《模拟电子技术》模电考试复习资料详解
模拟电子技术基础复习资料
模拟电路基础复习资料一、填空题1. 在P型半导体中, 多数载流子是（空隙）, 而少数载流子是（自由电子）。
2. 在N型半导体中, 多数载流子是（电子）, 而少数载流子是（空隙）。
3. 当PN结反向偏置时, 电源的正极应接（ N ）区, 电源的负极应接（ P ）区。
4．当PN结正向偏置时, 电源的正极应接（ P ）区, 电源的负极应接（ N ）区。
5. 为了保证三极管工作在放大区, 应使发射结（正向）偏置, 集电结（反向）偏置。
6．根据理论分析, PN结的伏安特性为,其中被称为（反向饱和）电流, 在室温下约等于（ 26mV ）。
7. BJT管的集电极、基极和发射极分别与JFET的三个电极（漏极）、（栅极）和（源极）与之相应。
8. 在放大器中, 为稳定输出电压, 应采用（电压取样）负反馈, 为稳定输出电流, 应采用（电流取样）负反馈。
9. 在负反馈放大器中, 为提高输入电阻, 应采用（串联－电压求和）负反馈, 为减少输出电阻, 应采用（电压取样）负反馈。
10.放大器电路中引入负反馈重要是为了改善放大器. 的电性. ）。
11. 在BJT放大电路的三种组态中, （共集电极）组态输入电阻最大, 输出电阻最小。
（共射）组态即有电压放大作用, 又有电流放大作用。
12.在BJT放大电路的三种组态中，.共集电. ）组态的电压放大倍数小于1，.共.）组态的电流放大倍数小于1。
13. 差分放大电路的共模克制比KCMR＝（）, 通常希望差分放大电路的共模克制比越（大）越好。
14. 从三极管内部制造工艺看, 重要有两大特点, 一是发射区（高掺杂）, 二是基区很（薄）并掺杂浓度（最低）。
15．在差分放大电路中发射极接入长尾电阻后, 它的差模放大倍数将（不变）, 而共模放大倍数将（减小）, 共模克制比将（增大）。
16. 多级级联放大器中常用的级间耦合方式有（阻容）, （变压器）和（直接）耦合三种。
17. 直接耦合放大器的最突出的缺陷是（零点漂移）。
模电期末复习重点讲解
模拟电子技术期末复习
例1：BJT放大电路的分析计算
第一步：直流电源单独工作（交流信号为0），分析直流
通路，计算静态工作点（IB,IC,VCE）；
第二步：求
rbe
rbb 'Fra bibliotek(1
)
26(mV ) IE (mA)
()
第三步：直流电源=0，交流电源单独工作，画出小信号
模型图（先画三极管的，再画公共端找出接地点，把其它
β(Rc // RL )
rb e
（同相,大）
R i Rb //[rbe (1 β)Re ] Rb //[rbe (1 β)(Re // RL )]
(中)
（最大）
Re
//
1
rbe β
（最小）
Ro
RC
(大 )
Re
// rbe (Rb // RS信号源内阻) （最小）1 β
RC (大 )
4. 三极管的中频小信号模型
ui R1
A
R2 10k
+VCC V T3 (+18V)
VT1 R4
R5 200 V T2 200
VT4
RL uo
VCC
R3
( 18V)
解：
1）Pom
VCC U CES 2RL
2
8W
2） π VCC UCES 69.8%
4
VCC
3）Au f
1
R3 R2
VCC
U CES 2U i
故VT1工作在放大区。欲使VT2也工作在放大区，需
U CQ2 VCC I CQ2 R4 U BQ2 4V
R4
VCC U BQ1 I CQ2
模电总结复习资料-模拟电子技术基础.doc
模电总结复习资料-模拟电子技术基础第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
2.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
3.PN结*PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
*PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
4.PN结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V 阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳u-时，uo=+Uom当u+2．当ＡＦ＝０时，表明反馈效果为零。
3．当ＡＦ＜０时，Ａｆ升高，这种反馈称为正反馈。
4．当ＡＦ＝－１时，Ａｆ→∞。
放大器处于“自激振荡”状态。
二．反馈的形式和判断1.反馈的范围----本级或级间。
2.反馈的性质----交流、直流或交直流。
直流通路中存在反馈则为直流反馈，交流通路中存在反馈则为交流反馈，交、直流通路中都存在反馈则为交、直流反馈。
3.反馈的取样----电压反馈：反馈量取样于输出电压；具有稳定输出电压的作用。
（输出短路时反馈消失）电流反馈：反馈量取样于输出电流。
具有稳定输出电流的作用。
（输出短路时反馈不消失）4.反馈的方式-----并联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电流形式相叠加。
Rs越大反馈效果越好。
反馈信号反馈到输入端）串联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电压的形式相叠加。
Rs越小反馈效果越好。
反馈信号反馈到非输入端）5.反馈极性-----瞬时极性法：（1）假定某输入信号在某瞬时的极性为正（用+表示），并设信号的频率在中频段。
（2）根据该极性，逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性（升高用+表示，降低用－表示）。
模电复习大纲讲解
半导体三极管极放大电路基础
1、基本结构
表发示射（极两E，m种半发i用t类导t射eEr型体）区或:三；Ne P极N管型的和结P集N构P电示型区表意。集示图电（如极C图o，l0l3e用c.1tCo.0r或1）所c。示。它有
4、理解二极管
单向导电性、特性方程及特性曲线与PN结相同 主要参数：最大整流电流IF、反向击穿电压VBR、反向电流
IR、极间电容、最高工作频率 分析模型：理想模型、恒压降模型、折线模型、小信号模型
二极管电路的分析计算： 导通管的压降看做常值（硅0.7V，锗0.2V）或0V（理
想二极管）；截止管所在支路看做断开，电路中所有二极 管状态判明后，进一步计算所要求的各物理量。
电子 空穴——当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后，
共价键就留下一个空位，这个空位就称为空穴
2、半导体分类 -（1）本征半导体和本征激发
本征半导体——化学成分纯净的半导体
本征激发的特点——
• 两种载流子参与导电，自由电子 数（n）=空穴数（p）
• 外电场作用下产生电流，电流大 小与载流子数目有关
• 导电能力随温度增加显著增加
基区 基发极射，结用(BJe或) b表示集（电Ba结se(）Jc)
三极管符号
两种类型的三极管
2、特性曲线
输入特性曲线
(3) 输入特性曲线的三个部分 ①死区 ②非线性区 ③线性区
导通电压典型值：0.7V 死区电压典型值：0.5V
+ VT
–
Ro
3、频率响应
上、下限频率；带宽
频率失真（线性失真） 非正弦信号 幅度失真
模拟电子技术基础知识讲解
常用半导体器件一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（√）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（×）（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（×）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（×）（5）若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。
（√）二、选择正确答案填入空内。
（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（4）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A C 。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管（5）在本征半导体中加入A 元素可形成N型半导体，加入 C 元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（6）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A 。
A. 增大B. 不变C. 减小（7）工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。
A. 83B. 91C. 100三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
图T1.3四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
图T1.4五、某晶体管的输出特性曲线如图T1.5所示，其集电极最大耗散功率P CM＝200mW，试画出它的过损耗区。
图T1.5六．测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表T1.6所示，它们的开启电压也在表中。
模拟电子技术复习资料
模拟电子技术复习资料模拟电子技术复习资料模拟电子技术是电子工程中的重要一环，它涉及到电子电路的设计、分析和优化。
在现代科技发展迅速的时代，模拟电子技术的应用范围越来越广泛。
为了更好地掌握这门学科，以下是一些模拟电子技术复习资料，希望对大家的学习有所帮助。
一、基础知识回顾1. 电路基本元件：电阻、电容、电感。
了解它们的特性和在电路中的应用。
2. 电路定律：欧姆定律、基尔霍夫定律、电流和电压的分布规律。
3. 放大器基础：了解放大器的基本概念和分类，如共射放大器、共集放大器、共基放大器等。
4. 信号处理：了解滤波器的原理和分类，如低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器等。
二、放大器设计与分析1. 放大器的基本特性：增益、带宽、输入输出阻抗等。
掌握放大器的参数计算方法。
2. 放大器的稳定性分析：了解稳定性的概念和判据，如极点、零点的分布，掌握稳定性分析的方法。
3. 反馈放大器：了解反馈放大器的原理和分类，如电压串联反馈、电流串联反馈等。
4. 差分放大器：了解差分放大器的原理和应用，如差分放大器的共模抑制比、共模反馈等。
三、运算放大器及其应用1. 运算放大器的基本特性：了解运算放大器的输入输出特性，如输入阻抗、输出阻抗、放大倍数等。
2. 运算放大器的反馈电路：了解反馈电路的原理和分类，如电压反馈、电流反馈、电阻反馈等。
3. 运算放大器的应用：了解运算放大器在各种电路中的应用，如比较器、积分器、微分器等。
四、振荡器与频率特性1. 振荡器的原理：了解振荡器的基本原理和分类，如正弦波振荡器、方波振荡器、脉冲振荡器等。
2. 振荡器的稳定性：了解振荡器的稳定性条件和稳定性分析方法，如震荡幅度、相位噪声等。
3. 频率特性分析：了解频率响应的概念和分析方法，如Bode图、相频特性等。
五、模拟滤波器设计1. 模拟滤波器的分类：了解模拟滤波器的基本分类，如低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器等。
2. 滤波器的设计方法：了解滤波器的设计方法和参数计算，如阻抗匹配、频率响应等。
《模拟电子技术》复习要点
《模拟电子技术》复习要点
1．半导体的基础知识（本证半导体和杂质半导体的概念及特点、温度对半导体导电性能的影响、PN结的形成及特性）
2．晶体管的管脚、类型的判断
3．晶体管和场效应管的三种工作状态的特点及外部条件、晶体管和场效应管放大电路的三种组态及特点
4．放大电路的基本分析方法及其适用场合
5．基本放大电路（包括差分放大电路）的分析（包括失真分析）和计算（静态和动态）
6．多级放大电路的耦合方式、特点、适用场合及其分析和计算
7．基本的运算电路的分析和计算（比例、加法、减法、乘法、除法、微分、积分、乘方、开方）
8．负反馈类型的判断、性能的改善、引入原则、深度负反馈放大电路的分析和计算
9．正弦波振荡电路（包括RC正弦波振荡电路和LC正弦波振荡电路）的起振和稳幅振荡条件、组成、电路特点、判断
10．电压比较器的种类及其电压传输特性的分析和计算
11．功放的特点、种类、两个主要性能指标及其分析（包括失真分析）和计算（最大输出功率、效率）、功放管的选择
12．直流稳压电源的组成、整流、滤波、稳压原理及其简单计算（包括整流元件的选择）。
模电知识点复习总结
模电知识点复习总结模拟电子技术（模电）是电子工程中的重要基础学科之一，主要研究电路中的电压、电流以及能量的传输和转换。
下面是我对模电知识点的复习总结：一.基础知识1.电路基本定律：欧姆定律、基尔霍夫定律、电压分压定律、电流分流定律、功率定律。
2.信号描述与频域分析：时间域与频域的关系。
傅里叶级数和傅里叶变换的基本概念和应用。
3.理想放大器：增益、输入/输出电阻、输入/输出阻抗的概念和计算方法。
4.放大器基本电路：共射、共集、共基放大器的特点、电路结构和工作原理。
二.放大器设计1.放大器的参数：增益、输入/输出电阻、输入/输出阻抗。
2.放大器的稳定性：稳态稳定性和瞬态稳定性。
3.放大器的频率响应：截止频率、增益带宽积、输入/输出阻抗对频率的影响。
4.放大器的非线性失真：交趾略失真、交调失真、互调失真等。
5.放大电路的优化设计：负反馈、输入/输出阻抗匹配、增益平衡等。
三.运算放大器1.运算放大器的基本性质：增益、输入阻抗、输出阻抗、共模抑制比。
2.电压放大器：非反转放大器、反转放大器、仪表放大器、差分放大器。
3.运算放大器的应用电路：比较器、积分器、微分器、换相器、限幅器等。
4.运算放大器的非线性失真：输入失真、输出失真、交调失真等。
四.双向可调电源1.双向可调电源的基本原理：输入电压、输出电压和控制信号之间的关系。
2.双向可调电源的电路结构：移相电路、比较器、反相放大器、输出级等。
3.双向可调电源的控制方式：串行控制和并行控制。
五.滤波器设计1.常见滤波器类型：低通、高通、带通和带阻滤波器。
2.滤波器的频率响应特性：通频带、截止频率、衰减量。
3.滤波器的传输函数：频率选择特性、阶数选择。
4.滤波器的实现方法：RC、RL、LC和电子管等。
六.可控器件1.二极管：理想二极管模型、二极管的非理想特性、二极管的应用。
2.可控硅：双向可控硅、单向可控硅、可控硅的触发电路和应用。
3.功率晶体管：NPN、PNP型功率晶体管的特性参数、功率放大电路设计。
模拟电子技术总结复习资料
半导体二极管及其应用电路一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
7. PN结* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
* PN结的导通电压---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。
模电专升本知识点总结
模电专升本知识点总结一、模拟电子技术的基本原理1. 模拟信号与数字信号在模拟电子技术中，信号是一种信息传递的载体，它可以分为模拟信号和数字信号两种类型。
模拟信号是连续的信号，在时间和数值上都是连续变化的。
数字信号则是用离散的数值来表示的信号，信号在时间和数值上都是离散变化的。
模拟电子技术主要处理模拟信号的相关内容。
2. 信号的幅频特性信号的幅频特性是指信号在传输过程中的幅度与频率的关系。
在模拟电子技术中，需要了解信号的频谱分布、频率响应等相关知识，以便进行信号处理和传输。
3. 信号的失真与补偿信号在传输过程中容易受到各种因素的影响而造成失真，比如传输线损耗、噪声干扰等。
因此，需要了解信号失真的原因和补偿方法，以保证信号质量。
4. 放大器的基本原理放大器是模拟电子技术中重要的器件，用于放大信号的幅度。
放大器的基本原理包括放大器的基本结构、工作原理、参数计算等内容。
5. 滤波器的基本原理滤波器是用于对信号进行滤波处理的器件，它可以帮助信号去除不需要的频率成分。
在模拟电子技术中，需要了解不同类型的滤波器的工作原理和应用。
二、模拟电子技术的基本器件1. 二极管的基本特性二极管是模拟电子技术中最基本的器件之一，它具有整流、开关等多种功能。
了解二极管的基本特性对于模拟电子技术的学习至关重要。
2. 晶体管的基本特性晶体管是模拟电子技术中最重要的三极管之一，它具有放大、开关等多种功能。
掌握晶体管的工作原理和参数计算对于模拟电子技术的学习至关重要。
3. 操作放大器的基本特性操作放大器是模拟电子技术中常用的放大器器件，它具有高输入阻抗、低输出阻抗等特性。
了解操作放大器的基本特性对于模拟电子技术的应用至关重要。
4. 电容和电感的基本特性电容和电感是模拟电子技术中常用的电子元件，它们具有存储电荷、存储能量等功能。
了解电容和电感的基本特性对于模拟电子技术的学习至关重要。
三、模拟电子技术的基本电路1. 放大电路放大电路是模拟电子技术中常见的电路，它可以将输入信号放大到需要的幅度。
模拟电子技术总结复习资料
模拟电子技术复习资料一、前言模拟电子技术是电子工程师必备的技术之一，本文将模拟电子技术的相关知识点，以供复习之用。
二、基础知识1. 模拟电子技术的定义模拟电子技术是指以连续的时间和数值作为处理信号的基本方法，将原始信号转换为模拟电压或电流信号，经过放大、滤波、调制等技术处理后再转换为输出信号的一种电子技术。
2. 信号处理的分类信号处理可以分为模拟信号处理和数字信号处理两种方式。
其中，模拟信号处理是连续的，输出结果也是连续的；数字信号处理是离散的，输出结果也是离散的。
3. 电路元件常见的电路元件有电阻、电容、电感和二极管等。
在实际电路中，这些元件通常是串接或并联连接。
4. 电路分析电路分析主要包括基础电路分析、状态变量法和矩阵方法三种。
其中，基础电路分析可以用于简单电路的分析，状态变量法可用于复杂电路的分析，矩阵方法则适用于大型电路分析。
三、基本电路1. 电压分压器电压分压器是一种简单的电路，在电路中由两个电阻相连，起到将输入电压分压的作用。
分压器的输出电压等于输入电压乘以电路中两个电阻的比值，即：V_out = V_in * R2 / (R1 + R2)2. 电路共模抑制电路共模抑制是一种在电路中削弱两个信号（通常是两个交流信号）之间共同模式分量的方法。
在电路中添加一对差模信号，可以使一部分共模干扰信号被消除。
3. 交流放大器交流放大器是一种电路，用于放大输入信号的交流部分。
通常会使用共射极放大器来放大信号。
4. 滤波器滤波器是一种电路，主要功能是去除输入信号中不需要的频率或波形分量。
滤波器通常被划分为低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器等不同类型。
四、放大器1. 放大器的分类放大器通常被分为共射极放大器、共集极放大器和共基极放大器等三种。
其中，共射极放大器最常用。
2. 放大器的增益与带宽放大器的增益和带宽是两个相互制约的指标。
在设计放大器时，需要综合考虑这两个指标来确定放大器的工作范围。
模拟电子技术知识点总结
模拟电子技术知识点总结篇一：模拟电子技术基础知识汇总模拟电子技术第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*n型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7.Pn结*Pn结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
*Pn结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8.Pn结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V 阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2)等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V 阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳?微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在Pn结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
第二章三极管及其基本放大电路一.三极管的结构、类型及特点1.类型---分为nPn和PnP两种。
《模电》复习(有答案)
03
02
01
模拟电路的基本概念
模拟电路的基本元件
电阻是模拟电路中最基本的元件之一，用于限制电流和电压。
电容是能够存储电荷的元件，具有隔直流通交流的特性。
电感是能够存储磁能的元件，具有阻抗交流的作用。
二极管是单向导电的元件，常用于整流、开关等电路中。
04
电源：为电路提供稳定的直流或交流电源。
实验设备与仪器
实验准备
熟悉实验原理、目的、步骤和注意事项，准备好所需的仪器和元件。
电路搭建
根据实验要求，使用适当的电子元件搭建模拟电路。
参数测量
使用示波器等测量仪器，记录实验数据，观察信号波形。
结果分析
对实验数据进行分析，得出结论，并与理论值进行比较。
实验方法与步骤
发射机与接收机
通过模拟电路实现信号的调制和解调，如调频、调相和调幅等，以适应不同的通信信道。
调制解调技术
模拟电路用于信号处理和控制，如音频、视频信号的处理和通信系统的控制。
信号处理与控制
通信系统
模拟电路用于构建模拟控制器，实现对系统的连续控制和调节。
模拟控制器
模拟电路用于连接传感器和执行器，实现系统输入与输出的转换和控制。
详细描述
反馈放大电路的性能指标主要包括增益、带宽和稳定性等。
总结词
增益表示反馈放大电路的放大能力，与开环增益和反馈系数有关；带宽表示反馈放大电路能够正常工作的频率范围；稳定性则表示反馈放大电路对外部干扰和内部参数变化的敏感程度。
详细描述
反馈放大电路
总结词
集成运算放大器是一种高性能的模拟集成电路，具有高带宽、低噪声、低失真等特点。
模电总结复习资料模拟电子技术基础
模电总结复习资料模拟电⼦技术基础第⼀章半导体⼆极管⼀.半导体的基础知识1.半导体---导电能⼒介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流⼦----带有正、负电荷的可移动的空⽳和电⼦统称为载流⼦。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺⼊微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺⼊微量的三价元素（多⼦是空⽳，少⼦是电⼦）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺⼊微量的五价元素（多⼦是电⼦，少⼦是空⽳）。
6. 杂质半导体的特性*载流⼦的浓度---多⼦浓度决定于杂质浓度，少⼦浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体⾃⾝的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，⼀种杂质半导体可以改型为另外⼀种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截⽌。
8. PN结的伏安特性⼆. 半导体⼆极管*单向导电性------正向导通，反向截⽌。
*⼆极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析⽅法------将⼆极管断开，分析⼆极管两端电位的⾼低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，⼆极管导通(短路);若 V阳1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态⼯作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题⼿段----将⼆极管断开，分析⼆极管两端电位的⾼低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，⼆极管导通(短路);若 V阳*三种模型微变等效电路法三. 稳压⼆极管及其稳压电路*稳压⼆极管的特性---正常⼯作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压⼆极管在电路中要反向连接。
第⼆章三极管及其基本放⼤电路⼀. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。
模电期末复习资料
2. 确定反馈系数的大小
深度负反馈时
Af 1 F
3. 适当选择反馈网络中的电阻阻值
功率放大器
1、了解放大器的三种工作状态
甲类：在整个周期IC≥O导通角3600η高=50% 乙类：在半个周期IC≥O导通角1800η高=78.5% 甲乙类:在大半个周期IC≥O导通角1800＜θ＜3600
抑制零漂能力
单端输出时的总输出电压
v o1 A VD1 v id ( 1
v ic K CMR v id
)
频率响应
高频响应与共射电路相同，低频可放大直流信号。
信号运算与处理电路 运放的特点：
KCMR 很大 ri 大: 几十k 几百 k
理想运放： ri
KCMR
ro 小：几十 几百
1. 反馈
反馈通路——信号反向传输的渠道 开环 ——无反馈通路 闭环 ——有反馈通路 正反馈与负反馈
判别方法：瞬时极性法。即在电路中，从输入端开始，沿着 信号流向，标出某一时刻有关节点电压变化的斜率 （正斜率或负斜率，用“+”、“-”号表示）。共射、共集、共基、差分、 运放输入与输出间的瞬时极性法关系
A o 很大: 104 107
运放符号： u－ u+
ro 0 Ao
－＋
＋
Ao
uo
u－ u+
－
＋
uo
国际符号
国内符号
Rf R1 vN vP R2
（1）反相比例运算电路
vI
A + vO
（2）同相比例运算电路
Rf
为提高精度，一般取 R 2 R 1 // R f
模拟电子技术基础 知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
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模拟电子技术基础
机电学部机械系 曾海霞
模拟电子技术——复习
第0章 绪论 第1章 常用半导体器件
第2章 分立元件放大电路
第3章 集成运算放大器电路 第4章 放大电路的频率响应 第5章 放大电路中的反馈 第6章 信号运算与处理电路
第7章 信号产生电路
第8章 功率放大电路 第9章 直流电源
解：1）通过近似计算法求IBQ：I BQ
iC
iB= 100μ A A 80μ A 60μ A 40μ A 20μ
0
2 6 (b) 10 V
U cc U BE(on) U cc 12 mA 40A Rb Rb 300
mA 5 4 3 2 1
2）通过作图法求ICQ、 UCEQ ：UCC=12V，UCC/RC=4mA
模拟电子技术——复习
放大电路的图解分析方法
直流通道与交流通道
UCC Rb RC IC
直流通道
IB T IE
交流通道
ic
ib ui Rb
T RC RL uo
基本共发射极放大电路
模拟电子技术——复习
模拟电子技术——复习
分析举例
一个基本共发射极放大电路的直流通路如图（a ）所示，已知： U BE 0.7V Rc 3kΩ U CC 12V Rb 300kΩ 晶体管的特性如图（b）所示，试用图解法确定其静态工作点。
模拟电子技术——复习
模拟电子技术——复习
模拟电子技术——复习
晶体管的结构和符号
晶体管有三个极、三个区、两个PN结。
模拟电子技术——复习
三极管的3种连接方式：
（a）共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示； （b）共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； （c）共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。
模拟电子技术——复习
电子技术的发展很大程度上反映在元器件的发展 上。从电子管→半导体管→集成电路
1904年 电子管问世
1947年 晶体管诞生
1958年集成电 路研制成功
电子管、晶体管、集成电路比较
模拟电子技术——复习
模拟电路
模拟电路是对模拟信号进行处理的电路。 最基本的处理是对信号的放大，有功能和性能各异的放
Q点与非线性失真的关系
1）Q点设置过低，易引起输出波形的截止失真 2）Q点设置过高，易引起输出波形的饱和失真
iC iC
iC iC
k
k Q
iB
iB
②
m B B m IBQ Q
ii
③
0
0
③
Q
②
ω t ω t
0 0
0 0 j
ωt ωt
(a)
④
u uCE CE
④
ωt ωt
(b) (b)
(a)
0 0
j
uCE uCE
(b)
Ro
2. 求输入电阻Ri
ui ui ii Rb r be
ui // Rb r be Ri Rb r be ii Rb r be
模拟电子技术——复习
ii
ib
b
c
ic
ib
b
c
ic
I0
ui
Rb
rbe
ib
Rc
RL uo
Rb
rbe
ib
Rc
U0
e
e
Ri
Ro
求Ro的等效电路 信号源短路
R L R c // R L
(a)
Ri
(b)
Ro
R L uo Au ui r be
式中负号说明uo与ui反相
模拟电子技术——复习
1. 求电压放大倍数 Au
ic ii ib Rb T Rc RL uo ui Rb ii ib
b c
ic
rbe
ui
ib
Rc
RL uo
e
(a)
Ri
ib
RS
b c
ic uo Rc RL
rbe
ui Rb
e
uS
ib
Ri RB // r be
300 0.864 kΩ 0.862kΩ R R 4kΩ 微变等效电路 o c 300 0.864
Ri
Ro
模拟电子技术——复习
分压式偏置放大电路
UCC Rb1 C1 T ui Rb2 Re RC C2 RL uo Rb1 I1 RC UCC I CQ T I BQ Re Rb U BB I BQ Re I2 RC T UCC I CQ I1 UCC Rb1
uO
模拟电子技术——复习
稳压二极管
分析举例
已知UZ=6V, IZmin=5mA，IZmax=25mA， R=200Ω，Ui=10V。试 分别分析RL=200Ω和600Ω时电路的工作情况。
分析方法：
先断开稳压二极管，然后分析 稳压管的工作状态，由稳压管 是否反向击穿的结果再做进一 步的分析。
模拟电子技术——复习
恒压模型： I D (VDD VD ) / R 0.93 mA
模拟电子技术——复习 2.电路如图：uS=100sin(wt)V ，二极管采用理想模型代替， 试分析电路输出电压uO ,并画出其波形。 解：当uS >0，二极管正偏，导通
理想模型 VD 0 V,
uO uS
当uS <0 ，二极管反偏 ，截止
模拟电子技术——复习
晶体管工作状态
1.发射结正偏，集电结反偏： （放大状态） 2.发射结反偏，集电结反偏： （截止状态）
3.发射结正偏，集电结正偏： （饱和状态） 4.发射结反偏，集电结正偏： （倒置状态）
电流的分配关系：IE=IB+ IC （放大状态）
IC IB
（以NPN为例） 发射区：发射载流子； 集电区：收集载流子； 基区：传送和控制载流子。
导通时UD＝Uon 截止时IS＝0
应根据不同情况选择不同的等效电路！
100V？5V？1V？
？
模拟电子技术——复习
二极管应用电路举例
分析方法：先断开二极管，分析P极和N极电位，判断二极管的 状态(正偏或反偏)，再用模型分析。 1.电路如图：VDD=10V ，R=10k，分析电流ID。
解：二极管正偏 理想模型： VD 0 V, I D VDD / R 1 mA
解： （2）由交流通道，转换成微变等效电路进行动态分析。
ib
ic
RS
b c
ic
UCC iC
c C2
ui
RS uS
rC be
Rb
ui
Rb
RC
uo RL
RL uo
1
R
ui
Rb
ib
T RC RL uo
uS
RS uS
iB
e
ibT
iE
Ri
Ro
交流通道
共发射极放大电路 微变等效电路
模拟电子技术——复习 4. 分析举例
大电路。 其它模拟电路多以放大电路为基础。
模拟电子技术——复习
本征半导体
本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。 共价键：相邻两个原子的最 外层电子变为公共的电子 由于热运动，具有足够能量 的价电子挣脱共价键的束缚 而成为自由电子 自由电子的产生使共价键中 留有一个空位置，称为空穴 载流子
模拟电子技术——复习
(a)
(b)
(c)
(d)
模拟电子技术——复习
UCC Rb1 C1 T ui Rb2 Re RC C2 RL uo
i u ui ui i iiR b R // R ib Rb Rb r be (1 ) Re
参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态 平衡，就形成了PN结。 PN结加正向电压导通： 耗尽层变窄，扩散运动加 剧，由于外电源的作用，形 成扩散电流，PN结处于导通 状态。 PN结加反向电压截止： 耗尽层变宽，阻止扩散运动， 有利于漂移运动，形成漂移电 流。由于电流很小，故可近似 认为其截止。
Ro
3. 求输出电阻Ro ibe= 0
ib 0
负载开路
U0 I0 Rc
Ro
U0 Rc I0
模拟电子技术——复习 4. 分析举例
Rb 300kΩ Rc RL 4kΩ RS 1kΩ 电路如图所示，已知： U CC 12V 45 电容C1、C2的容抗忽略不计。 试分析：（1）静态工作点；（2）动态性能指标；
uO 0
模拟电子技术——复习 3.电路如图，uI=6sintV，R=1kΩ，VREF=3V，二极管为硅 管。分别用理想模型和恒压模型，绘出相应的输出电压uO的 波形。
模拟电子技术——复习 4.电路如图，uI=5sintV，R=1kΩ，E1=1V， E2=2V，用 理想模型，绘出输出电压uO的波形。
当ui=Umsinwt 时动态工作情况分析
由iB的波形对应画出iC的波形
mA mA
由uBE波形对应画出iB的波形
µA m
IBQ
iC
iB
Q
iC
③
k
µA
iB
Q
② uBE
UBEQ l
0
ωt
④
uCE
ωt
由iC的波形对应画出uCE的波形
0
ωt
0 0
0 j
uCE
ωt
0
① uBE
ui
ui叠加于UBEQ之上
模拟电子技术——复习
直流通道
IB T IE
2) Rb、Ucc固定，Rc变化对Q点的影响
I CQ I BQ
U CEQ U CC I C RC