半导体材料进化史

半导体材料进化史
半导体材料的进化史可以追溯到19世纪。

1833年，英国科学家法拉第发现了硫化银半导体材料，这是人类首次发现半导体现象。

1839年，法国科学家贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，即光生伏特效应。

1874年，德国科学家布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即半导体的整流效应。

同一年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。

1873年，英国科学家史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应。

在20世纪初期，匹卡发明了第一个固态电子元件：无线电波侦测器，它使用金属与硅或硫化铅相接触所产生的整流功能，来侦测无线电波。

在整流理论方面，萧特基在1939年发表了一篇有关整流理论的重要论文，他认为金属与半导体间有能障的存在。

在能带理论方面，布洛赫定理是将电子波函数加上了周期性的项，首开能带理论的先河。

佩尔斯则提出了微扰理论，解释了能隙的存在。

随着科技的不断发展，半导体材料也在不断地进化和改进。

这些材料在现代电子学和光电子学领域中发挥着至关重要的作用。