD61E 2N3442MSOPEC 硅NPN功率三极管117 10 160 1M 3DD167C 2N3442A MC 硅NPN功率三极管117 10 160 1M 3DD167C 2N3442B BOCA 硅NPN功率三极管117 10 160 1M 3DD167C 2N3442M MOTOROLA 硅NPN功率三极管117 10 160 1M 3DD167C 2N3443DZ 硅NPN大功率三极管0.3 -0.1 -20 -15 75M 20 3AG87A 2N3444ASI 硅NPN三极管 1 1 80 150M 20 3DK30C 2N3444A CENTRAL 硅NPN小信号三极管,用于驱动 1 1 80 50 150M 20/60 3DK30C 2N3445LAB 硅NPN三极管,TO3115 7.5 80 10M 3DA74A 2N3446ASI 硅NPN三极管115 7.5 80 10M 20 3DA74B 2N3447LAB 硅PNP三极管,TO3115 7.5 80 10M 3DA74A 2N3448ASI 硅NPN三极管115 7.5 100 10M 40 3DA74B 2N3449锗PNP三极管0.15 -0.1 -15 300M 3AG55C 2N345SPRAGUE 锗PNP三极管,用于开关0.02 -0.005 -5 25/110 3AG53B 2N3450DZ 硅NPN开关三极管0.6 0.15 60 100M 120 3DK4B 2N3450A DZ 硅NPN小功率三极管0.6 0.8 120 60 100M 40 3DK4B 2N3451ASI 硅PNP三极管0.3 -0.05 -6 300M 30 3CK2C 2N346SPRAGUE 锗PNP三极管,用于开关0.02 -0.005 -5 10 3AG53B 2N3461锗PNP三极管 5 -0.6 -32 10K 3AD50A 2N3462DZ 硅NPN小功率三极管0.3 0.03 50 35 10M 150 3DG170A 2N3463DZ 硅NPN小功率三极管0.3 0.03 60 45 45M 150 3DG170A 2N3464硅PNP三极管0.8 -60 30M 3CG180A 2N3467SEMICOA 硅PNP三极管 1 -1 -40 175M 3CK10D 2N3467A LAB 硅PNP三极管 1 -1 -40 175M 40/125 3CK10D 2N3467A1CENTRAL 硅PNP小信号三极管,用于驱动-0.15 -40 -40 175M 40/120 3CK10D型号PDF资料厂商特性用途集电极最大直流耗散功率Pcm(W)集电极最大允许直流电流Icm(A)集电极-基极击穿电压BVcbo(V)集电极-发射极击穿电压BVceo(V)特征频率ft(Hz)放大倍数代换型号2N3467L SEMICOA 硅PNP三极管 1 -1 -40 175M 3CK10D 2N3468SEMICOA 硅PNP三极管 1 -1 -50 150M 3CK10E 2N3468A CENTRAL 硅PNP小信号三极管,用于驱动-0.15 -50 -50 150M 25/75 3CK10E 2N3468L SEMICOA 硅PNP三极管 1 -1 -50 150M 3CK10E 2N3469ASI 硅NPN三极管 1.2 5 35 20M 100 3DK14A 2N347DZ 硅NPN小功率三极管0.75 60 3M 49 3DG180A 2N3470硅NPN三极管150 10 50 7K 3DD72B 2N3471硅NPN三极管150 10 100 7K 3DD72D 2N3472硅NPN三极管150 10 150 7K 3DD72E 2N3473硅NPN三极管150 10 200 7K 3DD167C 2N3474硅NPN三极管150 10 50 4K 3DD72B 2N3475硅NPN三极管150 10 100 4K 3DD72D 2N3476硅NPN三极管150 10 150 4K 3DD72E 2N3477硅NPN三极管150 10 200 4K 3DD167C 2N3478BOCA 硅NPN三极管0.2 30 750M 3DG112D小信号硅NPN三极管,2N3478A CENTRAL 小信号硅NPN三极管,用于VHF/UHF低噪声放大0.2 0.003 30 15 750M 25/150 3DG112D2N348DZ 硅NPN小功率三极管0.75 90 3M 24 3DG180B 2N3485SEMICOA 硅PNP三极管 2 0.6 60 200M CA783A 2N3485A CEN 硅PNP三极管0.4 0.6 60 200M 3CK9D 2N3485B SEMICOA 硅PNP三极管 2 0.6 60 200M CA783A 2N3486A CEN 硅PNP小功率三极管 2 0.6 60 200M CA783A 2N3486CSM LAB 硅PNP三极管0.4 -0.6 -60 200M 100/300 CA783A 2N3487DZ 硅NPN功率三极管115 7.5 80 60 10M 20/60 3DA74B 2N3488DZ 硅NPN功率三极管115 7.5 100 80 10M 20/60 3DD167B 2N3489DZ 硅NPN功率三极管115 7.5 120 100 10M 15/45 3DD167B 2N349DZ 硅NPN小功率三极管0.75 125 3M 19 3DG180C 2N3490DZ 硅NPN功率三极管115 7.5 80 60 10M 40/120 3DA74B 2N3491DZ 硅NPN功率三极管115 7.5 100 80 10M 40/120 3DD167B 2N3492DZ 硅NPN功率三极管115 7.5 120 100 10M 30/90 3DD167B 2N3493硅NPN三极管0.15 0.025 12 400M 3DG112M型号PDF资料厂商特性用途集电极最大直流耗散功率Pcm(W)集电极最大允许直流电流Icm(A)集电极-基极击穿电压BVcbo(V)集电极-发射极击穿电压BVceo(V)特征频率ft(Hz)放大倍数代换型号2N3846MICROSEMI 硅NPN功率三极管 4 20 300 10M 3DK204G 2N3847MICROSEMI 硅NPN功率三极管 4 20 400 10M 3DK204G 2N3848DZ 硅NPN功率三极管20 300 200 10M 10/60 3DK204G 2N3849DZ 硅NPN功率三极管20 400 300 10M 10/602N385锗NPN三极管0.15 0.2 25 6M 3BX85C 2N3850DZ 硅NPN功率三极管30 5 100 80 60M 50/150 3DA27A 2N3851DZ 硅NPN功率三极管30 5 100 80 60M 30/90 3DA27A 2N3852DZ 硅NPN功率三极管30 5 60 40 60M 50/150 3DA27A 2N3853DZ 硅NPN功率三极管30 5 60 40 60M 30/90 3DA27A 2N3854DZ 硅NPN通用三极管0.36 0.01 36 200M 3DG121M 2N3854A DZ 硅NPN通用三极管0.36 0.01 36 200M 3DG121M 2N3855DZ 硅NPN通用三极管0.36 0.01 36 200M 3DG121M 2N3855A DZ 硅NPN通用三极管0.36 0.01 36 200M 3DG121M 2N3856DZ 硅NPN通用三极管0.36 0.01 36 200M 3DG121M 2N3856A DZ 硅NPN通用三极管0.36 0.01 36 200M 3DG121M 2N3857硅PNP三极管0.6 -0.5 -45 20M 3CK10E 2N3858ETC 硅NPN通用三极管0.2 0.1 30 135M 3DG121M 2N3859CENTRAL 硅NPN小信号三极管0.2 0.1 30 135M 3DG121M 2N3859B ETC 硅NPN通用放大三极管0.2 0.1 30 135M 3DG121M 2N3859C FAIRCHILD 硅NPN通用放大三极管0.2 0.1 30 135M 3DG121M 2N386DZ 锗PNP大功率三极管-3 -60 -60 700K 202N3860CENTRAL 硅NPN小信号三极管0.2 0.1 30 135M 3DG121M 2N3861硅NPN三极管 2 0.025 530 50M 3DK304D 2N3862硅NPN三极管0.36 0.2 50 600M 3DK40A 2N3863DZ 硅NPN功率三极管117 7.5 70 50 500K 30/60 3DD72C 2N3864DZ 硅NPN功率三极管117 7.5 110 90 500K 30/90 3DD72C 2N3865硅NPN三极管117 7.5 150 500K 3DD72E 2N3866PHILIPS 硅NPN小功率三极管 5 0.4 55 500M 3DA21B 2N3866A MC 硅NPN小功率三极管 5 0.4 55 500M 3DA21B 2N3866A1CENTRAL 硅NPN小信号三极管,用于VHF/UHF振荡器0.1 55 30 500M 10/200 3DA21B型号PDF厂商特性用途集电极最大直流耗集电极最大允许直流集电极-基极击穿电集电极-发射极击穿特征频率放大倍数代换型号资料散功率Pcm(W)电流Icm(A)压BVcbo(V)电压BVceo(V)ft(Hz)2N3917DZ 硅NPN功率三极管20 2 80 40 80M 30/120 3DK03D 2N3918LAB 硅NPN三极管,TO320 2 80 80M 3DK03D 2N3919LAB 硅NPN三极管15 10 60 80M 40/120 3DK206C 2N392DZ 锗PNP功率三极管48 -5 -60 -40 6K 60/150 3AD57A 2N3920API 硅NPN三极管15 10 120 60 80M 100/300 3DK206C 2N3923CENTRAL 硅NPN小信号三极管,用于放大/开关0.8 0.025 150 150 40M 30/1202N3924DZ 硅NPN UHF/VHF 功率三极管4 0.5 36 18 250M 3DA106A2N3926DZ 硅NPN UHF/VHF 功率三极管7 1.5 36 18 250M 3DA107A2N3927DZ 硅NPN UHF/VHF 功率三极管12 3 36 18 200M 3DA23A 2N3928DZ 硅NPN功率三极管 5 3 80 40 60M 40/150 3DA23C 2N3929DZ 硅NPN功率三极管20 3 80 40 60M 40/150 3DA23C 2N393SPRAGUE 锗PNP高速三极管0.025 -0.05 -6 50M 20 3AG55A 2N3930DZ 硅PNP高压放大三极管0.4 -0.1 -180 40M 80/300 3CG180C 2N3931LAB 硅PNP三极管,TO30.7 -0.1 -180 40M 3CG180C 2N3932DZ 硅NPN三极管0.01 30 20 750M 40/150 3DG82A 2N3933DZ 硅NPN三极管0.01 40 30 750M 60/200 3DG82A 2N394DZ 锗PNP三极管0.15 -0.2 -30 4M 3AX53C 2N3941DZ 硅NPN三极管3DA103 2N3942DZ 硅NPN三极管3DA103 2N3943DZ 硅NPN三极管3DG130C 2N3944DZ 硅NPN三极管3DG130C 2N3945LAB 硅NPN三极管,TO39 5 1 70 60M 3DA10A2N3945A CENTRAL 硅NPN小信号三极管,用于放大/开关0.15 70 50 60M 40/250 3DA10A2N3946CEN 硅NPN三极管,用于放大/开关0.36 0.2 60 250M 3DG130B2N3946A FAIRCHILD 硅NPN三极管,用于放大/开关0.36 0.2 60 250M 3DG130B2N3947CEN 硅NPN三极管,用于放大/开关0.36 0.2 60 300M 3DG130B 2N3947A LAB 硅NPN三极管0.36 0.2 40 300M 100 3DG130B 2N3948DZ 硅NPN三极管 5 0.4 36 20 700M 3DA392N3948A DZ 407-512 MHz FM 晶体管2N394A DZ 锗PNP三极管0.15 -0.2 -30 -10 4M 44 3AX53C型号PDF资料厂商特性用途集电极最大直流耗散功率Pcm(W)集电极最大允许直流电流Icm(A)集电极-基极击穿电压BVcbo(V)集电极-发射极击穿电压BVceo(V)特征频率ft(Hz)放大倍数代换型号2N395DZ 锗PNP三极管0.15 -0.2 -30 -20 3M 60 3AX53C 2N3950硅NPN三极管70 3.3 45 100M 3DK208B 2N3953硅NPN三极管0.2 0.03 15 1.3G 3DG44B 2N3959MOTOROLA 高速开关三极管0.4 0.03 20 1.3G 3DG82B 2N396DZ 锗PNP三极管0.15 -0.2 -20 -20 5M 70 3AX53C 2N3960SEMICOA 硅NPN通用三极管0.4 0.03 20 1.6G 3DG82B 2N3960UB SEMICOA 硅NPN通用三极管0.4 0.03 20 1.6G 3DG82B 2N3961硅NPN三极管10 1 85 350M 3DA21A 2N3962CEN 硅PNP低噪声三极管0.36 -0.2 -60 40M 3CG20B 2N3962A LAB 硅PNP三极管0.36 -0.2 -60 40M 100/450 3CG20B 2N3962CSM LAB 硅PNP三极管0.36 -0.2 -60 40M 100/450 3CG20B硅PNP低噪声三极2N3962M MICRO 硅PNP低噪声三极管0.36 -0.2 -60 40M 3CG20B2N3963CEN 硅PNP低噪声三极管0.36 -0.2 -80 40M 3CG20D2N3963A LAB 硅PNP三极管0.36 -0.2 -80 40M 100/450 3CG20D 2N3963CSM LAB 硅PNP三极管0.36 -0.2 -80 40M 100/450 3CG20D2N3964CEN 硅PNP低噪声三极管0.36 -0.2 -45 50M 3CG130C 2N3964A LAB 硅PNP三极管0.36 -0.2 -45 40M 250/600 3CG130C 2N3964CSM LAB 硅PNP三极管0.36 -0.2 -45 40M 250/600 3CG130C 2N3964DCSM LAB 2个硅PNP三极管0.36 -0.2 -45 40M 250/600 3CG130C2N3965CEN 硅PNP低噪声三极管0.36 -0.2 -60 50M 3CG20B 2N3965A LAB 硅PNP三极管0.36 -0.2 -45 40M 250/600 3CG20B 2N3965CSM LAB 硅PNP三极管0.36 -0.2 -45 40M 250/600 3CG20B2N3965M MICRO 硅PNP低噪声三极管0.36 -0.2 -60 50M 3CG20B 2N396A DZ 锗PNP三极管0.2 -0.2 -30 -20 8M 70 3AX53C 2N397DZ 锗PNP三极管0.2 -0.2 -30 -15 10M 100 3AK322N3973SPRAGUE 硅NPN小信号三极管0.36 0.15 60 30 200M 35/100 3DG84B2N3974SPRAGUE 硅NPN小信号三极管0.36 0.15 60 30 200M 55/200 3DG84B 2N3975DZ 硅NPN三极管0.36 0.4 60 200M 3DG84B 2N3976DZ 硅NPN三极管0.36 0.4 60 200M 3DG84B2N3977DZ 硅PNP三极管,用于开关、放大、断路器0.4 -0.1 -15 -10 1M 40 3CG120A型号PDF资料厂商特性用途集电极最大直流耗散功率Pcm(W)集电极最大允许直流电流Icm(A)集电极-基极击穿电压BVcbo(V)集电极-发射极击穿电压BVceo(V)特征频率ft(Hz)放大倍数代换型号2N3978DZ 硅PNP三极管,用于开关、放大、断路器0.4 -0.1 -25 -20 1M 30 3CG120B2N3979DZ 硅PNP三极管,用于开关、放大、断路器0.4 -0.1 -40 -35 1M 20 3CG120C 2N398DZ 硅PNP三极管0.05 -0.1 -105 -105 0.5M 40 3AX54D 2N3980CENTRAL 三极管2N3981DZ 硅NPN小功率三极管0.8 1 60 30 250M 30 3DK1150B2N3982DZ 硅NPN小功率三极管0.8 1 50 20 250M 40 3DK1150A2N3983DZ 硅NPN高频放大三极管0.2 0.03 30 12 500M 30/ 3DG44A2N3984DZ 硅NPN高频放大三极管0.2 0.03 30 12 400M 20/ 3DG44A2N3985DZ 硅NPN高频放大三极管0.2 0.03 30 12 300M 20/ 3DG44A2N398A DZ 锗PNP三极管0.15 -0.2 -105 -105 0.5M 40 3AX54D 2N399DZ 锗PNP功率三极管25 -3 -35 3AD54C2N3996SSDI 硅NPN三极管,高速晶体管2 5 100 40M 3DK204B2N3996SMD LAB 硅NPN功率三极管30 5 80 40M 40/120 3DK204B 2N3996SMD05LAB 硅NPN功率三极管20 5 80 40M 40/120 3DK204B2N3997SSDI 硅NPN三极管,高速晶体管2 5 100 40M 3DK204B2N3997SMD LAB 硅NPN功率三极管30 5 80 40M 80/240 3DK204B 2N3997SMD05LAB 硅NPN功率三极管20 5 80 40M 80/240 3DK204B 2N3998SMD LAB 硅NPN功率三极管30 5 80 40M 40/120 3DK204B 2N3998SMD05LAB 硅NPN功率三极管20 5 80 40M 40/120 3DK204B 2N3999SMD LAB 硅NPN功率三极管30 5 80 40M 80/240 3DK204B 2N3999SMD05LAB 硅NPN功率三极管20 5 80 40M。
BY253中文资料
BY251 THRU BY255MEDIUM CURRENT PLASTIC RECTIFIERVOLTAGE - 200 to 1300 Volts CURRENT - 3.0 AmperesFEATURESl Exce High surge current capabilityl Plastic package has Underwriters LaboratoryF lammability Classification 94V-O l Low leakagel Void-free molded in DO-201AD plastic package l High current operation of 3 Amperes at T A =95¢J with no thermal runawayl eds environmental standards of MIL-S-19500/228MECHANICAL DA TACase: JEDEC DO-201AD Molded plasticTerminals: Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750, Method 2026Polarity: Color band denotes cathode Mounting Position: AnyWeight: 0.04 ounce, 1.1 gramMAXIMUM RA TINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICSRatings at 25¢J ambient temperature unless otherwise specified.60 Hz, resistive or inductive load.For capacitive load, derate current by 20%.SYMBOLSBY251BY252BY253BY254BY255UNITSMaximum Recurrent Peak Reverse Voltage V RRM 2004006008001300Volts Maximum RMS VoltageV RMS 140280420560910Volts Maximum DC Blocking VoltageV DC 2004006008001300VoltsMaximum Average Forward Rectified Current .375"(9.5mm) Lead Length at T A =95¢JI (AV)3.0AmpsPeak Forward Surge Current 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC method)I FSM 100.0Amps Maximum Instantaneous Forward Voltage T J =25¢J at 3.0A T J =100¢J V F 1.11.0Volts Volts Maximum DC Reverse Current T A =25¢J at Rated DC Blocking Voltage T A =100¢JI R 5.01000£g A £g A Typical Junction capacitance (Note 2) T J =25¢J C J 40P F Typical Reverse Recovery Time (Note 3)T RR 2.5£g A Typical Thermal Resistance (Note 1)R £K JA 15.0¢J /W Operating Junction Temperature Range T J -50 to +150¢J Storage Temperature RangeT STG-50 to +150¢JNOTES:1. Thermal Resistance From Junction to applied at Ambient 0.375"(9.5mm) lead length P .C.Board mounted.2. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts.3. Reverse Recovery T est Conditions: I F =0.5A, I R =1.0A, Irr=0.25A.DO-201ADRATING AND CHARACTERISTIC CURVES BY251 THRU BY255TEMPERATURE, ¢JAMBIENT TEMPERATURE, ¢JFig. 1-FORWARD CURRENT DERATING CURVE Fig. 2-MAXIMUM PEAK FORWARD SURGE CURRENTREVERSE VOLTAGE, VOLTSFig. 4-TYPICAL JUNCTION CAPACITANCEINSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE, VOLTSFig. 3-TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARDCHARACTERISTICSPERCENT OF RATED PAK REVERSE VOLTAGE, %Fig. 5-TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS。
贴片三极管代码查找贴片三极管资料及其封装
贴片三极管代码查找贴片三极管资料及其封装贴片三极管代码查找贴片三极管资料及其封装JX SOT23 BAV170 B dual cc Si diode low IrJY SOT23 BAV199 dioda-2xJY SOT23 BAV199 D dual series Si diode lowIrJZ SOT23 BAW 156JZ SOT23 BAW156 A dual ca Si diode low Ir K SCD80 BBY52-02W I UHF varicap 1.75-1.25pF K SOD323 BAT68-03W I BAT68 SchottkyK SOT23 2SK211 JFETK SOT323 MRF917 N npn RF fT 6GHz K0 SOT23 HSMP-3830 C gp pin diode HP3830K1 SOT23 BCW71 NPNK1 SOT23 BCW71 N BC107AK1 SOT23 HSMP-3831 K gp pin diode HP3830K14 DTA114G N pnp sw 50V 100mA w. b-eresK15 DTA124G N pnp sw 50V 50mA w. b-e res K1p SOT23 BCW71 N BC107AK1t SOT23 BCW71 N BC107AK1X SOT23 KSC3265 NPNK2 SOT23 BCW72 NPNK2 SOT23 BCW72 N BC107B ZXT300 K2 SOT23 HSMP-3832 D dual HP3830 pin diodeK24 DTC114G N npn sw 50V 100mA w. b-eresK25 DTA124G N pnp sw 50V 50mA w. b-e res K2p SOT23 BCW72 N BC107B ZXT300K2t SOT23 BCW72 N BC107B ZXT300K3 SOT23 BCW81 NPNK3 SOT23 BCW81 N npn 50V 0.1A 0.2W hfe 420K3 SOT23 HSMP-3833 A dual HP3830 pin diode K31 BCW81R R npn 50V 0.1A 0.2W hfe 420 K31 SOT23 BCW81R NPN K3p SOT23 BCW81 N npn 50V 0.1A 0.2W hfe 420 K3t SOT23 BCW81 N npn 50V 0.1A 0.2W hfe 420 K4 SOT23 BCW71R NPN K4 SOT23 HSMP-3834 B dual HP3830 pin diode K4 SOT23R BCW71R R BC107AK5 SOT23 BCW72R NPNK5 SOT23R BCW72R R BC107B ZTX300K6 SOT23 BCV71R NPNK6 SOT23R BCV71R R BC546AK7 SOT23 BCV71 NPNK7 SOT23 BCV71 N BC546AK71 SOT23 BCV71R NPNK7p SOT23 BCV71 N BC546AK7t SOT23 BCV71 N BC546AK8 SOT23 BCV72 NPNK8 SOT23 BCV72 N BC546BK81 SOT23 BCV72R NPNK8p SOT23 BCV72 N BC546BK8t SOT23 BCV72 N BC546BK9 SOT23 BCF81 NPNK9 SOT23 BCV72R NPNK9 SOT23R BCV72R R BC546BK91 SOT23 BCF81R NPNKA SOT23 2SK368 JFETKA SOT87 BSS87 MOSFETKB SOT23 MMBT8099L N npn 80V gpKB SOT89 BSS192 MOSFETKC BFQ29P N BFT66KC SOT23 2SK625 JFETKC SOT23 BFQ29P NPNKM BST80 T VN10KM SOT89 BST80 FETKN BST84 T Nch VMOS 200V 0.25AKN SOT89 BST84 FETKO BST86 T nch VMOS 180V 0.3AKO SOT89 BST86 FETKX SOT23 PMBF170 MOSFETL SCD80 BBY53-02W I varicap 5.3-2.2 pF L SOD323 BAT62-03W I BAT62 schottky detectorL SOT23 2SC2712 NPNL0 SOT23 BAT721S C dual series 40V 200mA schottky L0 SOT23 HSMP-3860 C dual series pin diodeL0 SOT323 HSMP-386B C gp RF pin diodeL1 BSS65 N pnp 12V 0.1A 400MHz swL1 SOT23 BSS65 PNPL12 SOT89 ZVNL120Z MOSFETL2 BSS69 N pnp 40V 0.1A 200MHz swL2 SOT23 BSS69 PNPL2 SOT23 HSMP-3862 D dual RF pin diodeL20 SOT23 BAS29 diodaL20 SOT23 BAS29 C Si diode 120V 50mAL21 SOT23 BAS31 dioda-2xL21 SOT23 BAS31 D dual BAS29 diodesL22 SOT23 BAS35 dioda-2xL22 SOT23 BAS35 A dual BAS29 diodesL3 BSS70 N pnp 40V 0.1A 200MHz swL3 MMBC1623L3 N npn 40V gpL3 SOT23 BSS70 PNPL3 SOT23 HSMP-3863 A ca gp RF pin diodeL3 SOT23 MMBC1623L3 NPNL30 SOT143 BAV23 dioda-2xL30 SOT143 BAV23 S dual 200V 225mA diodes L31 SOT23 BAV23S dioda-2xL4 MMBC1623L4 N npn 40V gpL4 SOT23 BAT54 diodaL4 SOT23 HSMP-3864 B cc gp RF pin diode L4 SOT23 MMBC1623L4 NPNL4 SOT323 BAT54W dioda L4 SOT323 BAT54W C BAT85 schottky L41 SOT143 BAT74 dioda-2xL41 SOT143 BAT74 S 2x BAT85L42 SOT23 BAT54A dioda-2xL42 SOT323 BAT54AW dioda-2xL42p SOT23 BAT54A A dual c anode schottky L43 SOT23 BAT54C dioda-2xL43 SOT323 BAT54CW dioda-2xL43p SOT23 BAT54C B dual c cathode schottky L44 SOT23 BAT54S dioda-2xL44 SOT323 BAT54SW dioda-2xL44p SOT23 BAT54S D dual series schottky L4p SOT23 BAT54 C BAT85 schottkyL4Z SOT23 BAT54 C BAT85 schottkyL5 BSS65R R pnp 12V 0.1A 400MHz swL5 MMBC1623L5 N MPS3904 hfe 135-270 L5 SOT23 BAS55 diodaL5 SOT23 BSS65R PNPL5 SOT23 MMBC1623L5 NPNL51 SOT143 BAS56 dioda-2xL51 SOT143 BAS56 S dual 60V 200mA diodes L52 SOT23 BAS678 diodaL6 BAR17 C pin diodeL6 BSS69R N pnp 40V 0.1A 200MHz swL6 MMBC1623L6 N MPS3904 hfe 200-400L6 SOT23 BAR17 diodaL6 SOT23 BSS69R PNPL6 SOT23 MMBC1623L6 NPNL7 BAR14-1 D dual pin 100mA maxL7 BSS70R N pnp 40V 0.1A 200MHz swL7 MMBC1623L7 N MPS3904 hfe 300-600L7 SOT23 BAR14-1 diodax2L7 SOT23 BSS70R PNPL7 SOT23 MMBC1623L7 NPNL8 BAR15-1 A dual pin 100mA maxL8 SOT23 BAR15-1 dioda-2xL8 SOT23 BAT721A A dual c anode 40V 200mA schottky L9 BAR16-1 B dual pin 100mA maxL9 SOT23 BAR16-1 dioda-2xL9 SOT23 BAT721C B dual c cathode 40V 200mAschottky LA SOT23 BF550 PNPLAp SOT23 BF550 N pnp 40V 25mALB S525T G n-ch vhf mosfet 200MHzLB SOT143 BF999 FETLBs SOT23 BF999 G n-ch vhf mosfet 300MHzLD SOT23 BF543 FETLDs SOT23 BF543 G n-ch vhf mosfet 300MHzLE SOT23 BF660 PNPLEs SOT23 BF660 N BF606A pnp vhf osc fT 800MHzLF SOT23 BF777 NPNLG SOT23 BF775A NPNLGs SOT23 BF775A N npn RF fT 5.6GHz for IFampLH BF569R R BF970 pnp RFLH SOT23 BF569 PNPLHs SOT23 BF569 N BF970 pnp RFLJ SOT23 BF579 PNPLK SOT23 BF799 NPNLKs SOT23 BF799 N BF959LKs SOT323 BF799W N BF959 LM d >BST120 T p-ch DMOSfet 60V 0.3ALM SOT23 BF569R PNPLM SOT89 BST120 FETLN BST122 T p-ch DMOSfet 50V 0.25ALN SOT89 BST122 FETLO SOT23 BF775 NPNLOs SOT23 BF775 N BFQ69LOs SOT323 BF775W N BFQ69LR SOT23 BF517 NPNLRs SOT23 BF517 T BF763 2.5 GHzLS SOT23 BF770A NPNLSs SOT23 BF770A N npn low noise RF, Ft 6GHz M SCD80 BAR64-02W I pin diodeM SOT143 BAR65-07 S dual pin diodeM SOT89 2SC2873 NPNM (blue) SOD323 BAR65-03W I pin diodeM (white) SOD323 BBY55-03W I 5.4-2.3pF varicap in M01 SOT143 BF901 FETM02 SOT143 BF901R FETM04 SOT143 BF904 FETM06 SOT143 BF904R FET M08 SOT23 PMBFJ308 F VHF n-ch JFET J308 M09 SOT23 PMBFJ309 FET M09 SOT23 PMBFJ309 F VHF n-ch JFET J309M1 SOT23 BFR30 FETM1 SOT23 BFR30 F BFW11 BF245M10 SOT23 PMBFJ310 FETM10 SOT23 PMBFJ310 F J310 n-ch jfet M10 SOT23 PMBFJ310 F VHF n-ch JFET J310M16 SOT23 PMBF4416A FETM1B SOT23 MMBT2222L N 2N2222 M1E SOT23 MMBTA43L N MPSA43 200V Vce npnM1F SOT23 MMBT5550L N 2N5550 npn 140V M1J SOT23 MMBT2369L N 2N2369AM2 SOT23 BFR31 FETM2 SOT23 BFR31 F BFW12 BF245M20 SOT143 BFR200 FETM2B SOT23 MMBT2907L N 2N2907 pnp gpM2C SOT23 MMBTA70L N gp pnp MPSA70M3 MMBA812M3 N 2N5086 hfe 60-120 pnpM3 SOT23 BFT46 FETM3 SOT23 BFT46 F n-ch fet gp low level ampM3 SOT23 MMBA812M3 PNPM31 BSD20 XQ n-ch depl sw mosfet 10VM31 SOT89 BSD20 FETM32 BSD22 XQ n-ch depl sw mosfet 20VM32 SOT89 BSD22 FETM3A SOT23 MMBTH24L N npn VHF amp 400MHz fT 30V M3B SOT23 MMBT918L N 2N918 UHF ampM3J SOT23 MMBTH69L N pnp VHF amp 2GHz fT 15V M4 BSR56 F 2N4856 n-ch fetM4 SOT23 BSR56 FETM4 SOT23 MMBA812M4 PNPM4 SOT363 MBD110DW DL dual UHF schottkyM4A SOT323 MMBV109 C Hyperabrupt varicapM4B SOT23 MMBV432 B dual cc varicap 45pF/2VM4C SOT23 MMBV3102 C Hyperabrupt varicap M4E SOT23 MMBV105G C Hyperabrupt varicapM4F SOT23 MMBD353 D dual MBD101 in series M4G SOT23 MMBV2101 C varicap 6.8pF MV2101 M5 BSR57 F 2N5457 n-ch fet M5 MMBA812M5 N 2N5086 hfe 135-270 pnpM5 SOT23 BSR57 FETM5 SOT23 MMBA812M5 PNPM5 SOT323 MMBD352W Z 2x MBD101 in series M5C SOT23 MMBD7000 D 100V 2x series sw diodes M6 BSS66 N npn 40V 0.1A sw fT 250MHzM6 MMBA812M6 N 2N5086 hfe 200-400 pnpM6 SOT23 BSR58 FETM6 SOT23 BSR58 F 2N4858 n-ch fetM6 SOT23 BSS66 NPNM6 SOT23 MMBA812M6 PNPM65 SOT23 BF545A FETM66 SOT23 BF545B FETM67 SOT23 BF545C FETM6A SOT23 MMBF4416 F 2N4416 n-ch rf jfetM6B SOT23 MMBF5484 F 2N5484 n-ch rf jfetM6C SOT23 MMBFU310 F U310 n-ch rf jfetM6E SOT23 MMBF5460 F 2N5460 n-ch rf jfetM6H SOT23 MMBD354 A dual MBD101 ccM7 BSS67 N npn 40V 0.1A sw fT 300MHzM7 MMBA812M7 N 2N5086 hfe 300-600 pnpM7 SOT23 BSS67 NPNM7 SOT23 MMBA812M7 PNPM74 BSS83 XQ n-ch enh sw mosfetM74 SOT143 BSS83 MOSFET M8 BSS66R R npn 40V 0.1A sw fT 250MHzM8 SOT23 BSH103 M n-ch 50V 0.11A mosfet M8 SOT23 BSS66R NPNM84 SOT23 BF556A FETM85 SOT143 BF990AR FETM85 SOT23 BF556B FETM86 SOT23 BF556C FETM87 SOT143 BF990A FETM89 BF989 K BF960M89 SOT143 BF989 FETM8p SOT23 BSN20 M n-ch 50V 0.11A mosfet M9 BSS67R R npn 40V 0.1A sw fT 300MHz M9 SOT23 BSS67R NPN M90 BF990 W BF980M90 SOT143 BF990 FETM91 BF991 W BF981M91 SOT143 BF991 FETM92 BF992 W BF982M92 SOT143 BF992 FETM94 BF994 W BF964M94 SOT143 BF994 FETM96 BF996 W BF966M96 SOT143 BF996 FETM97 BFR101AM97 SOT143 BFR101A FETM98 BFR101BM98 SOT143 BFR101B FETMA SC59 M1MA151A diodaMA SOT143 BF989 FETMA SOT23 2SC3011 NPNMA SOT23 FMMT-A06R NPNMA SOT346 M1MA151AT E 40V 100mA sw diodeMA SOT346 M1MA152AT E 80V 100mA sw diode MA SOT363 MBT3904DW1 DN dual 2N3904MB BF995 W n-ch vhf dg mosfet BF961 MB MBT3904DW9 dual 2N3904MB SOT143 BF995 FETMB SOT23 2SC3098 NPN。
A335-A335M-2010中文稿
12.1除了P91、P92、P911及P122级之外的钢管要求在12.1.1-12.1.4中给出。
12.1.1任一钢管的长度及外径超过10in.(250mm)，并且壁厚小于等于0.75in.(19mm)，应提交以进行水压试验，除非在12.1.4中另有规定。
12.1.2所有其它尺寸的钢管应提交以进行如13节所示的无损电气测试，除非在12.1.3及12.1.4中另有规定。
7.5当用研磨移除夹杂或缺陷时，要保持表面曲线光滑，并且壁厚不能减少到小于壁厚的规定值。研磨点的外径可能会减小以去除缺陷。
7.5.1应使用机械卡尺或经正确校准的具有适当精度的无损测试备测量壁厚。在有争议的情况下，以用机械卡尺测量的值为准。
7.6依据A999/A999M，只有当订货方同意时，才可进行焊缝修补。
13.2.3.1如没有做进一步的检验，钢管可能被拒收，制造商自行处理。
13.2.3.2如果缺陷产生的信号不能确定，或信号是由裂纹或可产生裂纹的缺陷产生时，钢管应拒收。
13.2.3.3钢管可由打磨（依据7.2.1）、焊接（依据7.6）或切割（依据7.2.3）进行修复。为得到可接受的钢管，钢管要经过与拒收检验时相同的无损检验，并要满足本标准中的残余壁厚要求。
9.2表4给出了伸长率要求。
9.3 P91级钢管的硬度应介于190～250HBW/196～265HV(91HRB～25HRC)。P24、P92、P122及P36级钢管硬度不超过250HBW/265HV30（25HRC）。
9.4表5给出了壁厚每减少1/32in.(0.8mm)的计算伸长率值。当壁厚位于两值之间时，最小伸长率值可用下面的公计算：
试验方向
公式B
纵向，除P23、P91、P92、P122及P911外所有钢级
ASTMA335标准解释
6)、当采购方有意于查明能被检测出旳缺陷性质时，对于 这些检验措施在此事项上旳特殊应用应和钢管厂方进 一步讨论。
无损检测试验
订货须知
6、长度(分定尺和不定尺) 7、端部加工。 8、选用要求(水压及允许重量偏差)。 9、要求旳试验报告(见A530)。 10、原则号。 11特殊要求或任何选用旳补充要求。
一般要求
按本原则提供旳材料，除在这里另有要求 外，应符合现行版本旳A530/ A530M原 则旳合用要求。
材料及制造
一、公称钢管可为热精整或冷拔旳，并经过原则所要求 旳最终热处理。
7、试验状态 1）、用超声波措施进行检验时，最小旳名义换能器频率
应为2.25MHZ。
无损检测试验
2）、对于涡流试验，线圈旳励磁频率应不大于等于 10kHZ。
8、参照原则试块 1）、应从和要检验管相同级别、规格尺寸、表面质量及
热处理状态和管子制备合适长度旳参照原则块。
2）、对超声波检验，原则试块上旳参照切槽根据钢管厂 旳选择能够从规程中示出旳三种常用切槽形状中任选 一种，缺口旳深度不得超出要求管壁厚度旳12.5%或 0.1mm两者取较大值，切槽旳长度应至少为换能器直 径旳两倍，切槽旳宽度不得超出其深度。
6、P23级钢旳最终热处理应在最低1040 ℃下正火，和在 最低730 ℃下回火。
化学成份
见表1
工艺质量、表面质量和外观
1、钢管厂应探足够数量旳可见表面缺陷进行测定，以确 保对缺陷 旳深度做过合适评估，不必查出全部旳表面 进行测定，但需确保与下一条旳要求相符。
253ma板材标准
253ma板材标准253MA板材是一种高温合金材料，常用于高温环境下的工业设备制造。
为了确保253MA板材的质量和性能符合要求，需要依据一系列标准进行生产和检验。
本文将介绍253MA板材的标准和相关要求。
一、国际标准1. ASTM A240/A240M-18标准：该标准规定了铁素体和奥氏体不锈钢板、薄板、及带材的一般要求和检验方法。
其中，253MA板材属于奥氏体不锈钢材料，应符合该标准的相关要求。
2. EN 10028-7：该标准适用于高温容器、压力容器和其他高温应用中使用的奥氏体不锈钢板材。
253MA板材的性能要符合该标准中规定的要求。
二、化学成分要求253MA板材的化学成分必须满足以下要求：- 碳含量：0.05% ≤ C ≤ 0.12%- 硅含量：1.4% ≤ Si ≤ 2.0%- 锰含量：0.8% ≤ Mn ≤ 2.0%- 磷含量：≤ 0.040%- 硫含量：≤ 0.030%- 铬含量：20.0% ≤ Cr ≤ 22.0%- 镍含量：10.0% ≤ Ni ≤ 12.0%- 氮含量：0.14% ≤ N ≤ 0.20%- 稀有金属元素钇和铒的含量：异型铸件必须采用质谱或光谱法测定，其含量应符合合同规定。
三、机械性能要求1. 抗拉强度：253MA板材的抗拉强度应满足标准规定的要求，常用的标称值为≥ 600 MPa。
2. 屈服强度：253MA板材的屈服强度应满足标准规定的要求，常用的标称值为≥ 310 MPa。
3. 延伸率：253MA板材的延伸率应满足标准规定的要求，常用的标称值为≥ 30%。
四、表面质量要求253MA板材的表面应无裂缝、气泡、氧化皮、锈渍等缺陷，无明显划痕，表面应光洁平整，不得有凸起、凹陷和剪切边缘。
五、尺寸和重量要求253MA板材的厚度、宽度和长度应符合合同规定的尺寸范围。
板材的重量应通过称重或计算测算，符合合同中规定的重量值。
六、检验方法对于253MA板材的质量检验，常用的方法包括：1. 外观检验：通过目视检查，检查板材表面是否符合要求。
三端稳压管型号稳压值及详细资料
三端稳压管型号稳压值及详细资料三端稳压管简介三端稳压管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。
稳压管在反向击穿时，在一定的电流范围内（或者说在一定功率损耗范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特性，因而广泛应用于稳压电源与限幅电路之中。
三端稳压管分类三端稳压管，主要有两种，一种输出电压是固定的，称为固定输出三端稳压管，另一种输出电压是可调的，称为可调输出三端稳压管。
三端稳压管原理因为固定三端稳压器属于串联型稳压电路，因此它的原理等同于串联型稳压电路。
其中R1、Rp、R2组成的分压器是取样电路，从输出端取出部分电压UB2作为取样电压加至三极管T2的基极。
稳压管Dz以其稳定电压Uz作为基准电压，加在T2的发射极上。
R3是稳压管的限流电阻。
三极管T2组成比较放大电路，它将取样电压UB2与基准电压Uz加以比较和放大，再去控制三极管T1的基极电位。
输入电压Ui加在三极管T1与负载RL相串联的电路上，因此，改变T1集电极间的电压降UCE1便可调节RL两端的电压Uo。
也就是说，稳压电路的输出电压Uo可以通过三极管T1加以调节，所以T1称为调整管。
由于调整元件是晶体管管，而且在电路中与负载相串联，故称为晶体管串联型稳压电路。
电阻R4和T1的基极偏置电阻，也是T2的集电极负载电阻。
当电网电压降低或负载电阻减小而使输出端电压有所下降时，其取样电压UB2相应减小，T2基极电位下降。
但因T2发射极电位既稳压管的稳定Uz保持不变，所以发射极电压UBE2减小，导致T2集电极电流减小而集电极电位Uc2升高。
由于放大管T2的集电极与调整管T1的基极接在一起，故T1基极电位升高，导致集电极电流增大而管压降UCE1减小。
因为T1与RL串联，所以，输出电压Uo基本不变。
同理，当电网电压或负载发生变化引起输出电压Uo增大时，通过取样、比较放大、调整等过程，将使调整调整管的管压降UCE1增加，结果抑制了输出端电压的增大，输出电压仍基本保持不变。
哈氏合金B3材料化学成分
哈氏合金B3资料化学成分对哈氏合金B3资料的技能特性以及成形工艺进行了剖析，并对哈氏合金B3资料封头成形工艺进行了实验。
结果表明，选用模压或旋压的冷加工办法，封头成形质量彻底满意设计要求，成形加工工艺简单、合理可行。
关键词：哈氏合金B3；封头；成形工艺哈氏合金B3成形加工工艺技能特性经剖析，哈氏合金B3的成形加工特性主要有：(1)哈氏合金B3资料的延伸率较高，为冷压成形创造了有利条件；(2)哈氏合金B3资料比奥氏体不锈钢坚硬，加工硬化倾向更显着，所以在冷成形时需求更大的压力，或分步成形；(3)哈氏合金B3资料冷成形变形率小于10%时，不会对加工件的耐腐蚀功能造成影响，但在焊接加工中，剩余应力的存在或许会给焊缝造成热裂纹。
因而，对于后期需求焊接加工的工件，还是应尽或许消除剩余应力的影响；(4)变形严重的冷成形会提高哈氏合金B3资料的屈强比，还会增加应力腐蚀和裂纹的灵敏性，常选用中心和最终热处理工艺；(5)哈氏合金B3资料在高温下对氧化性介质及硫、磷、铅及其他低熔点金属十分灵敏；(6)在600~800℃区间，加热时刻过长，哈氏B3合金会发生脆性相，导致延伸率降低，并且在此温度区间外力或变形受到限制时，容易发生热裂纹。
因而选用热成形时，温度必须操控在900℃以上；(7)哈氏合金B3资料加工限制前，与工件触摸的模具外表清理干净；冷加工时，可选用润滑办法，成形后须立即脱脂处理或用碱清洗；(8)加工件出炉水冷后，外表的氧化膜较厚，应充沛酸洗，如残留有氧化膜，或许在下次限制时发生裂纹；必要时，可在酸洗前喷砂处理.哈氏合金B3热成形的长处热成形的长处是可一次成形，能防止加工硬化，如果成形温度能操控好，还可免去热处理。
但热成形过程中温度改变很大，且每个区域都有不同，甚至与模具直触摸摸的外表或许要远低于金属内部的温度，很难丈量和操控，一旦在加工过程中局部资料进入灵敏温度区，发生微裂纹等缺点，便很难在后期的固溶热处理中消除。
q253b钢材密度
q253b钢材密度
Q253B是中国国家标准的一种低合金高强度钢材，其主要成分为碳、硅、锰、钼和铬
等元素，具有良好的可焊性、成形性和机械性能，广泛应用于建筑、制造业和船舶等领
域。
Q253B钢材的密度是7.85克/立方厘米。
这意味着每立方厘米的Q253B钢材重约7.85克。
在计算Q253B钢材的重量和体积时，这个密度值非常有用。
低合金高强度钢材具有什么特点？
1. 高强度：低合金高强度钢材比一般结构钢具有更高的屈服强度和抗拉强度。
2. 良好的塑性：低合金高强度钢材具有较好的塑性和延展性，可适应较高的变形。
3. 良好的可焊性：低合金高强度钢材的可焊性较好，可以采用各种焊接方法进行连接。
4. 良好的耐蚀性：低合金高强度钢材中添加了一些元素，例如铬、钼等，能够提高
钢材的耐腐蚀性能。
5. 节能环保：低合金高强度钢材能够减少钢材的用量，同时减少生产过程中的能耗，符合能源和环境保护的要求。
低合金高强度钢材的应用范围
低合金高强度钢材的应用范围非常广泛，包括建筑、桥梁、造船、机械制造、石油化工、铁路运输等领域。
在建筑领域，低合金高强度钢材通常用于高层建筑、大跨度建筑、特殊形状建筑等重
要部位。
例如，用于钢结构框架、桥梁、高速公路护栏、隧道支撑等。
在制造业领域，低合金高强度钢材可以用于制造汽车、火车、船舶、飞机、机械设备等。
例如，用于汽车车架、船体、推进器、飞机结构等。
总之，低合金高强度钢材是一种具有广阔应用前景的钢材，具有很多优点和特点，可
以满足不同领域的需求。
哈氏合金b3锻圆
哈氏合金B3锻圆1. 引言哈氏合金B3是一种具有优异耐蚀性和高温强度的镍基合金，广泛应用于航空航天、化工和能源等领域。
本文将重点介绍哈氏合金B3锻圆的相关信息，包括材料特性、制备工艺以及应用领域等。
2. 材料特性2.1 化学成分哈氏合金B3的化学成分主要包括镍（Ni）、钼（Mo）、铁（Fe）和铬（Cr）等元素。
其中，镍是主要元素，占总质量的约65%30%；铁和铬的含量分别为70%；钼的含量为27%3%，其余为其他微量元素。
2%6%和1.5%2.2 物理性能哈氏合金B3具有以下物理性能：•密度：约为9.22克/立方厘米；•熔点：约为1370摄氏度；•热导率：在室温下约为10.9瓦特/米·开尔文；•热膨胀系数：在室温至200摄氏度范围内，线膨胀系数为12.2×10^-6/摄氏度。
2.3 机械性能哈氏合金B3具有优异的机械性能，主要包括：•抗拉强度：在室温下，哈氏合金B3的抗拉强度可达到690兆帕；•屈服强度：在室温下，哈氏合金B3的屈服强度为310兆帕；•延伸率：在室温下，哈氏合金B3的延伸率可达到40%。
3. 制备工艺3.1 原材料选取制备哈氏合金B3锻圆的原材料应选择符合化学成分要求的镍基合金坯料。
通常情况下，选用工业纯镍、钼粉、铁粉和铬粉等作为原始原材料。
3.2 粉末冶金制备制备哈氏合金B3锻圆常采用粉末冶金工艺。
具体步骤如下：1.将选取的原材料按照一定比例混合，并进行干燥处理，以去除水分和其他杂质。
2.将混合好的原材料放入高能球磨机中进行球磨处理，使其达到一定的颗粒度和均匀性。
3.将球磨得到的粉末放入模具中，进行压制成型。
4.将成型体进行预烧处理，以去除模具中残留的有机物和水分。
5.将预烧后的成型体放入高温炉中进行烧结，使其形成致密的坯体。
3.3 锻造加工经过粉末冶金制备的坯体可以通过锻造加工得到哈氏合金B3锻圆。
锻造加工是指将坯体放置于锻造设备中，在高温下施加压力使其发生塑性变形。
253MA化学成分奥氏体钢
253MA化学成分奥氏体钢由于253MA是一种有着较高碳含量的奥氏体钢，其使用温度范围为900~1150 ℃。
所以253MA钢的金相组织中含有碳化物，所以253MA钢具有很高的抵抗σ相沉淀的稳定性。
253MA耐热钢在传统铬-镍奥氏体不锈钢的基础上，通过添加铈、镧、钕、镨等稀土元素，并加入氮元素微合金化，在80年代中、后期发展而成的耐热不锈钢，除了合金元素铬和镍之外，253MA不锈钢还含有少量的稀土金属，从而明显地改善了其抗氧化能力。
添加了氮以改善蠕变性能并使这种钢成为完全的奥氏体。
尽管铬和镍含量相对来说较低，但这种不锈钢有许多情况下具有与高合金化的合金钢和镍基合金相同的高温特性。
253MA钢在空气介质中具有很高的氧化皮生成温度，该温度为1150 ℃一、253MA化学成分：碳C：0.05-0.10，硫S：≤0.030，硅Si：1.40-2.00，铬Cr：20.00-22.00，镍Ni：10.00-12.00，氮N:0.14-0.20,铈Ce:0.03-0.08。
二、253MA性能特点：1、与310S、1Cr20Ni14Si2相比，性能更优越，节Ni，价格便宜。
2、900℃时有很高的强度。
在空气中，非承受压力的条件下可以使用到1150℃，有优越的抗高温氧化性能。
3、各温度下的短时拉伸强度比通常的不锈钢（如304、310S）的强度高出20%以上。
4、具有高温长期性能（蠕变性能、持久性能）。
三、253MA对应牌号：德标：1.4835，X9CRNISINCE21-11-2，美标：S30815，F45，253MA。
253MA使用范围：广泛应用于烧结设备、高炉设备、钢熔化、熔炉和连续浇铸设备、轧钢机（加热炉）、热处理炉和附件、矿物设备及水泥生产设备等。
253MA钢可以使用到900 ℃的承压场合及工作温度高达1150 ℃的非承压高温零部件。
253MA应用领域：253MA应用于烧结设备、高炉设备、钢熔化、熔炉和连续浇铸设备、轧钢机（加热炉）、热处理炉和附件、矿物设备及水泥生产设备等。
哈氏合金b3化学成分
哈氏合金b3化学成分哈氏合金B3是一种镍基耐蚀合金，其化学成分主要包括镍、铬、钼和铁等元素。
下面将对这些元素的性质和作用进行详细介绍。
镍是哈氏合金B3的主要成分，其含量一般在65%以上。
镍具有良好的耐腐蚀性能，能够抵抗酸性介质、碱性介质和氧化介质的侵蚀。
此外，镍还具有较高的热稳定性和耐高温性能，能够在高温环境下保持良好的力学性能。
铬是哈氏合金B3的另一个重要成分，其含量通常在28%至35%之间。
铬能够形成一层致密的氧化铬膜，有效地阻止介质中的氧分子渗透，提高合金的耐腐蚀性能。
此外，铬还能够增加合金的硬度和强度，提高其抗氧化和耐磨性能。
钼是哈氏合金B3的另一个关键成分，其含量一般在1.5%至3%之间。
钼具有良好的耐腐蚀性能，能够抵抗各种强酸、强碱和氧化介质的侵蚀。
此外，钼还能够提高合金的热强度和耐热性能，使合金在高温环境下具有优异的稳定性。
除了上述三种主要成分外，哈氏合金B3中还含有少量的铁、钨、锰和铜等元素。
铁是合金的基础元素之一，能够提高合金的强度和硬度。
钨能够增加合金的耐磨性和耐蚀性，提高其使用寿命。
锰能够提高合金的抗氧化性能，避免合金在高温环境下发生氧化反应。
铜能够提高合金的强度和塑性，增加其加工性能。
哈氏合金B3具有优异的耐腐蚀性能，在酸性、碱性和氧化介质中均能够表现出良好的稳定性。
由于其高温稳定性和耐热性能，哈氏合金B3广泛应用于化工、冶金、电力等领域，如化工设备、石油管道、核电设备等。
哈氏合金B3是一种镍基耐蚀合金，其化学成分主要包括镍、铬、钼和铁等元素。
这些元素的不同特性和作用使得哈氏合金B3具有优异的耐腐蚀性能和高温稳定性，广泛应用于各个领域。
未来，随着科学技术的不断发展，相信哈氏合金B3将在更多领域展现出其独特的优势和潜力。
贴片三极管封装上的印字-与真实名称的对照表
贴片三极管封装上的印字-与真实名称的对照表贴片三极管封装上的印字，与真实名称的对照表印字器件名厂家类型封装器件用途及参数T2 HSMS-286C HP D SOT323 dual series HSMS-286B T2 HSMS-2862 HP D SOT23 dual series HSMS-286B t23 PDTA114TU Phi N SOT323 pnp dtr R1 10kt24 PDTC114TU Phi N SOT323 npn dtr R1 10kt2A PMBT3906 Phi N SOT23 2N3906t2A PMST3906 Phi N SOT323 2N3906t2B PMBT2907 Phi N SOT23 2N2907t2D PMBTA92 Phi N SOT23 MPSA92 pnp Vce 300V t2D PMSTA92 Phi N SOT323 MPSA92 pnp Vce 300V t2E PMBTA93 Phi N SOT23 MPSA93 pnp Vce 200Vt2E PMSTA93 Phi N SOT323 MPSA93 pnp Vce 200V t2F PMBT2907A Phi N SOT23 2N2907At2F PMBT2907A Phi N SOT323 2N2907At2G PMBTA56 Phi N SOT23 MPSA56t2G PMSTA56 Phi N SOT323 MPSA56t2H PMBTA55 Phi N SOT23 MPSA55t2H PMSTA55 Phi N SOT323 MPSA55t2L PMBT5401 Phi N SOT23 2N5401 pnp 150Vt2L PMST5401 Phi N SOT323 2N5401 pnp 150VT2p BCX18 Phi N SOT23 BC328t2T PMBT4403 Phi N SOT23 2N4403t2T PMST4403 Phi N SOT323 2N4403T2t BCX18 Phi N SOT23 BC328t2U PMBTA63 Phi N SOT23 MPSA63 darlingtont2V PMBTA* Phi H SOT23 MPSA* darlingtont2X PMBT4401 Phi N SOT23 2N4401t2X PMST4401 Phi N SOT323 2N4401T3 BSS63 Phi N SOT23 BSS68T3 HSMS-286E HP A SOT323 ca dual HSMS-286BT3 HSMS-2863 HP A SOT23 ca dual HSMS-286Bt31 PDTA143XT Phi N SOT23 pnp dtr4k7+10kt32 PDTC143XT Phi N SOT23 pnp dtr 4k7+10ksT32 2SC4182 Nec N SOT23 npn RF fT 1.1GHz @3V hfe 60-105T33 2SC4182 Nec N SOT23 npn RF fT 1.1GHz @3V hfe 85-150T34 2SC4182 Nec N SOT23 npn RF fT 1.1GHz @3V hfe 120-220T4 BCX17R Phi R SOT23R BC327T4 HSMS-286F HP B SOT323 cc dual HSMS-286BT4 HSMS-28* HP B SOT23 cc dual HSMS-286BT4 MBD330DW Mot DL SOT363 dual UHF schottky diodeT42 2SC3545P Nec N - 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s32505成分
s32505成分S32505是一种不锈钢材料，具有优异的耐腐蚀性和高强度。
它主要由铁、铬和镍等元素组成，能够在恶劣环境下保持稳定的性能。
本文将从不同角度介绍S32505的特点和应用。
1. S32505材料的耐腐蚀性能非常出色。
它能够抵抗酸、碱、盐和湿气等多种腐蚀介质的侵蚀，适用于化工、海洋和石油等领域。
在高温高压环境下，S32505仍然能够保持杰出的耐蚀性能，非常适合用于石油钻井设备、海洋平台等重型设备的制造。
2. S32505具有良好的强度和韧性。
它的强度比普通不锈钢材料高出很多，能够承受较大的压力和冲击力。
同时，S32505还具有良好的延展性和可塑性，可以进行各种复杂的加工和成型，广泛应用于机械制造、汽车制造等领域。
3. S32505材料还具有良好的耐磨性和耐热性。
它能够在高温下保持稳定的性能，不易变形和熔化。
同时，S32505的表面硬度较高，具有较好的耐磨性，能够有效延长设备的使用寿命。
4. 在建筑领域，S32505材料也得到了广泛的应用。
由于其具有良好的耐腐蚀性和强度，可以用于建筑结构的制造，例如桥梁、楼梯和护栏等。
此外，S32505还可以用于制作装饰材料，如不锈钢门窗、不锈钢饰面板等，提升了建筑物的外观质量。
5. 在食品加工行业，S32505材料也得到了广泛的应用。
由于其无毒、无味、耐腐蚀的特性，可以用于制作食品加工设备和容器。
此外，S32505还可以用于制作厨具和餐具，提供了更加安全和卫生的使用环境。
S32505是一种具有优异性能的不锈钢材料，广泛应用于化工、海洋、石油、机械制造、建筑和食品加工等多个领域。
它的耐腐蚀性能、强度和韧性等特点，使其成为一种理想的材料选择。
随着科学技术的不断发展，相信S32505材料将在更多领域展现出更广阔的应用前景。
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