2010年电子科技大学829模拟电路与数字电路考研试题参考答案
西安电子科技大学821电路、信号与系统2010年考研专业课真题答案
−
π 4
U(t) = 2 cos 2������ = 2∠0
所以Y
=
i(t) U(t)
=
1 2
(1
−
������)
=
1 ������
+
1 ������2������
K = 2, L = 1
4.A 解 在0−时刻，
15 + 40V -
15 30
+ Uc(0-)
-
⇒ Uc(0−) = 20������ 在0+时刻，
3π 4
三、计算题 11.运用叠加原理，将电路等效为直流和交流分别 作用的电路， 1)在电压源单独作用时如下图,
2 -I+ 2
+
3
6V
-
列 KVL
6 = (2 + 2 + 3)ⅈ − ⅈ ⇒ ⅈ = 1 所以U = 3ⅈ = 3V 在电流源单独作用时，如图，
i1 2 - I + 2
Is 3
ⅈ1 = ������ − ������������ (1)
8.
在0−时刻，电路图等效为，
1H
1+ U(0-)
-
2A 1
Uc(0−) = 2������, ������������(0−) = 0������
在0+时刻，电路等效为，
i2
1H
+ 4V -
1+ U(0-)
-
2A 1
ⅈ(0+)
=
4−2 2
=
1������
注意电感在没有初始储能的情况下上电相当于开
2k
4mA 1k - I5
列 KVL 方程，
电子科技大学2010年管理学原理考研真题及答案
电子科技大学2010年管理学考研真题一、判断题（1*20）1、一些文献对管理定义阐述不同，有活动论、过程论、职能论、工作论和环境论。
其中1978年诺贝尔经济学奖获得者西蒙认为：“管理就是决策”，以及哈佛大学教授德鲁克认为“管理是一种以绩效责任为基础的专业职能”。
这两种解释都属于活动论。
2、各项管理职能都有自己独特的管理形式。
例如计划职能通过目标的制定和行动的确定表现出来。
组织职能通过组织设计和人员配备表现出来。
但创新职能本身并没有某种独特的表现形式。
3、人群关系理论是“行为科学”管理学派的早期思想，它只强调重视人的行为，而行为科学还要求进一步研究人的行为规律，找出产生不同行为的影响因素，探讨如何控制人的行为以达到预定目标。
4、马斯洛的需要层次理论，虽然在发表为不少人接受，但在实际工作中得到应用，但对它层次排列是否符合客观实际也有不少争议，有人认为它对人的动机没有完整的看法，没有提出激励方法等。
这一理论注意到了工作于工作环境的关系。
5、从伦理的角度看，具有内在控制中心的人不大可能对其行为后果负责，更可能依赖外部力量。
相反，具有外在控制力量的人则更可能对后果负责并依赖自己内在的是非标准来指导其行为。
6、“IBM就是服务”是美国国际商业机器公司的价值观。
“顾客第一”是日本三菱公司的组织精神。
7、强烈管理欲望是有效进行管理工作的基本前提。
正直和诚实是每个组织成员都应该具备的基本品质。
8、计划是决策的前提，决策是计划的逻辑延续，计划为决策提供依据，决策为计划的目标实现提供保证。
9、据有关权威部门调查统计分析，家电行业某类家用加湿取暖器在近六年的市场年销售量依次是1000万、2000万、3500万、5500万、5800万、5850万台。
由此可以推断该类家用加湿取暖器正处于其产品生命周期的成长期。
10、如果高层次对低层次的决策没有任何控制，则分权程度高：如果低层次在决策后要向高一级管理部门报告备案，则分权程度次之：如果低层次在决策前要征询上级部门的意见，则分权程度更低。
2010-2016年合肥工业大学832数字电路考研真题及答案解析 汇编
2017版合肥工业大学《832数字电路》全套考研资料我们是布丁考研网合工大考研团队，是在读学长。
我们亲身经历过合工大考研，录取后把自己当年考研时用过的资料重新整理，从本校的研招办拿到了最新的真题，同时新添加很多高参考价值的内部复习资料，保证资料的真实性，希望能帮助大家成功考入合工大。
此外，我们还提供学长一对一个性化辅导服务，适合二战、在职、基础或本科不好的同学，可在短时间内快速把握重点和考点。
有任何考合工大相关的疑问，也可以咨询我们，学长会提供免费的解答。
更多信息，请关注布丁考研网。
以下为本科目的资料清单（有实物图及预览，货真价实）：2017版合肥工业大学《数字电路》全套考研资料包含：一、合肥工业大学《数字电路》历年考研真题及答案解析2016年合肥工业大学《数字电路》考研真题（含答案解析）（11月份统一更新）2015年合肥工业大学《数字电路》考研真题（含答案解析）2014年合肥工业大学《数字电路》考研真题（含答案解析）2013年合肥工业大学《数字电路》考研真题（含答案解析）2012年合肥工业大学《数字电路》考研真题（含答案解析）2011年合肥工业大学《数字电路》考研真题（含答案解析）2010年合肥工业大学《数字电路》考研真题（含答案解析）二、合肥工业大学《数字电路》期中期末试卷三、合肥工业大学《数字电路》考研复习笔记1、合工大《数字电路》2011-2013年内部答疑2、合工大《数字电路》重点笔记3、合工大《数字电路》考研复习指导4、合工大《数字电路》重要概念总结5、合工大《数字电路》复习大纲和复习题6、合工大《数字电路》各章重要知识点四、合肥工业大学《机械原理》考研复习题1、合工大本科生《数字电路》模拟题含配套答案2、合工大《数字电路》习题集3、各高校《数字电路》经典试题集锦适用专业：物理电子学、电路与系统、微电子学与固体电子学、电磁场与微波技术、集成电路与系统、电子与通信工程（专硕）、集成电路工程（专硕）参考书目：《数字电路与逻辑设计》（第二版），林红主编，清华大学出版社，2009年版。
电子科技大学考研829 数字 模拟电子本科试卷考研真题
电子科技大学模拟电路期末（2000-2011）试卷14份+答案每份不同电子科技大学模电子科技大学模拟电路期末（2000-2011）试卷14份+答案每份不同电子科技大学模拟电路期中（2004-2011）试卷12份+答案每份不同电子科技大学数字逻辑电路本科试卷（2002年以后）17套（每份不同）829数字电路与模拟电路2000-2010真题与答案电子科大模拟电路简答题试题库（100道左右）电子科技大学考研模拟电路2007-2010 四份电子科技大学模拟电路吴援明课后习题答案电子科技大学模拟电路PPT 3份电子科技大学数字逻辑电路PPT 2份数字逻辑电路课后答案拟电路期中（2004-2011）试卷12份+答案每份不同电子科技大学数字逻辑电路本科试卷（2002年以后）17套（每份不同）829数字电路与模拟电路2000-2010真题与答案电子科大模拟电路简答题试题库（100道左右）电子科技大学考研模拟电路2007-2010 四份电子科技大学模拟电路吴援明课后习题答案电子科技大学模拟电路PPT 3份电子科技大学数字逻辑电路PPT 2份数字逻辑电路课后答案所有资料不重复。
淘宝网：/item.htm?id=9960243831电子科技大学二零零五至二零零六学年第二学期期中考试“数字逻辑设计及应用”课程考试题期中卷（120分钟）考试形式：闭卷考试日期2006年4月22日课程成绩构成：平时20 分，期中20 分，实验0 分，期末60 分一二三四五六七八九十合计一、填空题（每空1分，共15分）1、( 323 )10=( 101000011 ) 22、(0. 4375 )10=( 0.0111 ) 23、(1101．0011) 2 = ( 13.1875 )104、（FD．A）16 = ( 11110000.1010 ) 2= ( 360.50 )85、( 4531 )10 = ( 0100 0101 0011 0001 ) 8421BCD 。
十四套名校数电考研真题、答案与详解
十四套名校数电考研真题、答案与详解网学天地（）出品版权所有！目 录1华中科技大学2008年《电子技术基础》考研真题与答案 (1)2电子科技大学2010年《数字电路》考研真题与答案 (6)3浙江大学2011年《信号系统与数字电路》考研真题与答案 (14)4吉林大学2010年《电子技术》考研真题与答案 (20)5南开大学2011年《电子综合基础》考研真题与答案 (23)6华南理工大学2011年《电子技术基础》考研试题 (27)7哈尔滨工业大学2010年《电子技术基础》考研真题与答案 (33)8哈尔滨工业大学2010年《电路与数字电子技术》考研真题与答案 (39)9哈尔滨工业大学2010年《信号与系统、数字电路》考研真题与答案 (40)10复旦大学2009年《电子线路与集成电路设计》考研真题与答案 (48)11东南大学2008年《信号与系统、数字电路》考研真题与答案 (52)12深圳大学2011年《数字电路与专业综合》考研真题与答案 (60)13重庆大学2010年《电子技术一》考研真题与答案 (67)14北京邮电大学2009年《电子电路》考研真题与答案 (71)网学天地（ ）出品 版权所有！ 11 华中科技大学2008年《电子技术基础》考研真题与答案数字电子技术部分一、填空题（每空1分，共20分）4．数字电路中的三极管一般工作于________区和________区。
答案：截止 饱和5．(63)O 的二进制补码是________，格雷码是________。
答案：(101100)B (101010)B6．四个逻辑变量的最小项最多有________个，任意两个最小项之积为________。
答案：16 07．触发器是对脉冲________敏感的存储单元电路，锁存器是对脉冲________敏感的存储电源电路。
答案：边沿 电平8．对于一个含有逻辑变量A 的逻辑表达式L ，当其他变量用0或1代入后，表达式可化简为：L =________或________时，会产生竞争冒险。
机电一体化原理与应用-模拟题1-3
西安电子科技大学网络教育2010学年上学期模拟试题1课程名称：__机电一体化原理及应用考试形式：闭卷学习中心：_________ 考试时间： 90分钟姓名：_____________ 学号：一填空题（每空1分，合计30分）1. 滚珠丝杆中滚珠的循环方式：__________，________________。
2. 机电一体化系统，设计指标和评价标准应包括 __________， __________， __________ ，__________。
3. 顺序控制系统是按照预先规定的次序完成一系列操作的系统,顺序控制器通常用___________。
4. 某光栅的条纹密度是50条/mm，光栅条纹间的夹角θ=0.001孤度，则莫尔条纹的宽度是_______________________。
5. 连续路径控制类中为了控制工具沿任意直线或曲线运动，必须同时控制每一个轴的__________、___________，使它们同步协调到达目标点。
6. 某4极交流感应电机，电源频率为50Hz，转速为1470r/min，则转差率为_____________。
7. 齿轮传动的总等效惯量与传动级数的关系是：___________________。
8. 复合控制器必定具有__________________________________。
9. 位置传感器按其原理主要分__________、___________、__________、__________等几种。
10. 钻孔、点焊通常选用_____________________类型的数控机床，平面片类零件加工选用______________________类型的数控机床，曲面加工通常选用_______________________类型的数控机床。
11. 一般来说，伺服系统的基本组成为、、和等四大部分组成。
12．现在常用的总线工控制机有 _______ 、_______ 、_______ 等。
西安电子科技大学《电路与电磁场》考研真题2010年
西安电子科技大学《电路与电磁场》考研真题2010年(总分：150.00，做题时间：90分钟)一、(总题数：1，分数：15.00)相对介电常数εr =2区域内电位(1，1，1)处的：（分数：15.00）(1).电场强度E。
（分数：5.00）__________________________________________________________________________________________ 正确答案：()∴在点(1，1，1)处E=-2e x +4e y -e z (V/m)(2).电荷密度ρ。
（分数：5.00）__________________________________________________________________________________________ 正确答案：()解析：解：ρ=▽·D=εrε0▽·E=4ε0≈3.54×10 -11 (C/m 3 )(3).电场能量密度w e。
（分数：5.00）__________________________________________________________________________________________ 正确答案：()解析：解：∴在点(1，1，1)处w e≈1.86×10 -10 (J/m 3 ) [解析] 本题考查最基本的静电场公式，没有什么难度，但要注意不要把εr错当成ε带入计算而丢掉ε0，E是坐标函数，求散以后再带入x，y，z值，不要丢掉单位，这些低级错误一定要杜绝。
二、(总题数：1，分数：15.00)电场强度E(r，t)=excos(3π×10 8 t-2πz)-e y 4sin(3π×10 8 t-2πz)(mV/m)的均匀平面电磁波在相对磁导率μr =1的理想介质中传播，求：（分数：15.00）(1).电磁波的极化状态。
电子科技大学大二微电子专业模拟集成电路试卷及答案 (2)
………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学二零XX 至二零XX 学年第X 学期期终考试模拟集成电路原理课程考试题 A 卷（120分钟）考试形式：开卷考试日期20XX 年月日课程成绩构成：平时10 分，期中0 分，实验10 分，期末80 分一二三四五六七八九十合计一．选择题（共20题，每题2分，共40分）1.对于MOS管, 当W/L保持不变时, MOS管的跨导随漏电流的变化是( B )A. 单调增加B. 单调减小C. 开口向上的抛物线D.开口向下的抛物线.2. 对与MOS器件,器件如果进入饱和区, 跨导相比线性区将( A )Ａ增加 B.减少 C不变 D 可能增加也可能减小3. 在W/L相同时, 采用”折叠”几何结构的MOS管较普通结构的MOS管, 它的栅电阻( C )A 增大B 不变C 减小D 可能增大也可能减小4. 关于衬底PNP,下列说法正确的是( A )A．所有衬底PNP集电极电压必须相同.B．所有衬底PNP发射极电压必须相同.C．所有衬底PNP基极电压必须相同.D．所有衬底PNP各个电极电压可以任意设定5. 对于扩散电阻, 其宽度越大, 则电阻值越易做得( A )A 精确, B误差大, C 误差可大可小, D电阻间的相对误差大.6. 室温下, 扩散电阻阻值的温度系数为( A )A 正, B零, C负, 可正可负7.在集成电路中决定互联线宽度的因素有( A )A．大电流密度限制.B．Si-Al互熔问题.C．互联线的温度系数………密………封………线………以………内………答………题………无………效……D．是否形成欧姆接触.8. 套筒式共源共栅运放和折叠式共源共栅运放相比, 它的( B )较大些A. 最大电压输出摆幅B. 差模增益C. 极点频率D.功耗9.在版图设计上, 采用比例电阻和比例电容的设计可以( C )A. 提高电阻或电容自身的绝对精度,B. 提高电阻或电容自身的相对精度,C. 减小电阻或电容间的比例误差D. 无影响10.差分对中, 不影响其共模抑制比的因素为( C )A．差分管的对称性B．电流源的交流阻抗C．输入电压幅度D．电阻R C1和R C2的对称性11. Cascode电流镜的最小输出电压V MIN(out)的值为( C )A．V ON+V TN B.2(V ON+V TN) C. 2V ON+V TN D. V ON+2V TN12.对于ED NMOS基准电压源电路, 其中的两个NMOS的工作状态为( A )A, 都是饱和区B. 一个是饱和区, 一个是线性区C 都是线性区D都是亚阈值区13正偏二级管正向压降具有( B )温度特性.A . 零 B. 负 C. 正 D. 可正可负14. MOS共栅放大器的特点是( D )A．放大器输入输出反相, 输入阻抗高B．放大器输入输出同相, 输入阻抗高………密………封………线………以………内………答………题………无………效……C．放大器输入输出反相, 输入阻抗低D．放大器输入输出同相, 输入阻抗低15. 电路的主极点是( D )A离原点最远的极点, 它对应电路的-3dB带宽B 离原点最远的极点, 它对应电路的单位增益带宽C离原点最近的极点, 它对应电路的单位增益带宽D.离原点最近的极点, 它对应电路的-3dB带宽16.在CMOS差分输入级中, 下面的做法哪个对减小输入失调电压有利( C )A．增大有源负载管的宽长比.B．提高静态工作电流..C．增大差分对管的沟道长度和宽度D．提高器件的开启(阈值)电压17.在差分电路中, 可采用恒流源替换”长尾”电阻. 这时要求替换”长尾”的恒流源的输出电阻( A )A．越高越好, B.越低越好 C. 没有要求D. 可高可低18. 和共源极放大器相比较, 共源共栅放大器的密勒效应要( A )A.小得多B相当, C 大得多. D不确定19.在版图设计上, 采用比例电阻和比例电容的设计可以( C )A. 提高电阻或电容自身的绝对精度,B. 提高电阻或电容自身的相对精度,C. 减小电阻或电容间的比例误差D. 无影响20.对于差分对的版图设计下列（ D ）图最优.………密………封………线………以………内………答………题………无………效……二． 简答题（共5题，每题4分， 共20分）1. 画出共源共栅放大器基本结构, 简述其工作原理及特点.答:基本原理：M1为输入器件，M2为共源共栅器件，共源级M1将输入电压信号Vin 转换为电流信号g m Vin ，该电流信号流入M2漏端，从其源端输入到负载。
电子科技大学《数字电路》真题2010年
电子科技大学《数字电路》真题2010年(总分：140.00，做题时间：90分钟)一、{{B}}选择题{{/B}}(总题数：10，分数：20.00)1.两个二进制数进行算术运算，下面______说法是不正确的。
• A.两个无符号数相加，如果最高位产生进位输出，则肯定发生溢出• B.两个最高位不同的补码进行相加运算，肯定不会产生溢出• C.两个补码进行相加运算，如果最高位产生进位输出，则肯定发生溢出• D.两个补码的减法运算可以用加法器来实现（分数：2.00）A.B.C. √D.解析：2.以下描述一个逻辑函数的方法中______只能唯一表示。
• A.表达式• B.逻辑图• C.真值表• D.波形图（分数：2.00）A.B.C. √D.解析：3.在不影响逻辑功能的情况下，CMOS与非门的多余输入端可______。
• A.接高电平• B.接低电平• C.悬空• D.通过电阻接地（分数：2.00）A. √B.C.D.解析：4.欲产生序列信号11010111，则至少需要______级触发器。
• A.2• B.3• C.4• D.5（分数：2.00）A.B. √C.D.解析：5.一个8位二进制减法计数器，初始状态为00000000，问经过268个输入脉冲后，此计数器的状态为______。
• A.11001111• B.11110100• C.11110010• D.11110011（分数：2.00）A.B. √C.D.解析：6.为构成4096×16的RAM区，共需1024×4位的RAM芯片______片。
• A.64• B.8• C.16• D.32（分数：2.00）A.B.C. √D.解析：7.逻辑函数F1=∑A，B，C，D(2，3，5，8，11，13)和F2=∏A，B，C，D(2，4，7，10，12，13)之间满足______关系。
• A.对偶• B.相等• C.香农展开• D.反演（分数：2.00）A. √B.C.D.解析：8.移位寄存器由8级触发器组成，用它构成的扭环形计数器具有______种有效状态；用它构成的环形计数器具有______种有效状态，构成线性反馈移位寄存器具有______种有效状态。
电子科大考研真题：836信号与系统和数字电路
输出 RCO
0 0 0 0 0 0 0 0 0 1
图 2-3
第6页 共7页
三：设计题（二小题共 25 分）（设计题可以不画具体电路图，但必须有详细且明确的连接 关系表达，如逻辑函数表达；器件管脚说明，信号-管脚连接表等。） 1）（10 分）设计一个实现 Z=2.5·Y 乘法运算的组合电路，其中 Y 是输入，为 4_bit 二进 制码字；Z 为二进制输出。（电路实现结构、器件自选，必须说明设计思路。） 2）（15 分）试用 D 触发器和必要的逻辑门设计一个时钟同步状态机电路。电路功能要求： 在电路复位（低电平复位）有效后，每输入 5 个时钟脉冲时，在第 3 个和第 4 个时钟脉冲处， 输出端 Z 都有一个脉冲输出（波形如图 3-2 所示）。由于后续电路对输出信号 Z 的脉冲边沿 有要求，请在设计中考虑器件延时对输出波形的影响；要求能自启动。（电路结构、器件自 选，必须说明设计思路。）
二、（１０分）已知 LTI（线性时不变）连续时间系统冲激响应为 h0 (t) ，当输入是 f0 (t) 时，
响应为 y0 (t) 。如果另一 LTI 连续时间系统冲激响应 h(t) 和输入信号 f (t) 分别表示如下，
并设其响应为 y (t) 。用卷积的概念和性质求系统的响应 y (t) （用 y0 (t) 表示）。（请给出推
j sin(5πt)
h 2(t)
y3 (t)
f(t)
h 1(t)
y1(t)
y(t)
图 2 (a)
F(ω) 1
−2π
0
2π ω
图 2 (b) 图 2、第４题图
第3页 共7页
五、（16 分）求解下列问题：
∞
∑ （1）信号 m(t) = δ (t − kT ) ，T > 0 ，是否周期信号，若是，周期是多少？ k =0 ∞
电子科技大学《电路设计与仿真》20秋期末考试参考答案电子科技大学网络教育考卷(A2卷)
电子科技大学《电路设计与仿真》20秋期末考试参考答案电子科技大学网络教育考卷（A2卷）
一、分析简答
1、（15分）电路如图所示，变压器副边电压有效值为2U2。
（1）画出u2、uD1和uO的波形；
（2）求出输出电压平均值UO（A V）和输出电流平均值IL（A V）的表达式；（3）二极管的平均电流ID（A V）和所承受的最大反向电压URmax的表达。
解：
（1）全波整流电路，波形如下图
和输出电流平均值I L（A V）为
（2）输出电压平均值U O
（A V）
（3）二极管的平均电流I D
和所承受的最大反向电压U R为
（A V）
2、（15分）试说明下图所示电路中基极电阻Rb的作用？如果去掉基极电阻Rb 会有什么影响？
解：
基极电阻Rb限定三极管的基极电流；由于三极管的发射极电流与发射结电压成指数关系，如果去掉电阻，三极管会因电流过大而烧坏。
3、(15V) 下图所示电路中稳压管的稳定电压UZ＝6V，最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流IZmax＝25mA。
（1）分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值；
（2）若UI＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？
4、（15分）电路如图P1.16所示，晶体管导通时UBE＝0.7V，β=50，UCES=0.7V。
试分析VI为0V、1V、1.5V三种情况下T的工作状态及输出电压uO的值。
电子科技大学2010期末数字电子技术考试题A卷-参考答案
………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学二零零九至二零一零学年第 二 学期期 末 考试数字逻辑设计及应用 课程考试题 A 卷（120分钟）考试形式：闭卷 考试日期2010年7月12日课程成绩构成：平时 20 分， 期中 20 分， 实验 0 分， 期末 60 分一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 合计复核人签名 得分签名一、To fill your answers in the blanks （1’×25）1. If [X]10= - 110, then [X]two's-complement =[ 10010010 ]2,[X]one's-complement =[ 10010001 ]2. (Assumed the number system is 8-bit long) 2. Performing the following number system conversions: A. [10101100]2=[ 000111010010 ]2421B. [1625]10=[0100100101011000 ]excess-3C. [ 1010011 ]GRAY =[10011000 ]8421BCD3. If ∑=C B A F ,,)6,3,2,1(, then F D ∑=C B A ,,( 1，4，5，6 )=C B A ,,∏(0，2，3，7 ).4. If the parameters of 74LS-series are defined as follows: V OL max = 0.5 V , V OH min = 2.7 V , V IL max = 0.8 V , V IH min = 2.0 V , then the low-state DC noise margin is 0.3V ,the high-state DC noise margin is 0.7V .5. Assigning 0 to Low and 1 to High is called positive logic. A CMOS XOR gate in positive logic is called XNOR gate in negative logic.6. A sequential circuit whose output depends on the state alone is called a Moore machine.7. To design a "001010" serial sequence generator by shift registers, the shift register should need 4 bit as least.得 分………密………封………线………以………内………答………题………无………效……8. If we use the simplest state assignment method for 130 sates, then we need at least8state variables.9. One state transition equation is Q*=JQ'+K'Q. If we use D flip-flop to complete the equation, the D input terminal of D flip-flop should be have the function D= JQ'+K'Q.10.Which state in Fig. 1 is ambiguous D11.A CMOS circuit is shown as Fig. 2, its logic function z= A’B’+ABFig. 1 Fig. 212.If number [A]two's-complement =01101010 and [B]one's-complement =1001, calculate [A-B]two's-complement and indicate whether or not overflow occurs.(Assumed the number system is 8-bit long)[A-B]two's-complement = 01110000, overflow no13. If a RAM’s capacity is 16K words × 8 bits, the address inputs should be 14bits; We need 8chips of 8K ⨯8 bits RAM to form a 16 K ⨯ 32 bits ROM..14. Which is the XOR gate of the following circuit A .15.There are 2n－n invalid states in an n-bit ring counter state diagram.16.An unused CMOS NOR input should be tied to logic Low level or 0 .17.The function of a DAC is translating the Digital inputs to the same value of analogoutputs.二、Complete the following truth table of taking a vote by A,B,C, when more than two of A,B,C approve a resolution, the resolution is passed; at the same time, the resolution can’t go through if………密………封………线………以………内………答………题………无………效……A don’t agree. For A,B,C, assume 1 is indicated approval, 0 is indicated opposition. For the F, assume 1 is passed, 0 is rejected.（5’）A B C F0 0 00 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 1 0 1 0 0 0 1 0 1 1 1 1 0 1 1 111三、The circuit to the below realizes a combinational function F of four variables. Fill in the Karnaugh map of the logic function F realized by the multiplexer-based circuit. (6’)四、(A) Minimize the logic function expressionF = A·B + AC’ +B’·C+BC’+B’D+BD’+ADE(H+G) （5’）F = A·B + AC’ +B’·C+BC’+B’D+BD’ = A·(B ’C )’ +B’·C+BC’+B’D+BD’= A +B’·C+BC’+B’D+BD’+C ’D (或= A +B’·C+BC’+B’D+BD’+CD ’)= A +B’·C+BD’+C ’D (或= A + BC’+B’D +CD ’)DC BA 00 01 11 10 00 1 1 01 1 1 11 1 1 101 1………密………封………线………以………内………答………题………无………效……(B) To find the minimum sum of product for F and use NAND-NAND gates to realize it （6’）=),,,(Z Y X W F Π(1,3,4,6,9,11,12,14)------3分 F= X ’Z ’+XZ -----2分 =( X ’Z ’+XZ)’’=(( X ’Z ’)’(XZ)’)’ ------1分五、Realize the logic function using one chip of 74LS139 and two NAND gates.（8’）∑=)6,2(),,(C B A F ∑=)3,2,0(),,(E D C GF(A,B,C)=C’∑(1,3) ---- 3分 G(C,D,E)=C’∑(0,2,3) ----3分WX YZ00 01 11 10 00 1 1 01 1 1 11 1 1 101 1WX YZ00 01 11 10 00 1 1 01 1 1 11 1 1 101 1WX YZ00 01 11 10 00 1 1 01 1 1 11 1 1 1011Function table for a 1/2 74x139Inputs Outputs G_L B A Y3_L Y2_L Y1_L Y0_L 1 X X 1 1 1 1 0 0 0 1 1 1 0 0 0 1 1 1 0 1 0 1 0 1 0 1 1 0 1 1 0 1 1 1………密………封………线………以………内………答………题………无………效……-六、Design a self-correcting modulo-6 counter with D flip-flops. Write out the excitation equations and output equation. Q2Q1Q0 denote the present states, Q2*Q1*Q0* denote the next states, Z denote the output. The state transition/output table is as following.（10’）Q2Q1Q0Q2*Q1*Q0*Z000 100 0100 110 0110 111 0111 011 0011 001 0001 000 1激励方程式：D2=Q0’（2分，错-2分）D1=Q2 （2分，错-2分）D0=Q1 （2分，错-2分）修改自启动：D2=Q0 +Q2Q1’（1分，错-1分）D1=Q2+Q1Q0’（1分，错-1分）D0=Q1+Q2Q0 （1分，错-1分）输出方程式：Z=Q1’Q0 （1分，错-1分）得分七、Construct a minimal state/output table for a moore sequential machine, that will detect the input sequences: x=101. If x=101 is detected, then Z=1.The input sequences DO NOT overlap one another. The states are denoted with S0~S3.（10’）………密………封………线………以………内………答………题………无………效……For example:X：0 1 0 1 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 1 0 0 0 1 1 ……Z：0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 ……state/output tableSXZ 0 1S0 S0 S1 0 S1 S2 S1 0 S2 S0 S3 0 S3 S0 S1 1S*………密………封………线………以………内………答………题………无………效……八、Please write out the state/output table and the transition/output table and the excitation/output table of this state machine.（states Q2 Q1=00~11, use the state name A~D ）（10’）Transition/output table State/output table Excitation/output table（4分） （3分） （3分）评分标准：转移/输出表正确，得4分；每错一处扣0.5分，扣完4分为止；由转移/输出表得到状态/输出表正确，得3分；每错一处扣0.5分，扣完3分为止；激励/输出表正确，得3分；每错一处扣0.5分，扣完3分为止。
十四套名校数电考研真题、答案与详解
十四套名校数电考研真题、答案与详解网学天地（）出品版权所有！目 录1华中科技大学2008年《电子技术基础》考研真题与答案 (1)2电子科技大学2010年《数字电路》考研真题与答案 (6)3浙江大学2011年《信号系统与数字电路》考研真题与答案 (14)4吉林大学2010年《电子技术》考研真题与答案 (20)5南开大学2011年《电子综合基础》考研真题与答案 (23)6华南理工大学2011年《电子技术基础》考研试题 (27)7哈尔滨工业大学2010年《电子技术基础》考研真题与答案 (33)8哈尔滨工业大学2010年《电路与数字电子技术》考研真题与答案 (39)9哈尔滨工业大学2010年《信号与系统、数字电路》考研真题与答案 (40)10复旦大学2009年《电子线路与集成电路设计》考研真题与答案 (48)11东南大学2008年《信号与系统、数字电路》考研真题与答案 (52)12深圳大学2011年《数字电路与专业综合》考研真题与答案 (60)13重庆大学2010年《电子技术一》考研真题与答案 (67)14北京邮电大学2009年《电子电路》考研真题与答案 (71)网学天地（ ）出品 版权所有！ 11 华中科技大学2008年《电子技术基础》考研真题与答案数字电子技术部分一、填空题（每空1分，共20分）4．数字电路中的三极管一般工作于________区和________区。
答案：截止 饱和5．(63)O 的二进制补码是________，格雷码是________。
答案：(101100)B (101010)B6．四个逻辑变量的最小项最多有________个，任意两个最小项之积为________。
答案：16 07．触发器是对脉冲________敏感的存储单元电路，锁存器是对脉冲________敏感的存储电源电路。
答案：边沿 电平8．对于一个含有逻辑变量A 的逻辑表达式L ，当其他变量用0或1代入后，表达式可化简为：L =________或________时，会产生竞争冒险。