HYNIX HY5RS123235FP 引脚说明

DQ0-31(B(2, 3), C(2, 3), E2, F(2, 3),G3,B(10, 11), C(10, 11),E11, F(11, 19), G10, L10,M(10, 11), N11, R(10, 11),T(10,11), L3, M(2, 3),N2,R(2, 3), T(2, 3)) I/O 数据输入/输出：
A0 - A11(H(2, 11),K(2-4, 9-11),L(4, 9), M(4, 9)) I 地址输入：为读写命 在相应BANK中选择一个位置，给ACTIVE（激活）命令提供行地址、列地址以及自 动充电位(A8)。在预充电命令是否对一个BANK实施（A8低由BA0-BA2选择BANK，A8 高，则所有BANK）。该地址输入还提供了模式寄存器设置（SET）命令的操作码。 BA0和BA1界定哪些模式寄存器（模式寄存器或扩展模式寄存器）在加载模式寄存 器命令期间加载。
RDQS0-3(D(3, 10), P(3, 10)) O 读数据选通：RDQS和读数据是边沿对齐的。
WDQS0-3(D(2, 11), P(2, 11)) I 写数据选通：WDQS和读数据是中心对齐的。
SEN(ULeabharlann ) I 扫描启用引脚。逻辑高启用扫描模式。不使用应该接地。该引脚为 CMOS输入。
NC/RFU(J(2, 3)) 空脚
VDDQ(A(1, 12), C(1, 4, 9, 12),J(4, 9), N(1, 4, 9, 12),R(1, 4, 9, 12), U(1, 12)) 供电 DQ供电：+1.8V。
VSSQ(JB(1, 4, 9, 12), D(1, 4, 9, 12), G(2, 11),L(2, 11), P(1, 4, 9, 12), T(1, 4, 9, 12)) 供电 DQ接地：在核心上隔离以便改进噪声性能。
CS#(F9) I 片选： CS#启用（记录为高）和禁用（记录为低）命令解码器。当 CS#记录为高电平时所有命令被加掩码，在系统具有多个BANK时CS#提供对外部 BANK的选择。CS#也被认为是命令代码的一部分。
RAS#, CAS#, WE#(H3,F4,H9) I 命令输入：RAS#, CAS#和WE#（与CS#）定义为 输入命令。
HYNIX HY5RS123235FP 引脚说明
CK, CK#(J10,J11) I 时钟: CK 和 CK# 是差分时钟输入。所有地址和控制输入 信号都在CK正沿和CK#负沿交叉处采样。
CKE(H4) I 时钟启用： CKE高电平启用低电平停用内部时钟信号以及设备的输 入缓冲器和输出驱动器 。以CKE低提供预充电关闭电源和自刷新操作（所有BANK 空闲），或激活掉电（所有BANK行激活）。CKE对进入和退出掉电和对自刷新进入 是同步的，对自刷新退出和禁用输出是异步的。在读或写访问过程中CKE必须始终 维持高状态。输入缓冲器（不包括中CK，CK和CKE）在掉电期被禁用，输入缓冲器 （不包括CKE）在自刷新期间被禁用。
VDD(A(2, 11), F(1, 12),M(1, 12), U(2, 11) K(1, 12)) 供电 供电：+1.8V 。
VSS(A(3, 10), G(1, 12),L(1, 12), U(3, 10) J(1, 12)) 供电 接地
VREF(H(1, 12)) 供电 参考电压
MF(A9) 参考 翻盖安装DRAM的镜像功能。
ZQ(A4) 参考 自动校准的外部基准引脚，它应该连接到RQ（=240Ω）。
RES(U9) 参考 复位脚，该引脚为VDD CMOS输入。
DM0-DM3(E(3, 10), N(3, 10)) I 输入数据掩码：DM是一种写数据输入掩码信号 。在写访问期间，DM为采样高与输入数据相关联，输入数据被隐蔽。DM在WDQS的 上升沿和下降沿采样。
BA0 - BA2 I Bank地址输入：BA0到BA2定义为那个BANK比激活、读、写或者使 用预充电命令。